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UNIDAD 1
ELECTRONICA ANALOGICA
UNIDAD 1:
- ELECTRICIDAD. TEOREMAS
- COMPONENTES PASIVOS
- SEMICONDUCTORES
- CIRCUITOS DE APLICACION
ELECTRICIDAD
MOLECULAS Y ATOMOS
ELECTRICIDAD
ELECTRICIDAD
ELECTRICIDAD
CONDUCTORES
CONDUCTORES (ENTRE 1 Y 3
ELECTRONES DE VALENCIA)
ELECTRICIDAD
SEMICONDUCTORES
SEMICONDUCTORES (4 ELECTRONES DE
VALENCIA)
ELECTRICIDAD
AISLANTES
ELECTRICIDAD
DEFINICION DE ELECTRICIDAD
- Generación de electricidad
- Distribución de la electricidad
- Corriente eléctrica
- Resistencia
- Potencial
- Potencia
ELECTRICIDAD
CORRIENTE CONTINUA Y ALTERNA
Es decir, en cualquier punto del campo eléctrico nos encontramos diferentes niveles de
energía potencial, ya que esta depende de la distancia recorrida por la carga de prueba.
ELECTRICIDAD
CORRIENTE CONTINUA Y ALTERNA
1V = 1Julio/1Culombio
ELECTRICIDAD
CORRIENTE CONTINUA Y ALTERNA
Definimos la corriente eléctrica que atraviesa un conductor como la cantidad de carga por
segundo que atraviesa la sección del conductor. Se mide en Amperios (A).
Un Amperio equivale a un Culombio/Segundo (Un electrón tiene una carga de 1,6·10-19
Culombios
Por convenio se asigna como sentido positivo de la corriente, aquel en el que se moverían
las cargas positivas, es decir, el contrario del movimiento de los electrones.
ELECTRICIDAD
CORRIENTE CONTINUA Y ALTERNA
ELECTRICIDAD
CORRIENTE CONTINUA Y ALTERNA
Los electrones siempre se mueven desde el punto de menor potencial al punto de mayor
potencial. Es decir, en el caso de un circuito conectado a una batería, van desde el negativo
de la batería al positivo de la batería atravesando el circuito.
ELECTRICIDAD
CORRIENTE CONTINUA Y ALTERNA
ELECTRICIDAD
CORRIENTE CONTINUA Y ALTERNA
IDC = X A
VDC = X V
IAC = I0 x sen(ωt+φ) A
VAC = V0 x sen(ωt+φ) V
ω = 2 x π x f (radianes/s)
Φ Fase inicial de la señal
ELECTRICIDAD
CORRIENTE CONTINUA Y ALTERNA
ELECTRICIDAD
CORRIENTE CONTINUA Y ALTERNA
La frecuencia f se
mide en Hertzios
(Hz) o Ciclos por
segundo (Ciclos/s)
ELECTRICIDAD
CORRIENTE CONTINUA Y ALTERNA
ELECTRICIDAD
LEY DE OHM. RESISTENCIA Y CONDUCTANCIA
DENSIDAD DE CORRIENTE
ELECTRICIDAD
LEY DE OHM. RESISTENCIA Y CONDUCTANCIA
En el apartado anterior se vio la intensidad de corriente I y, por tanto, la densidad de
corriente J es mayor cuanto más elevada es la velocidad de desplazamiento Vd y esta a su
vez aumenta al hacerlo la intensidad de campo eléctrico .
La ley de Ohm establece que para muchos materiales (entre ellos casi todos los metales) la
densidad de corriente J es en cada punto proporcional a la intensidad de campo eléctrico ;
esto es:
ELECTRICIDAD
LEY DE OHM. RESISTENCIA Y CONDUCTANCIA
ELECTRICIDAD
LEY DE OHM. RESISTENCIA Y CONDUCTANCIA
ELECTRICIDAD
LEY DE OHM. RESISTENCIA Y CONDUCTANCIA
Para el conductor de la Figura, teniendo en cuenta las expresiones:
ELECTRICIDAD
LEY DE OHM. RESISTENCIA Y CONDUCTANCIA
Y también:
En general:
ELECTRICIDAD
LEY DE OHM. RESISTENCIA Y CONDUCTANCIA
Se pueden usar múltiplos del ohmio:
KΩ → 103Ω
MΩ → 106Ω
mΩ → 10-3Ω
ELECTRICIDAD
LEY DE OHM. RESISTENCIA Y CONDUCTANCIA
El óhmetro se conecta siempre en paralelo con el circuito a medir
ELECTRICIDAD
LEY DE OHM. RESISTENCIA Y CONDUCTANCIA
El polímetro es un instrumento que permite realizar diferentes tipos de medidas:
- Tensión.
- Corriente.
- Resistencia.
- Frecuencia.
- Capacidad.
- Parámetros de semiconductores.
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
Como se sabe de la teoría electrostática, la energía potencial que una carga q, tiene en un
punto de potencial V es:
Así cuando la carga dq positiva se desplaza desde un punto A de mayor potencial a otro B
de menor potencial cede una energía de valor:
Este mismo efecto se produce cuando igual cantidad de carga negativa se desplaza desde
el punto B de menor potencial hasta el punto A de mayor potencial.
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
a) Cuando una corriente I positiva recorre un circuito desde A hacia B, tal que VA>VB el
circuito absorbe una potencia de valor P = I·VAB.
b) Si la corriente I positiva recorre el circuito, de A a B con VA<VB la potencia absorbida P,
será negativa, indicando que el circuito en cuestión entrega potencia.
UNIDAD 1 ELECTRONICA ANALOGICA 30
AVIONICA
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
c) Para encontrar la potencia absorbida por un circuito, se multiplica la intensidad que lo
recorre, por la diferencia de potencial (ddp) entre sus terminales, tomada desde el
terminal por el que entra la corriente hacia el terminal por el que sale. Si el producto es
positivo el circuito absorbe potencia, en caso contrario la entrega.
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
POTENCIA EN ALTERNA:
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
POTENCIA EN ALTERNA:
- Potencia activa (P). La que consumen los elementos resistivos. Se mide en W (Watios).
- Potencia reactiva o inductiva (Q). La que necesitan para su funcionamiento los elementos
inductivos. Se mide en VAR (Voltio-Amperios Reactivo).
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
POTENCIA EN ALTERNA:
FACTOR DE POTENCIA
Como se puede comprobar, viendo la Figura, el ángulo ϕ es el ángulo que se forma entre el
vector que representa la potencia aparente y la potencia activa, siendo el factor de
potencia el coseno de dicho ángulo.
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
POTENCIA EN ALTERNA:
Potencia media (la que se mide con un watímetro) con una señal sinusoidal:
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
LEY DE JOULE:
Cuando pasa una corriente I sobre un circuito formado por una resistencia de valor R como
la representada en la Figura, la energía absorbida por esta se transforma en calor. En un
tiempo t la energía transformada es:
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
GENERADORES DE CORRIENTE ELECTRICA. FUERZA ELECTROMOTRIZ:
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
GENERADORES DE CORRIENTE ELECTRICA. FUERZA ELECTROMOTRIZ:
De donde se deduce:
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
GENERADORES DE CORRIENTE ELECTRICA. FUERZA ELECTROMOTRIZ:
Resultando:
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
GENERADORES DE CORRIENTE ELECTRICA. FUERZA ELECTROMOTRIZ:
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
GENERADORES DE CORRIENTE ELECTRICA. FUERZA ELECTROMOTRIZ:
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
GENERADORES DE CORRIENTE ELECTRICA. DIFERENCIA DE POTENCIAL:
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
GENERADORES DE CORRIENTE ELECTRICA. DIFERENCIA DE POTENCIAL:
En los generadores, la ddp en sus bornas coincide con la fem. La ddp es positiva si se
calcula desde la borna (+) hacia la borna (-) y negativa en caso contrario, no dependiendo
ni del valor ni del sentido de circulación de la corriente.
ELECTRICIDAD
POTENCIA Y ENERGIA
GENERADORES DE CORRIENTE ELECTRICA. POTENCIAL ABSOLUTO:
La tensión ddp es una variable que se define entre dos puntos. Ahora bien, si en el circuito
tomamos un punto como referencia y le “asignamos” potencial cero, al calcular la ddp
entre puntos de este circuito y el de referencia, se obtienen sus potenciales absolutos. A
este punto se le denomina “masa” o “tierra”.
ELECTRICIDAD
LEYES DE KIRCHOFF
La resolución de circuitos más o menos complejos, exige algo más que la aplicación del
teorema de conservación de la energía. Las leyes de Kirchhoff son el soporte sobre el que
se formulan las ecuaciones de los circuitos.
La primera ley de Kirchhoff establece que en un nudo, para cualquier instante, la suma de
las corrientes que entran, es igual a la suma de las que salen. Denominamos nudo a
cualquier punto del circuito en el cual coinciden más de dos corrientes.
Esta ley es una consecuencia del teorema de conservación de la carga, pues la misma
cantidad de energía que entra en un nudo en cada instante debe salir en el mismo tiempo,
dado que en el nudo no se puede almacenar.
ELECTRICIDAD
LEYES DE KIRCHOFF
La segunda ley de Kirchhoff hace referencia a los voltajes en un contorno cerrado o malla y
establece que en cada instante, la suma algebraica de las ddp a través de cada elemento
alrededor de un contorno cerrado, ha de ser cero. Esta ley se deduce de la conservación
de la energía, pues una carga que partiendo de un punto vuelve a él, gana la misma
cantidad de energía que pierde, y en definitiva expresa que la ddp entre un punto y el
mismo punto es cero.
ELECTRICIDAD
LEYES DE KIRCHOFF
RESOLUCION DE UNA RED:
Definimos una red como un circuito más complejo formado por la unión de circuitos
simples en los que la energía se transmite de unos a otros.
Analizar una red consiste en determinar las corrientes que circulan por todas las ramas, lo
que a su vez nos permitirá conocer las tensiones existentes en la totalidad de los
elementos que la componen.
La elección de estas ecuaciones deberá hacerse de tal manera que el conjunto de ellas
(tantas como corrientes de rama) sea linealmente independiente.
ELECTRICIDAD
LEYES DE KIRCHOFF
RESOLUCION DE UNA RED:
1) Se asigna a cada una de las r ramas una corriente arbitraria (I1, I2, I3), en nuestro caso,
el número de ramas es r=3.
ELECTRICIDAD
LEYES DE KIRCHOFF
RESOLUCION DE UNA RED:
Si elegimos las mallas coincidiendo con el contorno de los “huecos” que presenta el
circuito obtenemos:
ELECTRICIDAD
LEYES DE KIRCHOFF
RESOLUCION DE UNA RED:
Las ecuaciones planteadas forman un sistema de dos ecuaciones con dos incógnitas (I2 e
I3). I1 la calcularemos usando I2 e I3.
ELECTRICIDAD
METODO CRAMER
ELECTRICIDAD
METODO CRAMER
ELECTRICIDAD
RESOLUCION DETERMINANTES
ELECTRICIDAD
RESISTENCIA
Las resistencias se pueden construir de diversas maneras, desde un simple hilo conductor,
o mediante pasta conductora moldeada en caliente, hasta las obtenidas depositando una
película conductora (delgada o gruesa) sobre un sustrato de material aislante. El parámetro
eléctrico que las caracteriza es su resistencia óhmica R. Ver Figura.
En todo instante la tensión en bornas de la resistencia y la intensidad que circula por ella,
están relacionadas por la ley de Ohm.
ELECTRICIDAD
RESISTENCIA
Si la tensión aplicada es constante (continua), la intensidad también lo es, por lo que se
verifica que:
ELECTRICIDAD
RESISTENCIA
ENERGIA DISIPADA POR UNA RESISTENCIA:
Con
La integral hay que extenderla durante todo el tiempo que está aplicada la intensidad.
Cuando la corriente que circula por la resistencia es continua, tenemos:
ELECTRICIDAD
ASOCIACION DE RESISTENCIAS. SERIE Y PARALELO
En el caso de la asociación en serie de resistencias:
ELECTRICIDAD
PUENTE DE WHEASTONE
Circuito muy usado en sensores de temperatura, presión, etc
Se modifica el valor de R2 para que VG=0, en ese caso, tenemos que: VAB=VAD y
VBC=VDC
ELECTRICIDAD
ASOCIACION DE GENERADORES DE TENSION
Serie:
Paralelo:
ELECTRICIDAD
ASOCIACION DE GENERADORES DE CORRIENTE
Serie (SOLO TIENE SOLUCION SI LOS GENERADORES SON DEL MISMO VALOR):
Paralelo:
ELECTRICIDAD
TEOREMA DE THEVENIN
La corriente que circula por una resistencia cualquiera de una red, conectada entre dos
terminales a y b, es la misma que si dicha resistencia estuviera conectada a un solo
generador cuya fem fuera la ddp medida entre a y b en circuito abierto (sin la resistencia) y
cuya resistencia interna fuera la medida entre a y b (sin la resistencia) cortocircuitando los
generadores de la red.
ELECTRICIDAD
TEOREMA DE NORTON
El generador de tensión y la resistencia interna del generador de Thevenin se pueden
transformar en un generador de corriente y una resistencia en paralelo, resultando este
circuito equivalente al anterior. A este generador se le denomina generador de Norton.
La corriente que proporciona dicho generador se obtiene cortocircuitando los terminales a
y b del generador de Thevenin y calculando en esas condiciones la corriente por el circuito.
COMPONENTES PASIVOS
RESISTENCIAS
La resistencia eléctrica es la oposición de un material al paso de la corriente eléctrica.
Dicha resistencia se mide en ohmios (Ω), como ya hemos visto anteriormente.
COMPONENTES PASIVOS
RESISTENCIAS
TABLA AWG (AMERICAN WIRE GAUGE) Y TABLA DE RESISTIVIDAD
COMPONENTES PASIVOS
RESISTENCIAS
Calcular el valor de la resistencia de un cable de AWG #18 de 10m de longitud de cobre y
otro de aluminio
DATOS:
Sección AWG #18: 0,823mm2 = 0,823·10-6m
Resistividad Cobre: 1,71·10-8 Ω·m
Resistividad Aluminio: 2,82·10-8 Ω·m
Cable Cobre:
Rcobre= 1,71·10-8 (10/0,823·10-6)= 0,2077 Ω
Cable Aluminio:
Rcobre= 2,82·10-8 (10/0,823·10-6)= 0,3426 Ω
COMPONENTES PASIVOS
RESISTENCIAS
TIPOS DE RESISTENCIAS
COMPONENTES PASIVOS
RESISTENCIAS
TAMAÑO DE RESISTENCIAS
COMPONENTES PASIVOS
RESISTENCIAS
CODIGO DE COLORES RESISTENCIAS
COMPONENTES PASIVOS
RESISTENCIAS
VALOR RESISTENCIAS SMD
COMPONENTES PASIVOS
RESISTENCIAS
RESISTENCIAS VARIABLES. POTENCIOMETRO Y TRIMMER
POTENCIOMETRO POTENCIOMETRO
ROTATIVO LINEAL
TRIMMERS
COMPONENTES PASIVOS
RESISTENCIAS
RESISTENCIAS VARIABLES. DEPENDIENTES DE LA TEMPERATURA
COMPONENTES PASIVOS
RESISTENCIAS
RESISTENCIAS VARIABLES. DEPENDIENTES DE LA LUZ
COMPONENTES PASIVOS
RESISTENCIAS
RESISTENCIAS VARIABLES. DEPENDIENTES DE LA TENSION
COMPONENTES PASIVOS
RESISTENCIAS
RESISTENCIAS VARIABLES. GALGAS EXTENSIOMETRICAS
COMPONENTES PASIVOS
RESISTENCIAS
RESISTENCIAS VARIABLES. GALGAS EXTENSIOMETRICAS
COMPONENTES PASIVOS
RESISTENCIAS
RESISTENCIAS VARIABLES. DEPENDIENTE DE LA HUMEDAD
COMPONENTES PASIVOS
RESISTENCIAS
DIVISOR DE TENSION
COMPONENTES PASIVOS
RESISTENCIAS
DIVISOR DE CORRIENTE
COMPONENTES PASIVOS
CONDENSADORES
El condensador es un dispositivo eléctrico que almacena energía eléctrica creando un
campo eléctrico.
COMPONENTES PASIVOS
CONDENSADORES
COMPONENTES PASIVOS
CONDENSADORES
TIPOS DE CONDENSADORES
COMPONENTES PASIVOS
CONDENSADORES
TIPOS DE CONDENSADORES
COMPONENTES PASIVOS
CONDENSADORES
CALCULO DE LA CAPACIDAD
COMPONENTES PASIVOS
CONDENSADORES
CALCULO DE LA CAPACIDAD
COMPONENTES PASIVOS
CONDENSADORES
VALOR DE LOS CONDENSADORES
COMPONENTES PASIVOS
CONDENSADORES
VALOR DE LOS CONDENSADORES
TRANSFORMADA DE LAPLACE
TRANSFORMADA DE LAPLACE
TRANSFORMADA DE LAPLACE
COMPONENTES PASIVOS
CONDENSADORES
CARGA Y DESCARGA DE UN CONDENSADOR
Constante de tiempo
CARGA
DESCARGA
COMPONENTES PASIVOS
CONDENSADORES
COMPORTAMIENTO CONDENSADOR EN ALTERNA. IMPEDANCIA
IMPEDANCIA: Oposición que presenta una resistencia, condensador o bobina al paso de la
corriente alterna.
COMPONENTES PASIVOS
CONDENSADORES
AGRUPACION DE CONDENSADORES
COMPONENTES PASIVOS
BOBINAS
CARGA Y DESCARGA DE UNA BOBINA
Constante de tiempo
COMPONENTES PASIVOS
BOBINAS
COMPONENTES PASIVOS
BOBINAS
COMPORTAMIENTO BOBINA EN ALTERNA
IMPEDANCIA: Oposición que presenta una resistencia, condensador o bobina al paso de la
corriente alterna.
COMPONENTES PASIVOS
CONDENSADORES
AGRUPACION DE BOBINAS (OJO: SIEMPRE QUE NO HAYA ACOMPLAMIENTO ENTRE ELLAS)
COMPONENTES PASIVOS
FASORES
SEÑAL ALTERNA
COMPONENTES PASIVOS
FASORES
SEÑAL ALTERNA
COMPONENTES PASIVOS
FASORES
SEÑAL ALTERNA
COMPONENTES PASIVOS
FASORES
RESISTENCIA. CORRIENTE Y TENSION
COMPONENTES PASIVOS
FASORES
CONDENSADOR. CORRIENTE Y TENSION (ELICE)
COMPONENTES PASIVOS
FASORES
BOBINA. CORRIENTE Y TENSION (ELICE)
COMPONENTES PASIVOS
COMPORTAMIENTO EN ALTERNA
CONDENSADOR
COMPONENTES PASIVOS
COMPORTAMIENTO EN ALTERNA
BOBINA
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
Decibelios (dB)
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
Definición de filtro
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
Tipos de filtro según sus componentes
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
TIPOS DE FILTROS SEGÚN SU RESPUESTA EN FRECUENCIA
Filtro paso bajo. Este filtro elimina las frecuencias altas, dejando pasar
únicamente las frecuencias bajas.
Filtro paso alto. Este filtro elimina las frecuencias bajas, dejando pasar
únicamente las frecuencias altas.
Filtro paso banda. Este filtro deja pasar únicamente las frecuencias
comprendidas entre dos frecuencias definidas, eliminando el resto.
Filtro elimina banda. Este filtro deja pasar todas las frecuencias excepto las que
estén comprendidas entre dos frecuencias definidas.
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
TIPOS DE FILTROS SEGÚN SU RESPUESTA EN FRECUENCIA
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO BAJO PRIMER ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO BAJO PRIMER ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO BAJO PRIMER ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO BAJO PRIMER ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO BAJO PRIMER ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO BAJO PRIMER ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO BAJO PRIMER ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO BAJO SEGUNDO ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO BAJO SEGUNDO ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO BAJO SEGUNDO ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO BAJO SEGUNDO ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO BAJO SEGUNDO ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO ALTO PRIMER ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO ALTO PRIMER ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO ALTO PRIMER ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO ALTO PRIMER ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO ALTO PRIMER ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO ALTO PRIMER ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
FILTROS
RESPUESTA EN FRECUENCIA FILTRO PASO ALTO PRIMER ORDEN
COMPONENTES PASIVOS
TRANSFORMADORES
PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO
Ley de Ampere
COMPONENTES PASIVOS
TRANSFORMADORES
PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO
COMPONENTES PASIVOS
TRANSFORMADORES
APLICACIONES TRANSFORMADOR (ADAPTACION DE IMPEDANCIAS)
COMPONENTES PASIVOS
MAXIMA TRANSFERENCIA DE POTENCIA
COMPONENTES PASIVOS
MAXIMA TRANSFERENCIA DE POTENCIA
Potencia
Máxima
COMPONENTES PASIVOS
ADAPTACION DE IMPEDANCIAS
COMPONENTES PASIVOS
ADAPTACION DE IMPEDANCIAS
COMPONENTES PASIVOS
CABLES COAXIALES
COMPONENTES PASIVOS
CABLES COAXIALES
POTENCIA EN RF
COMPONENTES PASIVOS
CABLES COAXIALES
CALCULO PERDIDAS CABLE COAXIAL
COMPONENTES PASIVOS
CABLES COAXIALES
SELECCIÓN CABLE COAXIAL
COMPONENTES PASIVOS
CABLES COAXIALES
PROBLEMAS LINEAS COAXIALES
PERDIDAS DE RETORNO (RETURN LOSS, RL): Parte de la señal de RF que se pierde por la
reflexión de la señal incidente. Similar a VSWR.
VSWR: Voltage Standing Wave Ratio. Razón entre el voltaje aplicado y el voltaje reflejado.
Este parámetro es el más importante a la hora de valorar la eficiencia de un conector de RF.
COMPONENTES PASIVOS
CABLES COAXIALES
PROBLEMAS LINEAS COAXIALES
COMPONENTES PASIVOS
CABLES COAXIALES
PROBLEMAS LINEAS COAXIALES
COMPONENTES PASIVOS
CONECTORES
COMPONENTES PASIVOS
CONECTORES
SEMICONDUCTORES
SEMICONDUCTOR INTRINSECO
SEMICONDUCTORES
SEMICONDUCTOR INTRINSECO
SEMICONDUCTORES
SEMICONDUCTOR EXTRINSECO
CRISTAL TIPO N
Cuando al Silicio puro (o Germanio puro) se le añaden algunos átomos de elementos del grupo 5, como por ejemplo
Arsénico (As), se convierte en un semiconductor extrínseco de tipo n.
Las cargas móviles que en este caso son electrones, se denominan portadores mayoritarios y su número es igual al
de átomos de arsénico que quedan ionizados (iones positivos). Los huecos de los pares electrón-hueco debidos al
semiconductor intrínseco son los portadores minoritarios.
SEMICONDUCTORES
SEMICONDUCTOR EXTRINSECO
CRISTAL TIPO N
Cuando al Silicio puro (o Germanio puro) se le añaden algunos átomos de elementos del grupo 3, como por ejemplo
Boro (B), se convierte en un semiconductor extrínseco de tipo p.
Las cargas móviles que en este caso son huecos, se denominan portadores mayoritarios y su número es igual al de
átomos de boro que quedan ionizados (iones negativos). Los huecos de los pares electrón-hueco debidos al
semiconductor intrínseco son los portadores minoritarios.
SEMICONDUCTORES
UNION P-N
DIFUSION Y RECOMBINACION
La unión P-N consiste en unir (consiguiendo contacto eléctrico) un cristal tipo p y otro cristal tipo n.
Tanto una estructura tipo p como tipo n conducen en ambos sentidos al aplicarles una diferencia de potencial en
sus extremos. Por el contrario, una unión p-n conduce en un solo sentido.
El cristal p tiene el mismo número de huecos libres que de iones negativos.
El cristal n tiene electrones libres y el mismo número de iones positivos.
En la zona próxima a la unión, los átomos de 5 electrones ceden el quinto electrón a los átomos cercanos de 3
electrones, originándose un proceso de recombinación. En esta zona denominada de difusión desaparecen las
cargas móviles o portadores de carga de ambos signos, tal y como se muestra en la figura.
La zona de recombinación crea una barrera interna de potencial de aproximadamente 0,7V o 0,2V (depende el
material) que impide que las cargas libres pasen de un cristal a otro.
SEMICONDUCTORES
UNION P-N
POLARIZACION DIRECTA
Cuando se aplica a la unión una diferencia de potencial en sentido directo, conectando el polo positivo de la pila al
cristal p y el polo negativo al cristal n, tal y como se muestra en la Figura, la tensión de la pila contrarresta la barrera
interna de potencial y los portadores mayoritarios de ambos cristales adquieren energía suficiente como para
pasar de un cristal a otro atravesando la unión, produciéndose una corriente de electrones que va del polo
negativo al positivo.
Los huecos se moverán en sentido contrario.
Para no destruir el cristal, si la diferencia de potencial es superior a 0,7V o 0,2V (barrera interna de potencial), la
corriente debe limitarse con una resistencia en serie entre la pila y la unión p-n.
SEMICONDUCTORES
UNION P-N
POLARIZACION INVERSA
Cuando la unión se polariza inversamente, la recombinación se extiende, aumentando la zona despoblada de carga, tal
y como se muestra en la Figura.
El polo negativo atraerá a los electrones o portadores mayoritarios del cristal n, y el polo positivo a los huecos o
portadores mayoritarios del cristal p.
Las únicas cargas que atravesarán la unión son los portadores minoritarios del semiconductor intrínseco, dando
lugar a una pequeña intensidad inversa denominada corriente de fugas.
Cuando la tensión inversa aplicada es muy elevada, los pares electrón-hueco adquieren una gran energía y en su
desplazamiento a través del cristal destruyen la estructura, quedando el semiconductor inutilizado.
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
DEFINICION Y TIPOS
El término diodo se refiere siempre a un dispositivo semiconductor, y hace referencia realmente al diodo de unión p-n,
pero el nombre completo normalmente no se usa y se le llama simplemente diodo.
Un diodo es un dispositivo de dos terminales que permite que la corriente eléctrica fluya en una dirección, conocida
como directa, cuando el ánodo del diodo tiene mayor potencial positivo que el cátodo. En este estado, se dice que el
diodo está polarizado en directa.
Si se invierte la polaridad, el diodo estará polarizado en inversa, y tratará de bloquear el paso de la corriente.
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
DEFINICION Y TIPOS
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
DEFINICION Y TIPOS
Tecnología THT
Through Hole Technology
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
DEFINICION Y TIPOS
Tecnología SMT
Surface MountTechnology
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
DEFINICION Y TIPOS
DIODOS RECTIFICADORES: De mayor tamaño que los diodos de señal y capaces de manejar grandes corrientes.
Su alta capacidad en la unión los hace inservibles para realizar conmutaciones rápidas.
DIODO ZENER: El diodo zéner debe ser usado en polarización inversa. El diodo zéner puede ser usado como regulador
en circuitos de regulación de tensión simples.
SUPRESOR DE TENSION TRANSITORIA (TVS): Variante del diodo zéner diseñado para proteger dispositivos
sensibles a los picos de tensión mediante su supresión, en otras palabras, derivan la energía de dichos picos a
tierra. Un TVS puede absorber hasta 30.000V provenientes de un rayo o de una descarga de energía estática.
DIODO SCHOTTKY: Este tipo de diodos tienen una capacidad de la unión muy baja, permitiendo una conmutación más
rápida que los diodos de silicio genéricos. También tienen una tensión en directa mucho más pequeña, deseable en
aplicaciones de baja tensión.
DIODO VARACTOR: VARICAP, este tipo de diodo tiene una capacidad variable controlada por la tensión inversa.
Mientras otros diodos exhiben este mismo fenómeno, el diodo varactor está diseñado para aplicaciones de alta
frecuencia. La tensión inversa expande o contrae la zona de deplexión de la unión existente entre los cristales p y
n.
DIODO TUNEL, GUNN, PIN: Estos diodos se usan frecuentemente en aplicaciones de muy alta frecuencia (VHF) o
microondas, donde los diodos ordinarios no pueden usarse ya que sus capacidades de conmutación a alta frecuencia son
muy malas.
AGRUPACION (ARRAY) DE DIODOS: Dos o más diodos pueden encapsularse en un único dispositivo.
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
DEFINICION Y TIPOS
PUENTE RECTIFICADOR: El puente rectificador es otra agrupación de diodos (array), que se suele encontrar en los
catálogos de diodos bajo el epígrafe de puente rectificador.
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
HOJA DE DATOS (DATASHEET) DIODO 1N4001…1N4007
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
HOJA DE DATOS (DATASHEET) DIODO 1N4001…1N4007
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
HOJA DE DATOS (DATASHEET) DIODO 1N4001…1N4007
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
HOJA DE DATOS (DATASHEET) DIODO 1N4001…1N4007
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
HOJA DE DATOS (DATASHEET) DIODO 1N4001…1N4007
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
HOJA DE DATOS (DATASHEET) DIODO 1N4001…1N4007
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
HOJA DE DATOS (DATASHEET) DIODO 1N4001…1N4007
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
RECTIFICACION. RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA
Un diodo rectificador, como su propio nombre indica, es un tipo de diodo usado para rectificar la corriente alterna,
esto es, para convertir la corriente AC en corriente DC.
Un rectificador de media onda usa un único diodo para bloquear medio ciclo de la onda sinusoidal AC.
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
RECTIFICACION. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON TRANSFORMADOR CON TOMA
INTERMEDIA
Un rectificador de onda completa con transformador con toma intermedia usa dos diodos para bloquear ambos
ciclos de la onda sinusoidal AC.
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
RECTIFICACION. RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON PUENTE RECTIFICADOR
Un puente
diodo rectificador,
rectificador usa
como4 diodos
su propio
ennombre
disposición
indica,
puente
es un para
tipo de
rectificar
diodo ambos
usado para
ciclosrectificar
de una corriente
la corriente
AC. alterna,
esto es, para convertir la corriente AC en corriente DC.
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
SUPRESION ENERGIA DE RETORNO EMF
Un puente
relé de bobina,
rectificador
un motor,
usa 4odiodos
cualquier
enotro
disposición
dispositivo
puente
con unpara
valor
rectificar
de inductancia
ambossignificativo
ciclos de unacreará
corriente
un picoAC.
de tensión
cuando sea activado o desactivado. Este EMF (Electromagnetic Field, campo electromagnético) puede derivarse usando un
diodo rectificador que proteja otros componentes en el circuito. Un diodo en esta configuración se puede denominar diodo
de protección, diodo clamp o supresor de transitorios.
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
LIMITADOR DE TENSION
Si lapuente
Un tensión
rectificador
de entradausa
al circuito
4 diodossupera
en disposición
su tensión en
puente
directa,
parala rectificar
salida seráambos
dicha ciclos
tensión,
deno
una
afectando
corriente
enAC.
el caso de
polarización inversa.
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
PUERTA LOGICA
Un puente
diodo tiene
rectificador
menos prestaciones
usa 4 diodosque
en una
disposición
puerta lógica,
puenteyapara
que rectificar
impone una ambos
caídaciclos
de tensión
de una
decorriente
0,7V, queAC.
puede ser
significativa con tensiones de 5V e inaceptable con tensiones de 3,3V. Sin embargo, nos puede ser útil a la salida de un
circuito. Si se desea que dos o más salidas de un circuito lógico, circuito integrado, o de cualquier circuito en general,
compartan un único elemento, como una lámpara, led, interruptor, etc.
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
REGULACION DE LA TENSION CONTINUA
Como
Un puente
hemosrectificador
mencionadousaanteriormente,
4 diodos en disposición
la resistenciapuente
dinámica
para
de rectificar
un diodo zéner
ambos
polarizado
ciclos deen
una
inversa
corriente
disminuye
AC. según
se incrementa la corriente. Esta relación comienza en el punto donde comienza la ruptura en el diodo, esto es, la tensión
zéner, y es prácticamente lineal sobre un rango limitado.
Este comportamiento único del zéner lo hace útil para controlar la tensión de una manera simple conectándole en serie una
resistencia. En la Figura, se puede ver un circuito típico.
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
HOJA DE DATOS (DATASHEET) DIODO ZENER SERIE BZX79
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
HOJA DE DATOS (DATASHEET) DIODO ZENER SERIE BZX79
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
HOJA DE DATOS (DATASHEET) DIODO ZENER SERIE BZX79
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
HOJA DE DATOS (DATASHEET) DIODO ZENER SERIE BZX79
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
HOJA DE DATOS (DATASHEET) DIODO ZENER SERIE BZX79
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
HOJA DE DATOS (DATASHEET) DIODO ZENER SERIE BZX79
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
CONTROL DE LA TENSION ALTERNA Y LIMITADOR
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
DIODOS LED
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
DIODOS LED
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
DIODOS LED
El color de los diodos led depende exclusivamente del material del que están construidos.
La intensidad luminosa del led depende de la corriente y de la temperatura de la unión.
SEMICONDUCTORES
EL DIODO
DIODOS LED
Cuando se polariza directamente el led, la corriente y la tensión presentan una relación exponencial. Pequeñas diferencias
en la tensión dan lugar a grandes corrientes, y por tanto a más intensidad luminosa. Además la tensión de codo de los leds
tiene una tolerancia a la hora de fabricarlos, por ello los led se regulan en corriente y no en tensión.
SEMICONDUCTORES
TIRISTORES
SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)
Un tiristor es un semiconductor de 4 capas (3 uniones) que permite el paso de la corriente en un único sentido
(unidireccional). Para permitir que pase la corriente, además de polarizar directamente la unión, es necesario aplicar una
tensión en su terminal denominado puerta.
SEMICONDUCTORES
TIRISTORES
SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)
La capa superior, es la que forma el ánodo del tiristor. Se trata de material tipo “P” con una concentración de impurezas
elevada y tiene un espesor no muy grande.
La capa inferior al ánodo se denomina capa de bloqueo, es más gruesa que el ánodo, tiene una concentración de
impurezas superior y es de material tipo “N”.
La tercera capa en orden descendente es la capa de control, a ella está unida la puerta. Es de material tipo “P” y es la
encargada de establecer el punto de cebado del tiristor. Tiene una concentración de impurezas inferior a la de la capa de
bloqueo.
La cuarta capa, de tipo “N es la que está conectada al cátodo del tiristor. Es una capa muy fina y con una muy alta
concentración de impurezas.
SEMICONDUCTORES
TIRISTORES
SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)
Existen tres formas de hacer que un tiristor comience a conducir (cebado):
-Mediante el aumento de la tensión ánodo-cátodo. Aún no introduciendo corriente en la puerta (corriente de puerta igual a 0,
IG=0), si la diferencia de potencial entre ánodo y cátodo es lo suficientemente grande, se puede llegar al estado de
conducción. Este tipo de cebado suele ser no controlado, por lo tanto, no es recomendable su uso.
-Mediante el aumento de la corriente de puerta. Partiendo de una tensión ánodo-cátodo concreta, cuando la corriente de
puerta es distinta de cero, el tiristor empezará a conducir.
-Mediante el aumento de la temperatura. Al igual que todos los semiconductores, si aumenta la temperatura del
semiconductor, empieza a haber más electrones libres, mayor corriente de fugas, facilitando la conducción.
Existen cuatro formas de hacer que un tiristor deje de conducir (descebado):
-Abrir el circuito ánodo-cátodo, de forma que deje de circular corriente a través de él.
-Aplicar un tensión de polaridad inversa a la del tiristor, de forma que se llegue a polarizar inversamente. Este es el efecto
rectificador del tiristor.
-Hacer que la corriente que circule por él sea tan baja que haga que el producto de las ganancias de los transistores sea
menor que 1.
-Aplicar una tensión a la puerta de valor inverso que haga que se produzca el bloqueo de la conducción del tiristor.
SEMICONDUCTORES
TIRISTORES
SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)
SEMICONDUCTORES
TIRISTORES
SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)
SEMICONDUCTORES
TIRISTORES
SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)
SEMICONDUCTORES
TIRISTORES
SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)
Para que se usa el SCR:
-Control de fase, que interrumpe la fase positiva de una fuente de alimentación de AC. Puede controlar la velocidad de un
motor o el calor generado en una carga resistiva. Cuando se usa un SCR para el control de fase, el punto en el que
comienza a conducir es cualquier punto entre 0 y 180º. Empieza siempre con bloqueo. El ángulo de fase en el que el SCR
empieza la conducción se conoce como ángulo de conducción.
-Protección contra sobre-tensiones. Esto puede ser útil para proteger componentes sensibles en circuitos donde hay un
suministro de alimentación DC.
SEMICONDUCTORES
TIRISTORES
DIAC (DIODO DE CORRIENTE ALTERNA)
Un diac es un tipo de tiristor con auto-disparo. Su nombre deriva de diodo para AC, y como no es un acrónimo no se suele
poner en letras mayúsculas.
SEMICONDUCTORES
TIRISTORES
TRIAC (TIRISTOR DE CORRIENTE ALTERNA)
Un triac es un tiristor. Su nombre proviene de “triode for AC”. Al no tratarse de un acrónimo, no se escribe en mayúsculas.
SEMICONDUCTORES
TIRISTORES
TRIAC (TIRISTOR DE CORRIENTE ALTERNA)
SEMICONDUCTORES
TIRISTORES
TRIAC (TIRISTOR DE CORRIENTE ALTERNA)
SEMICONDUCTORES
TRANSISTOR UNIUNION
UJT & PUT (UNIJUNCTION TRANSISTOR, PROGRAMMABLE UNIJUNCTION TRANSISTOR)
Los UJT se pueden usar para hacer circuitos osciladores de media-baja frecuencia, mientras que los PUT pueden usarse
para hacer también circuitos osciladores de media-baja frecuencia pero con mayor control y además son capaces de
funcionar con corrientes más bajas.
El PUT se usa con frecuencia como elemento de disparo de un tiristor y tiene aplicaciones en circuitos de baja potencia,
donde solo consume unos pocos microamperios.
UJT
PUT
SEMICONDUCTORES
CIRCUITO 555
CIRCUITO INTEGRADO 555. OSCILADOR ASTABLE (ONDA CUADRADA)
Este es el clásico “blinker” o luz intermitente, en el que se aprovecha el cambio de estado a la salida del IC 555 para hacer
encender y apagar un LED. Usualmente, por el tiempo determinado en la duración de cada ciclo bajo o alto.
SEMICONDUCTORES
CIRCUITO 555
CIRCUITO INTEGRADO 555. OSCILADOR ASTABLE (ONDA CUADRADA)
Cuando el terminal 2 recibe un estado bajo, el IC 555 provee un pulso alto en la salida, cuya duración depende de la red
conformada por R1, R2 y C1. Cuando C1 se descarga, el timer 555 quedara en espera a un nuevo cambio en el terminal 2,
para empezar un nuevo ciclo de temporización.
SEMICONDUCTORES
CIRCUITO 555
CIRCUITO INTEGRADO 555
SEMICONDUCTORES
CIRCUITO 555
CIRCUITO INTEGRADO 555
SEMICONDUCTORES
CIRCUITO 555
CIRCUITO INTEGRADO 555
SEMICONDUCTORES
CIRCUITO 555
CIRCUITO INTEGRADO 555
SEMICONDUCTORES
CIRCUITO 555
CIRCUITO INTEGRADO 555
SEMICONDUCTORES
CIRCUITO 555
CIRCUITO INTEGRADO 555
SEMICONDUCTORES
CIRCUITO 555
CIRCUITO INTEGRADO 555
SEMICONDUCTORES
CIRCUITO 555
CIRCUITO INTEGRADO 555
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES
El nombre del transistor bipolar se debe a que en su funcionamiento intervienen dos tipos diferentes de cargas (portadores
mayoritarios y minoritarios). Sin embargo, el transistor de efecto de campo (Field Effect Transistor, FET) opera con un solo
tipo de cargas (portadores mayoritarios); por eso recibe el nombre de transistor unipolar.
Los transistores son componentes semiconductores, en los cuales, no tenemos únicamente 2 capas de cristal, “N” y “P”. En
estos elementos, encontramos al menos tres capas de materiales “N” “P” y dos uniones “PN”.
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES
Los transistores se fabrican de la siguiente manera:
-La densidad de dopaje del emisor es alta. Así garantizamos la intensidad máxima que se puede controlar entre emisor y
colector.
-Toda la corriente del emisor, debe circular a través de la base y por lo tanto, permitir a la base regular la corriente de
emisor. Por esta razón, la base debe rodear físicamente al emisor.
-La base debe ser muy pequeña comparada con el emisor y el colector para que la corriente de base no pueda
absorber toda la corriente del emisor.
-El colector debe absorber el exceso de corriente de emisor que atraviesa la base. Para ello el colector debe rodear
físicamente la capa de la base.
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES
Para que un transistor funcione como tal, debemos garantizar:
-La unión base-emisor debe estar polarizada directamente. La mayor o menor polarización de la base-emisor
aumentará o reducirá la barrera de potencial base-emisor lo que permitirá un mayor o menor paso de portadores hacia
el colector.
-La unión base-colector debe estar polarizada inversamente. La polarización inversa del colector respecto a la
base, permite la atracción de los portadores procedentes del emisor y excedentes de la capacidad de la base.
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES
Polarización Base-Emisor
Los electrones del cristal “N” (emisor) atraviesan la barrera e inundan la zona “P” (base), mezclándose con los que ya
estaban allí como portadores minoritarios del diodo y son atraídos por el polo positivo de la batería, volviendo gracias a la
fem de la batería al polo negativo. Es decir, el polo negativo de la batería aporta estos electrones para proporcionárselos al
cristal tipo “N” del diodo, que as vez los estaba perdiendo por la unión “P-N”.
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES
Polarización Base-Emisor
Tenemos por tanto, un diodo en polarización directa en la que los electrones parten del cristal “N”, inundan la zona “P” del
mismo, y cerrando circuito con la batería exterior. Esto da lugar a una zona “P” (base) que está llena de portadores
(electrones).
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES
Polarización Base-Colector
Esta unión se polariza inversamente. Cuando estudiamos esta polarización de los diodos, vimos que se producía una
corriente de fuga a través de la unión “P-N” en polarización inversa, debida a los portadores minoritarios, que en la base tipo
“P” son los electrones.
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES
Polarización Base-Colector
Este es el punto fundamental para comprender el funcionamiento de un transistor. Si de algún modo pudiéramos inundar la
base tipo “P” de electrones, estos serían portadores minoritarios. Por tanto, pasarían al colector sin dificultad. No se verían
afectados por la barrera de potencial. Ya hemos visto que polarizando en directa la unión emisor-base, la base “P” se llena
de electrones.
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES
Polarización Base-Colector
Con la base inundada de electrones, estos, deben seguir su camino, encontrándose dos posibles caminos: hacia la base o
hacia el colector. A la hora de tomar un camino u otro, debemos tener en cuenta, lo siguiente:
-Potenciales eléctricos:
-El potencial emisor-base es muy bajo.
-El potencial base-colector es mucho mayor.
-Dimensiones físicas:
-La zona de unión metálica de la base a su terminal es muy pequeña.
-La zona de unión base-colector es muy grande.
Esto da como resultado que solo una pequeña porción de electrones saldrán por la base, la gran mayoría,
aproximadamente el 99% fluirán hacia el colector.
Conclusiones:
-La corriente que atraviesa el emisor, es la suma de la corriente de la base más la corriente del colector: IE=IB+IC
-La presencia de electrones en la base, depende directamente de la cantidad de ellos que atraviesan la unión base-emisor.
Como conclusión, podemos ver que la corriente que va de emisor a colector depende de la cantidad de electrones que haya
en la base y que estos a su vez, dependen de la polarización de la unión base-emisor. Es decir, que la corriente de colector
depende directamente de la corriente de base.
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES. CURVAS DE FUNCIONAMIENTO
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES. CONFIGURACIONES
Existen tres tipos de configuraciones a la hora de trabajar en circuitos con transistores bipolares:
-Base común. La corriente de salida es prácticamente del mismo valor que la de entrada, es decir, ganancia en corriente
unidad. Resistencia de entrada muy pequeña, resistencia de salida muy grande. Se usa para adaptar fuentes de baja
resistencia que se conecten a cargas de alta resistencia.
-Colector común. La ganancia de corriente es elevada. Resistencia de entrada muy grande, resistencia de salida muy
pequeña. Se usa para adaptar fuentes de alta resistencia a cargas de baja resistencia.
-Emisor común. La ganancia de entrada es elevada, similar a la de colector común. Resistencia de entrada pequeña,
resistencia de salida grande. Esta es la configuración que más se asemeja a un amplificador ideal de corriente, por tanto es
la configuración más usada para amplificar.
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES. TENSIONES Y CORRIENTES EN CORRIENTE CONTINUA
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES. POLARIZACION DEL TRANSISTOR
Cuando se construye un amplificador con transistores es necesario, en primer lugar, polarizar el transistor con generadores
de c.c. para obtener los valores de tensión y corriente correctos. Una vez realizada esta operación, suponiendo que se trate
de una etapa en EC, los valores de corriente de base IB, corriente de colector IC y tensión colector-emisor VCE determinan el
punto de reposo o de funcionamiento en continua Q. Este punto de reposo ha de ser lo más estable posible, es decir, las
desviaciones de IB, IC y VCE deben ser pequeñas; por tanto, es necesario incorporar al dispositivo los elementos pasivos
adecuados para que se cumpla la condición señalada.
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES. RECTA DE CARGA
La recta de carga tiene un enorme interés, porque la intersección de la misma con las características de salida del transistor
determina el punto de reposo Q. Para su trazado con el plano IC=f(VCE) es suficiente establecer los puntos de corte con los
ejes de coordenadas.
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES. RECTA DE CARGA
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES. AMPLIFICADORES
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES. AMPLIFICADORES
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES. INTERRUPTORES
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES. INTERRUPTORES
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES. INTERRUPTORES
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES BIPOLARES. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
El transistor de efecto de campo (Field Effect Transistor, FET) opera con un solo tipo de cargas (portadores mayoritarios);
por eso recibe el nombre de transistor unipolar.
Existen dos clases diferentes de FET, los de unión (JFET o simplemente FET) y los de puerta aislada, conocidos estos
últimos también como MOS (por la tecnología utilizada para su construcción), MOST o MOSFET. El principio de
funcionamiento es el mismo en ambos casos.
Los transistores de efecto de campo, cuando funcionan como amplificadores, suministran una corriente de salida que es
proporcional a la tensión aplicada a la entrada. Son, por consiguiente, amplificadores de transconductancia y se aproximan
más al modelo ideal de amplificador de corriente que los transistores bipolares, ya que los FET presentan una resistencia de
entrada muy elevada (prácticamente infinita) y una resistencia mayor que la de los bipolares.
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. JFET PRINCIPIO DE OPERACION
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. TENSIONES Y CORRIENTES JFET
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. ZONAS DE TRABAJO JFET
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. ECUACIONES JFET
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. JFET CANAL N
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. JFET CANAL P
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. TENSIONES Y CORRIENTES MOSFET
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. CURVAS CARACTERISTICAS MOSFET
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
TRANSISTORES
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
El amplificador operacional es un dispositivo integrado en una sola pastilla cuya característica fundamental es su elevada
ganancia de tensión.
El amplificador operacional está compuesto básicamente de tres etapas:
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
Un amplificador diferencial es un amplificador cuya salida es proporcional a la diferencia entre sus dos entradas. Para poder
conseguir esta salida es necesario que los transistores sean exactamente iguales, esto se suele conseguir haciendo los
transistores sobre el mismo circuito integrado.
Ad es la ganancia diferencial de cada una de las dos etapas (que debe valer lo
mismo).
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. GANANCIA DIFERENCIAL Y GANANCIA EN MODO COMUN
En lo visto hasta este momento se ha supuesto que la tensión de salida (v2) depende exclusivamente de la tensión
diferencial aplicada las entradas; sin embargo, en un amplificador diferencial real la señal de salida v2 también depende del
umbral de tensión común a las dos entradas. La señal de salida no es la misma sí los valores de tensión aplicados a las
entradas v1 y v1’ son +20mV y -20mV, respectivamente, que si v1=520mV una v1’=480mV, aunque la diferencia de tensión
ambos casos será la misma.
La forma más general de expresar el valor de la tensión de salida en función de los de entrada es la siguiente:
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL Y FACTOR DE MERITO
Lo que se persigue con un amplificador diferencial es que la señal amplificada dependa exclusivamente de la señal
diferencial aplicada a sus entradas, pero como hemos podido comprobar las tensiones comunes a dichas entradas también
tienen influencia sobre la salida. Afortunadamente la ganancia de tensión en modo común depende de magnitudes que no
tienen influencia en la ganancia diferencial.
Para evaluar la calidad del amplificador diferencial se establece un factor de mérito que se denomina relación de rechazo en
modo común RRMC (CMRR en inglés), y es la relación entre Ad y Ac:
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. SIMBOLO Y CARACTERISTICAS
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. SIMBOLO Y CARACTERISTICAS
-Av: Ganancia en lazo abierto. En un amplificador ideal tiene valor infinito, en un amplificador real está entre 20.000 y
200.000 o más. Esta ganancia es la que debemos aplicar siempre que el AO se encuentre en lazo abierto (no hay
realimentación).
-ZIN/RIN: Impedancia/Resistencia de entrada. La impedancia/resistencia de entrada es la relación existente entre la
tensión de entrada VIN y la corriente de entrada IIN. Si la ZIN/RIN es infinita, esto implica que la corriente de entrada es 0,
IIN=0. Esto garantiza que que toda la tensión de la fuente de señal se aplica a la entrada del AO. Los valores de ZIN/RIN
están en el orden de los MΩ en el caso de AO con tecnología bipolar y GΩ en el caso de AO en tecnología FET.
-ZOUT/ROUT: Impedancia/Resistencia de salida. La impedancia/resistencia de salida de un AO es 0, para garantizar que su
salida es una fuente de tensión ideal, sin resistencia interna. En el caso de AO reales esta impedancia/resistencia de salida
está por debajo de los 100Ω.
-BW: Ancho de Banda. El AO ideal debe tener la misma ganancia de tensión AV a cualquier frecuencia desde DC hasta la
frecuencia más alta. Por tanto, el ancho de banda de una AO ideal es infinito. Sin embargo, los valores reales típicos del
ancho de banda están limitados por el producto del ancho de banda BW y la ganancia de tensión AV. Este producto es igual
al de la frecuencia en el que la ganancia AV=1 (0dB). Este valor es una constante en cada AO y se denomina Gain
Bandwidth Product o GBP.
-VOFFSET: Tensión de offset. La salida de los AO debe ser 0 cuando la diferencia de tensión entre las entradas inversora y
no inversora es 0 o cuando ambas entradas se encuentran conectadas a tierra. En los AO reales, todos tienen la VOFFSET
distinta de 0 y suelen tener terminales para ajustarlo a 0.
-AC: Ganancia en modo común. En un AO ideal el valor de la ganancia en modo común es 0. Esto quiere decir que las
tensiones comunes en ambos terminales de entrada se restan entre sí, y por tanto, se anulan, amplificándose solamente la
diferencia entre ambas entradas. Un AO real de buena calidad, debe maximizar la ganancia diferencial manteniendo la
ganancia en modo común al mínimo. La capacidad de hacer esto se denomina Relación de Rechazo al Modo Común
(CMRR), que idealmente debe valer infinito.
UNIDAD 1 ELECTRONICA ANALOGICA 248
AVIONICA
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. SIMBOLO Y CARACTERISTICAS
-SR: Slew Rate. El Slew Rate es un efecto no lineal en los amplificadores. Representa la incapacidad de un AO para seguir
variaciones rápidas de la señal de entrada. Se define como el máximo tiempo de respuesta de la tensión de salida Δt, a un
cambio de tensión ΔV, en la entrada. También se conoce como respuesta al escalón, que consiste en aplicar a la entrada de
un AO no inversor, de ganancia unitaria, un cambio de 0 a V (0→V) y medir el tiempo de respuesta a la salida. Se mide en
V/μs.
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. MODELO Y CARACTERISTICAS
El amplificador operacional lo podemos modelizar como un amplificador caracterizado por una resistencia de entrada Rin
muy alta sobre la que se aplica una tensión de entrada Vin.
La salida Vout está conectada a un generador de tensión cuyo valor depende de la ganancia G del circuito multiplicada por la
tensión de entrada y una resistencia en serie denominada Rout, tal y como se puede ver en la figura de más abajo.
Otro aspecto importante a considerar es que el amplificador tiene dos terminales que sirven para polarizar el circuito, Vs+ y
Vs-.
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. CIRCUITOS. AMPLIFICADOR INVERSOR
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. CIRCUITOS. AMPLIFICADOR NO INVERSOR
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. CIRCUITOS. SEGUIDOR DE TENSION
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. CIRCUITOS. SUMADOR INVERSOR
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. CIRCUITOS. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. CIRCUITOS. INTEGRADOR
-Su tensión de salida es proporcional a la integral en el tiempo de la tensión de entrada.
-Es útil en instrumentación, por ejemplo, un acelerómetro nos devuelve una señal proporcional a la aceleración de un
objeto. Aplicada esta señal a un integrador, obtenemos la velocidad de dicho objeto. Si volvemos a integrar, obtenemos la
posición.
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. CIRCUITOS. DERIVADOR
-Su señal de salida es proporcional a la derivada en el tiempo de la tensión de entrada.
-Su análisis es similar al del inversor, únicamente que la intensidad de entrada es la correspondiente al condensador
teniendo en cuenta que la diferencia de tensión a la que está sometido es la de entrada menos la masa virtual.
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. CIRCUITOS. COMPARADOR
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. CIRCUITOS. COMPARADOR
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. DATASHEET
SEMICONDUCTORES
AMPLIFICADOR OPERACIONAL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL. DATASHEET