FF6MR12KM1

62mmC-SerienModulmitCoolSiC™TrenchMOSFET
62mmC-SeriesmodulewithCoolSiC™TrenchMOSFET

Zieldaten/TargetData

VDSS = 1200V
ID nom = 250A / IDRM = 500A

PotentielleAnwendungen PotentialApplications
• AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • HighFrequencySwitchingapplication
• DC/DCWandler • DC/DCconverter
• SolarAnwendungen • Solarapplications
• USV-Systeme • UPSsystems

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• HoheStromdichte • Highcurrentdensity
• NiedrigeSchaltverluste • Lowswitchinglosses

ModuleLabelCode
BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
DMX-Code
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23

Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V1.2

www.infineon.com 2018-10-12
FF6MR12KM1
Zieldaten
TargetData
MOSFET/MOSFET
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Drain-Source-Spannung
Tvj = 25°C VDSS  1200  V
Drain-sourcevoltage
Drain-Gleichstrom
Tvj = 175°C, VGS = 15 V TC = 65°C ID nom  250  A
DCdraincurrent
GepulsterDrainstrom verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax
ID pulse  500  A
Pulseddraincurrent verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax
Gate-SourceSpannung
VGSS  -10 / 20  V
Gate-sourcevoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Einschaltwiderstand ID = 250 A Tvj = 25°C 5,80
Drain-sourceonresistance VGS = 15 V Tvj = 125°C RDS on 7,60 mΩ
Tvj = 150°C 8,40
Gate-Schwellenspannung ID=80,0mA,VDS=VGS,Tvj=25°C
VGS(th) 3,45 4,50 5,55 V
Gatethresholdvoltage (testedafter1mspulseatVGS=+20V)
GesamtGateladung
VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V QG 0,496 µC
Totalgatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint 1,0 Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität f = 1 MHz, Tvj = 25°C
Ciss 14,7 nF
Inputcapacitance VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV
Ausgangskapazität f = 1 MHz, Tvj = 25°C
Coss 0,88 nF
Outputcapacitance VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV
Rückwirkungskapazität f = 1 MHz, Tvj = 25°C
Crss 0,112 nF
Reversetransfercapacitance VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV
COSSSpeicherenergie Tvj = 25°C
Eoss 352 µJ
COSSstoredenergy VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V
Drain-Source-Reststrom
VDS = 1200 V, VGS = -5 V Tvj = 25°C IDSS 0,80 660 µA
Zerogatevoltagedraincurrent
Gate-Source-Reststrom VDS = 0 V VGS = 20 V t.b.d.
IGSS nA
Gate-sourceleakagecurrent Tvj = 25°C VGS = -10 V
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast ID = 250 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C t.b.d.
Turnondelaytime,inductiveload VGS = -5 V / 15 V Tvj = 125°C td on t.b.d. ns
RGon = 3,90 Ω Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast ID = 250 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C t.b.d.
Risetime,inductiveload VGS = -5 V / 15 V Tvj = 125°C tr t.b.d. ns
RGon = 3,90 Ω Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast ID = 250 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C t.b.d.
Turnoffdelaytime,inductiveload VGS = -5 V / 15 V Tvj = 125°C td off t.b.d. ns
RGoff = 3,90 Ω Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast ID = 250 A, VDS = 600 V Tvj = 25°C t.b.d.
Falltime,inductiveload VGS = -5 V / 15 V Tvj = 125°C tf t.b.d. ns
RGoff = 3,90 Ω Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls ID = 250 A, VDS = 600 V, Lσ = 30 nH Tvj = 25°C
Turn-onenergylossperpulse VGS = -5 V / 15 V Tvj = 125°C Eon 5,29 mJ
RGon = 3,90 Ω Tvj = 150°C 5,35
AbschaltverlustenergieproPuls ID = 250 A, VDS = 600 V, Lσ = 30 nH Tvj = 25°C
Turn-offenergylossperpulse VGS = -5 V / 15 V Tvj = 125°C Eoff 5,10 mJ
RGoff = 3,90 Ω Tvj = 150°C 5,20
Kurzschlußverhalten VGS = -5 V / 15 V, VDD = 800 V tP ≤ 2 µs, Tvj = 25°C 1650 A
SCdata VDSmax = VDSS -LsDS ·di/dt tP ≤ 2 µs, Tvj = 150°C ISC 1600 A
RG = 10,0 Ω
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proMOSFET/perMOSFET RthJC 0,140 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proMOSFET/perMOSFET
RthCH 0,0400 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Tvj op -40 150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

Datasheet 2 V1.2
2018-10-12
FF6MR12KM1
Zieldaten
TargetData
BodyDiode/Bodydiode
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
BodyDiode-Gleichstrom
Tvj = 175°C, VGS = -5 V TC = 65°C ISD  64  A
DCbodydiodeforwardcurrent

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung ISD = 250 A, VGS = -5 V Tvj = 25°C 4,60 5,65
Forwardvoltage ISD = 250 A, VGS = -5 V Tvj = 125°C VSD 4,35 V
ISD = 250 A, VGS = -5 V Tvj = 150°C 4,30

Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL  4,0  kV
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
 Cu 
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
 Al2O3 
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 29,0
  mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 23,0
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 23,0
  mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,0
VergleichszahlderKriechwegbildung
CTI  > 400 
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
LsCE 20 nH
Strayinductancemodule
Lagertemperatur
Tstg -40 125 °C
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 3,00 6,00 Nm
Mountingtorqueformodulmounting ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
M 2,5 - 5,0 Nm
Terminalconnectiontorque ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
G 340 g
Weight

Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design
guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime.

Datasheet 3 V1.2
2018-10-12
FF6MR12KM1
Zieldaten
TargetData
AusgangskennlinieMOSFET(typisch) ÜbertragungscharakteristikMOSFET(typisch)
outputcharacteristicMOSFET(typical) transfercharacteristicMOSFET(typical)
ID=f(VDS) ID=f(VGS)
VGS=15V VDS=20V

500 500
Tvj = 25°C Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
450 Tvj = 150°C 450

400 400

350 350

300 300

ID [A]
ID [A]

250 250

200 200

150 150

100 100

50 50

0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
VDS [V] VGS [V]

Datasheet 4 V1.2
2018-10-12
FF6MR12KM1
Zieldaten
TargetData
Schaltplan/Circuitdiagram

Gehäuseabmessungen/Packageoutlines

Infineon

Datasheet 5 V1.2
2018-10-12
Trademarks
Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners.




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