Hector Antonio Henao Luengas.

Código 25451606.

La importancia del FET.

Para las personas inundadas de sensación por la curiosidad y amantes de la electrónica,

sabemos que nada seriamos sin la existencia de los semiconductores de estado sólido en
especial los transistores de efecto de campo (FET),[5] y no se pudiera haber efectuado sin la
presencia de la física de semiconductores y el motor que lo soporta, la teoría cuántica [1],
como lo presenta el profesor Giraldo mencionando que es uno de los campos en donde la
teoría cuántica dio más frutos, sosteniéndose en varios postulados en donde se explican cinco
en el texto citado [1].

La historia de los transistores de efecto de campo abarca toda la mitad del siglo 20
convirtiéndose en uno de los grandes hitos de la electrónica moderna, parte de esta creación
tuvo que ver con la necesidad de comunicarse, la capacidad del ser humano de reinventar sus
ideas para mejorar creaciones existentes y moldear nuevos dispositivos. La patente la
desarrollaron ha inicio del siglo 20 más exactamente en 1925 el Húngaro Julios Lilienfield
con la necesidad de controlar corrientes eléctricas, pero para la época no se contaba con la
tecnología suficiente para fabricar este dispositivo semiconductor,
en 1948 se realizó lo que hoy se conoce como el primer transistor de efecto de campo en los
laboratorios Bell Walter Houser Brattain en conjunto con John Bardeen, más tarde en 1960
Dawon Kahng con la compañía de Martin Atalla crearon el MOSFET ambos ingenieros de
los laboratorios Bell.

Los transistores de efecto de campo FET tienen diversas ocupaciones hoy en día como
aplicaciones en sistemas digitales y analógicos, interruptores con control energético, en los
circuitos integrados, entre otras; debido a estas aplicaciones es el dispositivo más importante
de la electrónica moderna de estado sólido, su enorme versatilidad, alto rendimiento y
confiabilidad lo han convertido en una buena alternativa para cualquier aplicación
electrónica. En un inicio cerca del año 1970 los FET debido a su pobre calidad de interfaces
de dióxido de silicio-silicio no se tenían tan presentes y era su aventajado rival los transistores
de unión bipolar (BJT) los más beneficiados pero con el tiempo la interfaz del FET mejoró,
a tal magnitud que la densidad de interfaz fueron bajas creando muy pocas rupturas de
electrones en la interfaz de modo que los fenómenos de alta velocidad podían ser
utilizados[2], de esta forma los BJT fueron totalmente reemplazados por los FET, en especial
por el transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) en la mayoría
de sus aplicaciones.[2]

Estos dispositivos son relativamente fáciles de fabricar, sin embargo, la velocidad del
dispositivo es controlado por geometrías definidas litográficamente. Los dispositivos FET
son unipolares esto quiere decir que involucran ya sea electrones o huecos, esto permite que
funcione a altas velocidades, lo que lo hace ideal para aplicaciones de electrónica digital o
microondas. Básicamente el FET consiste en tres junturas: Drenaje, fuente y compuerta, en
las cuales existe un canal activo a través del cual los electrones pueden fluir libremente desde
la fuente hasta el drenaje, el contacto que realizan estas, es plenamente óhmico y la anchura
del canal se realiza a través de un potencial aplicado a la compuerta de este dispositivo en
donde se activa o se desactiva, modulando así la corriente que fluye por el canal. Este
semiconductor de estado sólido se debe aislar apropiadamente ya que al fluir corriente de
manera incorrecta puede producir una disminución de ganancia de potencial una
consecuencia grave en el diseño de un circuito integrado.

Algo que comparten en común el transistor de efecto de campo de juntura o unión (JFET),
transistor de efecto de campo semiconductor de metal (MESFET) y Transistor de alta
movilidad de electrones (MODFET), es que los electrones libres que existen en el canal del
dispositivo son proporcionados por adulteración del canal y la diferencia abismal entre ellos,
es precisamente el aislamiento que se efectué en la compuerta para constreñir el canal [2].
Todos los anteriores mencionados pertenecen a la familia del FET, incluyendo el MOSFET
ya que sus procesos de adulteración son algo distintos. Para observar el delgado mundo que
existe en este tipo de transistores hay considerar que todos son producto de delgadas capas
semiconductoras tipo n dentro de las cuales se introducen capas tipo p, en donde las regiones
que realiza la periferia del tipo p es considerado el canal y es allí donde los electrones pueden
fluir libremente [2]. Esta constricción del canal se puede explicar de la siguiente manera, la
juntura de la fuente se coloca en polarización inversa con respecto al drenaje lo que permite
que fluyan electores entre los contactos óhmicos del drenador y la fuente, las regiones p
formaran la compuerta del dispositivo y una vez se aplica la polarización negativa, ocasiona
un incremento en la anchura de agotamiento sobre el semiconductor tipo n, es entonces que
a medida que los electrones son barridos fuera de la región n, la anchura efectiva del canal
de conducción se contrae, como resultado, la conductividad del canal es controlada por la
compuerta y permitirá realizar la aplicación a necesitar [2]. Es entonces cuando el voltaje en
la compuerta es cero existirá una pequeña polarización fuente-drenaje el cual evidencia un
comportamiento resistivo entre la corriente de drenaje versus la tensión de drenaje,
totalmente lineal su señal, ahora bien se puede empezar a colocar la polarización en inversa
de la compuerta obteniendo el voltaje negativo y lo que se va a evidenciar es que la señal
lineal que antes se tenía va tener una pendiente un tanto más inclinada haciendo entrever el
aumento de resistencia al crear el canal, lo que se conoce como supresión de corriente en el
canal, una vez uno aplique un voltaje inverso en compuerta lo suficientemente grande el
dispositivo estará totalmente apagado, ya que no le llega corriente al drenaje lo que significa
que la compuerta está totalmente cerrada, de esta manera funcionan los dispositivos FET.

Si ahora se considera una polarización fija en la compuerta y por el contrario se aumenta el

potencial del drenaje, lo que se obtendrá es que a medida que se aumenta la unión P+n, cerca
de donde se encuentra el drenaje este se tornará más polarizado y se crea nuevamente una
contrición del canal a punto de estar cerca del lado del drenaje, entonces dejara en algún
momento de comportarse de manera lineal y empezara a saturarse y es allí en donde se
definen las regiones de operación del FET, una región óhmica en donde se comporta de
manera lineal, esta es una zona en la cual se puede modelar el transistor como una resistencia
luego se aumenta aún más el voltaje de drenaje hasta que llega a una zona de saturación en
donde el voltaje expuesto en el drenaje va a permanecer igual por más corriente que se le
inyecte hasta que allá un voltaje de ruptura que provocara una súbita subida de la corriente y
hará que el dispositivo se averíe [3]. Lo anterior explica porque la incorrecta polarización de
un transistor puede averiarse, y este ejemplo puede reflejarse a un ordenador o cualquier
dispositivo electrónico que se nos ocurra.

Hoy en día las mejores aplicaciones dadas a los transistores de efecto de campo son los
circuitos integrados y más precisamente en la nanotecnología en donde su principal problema
es la capacidad de mantener márgenes de temperatura , así como de mejorar en capacidad y
velocidad de procesamiento, la nanotecnología cumple la Ley de Moore: en 1965, que
muestra el número de componentes integrados va creciendo el doble cada año haciendo que
sea el doble de transistor por cada microprocesador, en este momento el número de
transistores por circuito integrado está siendo así que el tamaño de un transistor es del orden
de 100nm [4]. Entonces se cuenta con un límite para la aplicación clásica en fabricación de
transistores, pues si pasa a las escalas de los átomos se deben realizar con mecánica cuántica.
La otra manera de realizar computación hoy en día es con la aplicación de mecánica cuántica
y es por medio trampas de iones en un arreglo electromagnético que permite cambiar la
dirección de los átomos como uno desee [5]. Es allí donde peligra la aplicabilidad de los
transistores FET ya que un computador cuántico funcional y útil representaría uno de los logros
y técnicos más profundos del siglo, ya que es más rápido permite hacer multiprocesos de
forma paralela y su arquitectura es más robusta y con menor tamaño, y con solo mencionar
esa palabra, se habla de dispositivos más pequeños, ligeros y versátiles. Por lo pronto se
avecina Google una compañía respetable realizo ya su primer procesador Cuántico y están
tratando de demostrar que es una tecnología que puede marcar la historia, haciendo que los
ordenares que conocemos como supercomputadoras sean desplazadas, otras empresas que de
academia pasaron a la industria para esta tecnología son: IBM, Google (universidad de
california), Microsoft en asociación de varios países; todo esto para concluir que el humano
sigue reinventándose cada vez más ahora nuestro limite ha sido colocado y a través de la
llamada computación cuántica se va a rebasar esta tecnología de efecto de campo, como en
un entonces rebasamos la obsoleta tecnología de los transistores de unión bipolar BJT.

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 Bibliografía:

[1]Giraldo.J Quamtum sapiems I LA PRIMERA REVOLUCIÓN CUÁNTICA Qué es y

qué no es cuántico, Universidad Nacional de Colombia, 2018. pag 144.

[2] SINGH, Jasprit. Dispositivos Semiconductores. Mc Graw-Hill. 1997 capitulo 8 Entre

paginas (339:392)

[3] Mehr P, Xiong Z, Lepkowski W, Li C, Thomton T. Sol FET on high resistivity, trap-
rich substrates. 2017, Solid state electronics, volume 142, pages 47-51

[4] Recuperado de :
http://large.stanford.edu/courses/2012/ph250/lee1/docs/Excepts_A_Conversation_with_Go
rdon_Moore.pdf

[5] Rosenblum B, Kuttner F. El enigma cuántico Encuentros entre la física y la conciencia,

Tusquets editores, junio de 2010.