SUPER-JUNCTION MOSFETs
Samuel Chimborazo
Samuel.chimborazo@espoch.edu.ec
ABSTRACT: In the present article an investigation is
presented about the MOSFETS with Super-Junction
technology, which are being used in greater quantity in
the industry because they can reach a blockage in very
high voltages.
KEYWORDS: Resistances, silicon, source, oxide, super
junction.
I. INTRODUCCION
Los MOSFETs de potencia basados en tecnología super-
junction tienden a convertirse en la norma de la industria
en convertidores de alto voltaje de conmutación. Ofrecen
un RDS(ON) más bajo simultáneamente con las cargas
reducidas de la compuerta y de la salida que permite una
conmutación más eficiente en cualquier frecuencia dada.
Antes de la disponibilidad de super-junction MOSFETs la
plataforma de diseño dominante para dispositivos de alta
tensión se basó en la tecnología planar, sin embargo, la
conmutación rápida en las altas tensiones plantea sus
propios desafíos en fuentes de alimentación de AC/DC y
los inversores. Comenzaremos revisando los rangos de
potencia y frecuencia cubiertos por los principales
transistores de potencia de los últimos años, que son Si-
MOSFET, IGBT y SiC-MOSFET. Posteriormente nos
centraremos en los MOSFET super-junction, pero será
útil comprender la posición de los Si-MOSFET en el
mercado para poder comprender cómo se utilizan y poder
elegirlos según sus características.[1]
II. CARACTERISTICAS DE LOS
TRANSISTORES DE POTENCIA
El siguiente gráfico ilustra las regiones de potencia y
frecuencia que pueden ser manejadas por los diferentes
tipos de transistores de potencia. Vemos que los Si-
MOSFET están rezagados con respecto a los IGBT y los
SiC-MOSFET en cierta medida con respecto a la
resistencia ON y la tensión nominal, pero son adecuados
para el funcionamiento a alta velocidad a niveles de
potencia inferiores a intermedios.
FIGURA 1: Características de los transistores de potencia
A. Estructura interna del Mosfet de Super- Juntura y
Mosfet Planar.
Los MOSFET de Si pueden clasificarse como MOSFET
planos y MOSFET de superjuntura de acuerdo con los
procesos de fabricación utilizados. En pocas palabras, en
el campo de los transistores de potencia, la estructura de
superunión se desarrolló para trascender los límites de las
estructuras planas.
Como se indica a continuación en la figura 2, una
estructura plana constituye un transistor plano o
planar. Esta estructura ha tenido el inconveniente de que
si la tensión nominal aumenta, la capa de deriva se
vuelve más gruesa y, por lo tanto, aumenta la resistencia
de conexión. En contraste, una estructura de superjuntura
es una estructura en la que se disponen múltiples junturas
pn verticales, como resultado de esto, existe una baja
resistencia a la conexión RDS(ON) y una carga de puerta
reducida Qg mientras se mantiene un alto voltaje.[2]
FIGURA2: Estructura interna de un Mosfet planar y Mosfet de superjuntura.
Además, la corriente inversa irr y el tiempo de
recuperación inverso trr del diodo interno son parámetros
que deben estudiarse para las características de apagado
de un transistor. Como se indican las formas de onda en
la figura 3, en esencia, un MOSFET de superjuntura tiene
un área de unión pn más grande que un MOSFET planar,
por lo que trr es más rápido que para un MOSFET planar,
pero fluye un irr mayor.[3]
FIGURA 2: Formas de onda de corriente en inversa y tiempo de recuperación
 III. CONCLUSIONES

- La estructura de super-juntura es un gran

desarrollo en la tecnología MOSFET de alta
tensión y ofrece importantes beneficios tales
como baja resistencia de encendido y una carga
de compuerta reducida mientras mantiene un
voltaje alto.
- Este tipo de Mosfet esta llegando a ser muy
utilizado en las industrias, ya que permite llegar a
un bloqueo de hasta 1200 V.
- Un MOSFET de superjuntura tiene una
característica que irr es más grande y trr es más
rápido que para un MOSFET planar. Lo cual
aumenta su eficacia.

VI. REFERENCIAS

[1] Fujihira, T. Theory of Semiconductor

Superjunction Devices. Jpn. J. Appl. Phys. Oct.
1997, vol.36, p.6254- 6262

[2] Onishi, Y. et al. 24 mΩ•cm 2 680 V Silicon

Superjunc- tion. MOSFET. Proc. ISPSD. June
2002, p.241-244

[3] Niimura, Y., et al. A Low Loss, Low Noise

and Robust 500 to 900 V Class Power MOSFET
with Multiple RE- SURF Guardring Edge
Structure. Proc. PCIM. China, June 2009, p.150-
155.