I.

- OBJETIVOS
Verificar el funcionamiento de un JFET
Experimentar circuitos de polarización del JFET
II.- FUNDAMENTO TEORICO
En los transistores bipolares, una pequeña corriente de entrada (corriente de base) controla la
corriente de salida (corriente de colector); en los casos de los FET, es un pequeño voltaje de
entrada que controla la corriente de salida.
La corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable (menos de un pico amperio).
Esto es una gran ventaja, cuando la señal proviene de un dispositivo tal como un micrófono de
condensador o un transductor piezo eléctrico, los cuales proporcionan corrientes insignificantes.
Los FET’s, básicamente son de dos tipos:
- El transistor de efecto de campo de Juntura o JFET.
- El transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, también conocido como
semiconductor de óxido de metal, MOS, o simplemente MOSFET.

EL JFET

El JFET está constituido por una barra de silicio tipo N o canal N, introducido en una barra o anillo
de silicio tipo P tal como se muestra en la Fig. A
Los terminales del canal N son denominados “SURTIDOR” (SOURCE) y “DRENADOR” (DRAIN).
El anillo forma el tercer terminal del JFET llamado COMPUERTA (GATE).
Inicialmente circula una corriente por la compuerta, pero posteriormente la corriente circula
únicamente desde el surtidor al Drenador sin cruzar la juntura PN.

El control de esta corriente se efectúa por medio de la aplicación de un voltaje de polarización

inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS), formando un campo eléctrico el cual
limita el paso de la corriente a través del canal N (Fig.B). Al aumentar el voltaje inverso, aplicado
a la compuerta, aumenta el campo eléctrico, y la corriente de Surtidor a Drenador disminuye.
También se construyen JFET’s con barra de silicio tipo P y anillos de silicio tipo N,
denominándose “JFET canal P”.
El voltaje aplicado entre el Drenador y el Surtidor (VDS), no debe sobrepasar el voltaje de ruptura
(típicamente 50V) porque destruiría el dispositivo.
Si se aplica polarización directa a la compuerta, circulará una alta corriente por la compuerta que
puede destruir el JFET si no está limitada por una resistencia en serie con la compuerta.
VALORES COMERCIALES PARA EL JFET

Voltaje VDS (V) 25,30,40,50

Potencia (W) 0.15,0.3,1.8,30
Para comprar un JFET se debe indicar su código.
PRUEBA DEL JFET
Se comprueba con un ohmímetro en la escala de Rx1 ó Rx10.
Entre compuerta y surtidor o compuerta y Drenador debe marcar como si fuera un diodo de silicio;
es decir alta resistencia en un sentido y baja en el inverso.
Entre Drenador y surtidor, el valor óhmico exclusivamente del material del canal. Su valor varía
entre 2K y 10K, siendo el mismo en ambos sentidos.
III.- EQUIPO Y MATERIALES
Dos fuentes de voltaje ajustables de 0 a 15 V.
Un transistor 2N3904
Un multitester digital o analógico
Un JFET K373
Un LED de color (verde, rojo o amarillo)
Resistores ½ W: de 270Ω , 470Ω, 33KΩ, 4.7KΩ, 100KΩ, 1.8KΩ, 2KΩ, 1MΩ.
Potenciómetro de 10KΩ.

IV.- PROCEDIMIENTO

MEDICION DE IDSS Y VP

1º Arme el circuito mostrado en la Fig. 1A, coloque un amperímetro entre el circuito y la fuente
de voltaje, encienda esta y observe tanto el amperímetro como el LED, si no pasa corriente (LED
apagado), apague la fuente e invierta las conexiones del LED. (Verifique la posición del LED).
2º Arme y conecte el divisor de voltaje de la Fig. 1B y conecte el terminal central a la compuerta
(retirarla previamente del nivel de referencia), gire el potenciómetro y observe la corriente, con el
voltímetro mida la tensión VGS en el momento en que ID se hace cero.
Los resultados para la Fig. 1A, se muestran en la siguiente tabla:

MAGNITUD VALOR MEDIDO

VDS 8V
VGS 0V
VGD 8V
IS 5 mA
ID 5.5 mA
IG 0 mA

Los resultados para la Fig. 1B, se muestran en la siguiente tabla:

MAGNITUD VALOR MEDIDO

VDS 8.5 V
VGS -1.85 V
VGD 11 V
 IS 0 mA
ID 0 mA
IG 0 mA

De donde deducimos que:

IDSS = 5 mA
VP = - 1.85 V

POLARIZACION FIJA

Arme el siguiente circuito, ubique en forma adecuada los instrumentos tal que pueda medir ID y
VGS; encienda las fuentes y anote los valores de ID y VGS así también VDS. De ser posible
cambie el transistor con otra mesa y anote las nuevas medidas.

Los resultados se muestran en la siguiente tabla:

MAGNITUD VALOR MEDIDO VALOR CALCULADO

VDS

VGS

VGD

IS

ID

IG

VALORES TEORICOS CALCULADOS

Sabemos que IG = 0, además:
Tenemos además que ID = IS
VDS = 10V – (RD)(ID)
VDS =
VDS =
VGS = -VGG =
VGD = VD – VG =

AUTOPOLARIZACION
Arme el circuito mostrado. Conecte adecuadamente los instrumentos para medir ID y VGS,
encienda las fuente y anote los valores de ID, VGS y las demás tensiones del circuito.
Todo circuito debe ser armado con las fuentes apagadas previamente ajustadas al valor dado en
el diagrama.

Los resultados se muestran en la siguiente tabla:

MAGNITUD VALOR MEDIDO VALOR CALCULADO

VDS

VGS

VGD

IS

ID

IG

VALORES TEORICOS CALCULADOS

VGS = - ID . RS
Eligiendo ID = 4 mA
Tenemos: VGS = - (4 mA)(270)
VGS = - 1.1 V
Estos dos datos nos permiten graficar y mediante la superposición de gráficas se obtienen los
siguientes datos:
IDQ = 2.3 mA
VGSQ = - 0.65 V
Tenemos además que ID = IS
VDS = 10V – (ID) (RD+ RS)
VDS =
VDS =
VD = 10V – (2.3 mA) (1800)
VD =
VG = 0V
VGD = VD – VG
VGD

POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION

Arme el circuito mostrado y haga las medidas de ID así como las tensiones en los diferentes
nudos y puntos del circuito.

Los resultados se muestran en la siguiente tabla:

MAGNITUD VALOR MEDIDO VALOR CALCULADO

VDS

VGS

VGD

IS

ID

IG

VALORES TEORICOS CALCULADOS

VG = (R2.VDD)/(R1 +R2)
VG =
VG =
Sabemos que VGS = VG – ID.RS
VGS = 2.48 V – ID(1.5K)
Cuando ID = 0 mA, entonces VGS = +2.48V
Cuando VGS = 0 V entones ID = 1.6 mA
Estos dos datos nos permiten graficar y mediante la superposición de gráficas se obtienen los
siguientes datos:
IDQ = 2.1 mA
VGSQ = - 0.7 V
Tenemos además que ID = IS
VDS = 10V – (ID) (RD+ RS)
VDS =
VDS =
VD = 10V – (2.1 mA) (270)
VD =
VG = 2.48V
VGD = VD – VG =
POLARIZACION POR FUENTE DE CORRIENTE
Arme el circuito mostrado y realice las medidas de ID, IC y las tensiones entre terminales de los
dispositivos (JFET Y BJT) así como en los demás puntos del circuito.

Los resultados se muestran en la siguiente tabla:

MAGNITUD VALOR MEDIDO VALOR CALCULADO

VDS

VGS

VGD

IS

ID

IG

VALORES TEORICOS CALCULADOS

VE = -10V - ( -0.7V)
VE =
Luego IE = (9.3V)/(4.7K)
IE =
Además: IE = IC = ID = IS
Usando el valor de ID = 1.97 mA, se puede determinar el valor VGS mediante la gráfica mostrada
en papel milimetrado.
VGS = - 0.80 V
VC = VB – VGS =
VC =
VDS = 10V – (ID) (RD) - VC
VDS =
VDS =
VGD = VD – VG =