Modulación AM

Damián Patón Terrero

30 de marzo de 2012

1. Introducción
Realizaremos la simulación de un sistema electrónico de comunicaciones analógicas. En concreto analizare-
mos un modulador AM que consta de los siguientes elementos: modulador AM de ley cuadrática, amplicador
y ltro paso banda y por último demodulador AM detector de envolvente, como puede verse en la gura
1. el amplicador y ltro paso banda se consideran parte del modulador AM de ley cuadrática, pero para
simplicar el proceso lo hemos considerado aparte para su análisis.
Primero analizaremos cada componente por separado obteniendo unos resultados característicos de cada
uno de ellos, y nalmente simularemos el sistema completo.

2. Modulador basado en diodos

La modulación AM es el proceso por el que se varía la amplitud de la onda portadora como función lineal
de la señal de información o señal moduladora, obteniendose una señal (señal modulada) en cuya amplitud
viaja la señal de información.
Concretamente nos centraremos en un modulador de ley cuadrática en el que se realizan tres procesos: el
proceso de suma de las ondas portadora y moduladora, el proceso de generación de productos de intermod-
ulación gracias a un elemento no lineal que procesa la suma de la portadora y la moduladora y un ltrado
paso banda para extraer los productos de intermodulación deseados. Este último paso lo incluiremos en la
sección del amplicador y ltro paso banda.
La caracterización matemática de este proceso ya se ha visto, aquí nos centraremos en como realizarlo
de forma práctica en un simulador de circuitos electrónicos.
Usaremos para simular el modulador AM de ley cuadrática el circuito proporcionado. La suma de las
señales portadora y moduladora se realiza colocando las fuentes en serie, y el elemento no lineal se forma a
partir de la unión en paralelo de dos diodos.
Usando los valores de entrada indicados obtenemos la tensión de salida del elemento no lineal. Como puede
observarse en la gura 2 se ha producido la modulación deseada de la señal, pues la señal de información
esquematizada por v_info viaja en la amplitud de la señal portadora.

Figura 1: Sistemas de comunicaciones analogicas AM

1
 2.0V

1.0V

0V

-1.0V

-2.0V
0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms
V(v_s)
Time

Figura 2: Tensión a la salida de elemento no lineal. (Vi = 0,5V )

Vsmax (V ) 1.4768 1.7842 2.0929 2.4027 2.7133 3.0244 3.3361

Vsmin (V ) 1.2815 0.9785 0.6802 0.3912 0.1309 0.0892 0.0667
Vi (V ) 0.1 0.41667 0.73333 1.05 1.3667 1.6833 2
m 0.070804 0.29163 0.50943 0.71996 0.90795 0.9427 0.9608

Cuadro 1: Índices de modulación para las diferentes amplitudes de la señal de información.

2.1. Índice de modulación

Vi
Si se tratara de un proceso igual que el explicado en teoría el índice de modulación sería:
Vc , donde m=
Vi y Vc son las amplitudes de las señales de información y portadora respectivamente. Pero al tratarse de un
elemento no lineal no puede usarse esta expresión, usaremos la expresión 1.

Vsmax 1+m
= (1)
Vsmin 1−m

Despejando de la ecuación 1 obtenemos nalmente una expresión para el índice de modulación como se
observa en le ecuación 2.
Vsmax
1− Vsmin
m = − Vs (2)
max
Vsmin +1
Realizando varias simulaciones cambiando la amplitud de la señal de información obtenemos la tabla 1
y representandolo en una gráca obtenemos la gura 3.
Como se observa en la gráca 3 para valores de la amplitud de la moduladora cercanos a 2 se obtienen
valores del índice de sobremodulación cada vez más cercanos a 1, pero nunca llegamos a alcanzarlo. Esto
no signica que no exista sobremodulación, ya que al tratarse de un circuito no ideal la señal modulada se
corta sobre el valor de 0 voltios, como se observa en la gura 4, y eso no nos permite el cálculo de m.
Debido a esto consideramos a todos los efectos que se produce sobremodulación a partir del punto donde se
pierde la linealidad en la curva de la gura 3.

0.9

0.8

0.7

0.6
m

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0
0 0.5 1 1.5 2
Vi(V)

Figura 3: Índice de moculación frente a la amplitud de la señal de información.

2
 4.0V

2.0V

0V

-2.0V

-4.0V
0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms
V(v_s)
Time

Figura 4: Señal de salida sobremodulada (Vi = 2V ).

100V

1.0V

10mV

100uV

1.0uV

10nV
0Hz 5MHz 10MHz 15MHz 20MHz 25MHz 30MHz 35MHz 40MHz 45MHz 50MHz 55MHz 60MHz 65MHz 70MHz
V(v_s)
Frequency

Figura 5: Armónicos de la señal modulada (Vi = 0,5).

2.2. Grado de interferencia

Realizando una representación de las componentes en freciencia de nuestra señal de salida observamos
que aparecen elementos indeseados en frecuencias que son múltiplos de la frecuencia de la portadora, estas
componentes las eliminará el ltro para quedarnos solo con la componente deseada, pues de no ser así se
producirían interferencias con otros aparatos.
Un factor para medir este grado de interferencia que se produce en nuestra señal es la diferencia entre la
amplitud de la componente en frecuencia de nuestra señal a la frecuencia de la portadora y la amplitud de la
siguiente componente más grande, como expresa la ecuación 3, donde fc y fmax respresentan las frecuencias
de portadora y de amplitud máxima respectivamente, esta ultima sin tener en cuenta la amplitud a la
frecuencia de la propia portadora.
r = V (fc ) − V (fmax ) (3)

Normalmente este factor se proporciona en decibelios por lo que es factor en su forma nal se presenta
en la ecuación  
V (fc )
R = 10log10 (4)
V (fmax )
En nuestro caso (Vi = 0,5V ) la diferencia se realizaría entre la componente a
  1M Hz y la de 3M Hz ,
1,2622
resultando esta diferencia: r = 1,2622 − 0,1592, en decibelios: R = 10log10 0,1592 = 8,9919. En la gura 5
se observa esta situación.
Realizando un procedimiento similar al del apartado anterior obtenemos una tabla con los valores del
grado de interferencia en función de la amplitud de la señal de información, que podemos ver en la tabla 2.
A partir de esta podemos obtener la gráca de la gura 6. Como podemos observar en esta última gura
el grado de interferencia es principalmente creciente con la amplitud de la señal de información, lo que
nos indica que cada vez se produce una mayor interferencia entre nuestra señal deseada, a 1M Hz y las
componenetes en los múltiplos de la frecuencia de portadora.

Vsp (V ) 1.2499 1.2582 1.2774 1.3086 1.355 1.4219 1.5017

Vsmax (V ) 0.1863 0.1685 0.1315 0.1455 0.165 0.1596 0.1326
Vi (V ) 0.1 0.41667 0.73333 1.05 1.3667 1.6833 2
R(dB) 8.2666 8.7315 9.874 9.5394 9.1446 9.4984 10.5404

Cuadro 2: Grado de interferencia para distintas amplitudes de la señal de información.

3
 11

10.5

10

R(dB)
9.5

8.5

8
0 0.5 1 1.5 2
Vi(V)

Figura 6: Grado de interferencia frente a la amplitud de la moduladora.

3. Detector de envolvente
Primero veremos como funciona un detector de envolvente, para ello realizaremos una simulación ideal
con el circuito proporcionado. Después lo implementaremos en transmisor-receptor completo para ver como
interacciona con los demás elementos.
Una señal modulada AM tiene la expresión genérica 5.

VAM (t) = Vi [1 + mxi (t)] cos(ωc t) (5)

donde xi (t) es la señal de información normalizada, Vi la amplitud de la moduladora. En nuestro caso la

expresión viene dada por la ecuación 6, donde hemos dividido y multimplicado por el maximo de la señal
Vitx1 (t) + Vitx2 (t). Igualando términos entre las ecuaciones 5 y 6 obtenemos las relaciones expresadas en 7.

 
Vitx1 (t) + Vitx2 (t)
VAM (t) = [Vitx1 (t) + Vitx2 (t) + Vdc ] cos(ωc t) = Vdc 1 + cos(ωc t) =
Vdc
 
M12 Vitx1 (t) + Vitx2 (t)
Vdc 1 + cos(ωc t) (6)
Vdc M12

M12 Vi (t) + Vitx2 (t)

m= , xi (t) = tx1 (7)
Vdc M12

7.0V

6.0V

4.0V

2.0V

0V
0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms
V(s_AM) V(v_info_rx) V(v_info_tx)
Time

Figura 7: Resultado de la simulación del circuito ideal (ftx1 = 1kHz, ftx2 = 2kHz).

4
 1
señal de entrada
0.8 señal de salida

0.6

0.4

0.2

Ve(V),Vs(V)
0

−0.2

−0.4

−0.6

−0.8

−1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
t(s) x 10
−4

Figura 8: Comparación entre las señales de entrada y salida del detector de envolvente después del tratamien-
to.

Una vez visto esto podemos realizar la simulación del circuito con los parámetros iniciales obteniendo
la gráca de la gura 7, en la que podemos observar la señal transmitida, la modulada mediante el multi-
plicador, y la recibida una vez procesada por el detector de envolvente. Como podemos apreciar el detector
de envolvente es capaz de recuperar la señal de infromación en cuanto a forma se reere. Para comparar
las señales de entrada y de salida al detector de envolvente de forma más clara hemos tratado las señales
mediante MatLab, eliminando su componente de continua y normalizandolas como puede verse en la gura
8. Podemos ver como las ondas son prácticamente iguales salvo un pequeño desfase en el tiempo.

15 15
onda modulada
envolvente
moduladora

10 10

5 5

0 0

−5 −5

−10 −10

envolvente
onda modulada

−15 −15
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

Figura 9: En la gura de la izquierda no hay sobremodulación y la envolvente se obtiene de forma adecuada,

en la de la derecha si existe sobremodulación y la envolvente no coincide con la moduladora.

Para que el detector de envolvente realice de forma adecuada su función es preciso que los parámetros de
la resistencia y la capacidad del condensador sean los adecuados existiendo entre ellos la siguiente relación:
fm = 1
RC , siendo fm la frecuencia mayor de las señales de información. En el caso de querer recuperar
−6
la envolvente cuando fm = 3kHz obtenemos que la capacidad debe valer 1,11 · 10 F siendo R = 300Ω.
Simulando el circuito de nuevo comprobamos que la envolvente se recupera de forma aceptable.
Por otro lado si disminuimos el valor de Vdc observamos que el detector no recupera la envolvente ya que
este valor está inversamiente relacionado con el índice de modulación mediante la expresión 7. Es decir, al
disminuir Vdc se produce sobremodulación y el detector es incapaz de resolver la envolvente. En la gura 9
hay un pequeño ejemplo de porque al existir sobremodulación no se puede detectar la envolvente, que como
puede verse no es igual a la señal de información. En el caso de nuestro circuito podemos ver que al colocar
una fuente de continua de 0.5 voltios ya no se puede detectar la envolvente de forma correcta debido a la
sobremodulación como se aprecia en la gura 10.

4. Amplicador y ltro BPF

En esta sección analizaremos el funcionamiento del amplicador y el ltro paso banda.

5
 1.6V

1.2V

0.8V

0.4V

0V
0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms
V(s_AM) V(v_info_tx) V(v_info_rx)
Time

Figura 10: Tensión a la salida del detector de envolvente para un valor de Vdc = 0,5V .

4.1. Análisis frecuencial

Por un lado tenemos que este circuito amplica la señal además de ltrarla con una frecuencia de paso
que viene determinada por los parámetros del tanque resonante mediante la expresión 8. En esta expresión
el valor del condensador usado es el que aparece con el nombre Cc2 en el diagrama del circuito, ya que el
otro (Cc1) está en serie con la bobina y además su valor es muy grande. Se puede demostrar que el valor de
la impedancia compleja del condensador Cc1 es despreciable frente a la del condensador Cc2 y frente a la de
la bobina como puede comprobarse en 9, 10 y 11. Con estas consideraciones obtenemos que la frecuencia de
paso es 795,77kHz .
1
fc = √ (8)
2π LC
1
ZCc1 = = −0,1jΩ (9)
jωC1
1
ZCc2 = = −50jΩ (10)
jωC2
ZL = Ljω = 2jΩ (11)

Realizando un análisis en frecuencia obtenemos el resultado de la gura 11, donde se representa la señal
a la salida del amplicador frente a la frecuencia. En la imagen de la izquierda la frecuencia de paso es
796,34kHz y en la de la derecha es 355,88kHz esto se consigue con la variación de la inductacia de la bobina
del tanque resonante. Realizando un análisis paramétrico en pspice, tomando como parámetro el valor de
la bobina, vericamos este efecto en la gura 12. Al aumentar Lc la frecuencia de paso se desplaza hacia la
izquierda,
También podemos analizar el efecto que produce en el ltro un cambio del valor de la resistencia. Real-
izando de nuevo un análisis paramétrico, tomando como parámetro el valor de la resistencia Rc , visualizamos
el efecto que se produce en la gura 12. Al aumentar Rc el valor del pico a la frecuencia de paso aumenta.
Respresentando la señal de salida en decibelios podemos medir el ancho de banda de 3dB del ltro-
amplicador obteniendo 8,586kHz de resultado.
Recopilando los resultados importantes que hemos obtenido con este análisis podemos decir que con
nuestas condiciones de trabajo (Lc = 2µH , Cc2 = 20nF y Rc = 1000Ω) la frecuencia de paso es fc =
796,34kHz , ligeramente diferente a la calculada por los motivos antes mencionados, y el ancho de banda
BW = 8,586kHz .

4.2. Análisis temporal

A continuación realizaremos un análisis en el tiempo. Veremos el efecto de amplicación y el de ltrado.

Para ello conguramos la fuente que proporciona la señal de entrada con los siguientes valores: V AM P L =
10mV , F REQ = 300kHz . Como podemos comprobar esta señal tiene una frecuencia que está fuera del ancho
de banda del ltro (796,34 − 804,926)kHz por tanto no lo pasa, como se obrseva en el gráco de la izquierda
de la gura13. Ahora conguramos la fuente de la siguiente manera: V AM P L = 10mV , F REQ = 800kHz .
Esta vez la frecuencia de la señal sí se encuentra dentro del ancho de banda del ltro (796,34 − 804,926)kHz
por tanto la señal es amplicada adecuadamente, como se observa en el gráco de la derecha de la gura13.

6
 47.8 47.3

40.0 40.0

30.0 30.0

20.0 20.0

10.0 10.0

0 0
300KHz 400KHz 500KHz 600KHz 700KHz 800KHz 900KHz 999KHz 69.6KHz 100.0KHz 150.0KHz 200.0KHz 250.0KHz 300.0KHz 350.0KHz 400.0KHz 450.0KHz 493.9KHz
DB(V(RL:2)) DB(V(RL:2))
Frequency Frequency

Figura 11: Análisis en frecuencia para Lc = 2µH a la izquierda y Lc = 10µH a la derecha.

115V 294V

100V
250V

80V
200V

60V 150V

40V 100V

20V 50V

0V 0V
621KHz 640KHz 660KHz 680KHz 700KHz 720KHz 740KHz 760KHz 780KHz 800KHz 820KHz 782.01KHz 784.00KHz 788.00KHz 792.00KHz 796.00KHz 800.00KHz 804.00KHz 808.00KHz 811.97KHz
V(RL:2) V(RL:2)
Frequency Frequency

Figura 12: Respuesta en frecuencia del amplicador-BPF para distintos valores de Lc (de 2µH hasta 6µH
con un paso de 1µH ) a la izquierda, para distintos valores de Rc (de 1000Ω hasta 1500Ω con un paso de
100Ω) a la derecha.

30mV 2.0V

20mV

1.0V

10mV

0V 0V

-10mV

-1.0V

-20mV

-30mV -2.0V
0s 10us 20us 30us 40us 50us 60us 70us 80us 90us 100us 0s 10us 20us 30us 40us 50us 60us 70us 80us 90us 100us
V(RL:2) V(RL:2)
Time Time

Figura 13: Análisis en el tiempo a una frecuencia fuera (izquierda) y dentro (derecha) del ancho de banda
del ltro.

7
 12V
3.4V

3.0V
8V

4V

2.0V

0V

-4V
1.0V

-8V

-12V 0V
0s 10us 20us 30us 40us 50us 60us 70us 80us 90us 100us 0Hz 1.0MHz 2.0MHz 3.0MHz 4.0MHz 5.0MHz 6.0MHz 7.0MHz 8.0MHz
V(RL:2) V(RL:2)
Time Frequency

Figura 14: Tensión a la salida del amplicador para una entrada de 100mV de amplitud.

Salida Gain=3
Salida Gain=1
Salida Gain=5
Entrada
1

1
Entrada
0.5 Salida C=50
0.8 Salida C=100
Salida C=200
Salida C=300
Salida C=400
0.6
Ve(V),Vs(V)

0 0.4

0.2

Ve(V),Vs(V)
0

−0.5
−0.2

−0.4

−1 −0.6

−0.8

0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

t(s) −3 −1
x 10 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
t(s) x 10
−3

Figura 15: Señal de salida para distintos valores de la ganancia (izquierda) y del condensador del detector
de envolvente (derecha)

Por último podemos comprobar como una tensión de entrada demasiado elevada hace que el amplicador
y el ltro no funcionen adecuadamente, ya que se saturan pues la tensión que se alcanzaría a la salida sería
demasiado elevada. Podemos observarlo estableciendo los siguientes parámetros en la fuente de señal de
entrada: V AM P L = 100mV , F REQ = 800kHz . Podemos ver la tensión de salida en la gura 14.

5. Sistema transmisor/receptor completo

En esta sección uniremos las distintas partes del transmisor/receptor y analizaremos el funcionamiento
en conjunto del circuito variando alguno de sus parámtros característicos.

5.1. Análisis general del circuito

Realizando una primera simulación con una señal portadora de 1,5V de amplitud a 1M Hz de frecuencia
y una señal de información de 0,6V a 2kHz observamos lo siguiente:
A la salida del modulador se obtiene efectivamente una señal de AM. Sin embargo, a la salida del
amplicador vemos que la tensión no solo no se amplica sino que se atenua, además de tener simetría en
el eje x, esto se produce porque la resistencia de entrada al BJT es demasiado alta, por lo que no circula la
intensidad sufeciente para que la señal se amplique correctamente. Por consiguiente la señal de información
recibida a la salida del detector de envolvente, pese a tener la forma aproximada de la señal de entrada, está
muy atenuada.
Vamos a variar el valor de algunos parámtros del circuito para obtener una mejor recepción de la señal. En
primer lugar vamos a cambiar la ganancia de la fuente dependiente observando los resultado de la izquierda
de la gura 15. Vemos que la forma no es exactamente la misma, ya que al condensador no le da tiempo
de adaptarse a la forma de la onda, podemos arreglar esto haciendo que el condensador responda más
rápidamente, los resultados están a la derecha de la gura 15. A partir de ahora usaremos para los siguientes
análisis una ganancia de 3 y un valor del condensador de 100nF .
Al variar la frecuencia de la señal de información se aprecian diversos efectos. En la gura 16 se observa

8
 2.0V
2.0V

1.0V
1.0V

0V 0V

-1.0V -1.0V
0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms 0s 50us 100us 150us 200us 250us 300us
V(info_rx) V(info_tx) V(info_rx) V(info_tx)
Time Time

Figura 16: Salida del sistema a 3kHz y 10kHz para la señal de entrada a la derecha e izquierda respectiva-
mente.

400mV
1.0V

300mV

0.5V 200mV

100mV

0V 0V
0.80MHz 0.84MHz 0.88MHz 0.92MHz 0.96MHz 1.00MHz 1.04MHz 1.08MHz 1.12MHz 1.16MHz 1.20MHz 0Hz 0.2MHz 0.4MHz 0.6MHz 0.8MHz 1.0MHz 1.2MHz 1.4MHz 1.6MHz
V(v_antena) V(v_s) V(v_antena)
Frequency Frequency

Figura 17: A la izquierda respresentación de los armónicos a la salida del ltro del tanque resonante. A la
derecha análisis en frecuencia del tanque resonante.

el resultado de la simulación con una frecuencia de 3kHz a la izquierda y de 10kHz a la derecha. En la

gura 17 podemos apreciar el efecto del ltro del tanque resonante, vemos como los armónicos que no están
centrados en la frecuencia de paso son reducidos (imagen de la izquierda) según la característica en frecuencia
de la imagen de la derecha. Por otro lado el ltro de paso bajo es muy amplio por lo que es muy dicil que
la señal que llega del amplicador-BPF que llega centrada en 0Hz sea ltrada.

5.2. Análisis de la potencia e interferencia en fución del valor de la resistencia

en la base del BJT

En primer lugar en gura 18 podemos ver como afecta el valor de la resistencia Rb_2 a la señal en la
antena. Hemos realizado un análisis paramétrico para poder observar los distintos resultados. Los valores
tomados para la resistencia han sido: 0,1kΩ, 0,2kΩ, 0,5kΩ, 1kΩ, 2kΩ, 5kΩ y 10kΩ en la gráca 18 se observan
las distintas señales en la antena para estos valores desde el verde hasta el naranja respectivamente. Podemos
observar que para valores pequeños de la resistencia, la intensidad que circula hacia el BJT es mayor, y por
tanto mayor es el efecto amplicador.
Veamos ahora el grado de interferencia que se produce en la señal de la antena después de la amplicación.
Transformando la señal de la gura 18 al dominio de la frecuencia obtenemos la tabla 3 realizando unos
cálculos similares a los de la sección 2.2 y representando el grado de interferencia frente al valor de la
resistencia Rb_2 obtenemos la gura 19. Donde Vamax y Va2o max son las amplitudes del primer y el segundo
armónico con más amplitud respectivamente.

15V

10V

5V

0V

-5V

-10V

-15V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms
V(v_antena)
Time

Figura 18: Señal en la antena para distintos valores de Rb_2.

9
 Vamax (V ) 6.7822 5.8496 3.8851 2.5662 1.5813 0.7812 0.4643
Va2o max (V ) 0.4314 0.4589 0.3086 0.1971 0.1155 0.0559 0.0227
Resistencia(kΩ) 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10
R(dB) 11.9649 11.0541 11.0001 11.146 11.3643 11.4535 13.1077

Cuadro 3: Grado de interferencia de la señal de la antena para distintos valores de Rb_2.

13.5

13

12.5
R(dB)

12

11.5

11
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
Resistencia(k)

Figura 19: Grado de interferencia en la señal de la antena frente a Rb_2.

A continuación analizaremos la potencia y la eciencia del circuito. Realizaremos el análisis tomando

como parámetro la resistencia Rb_2, que controla la intensidad que llega al BJT. A menor valor de la
resistencia mayor efecto amplicador y mayor potencia se consume en la antena como puede verse en la
gura 20 a la izquierda. La eciencia también podemos comprobar que es mayor para valores mayores de la
resistencia Rb_2 como puede verse a la derecha de la gura 20. Donde la eciencia se ha calculado como se
muetra en la ecuación12.

RM S(Iantena · Vantena )
P = (12)
RM S(IV cc · VV cc )

5.3. Pruebas con varios tonos

Veamos como reacciona el circuito ante la entrada de varios tonos. Se ha usado un valor de 300nF para
el condensador del detector de envolvente, un valor de 3 para la ganancia de la fuente dependiente y un
valor de 1kΩ para la resistencia de base del BJT. En la gura 21 se representa la señal recibida frente a
la transmitida, donde podemos ver que para señales con una frecuencia que se aproxima a los 10kHz la

2.0W 800mV

1.5W 600mV

1.0W 400mV

0.5W 200mV

0W 0V
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms 70ms 80ms 90ms 0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms 60ms 70ms 80ms 90ms
RMS(I(R_antena)* V(v_antena)) RMS(I(R_antena)* V(v_antena))/ RMS(I(Vcc)*12)
Time Time

Figura 20: Potencia disipada en la antena (izquierda) y factor P (derecha) para los valores de
0,1kΩ, 0,2kΩ, 0,5kΩ, 1kΩ, 2kΩ , 5kΩ , 10kΩ, desde el color verde hasta el naranja respectivamente.

10
 12V
15V

10V

10V
8V

6V

5V

4V

2V
0V

0V

-2V -5V
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms 2.5ms 3.0ms 3.5ms 4.0ms 4.5ms 5.0ms 0s 50us 100us 150us 200us 250us 300us 350us 400us 450us 500us
V(info_rx) V(v_carrier:-) V(info_rx) V(v_carrier:-)
Time Time
15V
12V

10V

10V

8V

6V

5V

4V

2V
0V

0V

-5V -2V
0s 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms 6ms 7ms 8ms 9ms 10ms 0s 0.1ms 0.2ms 0.3ms 0.4ms 0.5ms 0.6ms 0.7ms 0.8ms 0.9ms 1.0ms
V(info_rx) V(v_carrier:-) V(info_rx) V(v_carrier:-)
Time Time

Figura 21: Representación de la señal transmitida y la señal recibida para distintos tonos con frecuencias de
1kHz y 3kHz, 1kHz y 10kHz,100Hz y 3kHz, 10kHz y 30kHz.

recepción empieza a dejar de ser buena, como solución alternativa para este problema se podría disminuir la
capacidad del condensador.

6. Conclusiones
Del análisis de el modulador basado en diodos podemos concluir, como se observa en al gura 3, que al
aumentar la amplitud de la señal de información puede producirse sobremodulación, lo que no nos permitiría
recuperar posteriormente la señal de información. También hemos deducido que el grado de interferencia,
entre los distintos armónico que se generan en la modulación no lineal, es más grande a medida que aumen-
tamos la amplitud de la señal de información, con lo cual se hace ver la clara necesidad de un ltro, como
puede verse en la gura 6.
En cuanto al detector de envolvente hemos visto como la recuperación de la señal es bastante buena si se
cumple la realción fm = 1
RC (gura 7), siempre teniendo en cuenta que la tensión que alimenta el circuito
debe ser suciente, ya que puede producirse sobremodulación de la señal y puede no recuperarse bien como
expresa la relación 7 (gura 10).
En cuanto al ltro BPF podemos decir que su frecuencia de paso viene dada por la expresión 8. En la
gura 12 podemos ver como esta frecuencia de paso cambia al variar la inductancia de la bobina, además
de la amplitud del pico al variar el valor de la resistencia Rc del tanque resonante. Por la tanto con estos
parámetros podemos conurar facilmente nuestro ltro. En cuanto al amplicador podemos ver en la gura
13 como la señal se amplica perfectamente cuando la frecuencia de la señal se encuentra en el ancho de
banda del ltro, pero como apenas se obtiene nada cuando no se encuentra en esa frecuencia. Además tambíen
tenemos que tener en cuenta la saturación del amplicador para señales de entradas con demasiada amplitud
como se observa en la gura 14.
Por último podemos obtener las siguiente conclusiones del análisis del sistema completo: el valor de la
ganancia de la fuente dependiente que une el amplicador con el detector de envolvente es importante para
que se detecte de forma correcta la señal, con un valor de 3 hemos visto que la señal se recupera de forma
adecuada. El valor del condensador del detector de envolvente inuye en la forma de la señal recuperada,
para un valor menor de la capacidad del condensador, la respuesta del circuito es más rápida y se obtiene
una forma más aproximada a la transmitida, pero se introduce ruido en la cresta de la señal. Al aumentar
la frecuencia de la señal vemos como la recuperación es cada vez peor puediendose aumentar hasta un valor
de unos 10kHz. Vemos también que la potencia consumida y la eciencia aumentan con la disminución del
valor de la resistencia de la base del BJT.

11
Índice
1. Introducción 1
2. Modulador basado en diodos 1
2.1. Índice de modulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
2.2. Grado de interferencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

3. Detector de envolvente 4
4. Amplicador y ltro BPF 5
4.1. Análisis frecuencial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
4.2. Análisis temporal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

5. Sistema transmisor/receptor completo 8

5.1. Análisis general del circuito . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
5.2. Análisis de la potencia e interferencia en fución del valor de la resistencia en la base del BJT 9
5.3. Pruebas con varios tonos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

6. Conclusiones 11

12