‫ﻣﺠﻠﻪ ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﮏ ﻣﺪرس‪ ،‬ﺑﻬﻤﻦ ‪ ،1393‬دوره ‪ ،14‬ﺷﻤﺎره ‪ ،11‬صص ‪

58-47‬‬

‫ﻣﺎﻫﻨﺎﻣﻪ ﻋﻠﻤﯽ ﭘﮋوﻫﺸﯽ‬

‫ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﮏ ﻣﺪرس‬

‫‪ mme.modares.ac.ir‬‬

‫ﺑﻬﺒﻮد رﻓﺘﺎر ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﻣﺘﻌﺎﻣﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻻﯾﻪ‬
‫اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ ‬
‫‪*2‬‬
‫ ‬ ‫ﻣﺤﻤﺪ ﺣﺴﯿﻦزاده‪ ،1‬ﺟﻠﯿﻞ رﺿﺎﯾﯽ ﭘﮋﻧﺪ‬

‫‪ -1‬داﻧﺸﺠﻮي دﮐﺘﺮا‪ ،‬ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﮏ‪ ،‬داﻧﺸﮕﺎه ﻓﺮودﺳﯽ ﻣﺸﻬﺪ‪ ،‬ﻣﺸﻬﺪ‬

‫‪ -2‬اﺳﺘﺎد‪ ،‬ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﮏ‪ ،‬داﻧﺸﮕﺎه ﻓﺮدوﺳﯽ ﻣﺸﻬﺪ‪ ،‬ﻣﺸﻬﺪ‬
‫* ﻣﺸﻬﺪ‪ ،‬ﺻﻨﺪوق ﭘﺴﺘﯽ ‪ jrezaeep@um.ac.ir ،91775- 1111‬‬

‫ﭼﮑﯿﺪه‬ ‫اﻃﻼﻋﺎت ﻣﻘﺎﻟﻪ‬

‫در اﯾﻦ ﻣﻘﺎﻟﻪ‪ ،‬ﺗﺤﻠﯿﻞ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روش اﻟﻤﺎن ﻣﺤﺪود ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﯽ ﻗﺮار ﻣﯽﮔﯿﺮد‪ .‬اﯾﻦ ﺻﻔﺤﻪ‬ ‫ﻣﻘﺎﻟﻪ ﭘﮋوﻫﺸﯽ ﮐﺎﻣﻞ‬
‫ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ از دو ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﯿﮏ ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﻣﺘﻌﺎﻣﺪ و ﯾﮏ ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻣﮕﻨﺘﻮرﺋﻮﻟﻮژﯾﮑﺎل )‪ (MRE‬ﺗﺸﮑﻠﯿﻞ ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬ ‫درﯾﺎﻓﺖ‪ 27 :‬ﺑﻬﻤﻦ ‪1392‬‬
‫ﭘﺬﯾﺮش‪ 13 :‬اردﯾﺒﻬﺸﺖ ‪1393‬‬
‫اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻣﮕﻨﺘﻮرﺋﻮﻟﻮژﯾﮑﺎل ﻣﺎدهاي ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ اﺳﺖ ﮐﻪ ﺧﺼﻮﺻﯿﺎت آن ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﻗﺎﺑﻞ ﮐﻨﺘﺮل ﺑﻮده و زﻣﺎن ﭘﺎﺳﺦ دﻫﯽ‬
‫اراﺋﻪ در ﺳﺎﯾﺖ‪ 06 :‬ﻣﻬﺮ ‪1393‬‬
‫آن ﺑﻪ ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﺑﺴﯿﺎر ﮐﻮﺗﺎه اﺳﺖ‪ .‬از اﯾﻦ وﯾﮋﮔﯽ ﻣﯽﺗﻮان ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺑﻬﺒﻮد رﻓﺘﺎر ﯾﮏ ﺳﺎزه اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪ .‬ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﻣﺪلﺳﺎزي‬ ‫ﮐﻠﯿﺪ واژﮔﺎن‪:‬‬
‫ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻣﮕﻨﺘﻮرﺋﻮﻟﻮژﯾﮑﺎل از ﯾﮏ ﻣﺪول ﺑﺮﺷﯽ ﻣﺨﺘﻠﻂ ﺑﺮاي ﻧﻤﺎﯾﺶ رﻓﺘﺎر ﻣﺎده اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه‬ ‫ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫اﺳﺖ ﮐﻪ رﻓﺘﺎر ﭘﯿﺶ از ﺗﺴﻠﯿﻢ ﻣﺎده اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ را اراﺋﻪ ﻣﯽدﻫﺪ‪ .‬در ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﮐﻨﻮﻧﯽ‪ ،‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔﯽ از ﻗﺒﯿﻞ ﺷﺪت‬ ‫اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻣﮕﻨﺘﻮرﺋﻮﻟﻮژﯾﮑﺎل‬
‫ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ اﻋﻤﺎل ﺷﺪه ﺑﻪ ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ‪ ،‬ﻧﺤﻮه ﻗﺮارﮔﯿﺮي ﻻﯾﻪﻫﺎ در ﺻﻔﺤﺎت اﻻﺳﺘﯿﮏ ﻣﻮﺟﻮد در دو ﻃﺮف ﻻﯾﻪ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ و‬ ‫ﺗﺤﻠﯿﻞ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ‬
‫اﻟﻤﺎن ﻣﺤﺪود‬
‫ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ روي ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎ و ﺿﺮاﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﯽ ﻗﺮار ﻣﯽﮔﯿﺮد‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺑﺮرﺳﯽﻫﺎي‬
‫اﻧﺠﺎم ﺷﺪه‪ ،‬ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﯽﺷﻮد ﮐﻪ ﺑﺎ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ ﻣﻘﺎدﯾﺮ و ﺷﺮاﯾﻂ ﺧﺎص ﺑﺮاي ﺷﺪت ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‪ ،‬ﭼﯿﺪﻣﺎن ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ‬
‫و ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﯽﺗﻮان ﺑﻪ وﺿﻌﯿﺖ ﻣﻄﻠﻮﺑﯽ ﺑﺮاي ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ دﺳﺖ ﯾﺎﻓﺖ‪ ،‬ﺑﻪﮔﻮﻧﻪاي ﮐﻪ ﻧﯿﺎزﻫﺎي ﻃﺮاﺣﯽ ﺑﺮآورده ﺷﻮد‪.‬‬

‫ ‪Improvement of the vibrational behavior of the cross ply lamiated‬‬

‫ ‪sandwich plate by smart elastomeric layer‬‬
‫ *‪Mohammad Hoseinzadeh1, Jalil Rezaeepazhand2‬‬
‫ ‪1- Department of Mechanical Engineering, Ferdowsi University, Mashhad, Iran.‬‬
‫ ‪2- Department of Mechanical Engineering, Ferdowsi University, Mashhad, Iran.‬‬
‫ ‪* P.O. B. 91775-1111 Mashhad, Iran, jrezaeep@um.ac.ir‬‬

‫ ‪ARTICLE INFORMATION‬‬ ‫ ‬ ‫ ‪ABSTRACT‬‬

‫ ‪Original Research Paper‬‬
‫ ‪Received 16 February 2014‬‬ ‫ ‬ ‫ ‪In the present study, the frequency analysis of a smart sandwich plate is investigated using the‬‬
‫ )‪finite element method. The sandwich plate is consisted of a magnetorheological elastomer (MRE‬‬
‫ ‪Accepted 03 May 2014‬‬ ‫ ‪layer between two cross ply composite elastic faces. MRE is a smart material with controllable‬‬
‫ ‪Available Online 28 September 2014‬‬
‫ ‬ ‫ ‪properties and a short time response when subjected to a magnetic field. This property can be‬‬
‫ ‪used for improvement of the dynamic behavior of the structure. To model the sandwich plate with‬‬
‫ ‪Keywords:‬‬
‫ ‪Sandwich plate‬‬ ‫ ‬ ‫ ‪MRE layer, a complex shear modules is used to show the pre-yield behavior of MRE layer. In this‬‬
‫ )‪Magnetorheological elastomer (MRE‬‬ ‫ ‪study, effect of imperative parameters are discussed. In the present paper, the effect of different‬‬
‫ ‪Frequency analysis‬‬ ‫ ‪parameters such as applied magnetic field, the stacking sequences of the cross ply laminated faces‬‬
‫ ‪Finite element method‬‬
‫ ‪in the sandwich plate and applying different boundary conditions on the natural frequencies and‬‬
‫ ‪modal loss factors of the smart sandwich plate with MRE is investigated. The results show that‬‬
‫ ‪considering special value for magnetic field, the stacking sequences of the composite layers of the‬‬
‫ ‪sandwich plate and the boundary condition of the sandwich structure can lead to the satisfactory‬‬
‫ ‪design of the sandwich plate.‬‬
‫اﯾﻦ ذرات ﻣﻌﻠﻖ ﮐﻪ ذراﺗﯽ ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺲ ﺷﻮﻧﺪه ﻫﺴﺘﻨﺪ در ﯾﮏ ﻣﺎﺗﺮﯾﺲ ﭘﻠﯿﻤﺮي‬ ‫‪ -1‬ﻣﻘﺪﻣﻪ‬
‫ﻗﺮار داده ﺷﻮﻧﺪ‪ ،‬ﻣﻮادي ﺗﺤﺖ ﻋﻨﻮان اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر ‪ 2‬ﺑﻪوﺟﻮد ﻣﯽآﯾﺪ ﮐﻪ از اﯾﻦ‬ ‫ﻣﻮاد ﻣﮕﻨﺘﻮرﺋﻮﻟﻮژﯾﮑﺎل ﻣﻮاد ﻫﻮﺷﻤﻨﺪي ﻫﺴﺘﻨﺪ ﮐﻪ ﺑﺎ اﻋﻤﺎل ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪1‬‬

‫ﻣﻮاد ﻣﯽﺗﻮان در ﮐﺎرﺑﺮدﻫﺎي ﺑﺴﯿﺎري ﺑﻬﺮه ﮔﺮﻓﺖ‪ .‬ﺑﻪﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل از اﯾﻦ ﻣﻮاد‬ ‫ﺧﺼﻮﺻﯿﺎت آنﻫﺎ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ .‬در واﻗﻊ اﯾﻦ ﻣﻮاد‪ ،‬ذرات ﻣﻌﻠﻘﯽ در ﺳﯿﺎل ﻟﺰج‬
‫ﻣﯽﺗﻮان در ذﺧﯿﺮه ﮐﻨﻨﺪه دادهﻫﺎ ‪ ،3‬ﺗﻮﻧﺮﻫﺎي ﭼﺎﭘﮕﺮ ﺣﺮارﺗﯽ ‪ 4‬و آﻫﻨﺮﺑﺎﻫﺎي‬ ‫ﻏﯿﺮ ﻗﻄﺒﯽ ﺷﻮﻧﺪه ﻫﺴﺘﻨﺪ ﮐﻪ ﻗﺎﺑﻠﯿﺖ ﻗﻄﺒﯽ ﺷﺪن ﺗﺤﺖ ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻣﯿﺪان‬
‫ ‬ ‫ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ را داﺷﺘﻪ و رﻓﺘﺎر ﻣﺘﻔﺎوﺗﯽ از ﺧﻮد ﻧﺸﺎن ﻣﯽدﻫﻨﺪ‪ .‬در ﺻﻮرﺗﯽ ﮐﻪ‬
‫ )‪2- Magnetorheological elastomer (MRE‬‬
‫‪3- Data storage media‬‬ ‫ ‬
‫‪4- Heat activated printing toner‬‬ ‫ ‪1- MR materials‬‬

‫ ‪Please cite this article using:‬‬ ‫ﺑﺮاي ارﺟﺎع ﺑﻪ اﯾﻦ ﻣﻘﺎﻟﻪ از ﻋﺒﺎرت ذﯾﻞ اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﺎﯾﯿﺪ ‪:‬‬
‫ ‪M. Hoseinzadeh, J. Rezaeepazhand, Improvement of the vibrational behavior of the cross ply lamiated sandwich plate by smart elastomeric layer, Modares Mechanical‬‬
‫ )‪Engineering, Vol. 14, No. 11, pp. 47-58, 2014 (In Persian‬‬
‫ﻣﺤﻤﺪ ﺣﺴﯿﻦزاده و ﺟﻠﯿﻞ رﺿﺎﯾﯽ ﭘﮋﻧﺪ‬
‫ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﻣﺪل ﺷﺪ و ﺗﻐﯿﯿﺮ ﺷﮑﻞ ﺑﺮﺷﯽ ﻧﺎﺷﯽ از ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﺳﯿﺎل‬
‫ﻣﮕﻨﺘﻮرﺋﻮﻟﻮژﯾﮑﺎل در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﻧﺸﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺎ وﺟﻮد ﻣﻄﺎﻟﻌﺎت اﻧﺠﺎم ﺷﺪه روي ﻣﻮاد اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر ﺗﻮﺳﻂ ﺳﺎﯾﺮ‬
‫ﻣﺤﻘﻘﯿﻦ‪ ،‬ﺗﺤﻠﯿﻞ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ و ﻣﯿﺮاﯾﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪ‬
‫ﻣﯿﺎﻧﯽ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر‪ ،‬ﺑﻪﺻﻮرت ﺗﺤﻠﯿﻞ ﺷﺪه در ﻣﻘﺎﻟﻪ ﺣﺎﺿﺮ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﯽ ﻗﺮار‬
‫ﻧﮕﺮﻓﺘﻪ اﺳﺖ‪ .‬در ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﮐﻨﻮﻧﯽ‪ ،‬ﭼﻬﺎر ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ اول ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر و ﺿﺮاﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ‪ 8‬ﻣﺘﻨﺎﻇﺮ ﺑﺎ‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روش اﻟﻤﺎن ﻣﺤﺪود ﺑﻪدﺳﺖ ﻣﯽآﯾﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ‬
‫ﺧﺼﻮﺻﯿﺎت ذاﺗﯽ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر‪ ،‬اﯾﻦ ﻣﺎده ﺑﺮ اﺳﺎس رﻓﺘﺎر ﭘﯿﺶ از ﺗﺴﻠﯿﻢ ﻻﯾﻪ‬
‫اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻋﻤﻞ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ‪ ،‬ﺑﺮاي ﻧﻤﺎﯾﺶ رﻓﺘﺎر اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ از ﯾﮏ‬
‫ﻣﺪول ﺑﺮﺷﯽ ﻣﺨﺘﻠﻂ اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي ﻣﺨﺘﻠﻔﯽ از ﻗﺒﯿﻞ ﺷﺪت‬
‫ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‪ ،‬ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎ و ﭼﯿﺪﻣﺎن ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺤﺎت ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ و‬
‫ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻬﯽ ﺑﺮ‬
‫ﺗﻐﯿﯿﺮات ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎ و ﺿﺮاﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪ وﯾﭽﯽ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ دارد‪.‬‬
‫ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ در ﺗﺤﻠﯿﻞﻫﺎي ﺻﻮرت ﮔﺮﻓﺘﻪ‪ ،‬ﺗﺎﺛﯿﺮ اﯾﻦ ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎ روي ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎ و‬
‫ﺿﺮاﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﺳﺎزه ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﯽ ﻗﺮار ﻣﯽﮔﯿﺮد‪.‬‬
‫‪ -2‬ﻣﺪل ﺳﺎزي ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫در اﯾﻦ ﺑﺨﺶ‪ ،‬ﺳﻌﯽ ﺑﺮ آن اﺳﺖ ﮐﻪ رواﺑﻂ اﻟﻤﺎن ﻣﺤﺪود ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ اراﺋﻪ‬
‫ﺷﻮد‪ .‬ﺑﺪﯾﻦ ﻣﻨﻈﻮر‪ ،‬اﺑﺘﺪا ﻣﺪل رﻓﺘﺎر ﭘﯿﺶ از ﺗﺴﻠﯿﻢ ﻣﺎده اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر ﻣﻄﺮح‬
‫ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬ﺳﭙﺲ‪ ،‬ﻣﻌﺎدﻻت اﻟﻤﺎن ﻣﺤﺪود ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﻪدﺳﺖ ﻣﯽآﯾﺪ‪.‬‬
‫‪ - 1- 2‬ﻣﺪل رﻓﺘﺎر ﭘﯿﺶ از ﺗﺴﻠﯿﻢ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر‬
‫~‬
‫در ﻧﺎﺣﯿﻪ ﭘﯿﺶ از ﺗﺴﻠﯿﻢ‪ ،‬ارﺗﺒﺎط ﺑﯿﻦ ﺗﻨﺶ ﺑﺮﺷﯽ ‪ τ MRE‬و ﮐﺮﻧﺶ ﺑﺮﺷﯽ‬
‫~‪ γ‬در ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﺑﺎ ﻣﺪول ﺑﺮﺷﯽ ﻣﺨﺘﻠﻂ *‪ G‬ﺑﻪﺻﻮرت راﺑﻄﻪ )‪ (1‬ﺑﺮﻗﺮار‬
‫ﻣﯽﺷﻮد ]‪:[15‬‬
‫‪t%MRE = G *g%MRE‬‬
‫ﮐﻪ در آن ﻃﺒﻖ راﺑﻄﻪ )‪،(2‬‬
‫‪G = G ¢ + iG ¢¢‬‬
‫*‬
‫‪9‬‬
‫ﮐﻪ ‪ . i = - 1‬در اﯾﻦ راﺑﻄﻪ‪ G' ،‬و "‪ ،G‬ﺑﻪﺗﺮﺗﯿﺐ ﻣﺪول ذﺧﯿﺮه و‬
‫ﻣﺪول اﺗﻼف ‪ 10‬ﻧﺎﻣﯿﺪه ﻣﯽﺷﻮد‪ G' .‬ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ اﺳﺖ ﺑﺎ ﻣﯿﺎﻧﮕﯿﻦ اﻧﺮژي ذﺧﯿﺮه ﺷﺪه‬
‫ﺑﺮ واﺣﺪ ﺣﺠﻢ ﻣﺎده در ﯾﮏ ﺳﯿﮑﻞ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﺷﮑﻞ‪ ،‬در ﺣﺎﻟﯽ ﮐﻪ "‪ G‬ﻧﺸﺎن دﻫﻨﺪه‬
‫اﻧﺮژي ﺗﻠﻒ ﺷﺪه ﺑﺮ واﺣﺪ ﺣﺠﻢ اﯾﻦ ﻣﺎده در ﯾﮏ ﺳﯿﮑﻞ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻣﻘﺎدﯾﺮ ‪ G ¢‬و‬
‫‪ G ¢¢‬ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﺗﺎﺑﻌﯽ از ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﮔﻮس )‪ (G‬ﺑﻪﺻﻮرت زﯾﺮ‬
‫ﺑﯿﺎن ﻣﯽ ﺷﻮد‪:‬‬
‫‪G ¢(G ) = - 3.3691G 2 + 4997 .5G + 0.873 ´ 10 6‬‬
‫‪G ¢¢(G ) = - 0.9G 2 + 0.8124 ´ 103 G + 0.1855 ´ 10 6‬‬
‫‪ - 2- 2‬ﻣﺪل اﻟﻤﺎن ﻣﺤﺪود ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر‬
‫ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر دﺳﺘﯿﺎﺑﯽ ﺑﻪ رواﺑﻂ اﻟﻤﺎن ﻣﺤﺪود ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ‬
‫ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر‪ ،‬ﻓﺮﺿﯿﺎت زﯾﺮ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﻣﯽﺷﻮد‪ :‬‬
‫از ﻟﻐﺰشﻫﺎي اﺣﺘﻤﺎﻟﯽ ﺑﯿﻦ ﻻﯾﻪﻫﺎي اﻻﺳﺘﯿﮏ در ﺑﺎﻻ و ﭘﺎﯾﯿﻦ و‬
‫ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﺻﺮفﻧﻈﺮ ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫ ‬
‫‪8- Modal loss factor‬‬
‫ ‪9- Storage modulus‬‬
‫‪10- Loss modulus‬‬
‫ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﮏ ﻣﺪرس‪ ،‬ﺑﻬﻤﻦ ‪ ،1393‬دوره ‪ ،14‬ﺷﻤﺎره ‪11‬‬
‫ﺑﻬﺒﻮد رﻓﺘﺎر ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﻣﺘﻌﺎﻣﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‬
‫داﺋﻤﯽ اﻧﻌﻄﺎف ﭘﺬﯾﺮ اﺳﺘﻔﺎده ﻧﻤﻮد‪ .‬اﻟﺒﺘﻪ ﻻزم ﺑﻪذﮐﺮ اﺳﺖ ﮐﻪ ﺗﺎﮐﻨﻮن ﮐﺎﺑﺮدﻫﺎي‬
‫ﻣﺘﻨﻮﻋﯽ از اﯾﻦ ﻧﻮع ﻣﻮاد ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ ذﮐﺮ ﻧﺸﺪه اﺳﺖ‪ ،‬اﻣﺎ ﺑﺪﯾﻬﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ‬
‫وﯾﮋﮔﯽﻫﺎي ﻣﻨﺤﺼﺮﺑﻔﺮد اﯾﻦ ﻣﻮاد‪ ،‬ﮐﺎرﺑﺮدﻫﺎي آنﻫﺎ را روز ﺑﻪ روز اﻓﺰاﯾﺶ‬
‫ﺧﻮاﻫﺪ داد‪ .‬ﯾﮑﯽ از وﯾﮋﮔﯽﻫﺎي ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻪ ﻣﻮاد اﻻﺳﺘﻮﻣﺮي اﯾﻦ اﺳﺖ ﮐﻪ اﯾﻦ‬
‫ﻣﻮاد ﻗﺎدر ﺑﻪ ﺗﺤﻤﻞ ﮐﺮﻧﺶﻫﺎي ﺑﺎﻻ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﺑﺪون آن ﮐﻪ ﮐﺎراﯾﯽ ﺧﻮد را از‬
‫دﺳﺖ ﺑﺪﻫﻨﺪ‪ .‬ﺑﺮﺧﯽ از ﮐﺎرﺑﺮدﻫﺎي دﯾﮕﺮ ﮐﻪ ﻣﯽﺗﻮان ﺑﺮاي اﻻﺳﺘﻮﻣﺮﻫﺎي ام ‪-‬آر‬
‫ﻣﻄﺮح ﮐﺮد‪ ،‬ﺑﻪﮐﺎرﮔﯿﺮي اﯾﻦ ﻣﻮاد در ﻋﺎﯾﻖﻫﺎي ﺑﺎ ﻣﺪول ﻣﺘﻐﯿﺮ )ﺑﻪواﺳﻄﻪ اﻋﻤﺎل‬
‫ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ(‪ ،‬ﺟﺎذبﻫﺎي ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻨﻈﯿﻢ ﺗﻄﺒﯿﻘﯽ ‪ 1‬و ﺟﺪاﺳﺎزﻫﺎي‬
‫ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﺑﺎ ﺳﻔﺘﯽ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻨﻈﯿ ﻢ ‪) 2‬ﺑﻪواﺳﻄﻪ اﻋﻤﺎل ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ(‬
‫ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ]‪ .[1‬وﻗﺘﯽ ﮐﻪ ذرات ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺲ ﺷﻮﻧﺪه ﺑﺎ ﻣﺎده اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﺗﺮﮐﯿﺐ ﻣﯽ‪-‬‬
‫ﺷﻮﻧﺪ‪ ،‬در ﻣﺠﺎورت ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‪ ،‬ﺳﻔﺘﯽ دﯾﻨﺎﻣﯿﮑﯽ ‪ 3‬ﺗﺮﮐﯿﺐ ﺣﺎﺻﻞ‬
‫اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯽﯾﺎﺑﺪ‪ .‬ﺑﺪﯾﻬﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ ﺑﺎ ﻣﺘﻮﻗﻒ ﺷﺪن ﻣﯿﺪان‪ ،‬رﻓﺘﺎر ﻣﺎده ﺗﺮﮐﯿﺒﯽ ﺑﻪ‬
‫ﺣﺎﻟﺖ اول ﺑﺮ ﻣﯽﮔﺮدد‪ .‬در واﻗﻊ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮﻫﺎي ام ‪-‬آر ﻣﻮادي ﻫﺴﺘﻨﺪ داراي ذراﺗﯽ‬
‫ﺑﺎ ﻗﺎﺑﻠﯿﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺲ ﺷﺪن ﮐﻪ ﺑﻪﺻﻮرت زﻧﺠﯿﺮهﻫﺎﯾﯽ در ﺣﺎﻣﻞﻫﺎﯾﯽ از ﺟﻨﺲ‬
‫اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ از ﻗﺒﯿﻞ ﻻﺳﺘﯿﮏﻫﺎي ﺳﯿﻠﯿﮑﻮﻧﯽ ‪ 4‬ﯾﺎ ﻻﺳﺘﯿﮏﻫﺎي ﻃﺒﯿﻌﯽ ﻗﺮار‬
‫ﮔﺮﻓﺘﻪاﻧﺪ‪ .‬ﻻزم ﺑﻪذﮐﺮ اﺳﺖ ﮐﻪ اﯾﻦ ﻣﻮاد ﺑﺮ اﺳﺎس ﻧﺎﺣﯿﻪ ﭘﯿﺶ از ﺗﺴﻠﯿﻢ رﻓﺘﺎر‬
‫ﻣﯽﮐﻨﻨﺪ]‪.[2‬‬
‫ﺑﺮﺧﯽ از ﻣﻄﺎﻟﻌﺎت اﻧﺠﺎم ﺷﺪه روي ﻣﻮاد اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر در اداﻣﻪ ذﮐﺮ‬
‫ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬ﺷﻦ و ﻫﻤﮑﺎران ]‪ [3‬دو ﻧﻮع اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر را ﺳﺎﺧﺘﻪ و ارﺗﺒﺎط ﺑﯿﻦ‬
‫ﺗﻨﺶ و ﮐﺮﻧﺶ آنﻫﺎ را ﺑﻪﺻﻮرت ﺗﺠﺮﺑﯽ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﯽ ﻗﺮار دادﻧﺪ‪ .‬ﺧﺼﻮﺻﯿﺎت‬
‫اﻻﺳﺘﯿﮏ و ﻣﯿﺮاﯾﯽ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر ﺗﻮﺳﻂ ﮐﺎﻟﯿﻮ ]‪ [4‬ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﯽ ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺖ‪.‬‬
‫دﻧﮓ و ﻫﻤﮑﺎران ]‪ [5‬از اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر ﺑﻪﻋﻨﻮان ﯾﮏ ﺟﺎذب ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﻗﺎﺑﻞ‬
‫ﺗﻨﻈﯿﻢ ﺗﻄﺒﯿﻘﯽ ‪ 5‬اﺳﺘﻔﺎده ﮐﺮدﻧﺪ‪ .‬ﺧﺼﻮﺻﯿﺎت دﯾﻨﺎﻣﯿﮑﯽ ﺗﯿﺮ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ‬
‫ﭘﻮﺳﺘﻪﻫﺎي رﺳﺎﻧﺎ در ﻗﺴﻤﺖﻫﺎي ﺑﺎﻻ و ﭘﺎﯾﯿﻦ و ﯾﮏ ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﻣﺘﺸﮑﻞ از ﻣﻮاد‬
‫‪MRE‬‬ ‫ﻧﺮم و ﻣﺎده اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر ﺗﻮﺳﻂ زو و وﻧﮓ ]‪ [6‬ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﯽ ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺖ‪ .‬دﻧﮓ‬
‫و ﮔﻨﮓ ]‪ [8،7‬ﯾﮏ ﺟﺎذب ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻨﻈﯿﻢ ﺗﻄﺒﯿﻘﯽ را اراﺋﻪ ﮐﺮدﻧﺪ ﮐﻪ در‬
‫)‪(1‬‬ ‫آن از اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه ﺑﻮد‪ .‬ﺗﻐﯿﯿﺮ ﺧﺼﻮﺻﯿﺎت ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ اﯾﻦ ﺟﺎذب‬
‫ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ اﻋﻤﺎل ﻣﯿﺪانﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻣﺪل دو ﻗﻄﺒﯽ‬
‫)‪(2‬‬ ‫اﺻﻼح ﺷﺪه ‪ ،6‬ﺑﺮرﺳﯽ و ﺗﺤﻠﯿﻞ ﺷﺪ‪ .‬ﺗﺤﻠﯿﻞ‪ ،‬ﺳﺎﺧﺖ و ﺑﺮرﺳﯽ ﺧﺼﻮﺻﯿﺎت‬
‫اﻻﺳﺘﻮﻣﺮﻫﺎي ام ‪-‬آر ﺗﻮﺳﻂ زﻧﮓ و ﻫﻤﮑﺎران ]‪ [9‬ﺑﻪﺻﻮرت ﺗﺠﺮﺑﯽ اﻧﺠﺎم ﺷﺪ‪ .‬ﻧﯽ‬
‫و ﻫﻤﮑﺎران ]‪ [10‬ﺑﺎ ﺑﻪﮐﺎرﮔﯿﺮي ﻣﻮاد اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر در دﯾﻮارﻫﺎ و ﮐﻒﻫﺎي‬
‫ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ‪ ،‬ﮐﻨﺘﺮل ارﺗﻌﺎﺷﺎت اﺗﻔﺎﻗﯽ اﯾﻦ ﺳﺎزهﻫﺎ را ﻣﻮرد ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﻗﺮار دادﻧﺪ‪.‬‬
‫ﻫﯿﻮ و ﻫﻤﮑﺎران ]‪ [11‬ﭘﺲ از ﺳﺎﺧﺖ ﯾﮏ ﺗﯿﺮ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺻﻔﺤﺎت‬
‫آﻟﻮﻣﯿﻨﯿﻮﻣﯽ و ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر‪ ،‬رﻓﺘﺎر ارﺗﻌﺎﺷﯽ آن را ﺑﻪ ازاي اﻋﻤﺎل‬
‫ﻣﯿﺪانﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﮐﻮﭼﮏ ﺑﺮرﺳﯽ ﮐﺮدﻧﺪ‪ .‬ﻧﺎﯾﺎك و ﻫﻤﮑﺎران ]‪ [12‬رﻓﺘﺎر‬
‫ارﺗﻌﺎش آزاد و اﺟﺒﺎري ﺗﯿﺮﻫﺎي ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺳﻪ ﻻﯾﻪ ﺑﺎ ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬‬
‫آر را ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از روش اﻟﻤﺎن ﻣﺤﺪود ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﯽ ﻗﺮار دادﻧﺪ‪ .‬ﺗﺤﻠﯿﻞ ارﺗﻌﺎﺷﯽ‬
‫و رﻓﺘﺎر ﻣﯿﺮاﯾﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر ﺗﻮﺳﻂ ﯾﻪ ]‪[13‬‬
‫ﺻﻮرت ﮔﺮﻓﺖ‪ .‬ﺑﻪﺗﺎزﮔﯽ‪ ،‬ﻓﺘﺎﺣﯽ و ذﺑﯿﺢ اﷲ ]‪ [14‬ارﺗﻌﺎﺷﺎت ﺻﻔﺤﻪ ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ‬
‫ﺑﺎ ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﺳﯿﺎل ﻣﮕﻨﺘﻮرﺋﻮﻟﻮژﯾﮑﺎل‪ ٧‬را ﺑﻪ ازاي اﻋﻤﺎل ﯾﮏ ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬
‫ﻣﺸﺨﺺ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﯽ ﻗﺮار دادﻧﺪ‪ .‬در اﯾﻦ ﺗﺤﻠﯿﻞ‪ ،‬ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﺳﺎﯾﺮ‬
‫·‬
‫ ‬
‫‪1- Adaptive tuned vibration absorbers‬‬
‫ ‪2- Stiffness tunable isolation mounts‬‬
‫‪3- Dynamic stiffness‬‬
‫‪4- Silicon rubber‬‬
‫‪5- Adaptivetunedvibrationabsorber‬‬
‫‪6- Modified dipole model‬‬
‫‪7- Magnetorheological fluid‬‬
‫‪48‬‬
‫ ‬
‫ﻣﺤﻤﺪ ﺣﺴﯿﻦزاده و ﺟﻠﯿﻞ رﺿﺎﯾﯽ ﭘﮋﻧﺪ‬ ‫ﺑﻬﺒﻮد رﻓﺘﺎر ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﻣﺘﻌﺎﻣﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‬

‫ ‬
‫ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﯾﺎﻓﺘﻦ ﻣﻌﺎدﻟﻪ ﺣﺮﮐﺖ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﺑﺎ ﻫﺴﺘﻪ‬ ‫ﻓﺮض ﺷﺪه اﺳﺖ ﮐﻪ در ﻫﺮ ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻌﯽ از ﺳﺎﺧﺘﺎر ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‪،‬‬ ‫·‬
‫اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر‪ ،‬اﺻﻞ ﻫﻤﯿﻠﺘﻮن ﻣﻮرد اﺳﺘﻔﺎده ﻗﺮار ﻣﯽﮔﯿﺮد‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ‪ ،‬ﺑﺎﯾﺴﺘﯽ‬ ‫ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﮑﺎن در ﺟﻬﺖ ﻣﺤﻮر ‪ (w) z‬ﺑﺮاي ﻫﺮ ﺳﻪ ﻻﯾﻪ ﺑﺮاﺑﺮ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬‬
‫اﻧﺮژي ﺟﻨﺒﺸﯽ )‪ ،(T‬اﻧﺮژي ﮐﺮﻧﺸﯽ )‪ (V‬ﺑﺮاي ﺳﻪ ﻻﯾﻪ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫ﺗﻨﻬﺎ ﺗﻨﺶ ﺑﺮﺷﯽ ﺑﺮاي ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬‬ ‫·‬
‫ﺑﻪدﺳﺖ آﯾﺪ‪ .‬راﺑﻄﻪ اﻧﺮژي ﮐﺮﻧﺸﯽ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﺻﻔﺤﺎت ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ در دو ﻃﺮف‬
‫ﺑﺮاي دﺳﺘﯿﺎﺑﯽ ﺑﻪ رواﺑﻂ ﺣﺎﮐﻢ ﺑﺮ ﻣﺪل اﻟﻤﺎن ﻣﺤﺪود ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر )ﻻﯾﻪﻫﺎي ‪ 1‬و ‪ (3‬را ﻣﯽﺗﻮان ﺑﻪﺻﻮرت راﺑﻄﻪ )‪ (5‬ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫‪T‬‬
‫ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﺑﺎ ﻫﺴﺘﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر‪ ،‬از ﯾﮏ اﻟﻤﺎن ﻣﺴﺘﻄﯿﻠﯽ ﭼﻬﺎر ﮔﺮﻫﯽ ﺑﺎ‬
‫‪1 ïìe% 0 ïü é Ai j‬‬ ‫‪Bi j ù ïìe%0 ïü‬‬
‫= ‪V1 + V3‬‬ ‫‪å (2 ò íï k% ýï‬‬ ‫‪ê‬‬ ‫ ) ‪ú í ý dA‬‬ ‫)‪ (5‬‬ ‫ﻫﻔﺖ درﺟﻪ آزادي در ﻫﺮ ﮔﺮه اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه ﮐﻪ در ﺷﮑﻞ ‪) 1‬اﻟﻒ( ﻧﺸﺎن داده‬
‫‪p=1,3‬‬ ‫‪Aî‬‬ ‫‪þp ëê Bi j‬‬ ‫‪Di j ûú îï k% þïp‬‬
‫‪p‬‬
‫ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺷﮑﻞ ‪)1‬ب( ﻧﯿﺰ ﻧﺤﻮه اﻋﻤﺎل ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﺑﻪ ﺻﻔﺤﻪ‬
‫ﮐﻪ ‪ Bij ،Aij‬و ‪ Dij‬ﺑﻪﺗﺮﺗﯿﺐ ﺑﯿﺎﻧﮕﺮ ﻣﻮﻟﻔﻪﻫﺎي ﻣﺎﺗﺮﯾﺲ ﺳﻔﺘﯽ ﮐﺸﺸﯽ ‪،2‬‬ ‫ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ را ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از آﻫﻨﺮﺑﺎي داﺋﻤﯽ ﻧﺸﺎن ﻣﯽدﻫﺪ‪ .‬ﺑﺪﯾﻬﯽ‬
‫ﮐﻮﭘﻠﯿﻨﮓ ﮐﺸﺶ ‪ -‬ﺧﻤﺶ ‪ 3‬و ﺳﻔﺘﯽ ﺧﻤﺸﯽ ‪ 4‬ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺣﺎل ﺑﺎ ﻗﺮار دادن رواﺑﻂ‬ ‫اﺳﺖ ﮐﻪ ﺑﺎ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﺎي ‪ y1‬و ‪ y2‬ﻣﯽﺗﻮان ﺑﻪ ﻣﯿﺪانﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﺑﺎ‬
‫)‪ (3‬و )‪ (4‬در راﺑﻄﻪ )‪ (5‬و در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ ﺗﺒﺪﯾﻞ ژاﮐﻮﺑﯿﻦ ﺑﯿﻦ ﻣﺨﺘﺼﺎت ﻣﺤﻠﯽ‬
‫ﺷﺪتﻫﺎي ﻣﺘﻔﺎوت دﺳﺖ ﯾﺎﻓﺖ‪ .‬ﺑﺮ اﺳﺎس ﺷﮑﻞ ‪ v pl ، u pl ،1‬و ‪wl‬‬
‫‪ s-t‬و ﻣﺨﺘﺼﺎت ﻣﺮﺟﻊ ‪) x-y‬ﺷﮑﻞ ‪ (1‬ﻣﯽﺗﻮان راﺑﻄﻪ )‪ (6‬را ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫)‪ p =1, 3‬و ‪ (l = i, j, k, m‬ﺑﻪﺗﺮﺗﯿﺐ ﺑﯿﺎﻧﮕﺮ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﮑﺎن در ﺟﻬﺎت ‪ y ،x‬و ‪ z‬و‬
‫‪0‬‬
‫‪ïìe% üï éR 0 ù ìq% ü‬‬ ‫ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ‪ w ,x ،‬و ‪ w ,y‬ﺑﻪ ﺗﺮﺗﯿﺐ ﺑﯿﺎﻧﮕﺮ دوران ﺣﻮل ﻣﺤﻮرﻫﺎي ‪ y‬و ‪ x‬اﺳﺖ‪.‬‬
‫‪í ý =ê‬‬ ‫ ‪ú í ý , p=1, 3‬‬
‫‪îï k% þï p ë 0 S û p îq% þ‬‬ ‫رواﺑﻂ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﮑﺎن ‪-‬ﮐﺮﻧﺶ ‪ 1‬دو ﻻﯾﻪ اﺣﺎﻃﻪ ﮐﻨﻨﺪه ﻫﺴﺘﻪ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‬
‫) ‪é1 / a ( ¶ / ¶s‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪0 0ù‬‬ ‫)ﻻﯾﻪﻫﺎي ‪ 1‬و ‪ 3‬ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺷﮑﻞ ‪ (2‬ﺑﻪﺻﻮرت راﺑﻄﻪ )‪ (3‬ﺑﯿﺎن ﻣﯽﺷﻮد‪:‬‬
‫‪[ R ]1 = êê‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪1 b(¶ ¶t ) 0‬‬
‫‪ú‬‬
‫] ‪0 0ú [N‬‬ ‫‪ì e x ü ì u,x ü‬‬ ‫‪ì w,xx ü‬‬
‫‪ê 1 b(¶ ¶t ) 1 / a ( ¶ / ¶s ) 0‬‬ ‫‪0 0 úû‬‬ ‫‪ï ï ï‬‬ ‫‪ï‬‬ ‫‪ï‬‬ ‫‪ï‬‬
‫‪ë‬‬
‫‪0‬‬
‫ ‪í e y ý = í v,y ý - zi í w,yy ý = e%p - zi k%p‬‬ ‫)‪ (3‬‬
‫‪ïg ï ïu, +v, ï‬‬ ‫‪ï2w, ï‬‬
‫) ‪é0 0 1 / a (¶ / ¶s‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪0ù‬‬ ‫‪î xy þp î y x þp‬‬ ‫‪î xy þ p‬‬
‫‪ê‬‬ ‫‪ú‬‬
‫‪[R ]3‬‬ ‫‪= ê0 0‬‬ ‫‪0‬‬ ‫) ‪1 b (¶ ¶t‬‬ ‫] ‪0 ú [N‬‬ ‫ ‪ p=1, 3‬و ‪ i=1,..., n‬‬
‫) ‪êë0 0 1 b (¶ ¶t ) 1 / a (¶ / ¶s‬‬ ‫‪0 úû‬‬ ‫ﮐﻪ ‪ n‬ﻧﺸﺎن دﻫﻨﺪه ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎ اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺮدار ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﮑﺎن اﻟﻤﺎن را ﻣﯽﺗﻮان‬
‫‪é0 0 0 0‬‬ ‫‪- 1 a (¶ ¶s ) ù‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﺑﻪﺻﻮرت راﺑﻄﻪ )‪ (4‬ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫‪[S ]1 = êê0‬‬ ‫‪0 0 0‬‬
‫‪ú‬‬
‫ ‪- 1 b 2 (¶ 2 ¶t 2 ) ú [N ]= [S ]3‬‬ ‫‪ìup ü‬‬ ‫‪é Nup ù‬‬
‫‪ê0 0 0 0 - 2 (a b ) (¶ 2 ¶s ¶t ) ú‬‬ ‫)‪ (6‬‬ ‫‪ï ï‬‬ ‫‪ê‬‬ ‫‪ú‬‬
‫‪ë‬‬ ‫‪û‬‬ ‫ ‪ív p ý = éë N ùû q% = ê N v p ú q% , p = 1, 3‬‬ ‫)‪(4‬‬
‫‪ï ï‬‬ ‫‪ê‬‬ ‫‪ú‬‬
‫ﮐﻪ در اﯾﻦ رواﺑﻂ‪ a ،‬و ‪ b‬ﺑﻪﺗﺮﺗﯿﺐ ﺑﯿﺎﻧﮕﺮ ﻧﺼﻒ ﻃﻮل و ﻧﺼﻒ ﻋﺮض ﺻﻔﺤﻪ‬ ‫‪îw þ‬‬ ‫‪êë N w úû‬‬
‫ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در ﺷﮑﻞ ‪ 2‬ﭘﯿﮑﺮﺑﻨﺪي ﻣﻘﻄﻊ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬ ‫{‬ ‫}‬
‫‪T‬‬
‫‪q% = ulp , vpl , w l , w,y l , w,x l‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪l = 1,...,4‬‬
‫ﻗﺒﻞ و ﺑﻌﺪ از ﺗﻐﯿﯿﺮ ﺷﮑﻞ ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﮐﻪ در آن‪ éëN ùû ،‬ﯾﮏ ﻣﺎﺗﺮﯾﺲ ‪ 5´ 28‬و ~‪ q‬ﺑﺮدار درﺟﺎت آزادي اﻟﻤﺎن‬
‫ﺗﻐﯿﯿﺮ ﺷﮑﻞ ﺑﺮﺷﯽ در ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر را ﻣﯽﺗﻮان ﺑﺎ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ‬
‫ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ (p=1, 3) N v ، N u .‬و ‪ N w‬ﻣﺎﺗﺮﯾﺲﻫﺎي ﺗﺎﺑﻊ ﺷﮑﻞ ﺑﻪﺗﺮﺗﯿﺐ‬
‫راﺑﻄﻪ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﮑﺎن ‪-‬ﮐﺮﻧﺶ در اﯾﻦ ﻻﯾﻪ و ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ارﺗﺒﺎط ﻫﻨﺪﺳﯽ ﺑﯿﻦ ‪،u3 ،u1‬‬ ‫‪p‬‬ ‫‪p‬‬

‫ﻣﺘﻨﺎﻇﺮ ﺑﺎ ﺟﺎﺑﻪﺟﺎﯾﯽﻫﺎي ‪ (p=1, 3) vp ،up‬و ‪ w‬اﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻧﯿﺰ ﻣﺪل‬ ‫‪yz‬‬ ‫و ‪ ،w,y‬ﮐﻪ در ﺷﮑﻞ ‪ 2‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ )در ﺑﻌﺪ‬ ‫‪w,x ،v3 ،v1‬‬
‫ﻣﺸﺎﺑﻬﯽ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ(‪ ،‬ﺑﻪﺻﻮرت راﺑﻄﻪ )‪ (7‬ﺑﯿﺎن ﻧﻤﻮد]‪:[16‬‬
‫‪ìïγ xz üï‬‬ ‫‪1 ìu 1 - u 3 ü d‬‬ ‫‪ìïw ,x üï‬‬
‫= ‪γ~MRE = í ý‬‬ ‫‪í‬‬ ‫‪ý+‬‬ ‫ ‪í ý‬‬ ‫)‪ (7‬‬
‫‪γ‬‬
‫‪ïî yz ïþ 2 h2 îv 1 -v 3 þ h 2‬‬ ‫‪ïîw ,y ïþ‬‬
‫ﮐﻪ ‪ d=h2+(h1+h3)/2‬و ﮐﻪ ‪ h2 ،h1‬و ‪ h3‬ﺑﻪﺗﺮﺗﯿﺐ ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻻﯾﻪﻫﺎي ‪2 ،1‬‬
‫و ‪ 3‬اﺳﺖ‪ .‬راﺑﻄﻪ )‪ (7‬را ﻣﯽﺗﻮان ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از راﺑﻄﻪ )‪ (4‬و در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ اﺛﺮات‬
‫ژاﮐﻮﺑﯿﻦ ﺗﺒﺪﯾﻞ ﻣﺨﺘﺼﺎت ‪ x-y‬ﺑﻪ ﻣﺨﺘﺼﺎت ﻣﺤﻠﯽ ‪ s-t‬ﺑﻪ ﺷﮑﻞ راﺑﻄﻪ )‪(8‬‬
‫ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬ ‫)اﻟﻒ(‬

‫)ب(‬
‫ﺷﮑﻞ ‪) 1‬اﻟﻒ( اﻟﻤﺎن ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻫﺴﺘﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام‪-‬آر و ﺑﺎ ﻫﻔﺖ درﺟﻪ آزادي‬
‫ ‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ 2‬ﭘﯿﮑﺮﺑﻨﺪي ﻣﻘﻄﻊ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻗﺒﻞ و ﺑﻌﺪ از ﺗﻐﯿﯿﺮ ﺷﮑﻞ ‬ ‫در ﻫﺮ ﮔﺮه )ب( اﻋﻤﺎل ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﺑﻪ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از‬
‫آﻫﻨﺮﺑﺎي داﺋﻤﯽ‬
‫ ‬
‫‪2- Extensional‬‬
‫‪3- Bending-extensional coupling‬‬ ‫ ‬
‫‪4- Bending‬‬ ‫‪1- Strain–displacement relations‬‬

‫‪49‬‬ ‫ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﮏ ﻣﺪرس‪ ،‬ﺑﻬﻤﻦ ‪ ،1393‬دوره ‪ ،14‬ﺷﻤﺎره ‪11‬‬

‫ ‬
‫ﻣﺤﻤﺪ ﺣﺴﯿﻦزاده و ﺟﻠﯿﻞ رﺿﺎﯾﯽ ﭘﮋﻧﺪ‬ ‫ﺑﻬﺒﻮد رﻓﺘﺎر ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﻣﺘﻌﺎﻣﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‬

‫‪é M( e) ù = ò { å { r p hp (NuT Nu + N vT N v + N wT N w )}} dA +‬‬ ‫‪g%MRE = D% 2 q%‬‬

‫‪ë‬‬ ‫‪û‬‬
‫‪d (a h2 )(¶ ¶s ) ù‬‬
‫‪p‬‬ ‫‪p‬‬ ‫‪p‬‬ ‫‪p‬‬
‫‪A p=1,3‬‬ ‫‪~ é1 h‬‬ ‫‪- 1 h2‬‬
‫ ] ‪ú [N‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪0‬‬
‫ ‬ ‫‪D2 = ê 2‬‬ ‫)‪ (8‬‬
‫‪ò {I1 Nw N w + I2 D% 2 D% 2 } dA‬‬ ‫ ‬ ‫‪- 1 h2 d (b h2 )(¶ ¶t ) û‬‬
‫‪T‬‬ ‫‪T‬‬
‫‪ë‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪h2‬‬ ‫‪0‬‬
‫‪A‬‬
‫ﺣﺎل ﻣﯽﺗﻮان راﺑﻄﻪ اﻧﺮژي ﮐﺮﻧﺸﯽ ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر را ﺑﻪﺻﻮرت راﺑﻄﻪ‬
‫در رواﺑﻂ ﺑﻪدﺳﺖ آﻣﺪه ﺑﺮاي اﻧﺮژي ﮐﺮﻧﺸﯽ و اﻧﺮژي ﺟﻨﺒﺸﯽ ﺻﻔﺤﻪ‬
‫)‪ (9‬ﻧﻮﺷﺖ‪ :‬‬
‫ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‪ ،‬ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﯽﺷﻮد ﮐﻪ اﺛﺮات ﻣﯿﺮاﯾﯽ ﻧﺎﺷﯽ از ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ‬
‫‪ò‬‬
‫~ ‪1 ~T‬‬
‫ام ‪-‬آر ﻣﻨﺠﺮ ﺑﻪ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﺎﺗﺮﯾﺲ ﺳﻔﺘﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻣﯽﺷﻮد )ﺗﻐﯿﯿﺮ *‪ G‬در‬ ‫= ‪V MRE‬‬ ‫‪γ‬‬ ‫ ‪τ MRE dv‬‬ ‫)‪ (9‬‬
‫‪2 MRE‬‬
‫‪v‬‬
‫اﺛﺮ اﻋﻤﺎل ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ(‪ .‬دﻟﯿﻞ اﯾﻦ روﯾﺪاد اﯾﻦ اﺳﺖ ﮐﻪ در ﻣﺪلﺳﺎزي‬
‫ﺑﺎ ﻗﺮار دادن راﺑﻄﻪ )‪ (1‬در راﺑﻄﻪ )‪ (9‬و ﺗﺒﺪﯾﻞ دﯾﻔﺮاﻧﺴﯿﻞ ﺣﺠﻤﯽ ﺑﻪ‬
‫ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر‪ ،‬رﻓﺘﺎر ﭘﯿﺶ از ﺗﺴﻠﯿﻢ اﯾﻦ ﻣﺎده ﻣﻼك ﻋﻤﻞ ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ‬
‫دﯾﻔﺮاﻧﺴﯿﻞ ﺳﻄﺤﯽ ﻣﯽﺗﻮان راﺑﻄﻪ )‪ (10‬را ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ ﺑﻪ ﮐﺎرﮔﯿﺮي اﺻﻞ ﻫﻤﯿﻠﺘﻮن و ﻗﺮار دادن رواﺑﻂ اﻧﺮژي ﺟﻨﺒﺸﯽ و اﻧﺮژي‬ ‫‪1‬‬
‫‪òh‬‬
‫‪T‬‬
‫ﮐﺮﻧﺸﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ در راﺑﻄﻪ ﻫﻤﯿﻠﺘﻮن‪ ،‬ﻣﻌﺎدﻟﻪ ﺣﺎﮐﻢ ﺑﺮ اﻟﻤﺎن ﺻﻔﺤﻪ‬ ‫= ‪V MRE‬‬ ‫‪2G‬‬
‫*‬
‫‪γ~MRE‬‬ ‫ ‪γ~MRE dA‬‬ ‫)‪ (10‬‬
‫‪2‬‬
‫‪A MRE‬‬
‫ﺑﻪدﺳﺖ ﻣﯽآﯾﺪ ﮐﻪ ﺑﺎ ﺳﺮ ﻫﻢ ﮐﺮدن ﻣﺎﺗﺮﯾﺲﻫﺎي اﻟﻤﺎﻧﯽ‪ ،‬اﯾﻦ ﻣﻌﺎدﻟﻪ ﺑﻪﺻﻮرت‬
‫ﺑﺎ ﻗﺮار دادن راﺑﻄﻪ )‪ (8‬در راﺑﻄﻪ )‪ ،(10‬اﻧﺮژي ﮐﺮﻧﺸﯽ ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر‬
‫راﺑﻄﻪ )‪ (16‬در ﺧﻮاﻫﺪ آﻣﺪ‪:‬‬
‫ﺑﻪﺻﻮرت راﺑﻄﻪ )‪ (11‬ﺑﻪدﺳﺖ ﻣﯽآﯾﺪ‪:‬‬
‫ }‪[M ] {q&~&} + [K ] {q~} = {0‬‬ ‫)‪ (16‬‬ ‫‪1‬‬ ‫~ ~‬
‫= ‪V MRE‬‬ ‫‪òh‬‬ ‫‪2G‬‬ ‫ ‪q~ T D 2T D 2 q~ dA‬‬
‫*‬
‫‪2‬‬ ‫)‪ (11‬‬
‫‪A‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﯾﻦ ﮐﻪ ﻣﺪول ﺑﺮﺷﯽ ﻧﺎﺷﯽ از ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر ﯾﮏ ﻋﺒﺎرت‬ ‫‪MRE‬‬

‫ﻣﺨﺘﻠﻂ اﺳﺖ‪ ،‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ‪ ،‬ﻣﺎﺗﺮﯾﺲ ﺳﺨﺘﯽ در ﻣﻌﺎدﻟﻪ ﺣﺎﮐﻢ ﺑﻪدﺳﺖ آﻣﺪه ﺑﺮاي‬ ‫ﺑﺎ ﺟﻤﻊ ﺟﺒﺮي رواﺑﻂ )‪ (5‬و )‪ (11‬و ﻗﺮار دادن رواﺑﻂ )‪ (4‬و )‪ (6‬در راﺑﻄﻪ‬
‫ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ داراي ﺟﻤﻼت ﻣﺨﺘﻠﻂ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬از آنﺟﺎﯾﯽﮐﻪ ﻣﻌﺎدﻟﻪ ﺣﺎﮐﻢ‬ ‫ﺣﺎﺻﻞ ﺷﺪه‪ ،‬اﻧﺮژي ﮐﺮﻧﺸﯽ ﮐﻞ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻫﺴﺘﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر ﺑﺮ‬
‫ﯾﮏ ﻣﺴﺎﻟﻪ ﻣﻘﺪار وﯾﮋه ‪ 1‬اﺳﺖ‪ ،‬ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻣﻘﺎدﯾﺮ وﯾﮋه ﻣﺨﺘﻠﻂ ﺣﺎﺻﻠﻪ ) ‪،( l‬‬ ‫( ‪ ( K‬ﺑﻪدﺳﺖ‬ ‫)‪e‬‬
‫ﺣﺴﺐ ﻣﺎﺗﺮﯾﺲ ﺳﻔﺘﯽ اﻟﻤﺎن ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ )‬
‫ﻣﯽﺗﻮان ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎ ) ‪ ( w‬و ﺿﺮاﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ) ‪ ( h‬را از راﺑﻄﻪ )‪ (17‬ﺑﻪدﺳﺖ‬ ‫ﻣﯽآﯾﺪ‪ .‬ﻃﺒﻖ راﺑﻄﻪ )‪ (12‬دارﯾﻢ‪:‬‬
‫آورد‪:‬‬ ‫‪1‬‬
‫( ‪V = q~ T K‬‬
‫‪2‬‬
‫ ‪[ ]q‬‬ ‫~ )‪e‬‬ ‫)‪ (12‬‬

‫) ‪w = Re (l‬‬
‫] ‪å ([ R‬‬ ‫‪éë Aij ùû [ R ]p + [ R ]p éë Bij ùû [S ]p +‬‬
‫‪T‬‬ ‫‪T‬‬
‫(‪éë K‬‬ ‫)‪e‬‬
‫‪ùû = ò‬‬ ‫‪p‬‬ ‫‪p‬‬ ‫‪p‬‬
‫) ‪Im (l‬‬ ‫‪A p =1,3‬‬
‫=‪h‬‬ ‫ ‬ ‫)‪ (17‬‬
‫‪[ S ]p éëBij ùû p [R ]p + [S ]p éëDij ùû p [S ]p ) dA +‬‬
‫‪T‬‬ ‫‪T‬‬
‫) ‪Re (l‬‬
‫~ ~‬
‫‪ -3‬ﺑﺤﺚ و ﺑﺮرﺳﯽ ﭘﺎراﻣﺘﺮي‬ ‫‪òh‬‬
‫‪A‬‬
‫‪2‬‬ ‫ ‪G * D 2T D 2 dA‬‬

‫ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺗﺤﻠﯿﻞ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ‬ ‫ﺑﺎ ﺻﺮفﻧﻈﺮ از ﺗﻐﯿﯿﺮ ﺷﮑﻞ ﺑﺮﺷﯽ و اﯾﻨﺮﺳﯽ دوراﻧﯽ در ﻻﯾﻪﻫﺎي‬
‫ام ‪-‬آر‪ ،‬ﯾﮏ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻣﺮﺑﻌﯽ ﺑﺎ ﻋﺮض و ﻃﻮل ﻣﺴﺎوي ‪ 0/3‬ﻣﺘﺮ و ﺑﺎ‬ ‫ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ‪ ،‬اﻧﺮژي ﺟﻨﺒﺸﯽ اﯾﺠﺎد ﺷﺪه در اﯾﻦ ﻻﯾﻪﻫﺎ در اﺛﺮ اﻋﻤﺎل ﺑﺎر داﺧﻞ‬
‫ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﺘﻔﺎوت در ﭼﻬﺎر ﻟﺒﻪ آن در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻻﯾﻪﻫﺎي‬ ‫ﺻﻔﺤﻪ‪ ،‬ﺑﻪﺻﻮرت راﺑﻄﻪ )‪ (13‬ﺑﯿﺎن ﻣﯽﺷﻮد‪:‬‬
‫ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﻣﺘﻌﺎﻣﺪ ‪ 2‬ﻫﺴﺘﻨﺪ ﮐﻪ ﺧﺼﻮﺻﯿﺎت اﯾﻦ ﻻﯾﻪﻫﺎ و ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر در‬
‫‪r p hp‬‬
‫ﺟﺪول ‪ 1‬آورده ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬ ‫= ‪T1 + T3‬‬ ‫(‪å‬‬
‫‪p=1,3‬‬ ‫‪2 Aòp‬‬
‫ ) ‪(u& p2 + v& p2 + w& 2 ) dA‬‬ ‫)‪ (13‬‬
‫ﻫﻤﺎنﻃﻮر ﮐﻪ در ﺑﺨﺶﻫﺎي ﻗﺒﻠﯽ ذﮐﺮ ﺷﺪ‪ ،‬در ﺗﺤﻠﯿﻞﻫﺎي اﻧﺠﺎم ﺷﺪه ﺑﻪ‬
‫روش اﻟﻤﺎن ﻣﺤﺪود از ﯾﮏ اﻟﻤﺎن ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﭼﻬﺎر ﮔﺮﻫﯽ ﺑﺎ ﻫﻔﺖ درﺟﻪ آزادي‬ ‫ﺑﻪﺗﺮﺗﯿﺐ ﭼﮕﺎﻟﯽ و ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻻﯾﻪﻫﺎي ‪ 1‬و ‪ 3‬ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻋﻼﻣﺖ‬ ‫‪hp‬‬ ‫و‬ ‫‪rp‬‬ ‫ﮐﻪ‬
‫در ﻫﺮ ﮔﺮه اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻪ ﻣﻨﻈﻮر ﻫﻤﮕﺮاﯾﯽ ﻧﺘﺎﯾﺞ ﺗﺤﻠﯿﻞ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ‬ ‫ﻧﻘﻄﻪ ﻧﯿﺰ ﺑﯿﺎﻧﮕﺮ ﻣﺸﺘﻖ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ زﻣﺎن اﺳﺖ‪ .‬اﻧﺮژي ﺟﻨﺒﺸﯽ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﻻﯾﻪ‬
‫ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‪ ،‬در ﻣﺪل اﺟﺰاي ﻣﺤﺪود ﺻﻔﺤﻪ از ‪ 64‬اﻟﻤﺎن‬ ‫اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر را ﻧﯿﺰ ﻣﯽﺗﻮان ﺑﻪ ﺻﻮرت راﺑﻄﻪ )‪ (14‬ﺑﯿﺎن ﮐﺮد‪:‬‬
‫ﺑﻪﺻﻮرت ‪ 8 ´ 8‬اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪ‪.‬‬ ‫‪1‬‬ ‫)‪ (14‬‬
‫در اﯾﻦ ﻣﻘﺎﻟﻪ‪ ،‬ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﺘﻔﺎوﺗﯽ ﺑﺮاي ﻟﺒﻪﻫﺎي ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ در‬
‫= ‪T MRE‬‬
‫‪2‬‬
‫‪&2‬‬
‫‪ò (I‬‬
‫‪A MRE‬‬
‫‪&2‬‬ ‫‪&2‬‬
‫‪1w‬‬ ‫‪+ I 2 (γ xz + γ‬‬ ‫‪yz‬‬
‫ ‪)) dA‬‬

‫ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺷﺮط ﻣﺮزي ﻣﻔﺼﻠﯽ ﺳﺎده )‪ (S‬ﺑﺮاي ﻟﺒﻪﻫﺎي ﻣﻮازي ﺑﺎ‬ ‫‪ρ 2 h2 3‬‬
‫‪I (1,2) = ( ρ 2 h2 ,‬‬ ‫ )‬
‫ﻣﺤﻮر ‪ x‬ﺑﻪ ﺻﻮرت ‪ ،u1 = u3 = w = w,x = 0‬ﺷﺮط ﻣﺮزي ﻣﻔﺼﻠﯽ ﺳﺎده )‪ (S‬ﺑﺮاي‬ ‫‪12‬‬
‫ﻟﺒﻪ ﻣﻮازي ﺑﺎ ﻣﺤﻮر ‪ y‬ﺑﻪ ﺻﻮرت ‪ ،v1 = v3 = w = w,y = 0‬ﺷﺮط ﻣﺮزي ﮔﯿﺮدار )‪(C‬‬ ‫ﮐﻪ ‪ ρ 2‬و ‪ h2‬ﺑﻪ ﺗﺮﺗﯿﺐ ﭼﮕﺎﻟﯽ و ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ‬
‫ﺑﺮاي ﻟﺒﻪ ﻣﻮازي ﺑﺎ ﻣﺤﻮر ‪ x‬ﺑﻪﺻﻮرت ‪ u1 = u3 = w = w,x = w,y = 0‬و ﺷﺮط ﻣﺮزي‬ ‫ﺟﻤﻊ ﺟﺒﺮي رواﺑﻂ )‪ (13‬و )‪ (14‬و ﻗﺮار دادن رواﺑﻂ )‪ (4‬و )‪ (8‬در راﺑﻄﻪ ﺣﺎﺻﻞ‬
‫ﮔﯿﺮدار )‪ (C‬ﺑﺮاي ﻟﺒﻪ ﻣﻮازي ﺑﺎ ﻣﺤﻮر ‪ y‬ﺑﻪﺻﻮرت ‪v1 = v3 = w = w,x = w,y = 0‬‬ ‫ﺷﺪه ‪ ،‬راﺑﻄﻪ اﻧﺮژي ﺟﻨﺒﺸﯽ ﮐﻞ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻫﺴﺘﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر ﺑﺮ‬
‫ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻗﺒﻞ از اﻧﺠﺎم ﺗﺤﻠﯿﻞﻫﺎي ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ و ﺑﺮرﺳﯽ ﭘﺎراﻣﺘﺮي‪ ،‬ﻻزم اﺳﺖ ﮐﻪ‬ ‫(‪ ( M‬ﺑﻪدﺳﺖ‬ ‫)‪e‬‬
‫ﺣﺴﺐ ﻣﺎﺗﺮﯾﺲ ﺟﺮﻣﯽ اﻟﻤﺎن ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ )‬
‫ﺻﺤﺖ ﻣﺪل اﻟﻤﺎن ﻣﺤﺪود ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺮرﺳﯽ ﺷﻮد‪.‬‬ ‫ﻣﯽآﯾﺪ‪ .‬ﻃﺒﻖ راﺑﻄﻪ )‪ (15‬دارﯾﻢ‪:‬‬
‫‪1‬‬
‫(‪T = q~& T M‬‬
‫‪2‬‬
‫[‬ ‫)‪e‬‬
‫ &~‪]q‬‬ ‫)‪ (15‬‬

‫ ‬
‫‪1- Eigen-value problem‬‬
‫‪2- Cross ply composite layers‬‬

‫ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﮏ ﻣﺪرس‪ ،‬ﺑﻬﻤﻦ ‪ ،1393‬دوره ‪ ،14‬ﺷﻤﺎره ‪11‬‬ ‫‪50‬‬

‫ ‬
‫ﻣﺤﻤﺪ ﺣﺴﯿﻦزاده و ﺟﻠﯿﻞ رﺿﺎﯾﯽ ﭘﮋﻧﺪ‬ ‫ﺑﻬﺒﻮد رﻓﺘﺎر ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﻣﺘﻌﺎﻣﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‬

‫ ‬
‫ﺟﺪول‪ 1‬ﻣﺸﺨﺼﺎت ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ و ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام‪-‬آر )ﻻﯾﻪ ‪(2‬‬
‫‪220‬‬
‫ﻣﺸﺨﺼﺎت ‬
‫‪200‬‬
‫ ‪0/2 mm‬‬ ‫ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻻﯾﻪ ‪(h1) 1‬‬
‫‪180‬‬
‫ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺣﺎﺿﺮ )ﻣﻮد اول(‬ ‫‪0/4 mm‬‬ ‫ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻻﯾﻪ ‪(h2) 2‬‬
‫‪160‬‬ ‫ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺣﺎﺿﺮ )ﻣﻮد دوم(‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫ ‪2 mm‬‬ ‫ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻻﯾﻪ ‪(h3) 3‬‬

‫ﻣﺮﺟﻊ ]‪) [13‬ﻣﻮد اول(‬
‫‪140‬‬
‫ﻣﺮﺟﻊ ]‪) [13‬ﻣﻮد دوم(‬ ‫ ‪132/5 GPa‬‬ ‫ﻣﺪول اﻻﺳﺘﯿﺴﯿﺘﻪ )‪(E1‬‬
‫‪120‬‬ ‫ ‪10/8 GPa‬‬ ‫ﻣﺪول اﻻﺳﺘﯿﺴﯿﺘﻪ )‪(E2‬‬

‫‪100‬‬ ‫ ‪5/7 GPa‬‬ ‫ﻣﺪول ﺑﺮﺷﯽ )‪ G12‬و ‪(G13‬‬

‫ ‪3/4 GPa‬‬ ‫ﻣﺪول ﺑﺮﺷﯽ )‪(G23‬‬
‫‪80‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪100‬‬ ‫‪200‬‬ ‫‪300‬‬ ‫‪400‬‬ ‫‪500‬‬ ‫‪600‬‬ ‫‪700‬‬ ‫‪800‬‬
‫ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ )ﮔﻮس( ‬ ‫ ‪0/24‬‬ ‫ﺿﺮﯾﺐ ﭘﻮواﺳﻮن )‪ ν12‬و ‪ (ν13‬‬
‫)اﻟﻒ(‬ ‫ ‪3500 kg/m3‬‬ ‫ﭼﮕﺎﻟﯽ ﻻﯾﻪ ‪ (ρ2) 2‬‬
‫ﭼﮕﺎﻟﯽ ﻻﯾﻪ ‪ 1‬و ﻻﯾﻪ ‪ ρ1) 3‬و ‪1540 kg/m3 (ρ3‬‬
‫‪0.08‬‬ ‫ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺣﺎﺿﺮ )ﻣﻮد اول(‬
‫ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ ﺣﺎﺿﺮ )ﻣﻮد دوم(‬
‫‪ -1- 3‬ﺗﺎﯾﯿﺪ ﺻﺤﺖ ﻣﺪل اﻟﻤﺎن ﻣﺤﺪود‬
‫‪0.07‬‬ ‫ﻣﺮﺟﻊ ]‪) [13‬ﻣﻮد اول(‬
‫ﻣﺮﺟﻊ ]‪) [13‬ﻣﻮد دوم(‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﺸﺎﺑﻪ ﻣﺪل رﻓﺘﺎر ﭘﯿﺶ از ﺗﺴﻠﯿﻢ ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر ﺑﺎ ﻻﯾﻪ ﻫﺎي‬
‫ﻣﯿﺮاي وﯾﺴﮑﻮاﻻﺳﺘﯿﮏ و ﯾﺎ ﺳﯿﺎل اﻟﮑﺘﺮورﺋﻮﻟﻮژﯾﮑﺎل ‪ ،1‬ﻧﺘﺎﯾﺞ ﺑﻪ دﺳﺖ آﻣﺪه در‬
‫ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ‬

‫‪0.06‬‬
‫ﺑﺮرﺳﯽ ﮐﻨﻮﻧﯽ ﺑﺎ ﻧﺘﺎﯾﺞ ﻣﻮﺟﻮد ﺑﺮاي ﺳﺎزه ﻫﺎي ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪ وﯾﺴﮑﻮ‬
‫‪0.05‬‬ ‫اﻻﺳﺘﯿﮏ و ﯾﺎ ﻻﯾﻪ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ اﻟﮑﺘﺮورﺋﻮﻟﻮژﯾﮑﺎل ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﻣﯽﮔﺮدد‪ .‬در ﺟﺪول ‪2‬‬
‫ﻧﺘﺎﯾﺞ ﺣﺎﺻﻞ از ﺗﺤﻠﯿﻞﻫﺎي ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ و ﺿﺮاﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﺑﺮاي ﺻﻔﺤﻪ‬
‫‪0.04‬‬ ‫ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪ وﯾﺴﮑﻮاﻻﺳﺘﯿﮏ و ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﻔﺼﻠﯽ در ﺗﻤﺎم ﻟﺒﻪ ﻫﺎ‬
‫)‪ (SSSS‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ ﮐﻪ ﻧﺰدﯾﮑﯽ ﻧﺘﺎﯾﺞ ﺣﺎﺻﻠﻪ ﺑﺎ ﻧﺘﺎﯾﺞ ﺑﻪدﺳﺖ آﻣﺪه‬
‫‪0.03‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪100‬‬ ‫‪200‬‬ ‫‪300‬‬ ‫‪400‬‬ ‫‪500‬‬ ‫‪600‬‬ ‫‪700‬‬ ‫‪800‬‬
‫ﺗﻮﺳﻂ ﯾﻪ و ﭼﻦ ]‪ [17‬ﻧﺸﺎن دﻫﻨﺪه ﺻﺤﺖ ﻣﺪل اﻟﻤﺎن ﻣﺤﺪود ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ )ﮔﻮس( ‬ ‫ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺗﺄﯾﯿﺪ ﺻﺤﺖ ﻣﺪل اﻟﻤﺎن ﻣﺤﺪود ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪ‬
‫)ب(‬ ‫اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر‪ ،‬ﻧﺘﺎﯾﺞ ﺑﻪدﺳﺖ آﻣﺪه ﺑﺎ ﻧﺘﺎﯾﺞ ﻣﻮﺟﻮد در ﻣﺮﺟﻊ ]‪ [13‬در ﺷﮑﻞ ‪3‬‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ 3‬ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ )اﻟﻒ( ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎ و )ب( ﺿﺮاﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﺑﻪ ازاي ﻣﯿﺪانﻫﺎي‬
‫ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ ﮐﻪ ﻧﺰدﯾﮑﯽ ﻧﺘﺎﯾﺞ ﺑﯿﺎﻧﮕﺮ ﺻﺤﺖ ﮐﺪ اﻟﻤﺎن ﻣﺤﺪود ﻧﻮﺷﺘﻪ‬
‫ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﮔﻮس )‪(G‬‬
‫ﺷﺪه در ﻧﺮماﻓﺰار ﻣﺘﻠﺐ ‪2‬ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫‪ -2- 3‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪ ﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ‬ ‫ﻻزم ﺑﻪ ذﮐﺮ اﺳﺖ ﮐﻪ در ﻣﺮﺟﻊ ]‪ [13‬ﻻﯾﻪﻫﺎي ‪ 1‬و ‪ 3‬ﺑﻪﺻﻮرت ﮐـﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ‬
‫ﻫﻤﺎنﻃﻮر ﮐﻪ در ﺑﺨﺶﻫﺎي ﻗﺒﻠﯽ ذﮐﺮ ﺷﺪ‪ ،‬ﺻﻔﺤﺎت اﻻﺳﺘﯿﮏ ‪ 1‬و ‪ 3‬داراي‬ ‫در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﻧﺸﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺪﯾﻬﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ ﭼﮕﻮﻧﮕﯽ ﻗﺮار ﮔﯿﺮي ﭼﯿـﺪﻣﺎن اﯾـﻦ‬
‫ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﻣﺘﻌﺎﻣﺪ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬در ﺗﺤﻠﯿﻞﻫﺎي اﻧﺠﺎم ﺷﺪه در اﯾﻦ ﺑﺨﺶ و‬ ‫ﻻﯾﻪ ﻫﺎ ﻧﯿﺰ ﻣﯽﺗﻮاﻧﺪ ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻬﯽ ﺑﺮ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﻫـﺎ و ﺿـﺮاﯾﺐ اﺗـﻼف ﻣـﻮدال‬
‫ﺑﺨﺶﻫﺎي دﯾﮕﺮ‪ ،‬ﻓﺮض ﺷﺪه اﺳﺖ ﮐﻪ ﺗﻌﺪاد اﯾﻦ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﻣﺘﻌﺎﻣﺪ ﺑﺮاي ﻫﺮ‬ ‫ﺳﺎزه ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬در واﻗﻊ‪ ،‬ﯾﮑﯽ از اﺳﺎﺳﯽﺗﺮﯾﻦ ﺗﻔﺎوت ﻫـﺎي ﻣﻄﺎﻟﻌـﻪ‬
‫ﺻﻔﺤﻪ اﻻﺳﺘﯿﮏ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 24‬ﻻﯾﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﯾﻦ ﮐﻪ ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻻﯾﻪﻫﺎي‬ ‫ﺣﺎﺿﺮ ﺑﺎ ﻣﻄﺎﻟﻌﺎت اﻧﺠﺎم ﺷﺪه ﺗﻮﺳـﻂ ﺳـﺎﯾﺮ ﻣﺤﻘﻘـﯿﻦ‪ ،‬در ﻧﻈـﺮ ﮔـﺮﻓﺘﻦ ﺗـﺎﺛﯿﺮ‬
‫اﻻﺳﺘﯿﮏ‪ ،‬ﻣﻘﺎدﯾﺮي ﺛﺎﺑﺖ ﻓﺮض ﺷﺪه اﺳﺖ )ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺟﺪول ‪ ،(1‬ﺑﺪﯾﻬﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ‬ ‫ﻫﻢزﻣﺎن ﭼﯿﺪﻣﺎن ﻻﯾﻪ ﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ و ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر ﺑﺮ روي ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎ‬
‫ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻧﻮع ﭼﯿﺪﻣﺎن ﻻﯾﻪﻫﺎ‪ ،‬ﺑﺮ ﺳﻔﺘﯽ ‪ 3‬ﺳﺎزه ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻣﯽﮔﺬارد‪ .‬ﺣﺎل‬ ‫و رﻓﺘﺎر ﻣﯿﺮاﯾﯽ ﺳﺎزه ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺑﺮرﺳﯽ ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ روي ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي ﺻﻔﺤﻪ‬
‫ﺟﺪول ‪ 2‬ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎ ﺑﺮ ﺣﺴﺐ ﻫﺮﺗﺰ و ﺿﺮاﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﺑﺮاي ﺻﻔﺤﻪ‬
‫ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‪ ،‬ﻓﺮض ﺷﺪه اﺳﺖ ﮐﻪ ﭼﯿﺪﻣﺎن ﻻﯾﻪﻫﺎي ﻫﺮ ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﯿﮏ‬
‫ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪ وﯾﺴﮑﻮاﻻﺳﺘﯿﮏ )ﺻﻔﺤﻪ ﺑﺎ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ‪(SSSS‬‬
‫ﺑﻪﺻﻮرت ‪ (n=0, 2, ..., 12 ) (9012-n/0n)s‬ﺗﻐﯿﯿﺮ ﮐﻨﺪ‪ .‬واﺿﺢ اﺳﺖ ﮐﻪ در اﯾﻦ‬
‫ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف‬
‫ﭼﯿﺪﻣﺎن ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﻘﺪار ‪ ،n‬ﺑﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ اﻓﺰوده و از ﺗﻌﺪاد‬ ‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ‬ ‫ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف‬ ‫ﺷﻤﺎره‬
‫ﻣﻮدال‬ ‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ‬
‫ﻻﯾﻪﻫﺎي ﻧﻮد درﺟﻪ ﮐﺎﺳﺘﻪ ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬ﺑﻪﻋﺒﺎرت دﯾﮕﺮ‪ ،‬ﻣﻘﺪار ‪ n‬ﺑﯿﺎﻧﮕﺮ ﻧﺼﻒ ﺗﻌﺪاد‬ ‫]‪[17‬‬ ‫ﻣﻮدال‬ ‫ﻣﻮد‬
‫]‪[17‬‬
‫ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ در ﮐﻞ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ اﺳﺖ‪ .‬ﻧﺘﺎﯾﺞ ﺣﺎﺻﻞ از‬ ‫‪0/201‬‬ ‫‪59/05‬‬ ‫‪0/192‬‬ ‫‪59/53‬‬ ‫‪1‬‬
‫ﺗﺤﻠﯿﻞﻫﺎي ﺻﻮرت ﮔﺮﻓﺘﻪ در اﯾﻦ ﺑﺨﺶ ﮐﻪ ﺑﺮ روي ﯾﮏ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ‬ ‫‪0/211‬‬ ‫‪113/67‬‬ ‫‪0/208‬‬ ‫‪114/64‬‬ ‫‪2‬‬
‫ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﻔﺼﻠﯽ )‪ (SSSS‬اﻧﺠﺎم ﺷﺪه‪ ،‬در ﺷﮑﻞﻫﺎي ‪ 4‬ﺗﺎ ‪ 7‬ﺑﺮاي ﭼﻬﺎر ﻣﻮد‬ ‫‪0/208‬‬ ‫‪128/89‬‬ ‫‪0/204‬‬ ‫‪130/27‬‬ ‫‪3‬‬
‫ارﺗﻌﺎﺷﯽ اول ﻧﻤﺎﯾﺶ داده ﺷﺪه اﺳﺖ ﮐﻪ در آنﻫﺎ‪ ،‬ﻣﯿﺪانﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪0/189‬‬ ‫‪175/76‬‬ ‫‪0/188‬‬ ‫‪177/04‬‬ ‫‪4‬‬
‫ﻣﺨﺘﻠﻒ ‪ 0‬ﺗﺎ ‪ 800‬ﮔﻮس ﺑﻪ ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر اﻋﻤﺎل ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬ﻧﺘﺎﯾﺞ‬ ‫‪0/183‬‬ ‫‪193/67‬‬ ‫‪0/180‬‬ ‫‪195/26‬‬ ‫‪5‬‬
‫ﻧﺸﺎن ﻣﯽدﻫﺪ ﮐﻪ در ﻫﺮ ﭼﻬﺎر ﻣﻮد ارﺗﻌﺎﺷﯽ‪ ،‬ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ ﺷﺪت ﻣﯿﺪان‬
‫ ‬
‫ ‬ ‫)‪1- Electrorheological fluid (ER Fluid‬‬
‫‪3- Stiffness‬‬ ‫‪2- MATLAB‬‬

‫‪51‬‬ ‫ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﮏ ﻣﺪرس‪ ،‬ﺑﻬﻤﻦ ‪ ،1393‬دوره ‪ ،14‬ﺷﻤﺎره ‪11‬‬

‫ ‬
 ‫ﻣﺤﻤﺪ ﺣﺴﯿﻦزاده و ﺟﻠﯿﻞ رﺿﺎﯾﯽ ﭘﮋﻧﺪ‬ ‫ﺑﻬﺒﻮد رﻓﺘﺎر ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﻣﺘﻌﺎﻣﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‬

‫ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‪ ،‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺳﺎزه اﻓﺰاﯾﺶ و ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﻣﺘﻨﺎﻇﺮ ﺑﺎ آن ﮐﺎﻫﺶ‬

‫‪250‬‬ ‫ﻣﯽﯾﺎﺑﺪ‪ .‬اﻟﺒﺘﻪ ﺑﺎﯾﺪ ﺗﻮﺟﻪ داﺷﺖ ﮐﻪ اﻋﻤﺎل ﻣﯿﺪانﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﺑﺎﻻﺗﺮ از ‪600‬‬
‫ﮔﻮس‪ ،‬ﺗﻐﯿﯿﺮ ﭼﻨﺪاﻧﯽ در ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﻪوﺟﻮد ﻧﻤﯽآورد‪.‬‬
‫‪230‬‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺷﮑﻞ ‪ ،4‬ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﯽﺷﻮد ﮐﻪ اﻓﺰاﯾﺶ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ دوم )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫درﺟﻪ ﺗﺎ ‪ n=6‬ﯾﻌﻨﯽ ‪ 12‬ﻻﯾﻪ در ﮐﻞ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‪ ،‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ اول اﻓﺰاﯾﺶ و‬

‫‪210‬‬
‫ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﮐﺎﻫﺶ ﻣﯽﯾﺎﺑﺪ‪ .‬اﯾﻦ در ﺣﺎﻟﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ در ﺻﻮرت اﻓﺰاﯾﺶ‬
‫‪0.0 G‬‬
‫‪190‬‬
‫‪200 G‬‬
‫ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ ‪ 20‬ﻻﯾﻪ )‪ ،(n=10‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ دوم ﻫﻤﭽﻨﺎن اﻓﺰاﯾﺶ‬
‫‪400 G‬‬ ‫ﻣﯽﯾﺎﺑﺪ )ﺷﮑﻞ ‪ .(5‬در اﯾﻦ ﺣﺎﻟﺖ‪ ،‬ﺿﺮاﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال اﺑﺘﺪا اﻓﺰاﯾﺶ و ﺳﭙﺲ‬
‫‪600 G‬‬
‫‪170‬‬
‫ﮐﺎﻫﺶ ﻣﯽﯾﺎﺑﻨﺪ‪ .‬ﺷﮑﻞ ‪ 6‬ﺗﻐﯿﯿﺮات ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ و ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﺳﻮم را در اﺛﺮ‬
‫‪800 G‬‬
‫ﺗﻐﯿﯿﺮات ﺷﺪت ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ و ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ‬
‫‪150‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪12‬‬ ‫در ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻧﺸﺎن ﻣﯽدﻫﺪ‪ .‬ﺑﺮ اﺳﺎس اﯾﻦ ﺷﮑﻞ‪ ،‬ﻫﻨﮕﺎﻣﯽ ﮐﻪ ﻫﯿﭻﮔﻮﻧﻪ‬
‫‪n‬‬
‫ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﺑﻪ ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮي ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ اﻋﻤﺎل ﻧﺸﻮد‪ ،‬ﺑﯿﺸﺘﺮﯾﻦ‬
‫)اﻟﻒ(‬
‫ﻣﻘﺪار ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺑﻪ ازاي ‪ 12‬ﻻﯾﻪ ﺻﻔﺮ درﺟﻪ )‪ (n=6‬رخ ﻣﯽدﻫﺪ‪ .‬در ﺻﻮرت‬
‫‪0.05‬‬
‫اﻋﻤﺎل ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﺑﻪ اﯾﻦ ﺻﻔﺤﻪ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‪ ،‬ﺑﯿﺸﺘﺮﯾﻦ ﻣﻘﺪار ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺳﻮم‬
‫‪0.0 G‬‬
‫‪200 G‬‬ ‫در ﺣﺎﻟﺘﯽ ﺣﺎﺻﻞ ﻣﯽﺷﻮد ﮐﻪ ‪ 8‬ﻻﯾﻪ ﺑﺎ زاوﯾﻪ ﺻﻔﺮ درﺟﻪ )‪ (n=4‬در ﺻﻔﺤﻪ‬
‫‪0.04‬‬ ‫‪400 G‬‬ ‫ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﻪﮐﺎر رود‪.‬‬
‫‪600 G‬‬
‫ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال دوم ‬

‫‪800 G‬‬ ‫ﻧﺘﺎﯾﺞ ﺣﺎﺻﻞ از ﺗﺤﻠﯿﻞ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺮاي ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ و ﺿﺮﯾﺐ‬
‫‪0.03‬‬ ‫اﺗﻼف ﻣﻮدال ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﻣﻮد ﭼﻬﺎرم ﻧﯿﺰ در ﺷﮑﻞ ‪ 7‬ﻧﻤﺎﯾﺶ داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪.‬‬
‫ﻣﻼﺣﻈﻪ ﻣﯽﺷﻮد ﮐﻪ در ﻣﯿﺪانﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﺑﺎﻻﺗﺮ از ‪ 600‬ﮔﻮس‪ ،‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ‬
‫‪0.02‬‬ ‫ﺳﺎزه ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻬﯽ ﻧﺪارد‪.‬‬
‫‪104‬‬
‫‪0.01‬‬
‫‪103‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪12‬‬
‫‪102‬‬
‫‪n‬‬
‫‪0.0 G‬‬
‫)ب(‬ ‫‪101‬‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ اول )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫‪200 G‬‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ 5‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ و ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ روي )اﻟﻒ( ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ دوم‬ ‫‪100‬‬ ‫‪400 G‬‬
‫‪600 G‬‬
‫و )ب( ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال دوم ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫‪99‬‬ ‫‪800 G‬‬
‫‪(9012-n/0n)s/MRE/(9012-n/0n)s‬‬
‫‪98‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺷﮑﻞ ‪ ،7‬ﺑﯿﺸﺘﺮﯾﻦ ﻣﻘﺪار ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﭼﻬﺎرم در ﺣﺎﻟﺘﯽ رخ ﻣﯽدﻫﺪ‬
‫‪97‬‬
‫ﮐﻪ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ داراي ‪ 12‬ﻻﯾﻪ ﺑﺎ زاوﯾﻪ ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻧﺘﺎﯾﺞ اراﺋﻪ ﺷﺪه‬
‫‪96‬‬
‫ﻧﺸﺎن ﻣﯽدﻫﺪ ﮐﻪ ﭼﯿﺪﻣﺎن ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ و ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ ﺷﺪت ﻣﯿﺪان‬ ‫‪0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪12‬‬
‫‪n‬‬
‫ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﻣﯽﺗﻮاﻧﺪ ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻬﯽ ﺑﺮ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي ﺳﯿﺴﺘﻢ و ﺳﻔﺘﯽ آن‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﺮ اﺳﺎس ﻧﻤﻮدارﻫﺎي ﺑﻪدﺳﺖ آﻣﺪه در اﯾﻦ ﺑﺨﺶ‪ ،‬ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﯽﺷﻮد‬
‫‪0.025‬‬
‫ﮐﻪ در ﻣﻮد اول و ﭼﻬﺎرم‪ ،‬ﺑﯿﺸﺘﺮﯾﻦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ ﺑﻪ ازاي‬
‫‪0.0 G‬‬
‫‪ 12‬ﻻﯾﻪ ي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺑﻪدﺳﺖ ﻣﯽآﯾﺪ‪ ،‬در ﺣﺎﻟﯽ ﮐﻪ در ﻣﻮد دوم اﯾﻦ ﺗﻌﺪاد‬ ‫‪200 G‬‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 20‬ﻻﯾﻪ و در ﻣﻮد ﺳﻮم ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 8‬ﻻﯾﻪ اﺳﺖ‪ .‬ﺣﺎل ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﯾﻦ ﮐﻪ در‬ ‫‪0.02‬‬ ‫‪400 G‬‬
‫‪600 G‬‬
‫ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال اول ‬

‫ﻣﯿﺪانﻫﺎي ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﺑﺎﻻﺗﺮ از ‪ 600‬ﮔﻮس رﻓﺘﺎر ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬ ‫‪800 G‬‬
‫ﭼﻨﺪان ﺑﻪ ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ واﺑﺴﺘﻪ ﻧﯿﺴﺖ‪ ،‬ﭼﻬﺎر ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ اول ﺻﻔﺤﻪ‬ ‫‪0.015‬‬
‫ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪ SSSS‬در ﺷﮑﻞ ‪ 8‬در ﺷﺮاﯾﻄﯽ ﺑﺎ ﯾﮑﺪﯾﮕﺮ ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ‬
‫ﺷﺪه اﻧﺪ ﮐﻪ ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر ﺗﺤﺖ ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ‪ 800‬ﮔﻮس ﻗﺮار‬
‫‪0.01‬‬
‫دارد‪ .‬ﺑﺮ اﺳﺎس اﯾﻦ ﺷﮑﻞ‪ ،‬ﮐﻤﺘﺮﯾﻦ ﻣﯿﺰان ﺗﻐﯿﯿﺮات ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ ﻧﺎﺷﯽ از ﺗﻐﯿﯿﺮ‬
‫ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪ ي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ در ﻣﻮد اول رخ ﻣﯽدﻫﺪ‪ ،‬در ﺣﺎﻟﯽ ﮐﻪ ﺑﯿﺸﺘﺮﯾﻦ ﻣﻘﺪار‬
‫‪0.005‬‬
‫ﺗﻐﯿﯿﺮات ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ در ﻣﻮد دوم ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﯽﺷﻮد‪.‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪12‬‬
‫‪n‬‬
‫)ب(‬
‫‪ -1- 2- 3‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ 4‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ و ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ روي )اﻟﻒ( ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ اول‬
‫در اﯾﻦ ﺑﺨﺶ ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺑﺮرﺳﯽ ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪ ﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﺑﺎ زاوﯾﻪ‬
‫و )ب( ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال اول ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫‪(9012-n/0n)s/MRE/(9012-n/0n)s‬‬

‫ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﮏ ﻣﺪرس‪ ،‬ﺑﻬﻤﻦ ‪ ،1393‬دوره ‪ ،14‬ﺷﻤﺎره ‪11‬‬ ‫‪52‬‬

‫ ‬
 ‫ﻣﺤﻤﺪ ﺣﺴﯿﻦزاده و ﺟﻠﯿﻞ رﺿﺎﯾﯽ ﭘﮋﻧﺪ‬ ‫ﺑﻬﺒﻮد رﻓﺘﺎر ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﻣﺘﻌﺎﻣﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‬

‫ ‬
‫ﺷﺮط ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﻧﺸﺎن ﻣﯽدﻫﺪ‪ .‬ﺑﺮ اﺳﺎس اﯾﻦ ﺷﮑﻞﻫﺎ‪ ،‬ﻫﻤﭽﻨﺎن ﮐـﻪ ﻣـﻮرد‬
‫اﻧﺘﻈﺎر اﺳﺖ‪ ،‬ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪ CCCC‬داراي ﺑﺎﻻﺗﺮﯾﻦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎ‬ ‫‪340‬‬
‫و ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪ SSSS‬داراي ﮐﻢﺗﺮﯾﻦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﺎ‬
‫ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺷـﮑﻞﻫـﺎي ‪ 11‬ﺗـﺎ ‪ 14‬ﻣـﯽﺗـﻮان درﯾﺎﻓـﺖ ﮐـﻪ ﭼﯿـﺪﻣﺎن ﻻﯾـﻪﻫـﺎي‬ ‫‪320‬‬

‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺳﻮم )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫‪300‬‬
‫‪385‬‬
‫‪0.0 G‬‬
‫‪280‬‬ ‫‪200 G‬‬
‫‪370‬‬ ‫‪400 G‬‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﭼﻬﺎرم )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫‪600 G‬‬
‫‪260‬‬ ‫‪800 G‬‬
‫‪355‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪12‬‬
‫‪n‬‬
‫‪340‬‬
‫‪0.0 G‬‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫‪200 G‬‬
‫‪400 G‬‬ ‫‪0.05‬‬
‫‪325‬‬ ‫‪600 G‬‬ ‫‪0.00 G‬‬
‫‪800 G‬‬ ‫‪200 G‬‬
‫‪0.04‬‬ ‫‪400 G‬‬
‫‪310‬‬ ‫‪600 G‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪12‬‬ ‫ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﺳﻮم ‬
‫‪n‬‬ ‫‪800 G‬‬
‫‪0.03‬‬
‫)اﻟﻒ(‬

‫‪0.045‬‬
‫‪0.00 G‬‬ ‫‪0.02‬‬
‫‪0.04‬‬ ‫‪200 G‬‬
‫ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﭼﻬﺎرم ‬

‫‪400 G‬‬
‫‪0.035‬‬ ‫‪0.01‬‬
‫‪600 G‬‬
‫‪0.03‬‬ ‫‪800 G‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪12‬‬
‫‪n‬‬
‫‪0.025‬‬
‫)ب(‬
‫‪0.02‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ 6‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ و ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ روي ) اﻟﻒ( ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ‬
‫ﺳﻮم و )ب( ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﺳﻮم ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫‪0.015‬‬
‫‪(9012-n/0n)s/MRE/(9012-n/0n)s‬‬
‫‪0.01‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪12‬‬
‫‪n‬‬
‫ﺻﻔﺮ درﺟﻪ روي ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣـﺮزي ﻣﺨﺘﻠـﻒ‪ ،‬دو‬
‫)ب(‬ ‫ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪ CCCC‬و ‪ SCSC‬ﺑﺮاي ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ 7‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ و ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ روي ) اﻟﻒ( ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ‬ ‫آر در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬ﻧﺘﺎﯾﺞ ﺣﺎﺻﻞ از ﺗﺤﻠﯿﻞ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ‬
‫ﭼﻬﺎرم و )ب( ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﭼﻬﺎرم ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬ ‫ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪ SCSC‬در ﺷﮑﻞ ‪ 9‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺷﺪت ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬
‫‪(9012-n/0n)s/MRE/(9012-n/0n)s‬‬ ‫در اﯾﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 800‬ﮔﻮس ﻓﺮض ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻫﻤﺎنﻃﻮر ﮐـﻪ در اﯾـﻦ ﺷـﮑﻞ‬
‫ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﯽﺷﻮد‪ ،‬ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ ‪ ،n‬ﻓﺮﮐـﺎﻧﺲ اول ﮐـﺎﻫﺶ ﻣـﯽﯾﺎﺑـﺪ‪ .‬در ﻣـﻮد دوم‪،‬‬
‫‪400‬‬
‫ﺑﯿﺸﺘﺮﯾﻦ ﻣﻘﺪار ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺑﻪ ازاي ‪ n=10‬رخ ﻣﯽدﻫﺪ‪ ،‬در ﺣﺎﻟﯽ ﮐﻪ در ﻣﻮد ﺳـﻮم‬
‫‪350‬‬ ‫اﯾﻦ ﺗﻌﺪاد ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 8‬و در ﻣﻮد ﭼﻬﺎرم ﺑﺮاﺑﺮ ‪ 2‬ﻣﯽﺑﺎﺷـﺪ‪ .‬ﺑـﻪﻋـﻼوه‪ ،‬ﺑـﻪ ازاي ‪n=12‬‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي ﺳﻮم و ﭼﻬﺎرم ﺑﺮ ﯾﮑﺪﯾﮕﺮ ﻣﻨﻄﺒﻖ ﻣﯽﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺷﮑﻞ ‪ 10‬ﻧﯿـﺰ ﺗـﺎﺛﯿﺮ‬
‫‪300‬‬
‫ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪ ﻫﺎي ﺻـﻔﺮ درﺟـﻪ را روي ﭼﻬـﺎر ﻓﺮﮐـﺎﻧﺲ اول ﺻـﻔﺤﻪ ﺳـﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫‪250‬‬ ‫‪ (n=0, 2, ..., 12) (9012-n/0n)s/MRE/(9012-n/0n)s‬ﺑﺎ ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪ CCCC‬ﻧﺸﺎن‬

‫ﻣﻮد اول‬
‫ﻣﯽدﻫﺪ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﯾﻦ ﺷﮑﻞ‪ ،‬ﺗﻐﯿﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪ ﻫﺎي ﺻـﻔﺮ درﺟـﻪ ﺗـﺎﺛﯿﺮ ﻗﺎﺑـﻞ‬
‫‪200‬‬ ‫ﻣﻮد دوم‬
‫ﻣﻮد ﺳﻮم‬ ‫ﺗﻮﺟﻬﯽ در ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ارﺗﻌﺎﺷﯽ اول ﻧﺪارد‪ .‬اﯾﻦ در ﺣﺎﻟﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ دوم ﺑﻪ‬
‫‪150‬‬ ‫ﻣﻮد ﭼﻬﺎرم‬ ‫ازاي ‪ ،n=10‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺳﻮم ﺑﻪ ازاي ‪ n=6‬و ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﭼﻬﺎرم ﺑﻪ ازاي ‪8 £ n £ 10‬‬
‫ﺑﯿﺸﺘﺮﯾﻦ ﻣﻘﺪار ﺧﻮد را دارد‪.‬‬
‫‪100‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪12‬‬ ‫ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي ﺑﻪدﺳﺖ آﻣﺪه ﺑﺮاي ﻫﺮ ﯾـﮏ از ﺳـﻪ ﺷـﺮط‬
‫‪n‬‬ ‫ﻣﺮزي ‪ SCSC ،SSSS‬و ‪ ،CCCC‬ﻫﺮ ﻣﻮد ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ اﯾﻦ ﺳﻪ ﺷـﺮط ﻣـﺮزي‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ 8‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺑﺮ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫ﺑﻪﺻﻮرت ﻣﺠﺰا در ﯾﮏ ﻧﻤﻮدار رﺳﻢ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺷﮑﻞﻫﺎي ‪ 11‬ﺗﺎ ‪ 14‬ﺑـﻪﺗﺮﺗﯿـﺐ‬
‫‪ (9012-n/0n)s/MRE/(9012-n/0n)s‬ﺑﺎ ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪SSSS‬‬
‫ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ را روي ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي اول ﺗﺎ ﭼﻬﺎرم ﺑﻪ ازاي ﺳﻪ‬

‫‪53‬‬ ‫ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﮏ ﻣﺪرس‪ ،‬ﺑﻬﻤﻦ ‪ ،1393‬دوره ‪ ،14‬ﺷﻤﺎره ‪11‬‬

‫ ‬
‫ﻣﺤﻤﺪ ﺣﺴﯿﻦزاده و ﺟﻠﯿﻞ رﺿﺎﯾﯽ ﭘﮋﻧﺪ‬ ‫ﺑﻬﺒﻮد رﻓﺘﺎر ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﻣﺘﻌﺎﻣﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‬

‫‪ n‬اﺑﺘﺪا ﮐﺎﻫﺶ و ﺳﭙﺲ اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯽﯾﺎﺑﺪ‪ .‬ﻧﮑﺘﻪ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻪ اﯾﻦ اﺳﺖ ﮐﻪ در‬ ‫ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﻣﯽﺗﻮاﻧﺪ ﺷﺮاﯾﻄﯽ را اﯾﺠﺎد ﮐﻨﺪ ﮐﻪ ﺑـﺎ وﺟـﻮد اﺳـﺘﻔﺎده از ﯾـﮏ ﻧـﻮع‬
‫ﺻﻮرت اﺳﺘﻔﺎده از ﭼﯿﺪﻣﺎن ‪ (902/06/902)s‬در ﻻﯾﻪﻫﺎي اﻻﺳﺘﯿﮏ ﺻﻔﺤﻪ‬ ‫ﺷﺮط ﻣﺮزي ﺧﺎص ﺑﺘﻮان ﺑﻪ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫـﺎﯾﯽ در ﻣﺤـﺪوده ﺷـﺮاﯾﻂ ﻣـﺮزي دﯾﮕـﺮ‬
‫ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ )ﻻﯾﻪﻫﺎي ‪ 1‬و ‪ 3‬در ﺷﮑﻞ ‪ ،(2‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي دوم و ﺳﻮم از اﺧﺘﻼف‬ ‫دﺳﺖ ﯾﺎﻓﺖ‪ .‬ﺑﻪﻋﻨﻮان ﻣﺜﺎل در ﺷﮑﻞ ‪ ،11‬ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟـﻪ‬
‫در ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪ ،SCSC‬ﻓﺮﮐـﺎﻧﺲ اول ﺻـﻔﺤﻪ ﺳـﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫ﻣﻮد اول‬ ‫ﺑﻪﻃﻮر ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻬﯽ ﮐﺎﻫﺶ ﯾﺎﻓﺘﻪ و ﺑﻪﺳﻤﺖ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ اول ﺻﻔﺤﻪ ﺑﺎ ﺷﺮط ﻣﺮزي‬
‫‪700‬‬ ‫ﻣﻮد دوم‬ ‫‪ SSSS‬ﻣﯿﻞ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ .‬دﻟﯿﻞ اﯾﻦ اﻓﺖ ﺷﺪﯾﺪ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴـﯽ در ﺻـﻔﺤﻪ ﺳـﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑـﺎ‬
‫ﻣﻮد ﺳﻮم‬ ‫ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪ SCSC‬اﯾﻦ اﺳﺖ ﮐﻪ ﻻﯾﻪ داراي زاوﯾﻪ ﺻﻔﺮ درﺟﻪ در اﻣﺘﺪاد ﻣﺤﻮر ‪x‬‬
‫‪600‬‬ ‫ﻣﻮد ﭼﻬﺎرم‬ ‫ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺘﻪ و ﻟﺒﻪﻫﺎي ﻣﻔﺼﻠﯽ )‪ (S‬در دو اﻧﺘﻬﺎي اﻣﺘﺪاد اﻟﯿـﺎف ﻗـﺮار دارﻧـﺪ و از‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫‪500‬‬ ‫ﻃﺮﻓﯽ دو ﻟﺒﻪ دﯾﮕﺮ داراي ﺷﺮط ﻣﺮزي ﮔﯿﺮدار اﺳﺖ‪ ،‬ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ ‪ n‬از ﺗﻌﺪاد ﻻﯾـﻪ‬
‫ﻧﻮد درﺟﻪ ﮐﺎﺳﺘﻪ و ﺑﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪ ﺻﻔﺮ درﺟﻪ اﻓـﺰوده ﻣـﯽﺷـﻮد‪ .‬ﺑـﺪﯾﻦ ﺗﺮﺗﯿـﺐ‪،‬‬
‫‪400‬‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺳﺎزه ﮐﺎﻫﺶ ﻣﯽﯾﺎﺑﺪ‪ .‬اﯾﻦ اﻓﺖ ﺷﺪﯾﺪ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ در ﺣﺎﻟﯽ رخ ﻣـﯽدﻫـﺪ‬
‫‪300‬‬ ‫ﮐﻪ در ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ‪ SSSS‬و ‪ CCCC‬ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﻘﺪار ‪ n‬ﺗﺎ ‪ ،n=6‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ اﻓﺰاﯾﺶ‬
‫و ﺳﭙﺲ ﮐﺎﻫﺶ ﻣﯽﯾﺎﺑﺪ ﮐﻪ اﻟﺒﺘﻪ ﻣﯿﺰان ﺗﻐﯿﯿﺮات ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ در اﯾﻦ ﺣﺎﻟﺖ اﻧﺪك‬
‫‪200‬‬
‫اﺳﺖ‪ .‬ﻧﺘﺎﯾﺞ اراﺋﻪ ﺷﺪه در ﺷﮑﻞ ‪ 12‬ﺑﯿﺎﻧﮕﺮ اﯾﻦ ﻧﮑﺘﻪ اﺳـﺖ ﮐـﻪ روﻧـﺪ ﺗﻐﯿﯿـﺮات‬
‫‪100‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪12‬‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ دوم ﺑﻪ ازاي ﺗﻐﯿﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ‪ ،‬ﺑﺮ ﺧﻼف ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫـﺎي‬
‫‪n‬‬ ‫اول‪ ،‬ﺳﻮم و ﭼﻬﺎرم ﺗﻘﺮﯾﺒ ًﺎ در ﻫﺮ ﺳﻪ ﺷﺮط ﻣﺮزي ﻣﺸﺎﺑﻪ ﯾﮑﺪﯾﮕﺮ اﺳﺖ‪ .‬در ﺷﮑﻞ‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ 9‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺑﺮ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬ ‫‪ 13‬ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﯽﺷﻮد ﮐﻪ ﺳﻮﻣﯿﻦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑـﺎ ﺷـﺮط ﻣـﺮزي‬
‫ ‬ ‫‪ (9012-n/0n)s/MRE/(9012-n/0n)s‬ﺑﺎ ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪SCSC‬‬ ‫‪ SCSC‬و داراي ‪ 16‬ﻻﯾﻪي ﺻﻔﺮ درﺟـﻪ )‪ ،(n=8‬ﺑﺴـﯿﺎر ﻧﺰدﯾـﮏ ﻓﺮﮐـﺎﻧﺲ ﺳـﻮم‬
‫ﺻﻔﺤﻪ ﺑﺎ ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪ CCCC‬ﻗﺮار دارد‪ .‬در ﺷﮑﻞ ‪ 14‬ﻧﯿﺰ ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﯽﺷـﻮد ﮐـﻪ‬
‫‪540‬‬ ‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﭼﻬﺎرم ﺻﻔﺤﺎت ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷـﺮاﯾﻂ ﻣـﺮزي ‪ SCSC‬و ‪ CCCC‬ﺑـﻪ ازاي‬
‫‪490‬‬ ‫‪ 2 £ n £ 4‬ﺗﻘﺮﯾﺒ ًﺎ ﺑﺎ ﯾﮑﺪﯾﮕﺮ ﺑﺮاﺑﺮ اﺳﺖ‪ ،‬در ﺣﺎﻟﯽﮐﻪ در ﺻﻮرت اﺳـﺘﻔﺎده از ‪24‬‬
‫ﻻﯾﻪ ﺻﻔﺮ درﺟﻪ‪ ،‬ﭼﻬـﺎرﻣﯿﻦ ﻓﺮﮐـﺎﻧﺲ ﺻـﻔﺤﺎت داراي ﺷـﺮاﯾﻂ ﻣـﺮزي ‪ SCSC‬و‬
‫‪440‬‬
‫‪ SSSS‬ﺑﺎ ﯾﮑﺪﯾﮕﺮ ﺑﺮاﺑﺮ ﺧﻮاﻫﻨﺪ ﺷﺪ‪.‬‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫‪390‬‬
‫‪ - 3- 3‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪ ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ ﺻﻔﺤﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ در ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ‬
‫‪340‬‬
‫ﻣﻮد اول‬ ‫ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ از ﺑﺨﺶ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﻫﺮ ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﯿﮏ‪ ،‬ﭘﺎراﻣﺘﺮ‬
‫‪290‬‬ ‫ﻣﻮد دوم‬
‫دﯾﮕﺮي اﺳﺖ ﮐﻪ در اﯾﻦ ﺑﺨﺶ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﯽ ﻗﺮار ﻣﯽﮔﯿﺮد‪ .‬ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺑﺮرﺳﯽ‬
‫ﻣﻮد ﺳﻮم‬
‫‪240‬‬
‫ﻣﻮد ﭼﻬﺎرم‬ ‫ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ ﺻﻔﺤﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﺳﺎزه ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ روي‬
‫‪190‬‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‪ ،‬ﯾﮏ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﭼﯿﺪﻣﺎن‬
‫‪0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪12‬‬
‫‪ (906-n/06/90n)s/MRE/(906-n/06/90n)s‬در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ ﮐﻪ در آن‬
‫‪n‬‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ 10‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺑﺮ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬ ‫‪ .n=0, 1, ..., 6‬ﻫﻤﺎنﻃﻮر ﮐﻪ در ﺑﺨﺶﻫﺎي ﻗﺒﻠﯽ ﻣﺸﺎﻫﺪه ﺷﺪ‪ ،‬در ﻣﯿﺪانﻫﺎي‬
‫ ‬ ‫‪ (9012-n/0n)s/MRE/(9012-n/0n)s‬ﺑﺎ ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪CCCC‬‬ ‫ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﺑﺎﻻﺗﺮ از ‪ 600‬ﮔﻮس ﺗﻐﯿﯿﺮات ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ ﭼﻨﺪان ﺑﻪ ﻣﯿﺪان‬
‫ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ واﺑﺴﺘﻪ ﻧﯿﺴﺖ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ‪ ،‬در ﺗﺤﻠﯿﻞ ﻫﺎي اﻧﺠﺎم ﺷﺪه در اﯾﻦ ﺑﺨﺶ ﻧﯿﺰ‬
‫‪200‬‬ ‫ﻓﺮض ﺷﺪه اﺳﺖ ﮐﻪ ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر در ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ ﺗﺤﺖ‬
‫ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ‪ 800‬ﮔﻮس ﻗﺮار داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺣﺎل ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺑﺮرﺳﯽ‬
‫‪180‬‬ ‫ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ ﺻﻔﺤﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ‪ ،‬ﺳﻪ ﺷﺮط ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﺮاي‬
‫ﺻﻔﺤﻪ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺗﻐﯿﯿﺮات ﭼﻬﺎر ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ اول و ﭼﻬﺎر ﺿﺮﯾﺐ‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ اول )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫‪160‬‬
‫اﺗﻼف ﻣﻮدال اول ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ‪ SCSC ،SSSS‬و ‪ CCCC‬ﺑﻪ‬
‫‪SSSS‬‬
‫‪CCCC‬‬ ‫ﺗﺮﺗﯿﺐ در ﺷﮑﻞﻫﺎي ‪ 15‬ﺗﺎ ‪ 17‬اراﺋﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﻫﻤﺎن ﻃﻮر ﮐﻪ در ﺷﮑﻞﻫﺎي ‪15‬‬
‫‪140‬‬
‫‪SCSC‬‬ ‫و ‪ 17‬ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﯽﺷﻮد‪ ،‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي اول و ﭼﻬﺎرم در ﺻﻔﺤﺎت ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ‬
‫‪120‬‬
‫ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ‪ SSSS‬و ‪ CCCC‬ﭼﻨﺪان ﺑﻪ ﺗﻐﯿﯿﺮات ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ‬
‫ﺻﻔﺤﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﺣﺴﺎس ﻧﯿﺴﺘﻨﺪ‪ .‬اﯾﻦ در ﺣﺎﻟﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ در ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ذﮐﺮ‬
‫‪100‬‬ ‫ﺷﺪه‪ ،‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي دوم و ﺳﻮم ﺑﻪ ﺗﻐﯿﯿﺮات ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ ﺻﻔﺤﻪ‬
‫‪0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪12‬‬
‫‪n‬‬ ‫ﻣﯿﺎﻧﯽ ﺑﻪﻃﻮر ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻬﯽ واﺑﺴﺘﻪ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﺑﻪﻋﺒﺎرت دﯾﮕﺮ‪ ،‬در ﺻﻔﺤﻪ داراي‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ 11‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ روي ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ اول ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬ ‫ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪ ،SSSS‬ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ ﺻﻔﺤﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﻫﺮ‬
‫‪ (9012-n/0n)s/MRE/(9012-n/0n)s‬در ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ‪ 800‬ﮔﻮس‬ ‫ﯾﮏ از ﻻﯾﻪﻫﺎي اﻻﺳﺘﯿﮏ‪ ،‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ دوم اﺑﺘﺪا اﻓﺰاﯾﺶ و ﺳﭙﺲ ﮐﺎﻫﺶ ﻣﯽﯾﺎﺑﺪ‪.‬‬
‫در اﯾﻦ ﺣﺎﻟﺖ‪ ،‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺳﻮم رﻓﺘﺎر ﻣﺘﻔﺎوﺗﯽ را ﻧﺸﺎن ﻣﯽدﻫﺪ‪ ،‬ﯾﻌﻨﯽ‪ ،‬ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ‬

‫ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﮏ ﻣﺪرس‪ ،‬ﺑﻬﻤﻦ ‪ ،1393‬دوره ‪ ،14‬ﺷﻤﺎره ‪11‬‬ ‫‪54‬‬

‫ ‬
‫ﻣﺤﻤﺪ ﺣﺴﯿﻦزاده و ﺟﻠﯿﻞ رﺿﺎﯾﯽ ﭘﮋﻧﺪ‬ ‫ﺑﻬﺒﻮد رﻓﺘﺎر ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﻣﺘﻌﺎﻣﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‬

‫ ‬
‫در واﻗﻊ ﺑﯿﺎﻧﮕﺮ اﻓﺰاﯾﺶ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ از ﺻﻔﺤﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﻫﺮ ﻻﯾﻪ‬
‫‪400‬‬
‫اﻻﺳﺘﯿﮏ اﺳﺖ‪ ،‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي اول‪ ،‬ﺳﻮم و ﭼﻬﺎرم ﻋﻤﻮﻣ ًﺎ ﮐﺎﻫﺶ ﻣﯽﯾﺎﺑﺪ‪ .‬اﯾﻦ در‬ ‫‪SSSS‬‬
‫ﺣﺎﻟﯽ اﺳﺖ ﮐﻪ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ دوم ﺳﯿﺮ ﺻﻌﻮدي را ﻃﯽ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ‪ ،‬ﻣﺸﺎﻫﺪه‬ ‫‪350‬‬
‫‪CCCC‬‬
‫‪SCSC‬‬
‫ﻣﯽﺷﻮد ﮐﻪ در ﺻﻮرت اﺳﺘﻔﺎده از ﭼﯿﺪﻣﺎن ‪ (901/06/905)s‬در ﻫﺮ ﯾﮏ از‬

‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ دوم )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫ﻻﯾﻪﻫﺎي اﻻﺳﺘﯿﮏ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪ ،SCSC‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي دوم و‬ ‫‪300‬‬
‫ﺳﻮم ﮐﻤﺘﺮﯾﻦ اﺧﺘﻼف را ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﺳﺎﯾﺮ ﭼﯿﺪﻣﺎن ﻫﺎي ﻧﻤﺎﯾﺶ داده ﺷﺪه ﺧﻮاﻫﻨﺪ‬
‫داﺷﺖ‪ .‬ﺷﮑﻞ ‪ 17‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ ﺻﻔﺤﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﻫﺮ ﻻﯾﻪ‬ ‫‪250‬‬

‫اﻻﺳﺘﯿﮏ را ﺑﺮ ﭼﻬﺎر ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ اول و ﭼﻬﺎر ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﺻﻔﺤﻪ‬

‫‪200‬‬
‫ﻼ ذﮐﺮ ﺷﺪ‪،‬‬‫ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ‪ CCCC‬ﻧﺸﺎن ﻣﯽدﻫﺪ‪ .‬ﻫﻤﺎنﻃﻮر ﮐﻪ ﻗﺒ ً‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﻫﺎي اول و ﭼﻬﺎرم واﺑﺴﺘﮕﯽ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻬﯽ ﺑﻪ ﺗﻐﯿﯿﺮات ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي‬ ‫‪150‬‬
‫ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ ﺻﻔﺤﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﻧﺪارﻧﺪ‪ ،‬در ﺣﺎﻟﯽ ﮐﻪ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي دوم و ﺳﻮم ﺑﺎ‬ ‫‪0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪12‬‬
‫‪n‬‬
‫ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﻘﺪار ‪ n‬رﻓﺘﺎر ﻣﺘﻔﺎوﺗﯽ را ﺑﻪ ﻧﻤﺎﯾﺶ ﻣﯽﮔﺬارﻧﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﻋﺒﺎرت دﯾﮕﺮ‪ ،‬ﺑﺎ‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ 12‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ روي ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ دوم ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﻘﺪار ‪ n‬ﺗﺎ ‪ ،n=2‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﻫﺎي دوم و ﺳﻮم ﺑﻪ ﺳﻤﺖ ﯾﮑﺪﯾﮕﺮ ﻣﯿﻞ ﻣﯽ‪-‬‬ ‫‪ (9012-n/0n)s/MRE/(9012-n/0n)s‬در ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ‪ 800‬ﮔﻮس‬
‫ﮐﻨﻨﺪ و ﭘﺲ از آن از ﯾﮑﺪﯾﮕﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﮔﺮﻓﺘﻪ و دوﺑﺎره در ‪ n=4‬ﺑﻪ ﯾﮑﺪﯾﮕﺮ ﻧﺰدﯾﮏ‬
‫ﻣﯽﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺑﻪ ازاي اﯾﻦ ﻣﻘﺎدﯾﺮ ‪ ،n‬ﺿﺮاﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﻣﺘﻨﺎﻇﺮ ﺑﺎ ﻣﻮد دوم و‬ ‫‪500‬‬ ‫‪SSSS‬‬
‫ﭼﻬﺎرم ﺗﻘﺮﯾﺒ ًﺎ ﺑﺮ ﯾﮑﺪﯾﮕﺮ ﻣﻨﻄﺒﻖ ﻣﯽﺷﻮد‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ ﺑﻪ ازاي ‪ n<2‬و ‪،n>4‬‬ ‫‪CCCC‬‬
‫‪SCSC‬‬
‫اﺧﺘﻼف ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي دوم و ﺳﻮم اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﯽﯾﺎﺑﺪ‪ .‬در ﺣﺎﻻﺗﯽ ﮐﻪ ﺻﻔﺤﻪ‬ ‫‪450‬‬
‫ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ داراي ﭼﯿﺪﻣﺎنﻫﺎي ‪ (906 /06)s/MRE/(906 /06)s‬و ﯾﺎ‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺳﻮم )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫‪ (06/906)s/MRE/(06/906)s‬ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺑﯿﺸﺘﺮﯾﻦ ﻣﻘﺪار اﺧﺘﻼف ﺑﯿﻦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﻫﺎي‬ ‫‪400‬‬

‫دوم و ﺳﻮم ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﯽﺷﻮد‪.‬‬

‫‪350‬‬
‫‪400‬‬
‫‪300‬‬
‫‪350‬‬

‫‪300‬‬ ‫‪250‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪12‬‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫‪n‬‬
‫‪250‬‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ 13‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ روي ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺳﻮم ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫ﻣﻮد اول‬
‫‪ (9012-n/0n)s/MRE/(9012-n/0n)s‬در ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ‪ 800‬ﮔﻮس‬
‫‪200‬‬ ‫ﻣﻮد دوم‬
‫ﻣﻮد ﺳﻮم‬
‫‪150‬‬
‫ﻣﻮد ﭼﻬﺎرم‬ ‫‪550‬‬

‫‪100‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪500‬‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﭼﻬﺎرم )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫‪n‬‬
‫)اﻟﻒ(‬
‫‪450‬‬
‫‪SSSS‬‬
‫‪0.02‬‬ ‫ﻣﻮد اول‬ ‫‪CCCC‬‬
‫ﻣﻮد دوم‬ ‫‪400‬‬ ‫‪SCSC‬‬
‫ﻣﻮد ﺳﻮم‬
‫ﻣﻮد ﭼﻬﺎرم‬ ‫‪350‬‬
‫ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ‬

‫‪0.015‬‬

‫‪300‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪8‬‬ ‫‪10‬‬ ‫‪12‬‬
‫‪n‬‬
‫‪0.01‬‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ 14‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ روي ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﭼﻬﺎرم ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫‪ (9012-n/0n)s/MRE/(9012-n/0n)s‬در ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ‪ 800‬ﮔﻮس‬

‫‪0.005‬‬ ‫ﮐﻤﺘﺮي ﺑﺮﺧﻮردار ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬از ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﺷﮑﻞﻫﺎي ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ و ﺿﺮاﯾﺐ‬
‫‪0‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪n‬‬ ‫اﺗﻼف ﻣﻮدال‪ ،‬اﯾﻦ ﻧﮑﺘﻪ درﯾﺎﻓﺖ ﻣﯽﺷﻮد ﮐﻪ ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ‪ ،‬ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف‬
‫)ب(‬ ‫ﻣﻮدال ﮐﺎﻫﺶ ﻣﯽﯾﺎﺑﺪ و ﺑﺮﻋﮑﺲ‪.‬‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ 15‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ ﺻﻔﺤﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﺑﺮ )اﻟﻒ( ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎ )ب(‬ ‫ﻫﻤﺎنﻃﻮر ﮐﻪ در ﺷﮑﻞ ‪ 16‬ﻧﻤﺎﯾﺶ داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ ،‬در ﺻﻮرﺗﯽﮐﻪ در‬
‫ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪SSSS‬‬
‫ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ از ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪ SCSC‬اﺳﺘﻔﺎده ﺷﻮد‪ ،‬ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ ﻣﻘﺪار ‪ ،n‬ﮐﻪ‬
‫‪(906-n/06/90n)s/MRE/(906-n/06/90n)s‬‬

‫‪55‬‬ ‫ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﮏ ﻣﺪرس‪ ،‬ﺑﻬﻤﻦ ‪ ،1393‬دوره ‪ ،14‬ﺷﻤﺎره ‪11‬‬

‫ ‬
‫ﻣﺤﻤﺪ ﺣﺴﯿﻦزاده و ﺟﻠﯿﻞ رﺿﺎﯾﯽ ﭘﮋﻧﺪ‬ ‫ﺑﻬﺒﻮد رﻓﺘﺎر ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﻣﺘﻌﺎﻣﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‬

‫اﺳﺘﻔﺎده ﺷﻮد‪ ،‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي ﺳﻮم ﻣﺘﻨﺎﻇﺮ ﺑﺎ اﯾﻦ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي‪ ،‬اﺧﺘﻼف ﻧﺎﭼﯿﺰي‬ ‫‪520‬‬

‫ﺑﺎ ﯾﮑﺪﯾﮕﺮ ﺧﻮاﻫﻨﺪ داﺷﺖ‪.‬‬ ‫‪470‬‬

‫ﻫﻤﺎن ﻃﻮر ﮐﻪ در ﺷـﮑﻞ ‪ 21‬ﻧﻤـﺎﯾﺶ داده ﺷـﺪه اﺳـﺖ‪ ،‬ﺗﻐﯿﯿـﺮات ﻓﺎﺻـﻠﻪ‬ ‫‪420‬‬
‫ﻻﯾﻪ ﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ ﺻﻔﺤﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﺗﺎﺛﯿﺮ ﭼﻨﺪاﻧﯽ ﺑﺮ ﭼﻬﺎرﻣﯿﻦ ﻓﺮﮐـﺎﻧﺲ ﻫـﺎي‬
‫‪370‬‬
‫ﺻﻔﺤﺎت ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑـﺎ ﺷـﺮاﯾﻂ ﻣـﺮزي ‪ SSSS‬و ‪ CCCC‬ﻧـﺪارد‪ .‬در ﺣـﺎﻟﯽﮐـﻪ در‬

‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ )ﻫﺮﺗﺰ( ‬
‫‪320‬‬

‫‪270‬‬
‫ﻣﻮد اول‬
‫‪550‬‬
‫‪220‬‬ ‫ﻣﻮد دوم‬
‫ﻣﻮد ﺳﻮم‬
‫‪490‬‬ ‫‪170‬‬
‫ﻣﻮد ﭼﻬﺎرم‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫‪120‬‬
‫‪430‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪6‬‬
‫‪n‬‬
‫‪370‬‬ ‫)اﻟﻒ(‬
‫ﻣﻮد اول‬
‫‪310‬‬
‫ﻣﻮد دوم‬
‫ﻣﻮد ﺳﻮم‬ ‫ﻣﻮد اول‬
‫‪0.02‬‬
‫‪250‬‬ ‫ﻣﻮد ﭼﻬﺎرم‬ ‫ﻣﻮد دوم‬
‫ﻣﻮد ﺳﻮم‬
‫‪190‬‬ ‫ﻣﻮد ﭼﻬﺎرم‬
‫ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ‬
‫‪0‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪6‬‬ ‫‪0.015‬‬
‫‪n‬‬
‫)اﻟﻒ(‬
‫‪-3‬‬
‫‪x 10‬‬ ‫‪0.01‬‬
‫‪13‬‬

‫‪11‬‬
‫‪0.005‬‬
‫‪9‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪6‬‬
‫ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ‬

‫‪n‬‬
‫‪7‬‬ ‫)ب(‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ 16‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ ﺻﻔﺤﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﺑﺮ )اﻟﻒ( ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎ )ب(‬
‫ﻣﻮد اول‬
‫‪5‬‬ ‫ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪SCSC‬‬
‫ﻣﻮد دوم‬
‫ﻣﻮد ﺳﻮم‬ ‫‪(906-n/06/90n)s/MRE/(906-n/06/90n)s‬‬
‫‪3‬‬
‫ﻣﻮد ﭼﻬﺎرم‬
‫در اداﻣﻪ‪ ،‬ﻣﻮد ﻫﺎي ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﺻـﻔﺤﻪ ﺳـﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑـﺮاي ﺳـﻪ ﺷـﺮط ﻣـﺮزي‬
‫‪1‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪6‬‬ ‫ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﺎ ﯾﮑﺪﯾﮕﺮ ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﻣﯽﺷﻮﻧﺪ‪ .‬ﺷﮑﻞﻫﺎي ‪ 18‬ﺗﺎ ‪ 21‬ﺗﻐﯿﯿﺮات ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي‬
‫‪n‬‬
‫اول ﺗﺎ ﭼﻬﺎرم را ﺑـﺮاي ﺻـﻔﺤﺎت ﺳـﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑـﺎ ﺷـﺮاﯾﻂ ﻣـﺮزي ‪ SCSC ،SSSS‬و‬
‫)ب(‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ 17‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ ﺻﻔﺤﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﺑﺮ )اﻟﻒ( ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎ )ب(‬
‫‪ CCCC‬ﺑﻪ ازاي ﺗﻐﯿﯿﺮات ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ ﺑﺨﺶ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﻫـﺮ ﯾـﮏ از‬
‫ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪CCCC‬‬
‫ﻻﯾﻪﻫﺎي ‪ 1‬و ‪ 3‬ﻧﺸﺎن ﻣﯽدﻫﺪ‪ .‬در ﺷﮑﻞ ‪ 18‬ﻣﺸﺎﻫﺪه ﻣﯽﺷـﻮد ﮐـﻪ اﻓـﺰاﯾﺶ ‪،n‬‬
‫‪(906-n/06/90n)s/MRE/(906-n/06/90n)s‬‬ ‫ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻬﯽ ﺑﺮ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﻤﻬﺎي اول ﺻﻔﺤﺎت ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷـﺮاﯾﻂ ﻣـﺮزي‬
‫‪SSSS‬و ‪ CCCC‬ﻧﺪارد‪ ،‬در ﺣﺎﻟﯽﮐﻪ در ﺻـﻔﺤﻪ ﺑـﺎ ﺷـﺮط ﻣـﺮزي ‪ ،SCSC‬اﻓـﺰاﯾﺶ‬
‫‪200‬‬ ‫ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ ﺻﻔﺤﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﮐﺎﻫﺶ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻪ ﻓﺮﮐـﺎﻧﺲ اول را‬
‫ﺑﻪدﻧﺒﺎل دارد‪ .‬در ﺷﮑﻞ ‪ ،19‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي دوم ﺻﻔﺤﺎت ﺳـﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑـﺎ ﺷـﺮاﯾﻂ‬
‫‪175‬‬ ‫ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﺎ ﯾﮑﺪﯾﮕﺮ ﻣﻘﺎﯾﺴﻪ ﺷﺪهاﻧﺪ‪ .‬ﻣﻼﺣﻈﻪ ﻣﯽﺷﻮد ﮐﻪ در ﺻﻔﺤﻪ داراي‬
‫ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪ SSSS‬ﺣﺪاﮐﺜﺮ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ در ‪ n=4‬و در ﺻـﻔﺤﻪ داراي ﺷـﺮط ﻣـﺮزي‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ اول )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫‪150‬‬
‫‪ SCSC‬ﺣﺪاﮐﺜﺮ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ در ‪ n=5‬رخ ﻣﯽدﻫـﺪ‪ .‬رﻓﺘـﺎر ﻓﺮﮐـﺎﻧﺲ دوم در ﺻـﻔﺤﻪ‬
‫‪SSSS‬‬ ‫داراي ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪ CCCC‬ﻧﯿﺰ ﺑﻪ ﺷﮑﻞ ﻧﻮﺳﺎﻧﯽ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ .‬ﺗﻐﯿﯿـﺮات ﻓﺎﺻـﻠﻪ‬
‫‪CCCC‬‬
‫‪SCSC‬‬ ‫ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ ﺻﻔﺤﻪ ﻣﯿـﺎﻧﯽ ﺑـﺮاي ﻓﺮﮐـﺎﻧﺲ ﺳـﻮم در ﺷـﮑﻞ ‪ 20‬ﺑـﻪ‬
‫‪125‬‬
‫ﻧﻤﺎﯾﺶ ﮔﺬاﺷﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ اﯾﻦ ﺷﮑﻞ‪ ،‬ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ ‪ n‬ﻋﻤﻮﻣ ًﺎ ﻓﺮﮐـﺎﻧﺲ‬
‫ﺳﻮم ﮐﺎﻫﺶ ﻣﯽﯾﺎﺑﺪ‪ ،‬ﺑﻪﺟﺰ در ﺻﻔﺤﻪ داراي ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪ CCCC‬ﮐﻪ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫـﺎ‬
‫‪100‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪6‬‬ ‫ﺑﻪﺻﻮرت ﻧﻮﺳﺎﻧﯽ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻣﯽﮐﻨﻨﺪ‪ .‬ﺑﻪﻋﻼوه‪ ،‬در ﺻﻮرﺗﯽﮐﻪ در ﺻﻔﺤﺎت ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫‪n‬‬ ‫ﺑــﺎ ﺷــﺮاﯾﻂ ﻣــﺮزي ‪ SSSS‬و ‪ SCSC‬از ﭼﯿــﺪﻣﺎن ‪ (06/906)s‬در ﻻﯾــﻪﻫــﺎي ‪ 1‬و ‪3‬‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ 18‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ روي ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ اول ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫‪(906-n/06/90n)s/MRE/(906-n/06/90n)s‬‬

‫ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﮏ ﻣﺪرس‪ ،‬ﺑﻬﻤﻦ ‪ ،1393‬دوره ‪ ،14‬ﺷﻤﺎره ‪11‬‬ ‫‪56‬‬

‫ ‬
‫ﻣﺤﻤﺪ ﺣﺴﯿﻦزاده و ﺟﻠﯿﻞ رﺿﺎﯾﯽ ﭘﮋﻧﺪ‬ ‫ﺑﻬﺒﻮد رﻓﺘﺎر ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﻣﺘﻌﺎﻣﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‬

‫ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎ‪ ،‬ﻣﯽﺗﻮاﻧﺪ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻧﻮع ﺳﺎزه و ﺷﺮاﯾﻂ ﮐﺎرﮐﺮد آن‪ ،‬ﺣﺎﻟﺖ ﺑﻬﯿﻨﻪ ﻣﻮرد‬
‫ﻧﻈﺮ ﺧﻮد را اﻧﺘﺨﺎب ﻧﻤﺎﯾﺪ‪.‬‬
‫‪ -4‬ﻧﺘﯿﺠﻪﮔﯿﺮي‬
‫در ﻣﻄﺎﻟﻌﻪ اﻧﺠﺎم ﺷﺪه‪ ،‬ﻣﺪل اﻟﻤﺎن ﻣﺤﺪود ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ‬
‫ام ‪-‬آر ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺗﺤﻠﯿﻞ ﻓﺮﮐﺎﻧﺴﯽ ﺳﺎزه ﻣﻮرد ﻧﻈﺮ اراﺋﻪ ﺷﺪ‪ .‬ﺑﺮاي اﯾﻦ ﻣﻨﻈﻮر از‬
‫ﯾﮏ ﻣﺪول ﻣﺨﺘﻠﻂ ﺑﺮاي ﻧﻤﺎﯾﺶ رﻓﺘﺎر ﭘﯿﺶ از ﺗﺴﻠﯿﻢ ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر‬
‫اﺳﺘﻔﺎده ﺷﺪ‪ .‬ﺑﺮرﺳﯽﻫﺎي اﻧﺠﺎم ﺷﺪه ﺑﺮ روي ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷﺮط ﻣﺮزي‬
‫‪ SSSS‬ﻧﺸﺎن داد ﮐﻪ ﺑﻪﻣﻨﻈﻮر ﺟﻠﻮﮔﯿﺮي از اﺗﻼف اﻧﺮژي ﺑﺮاي ﺗﻮﻟﯿﺪ ﻣﯿﺪان‬
‫ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‪ ،‬ﻧﯿﺎزي ﻧﯿﺴﺖ ﮐﻪ ﺷﺪت ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ از ﺣﺪ ﺧﺎﺻﯽ )‪600‬‬
‫ﮔﻮس( ﻓﺮاﺗﺮ رود‪ .‬زﯾﺮا‪ ،‬در ﺻﻮرت اﻋﻤﺎل ﻣﯿﺪان ﻫﺎي ﻗﻮﯾﺘﺮ رﻓﺘﺎر ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﺳﺎزه‬
‫ﺑﻪﻃﻮر ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻬﯽ ﺗﻐﯿﯿﺮ ﻧﺨﻮاﻫﺪ ﮐﺮد‪ .‬ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎي دﯾﮕﺮي ﮐﻪ ﻣﻮرد ﺑﺮرﺳﯽ‬
‫ﻗﺮار ﮔﺮﻓﺖ‪ ،‬ﻋﺒﺎرت ﺑﻮدﻧﺪ از ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ در ﻻﯾﻪﻫﺎي‬
‫ ‬
‫ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷﺮط ﻣﺮزي ‪ SCSC‬ﻋﻤﻮﻣﺎً اﯾﻦ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺳﯿﺮ ﻧﺰوﻟﯽ را ﻃﯽ‬
‫ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ .‬ﺑﻪﻋﺒﺎرت دﯾﮕﺮ‪ ،‬در اﯾﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺑﺎ اﻓﺰاﯾﺶ ‪ n‬ﺳﻔﺘﯽ ﺳﺎزه ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ ﮐﺎﻫﺶ‬
‫ﻣﯽﯾﺎﺑﺪ‪.‬‬
‫ﺑﺮرﺳﯽﻫﺎي اﻧﺠﺎم ﺷﺪه در اﯾﻦ ﺑﺨﺶ ﻧﯿﺰ ﺑﯿﺎﻧﮕﺮ اﯾﻦ ﻧﮑﺘﻪ ﺑﻮد ﮐﻪ ﻓﺎﺻﻠﻪ‬
‫ﻗﺮارﮔﯿﺮي ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﻧﻮد درﺟﻪ ﺗﺎ ﺻﻔﺤﻪ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﻫﺮ‬
‫ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﯿﮏ و ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ ﻧﻮع ﺷﺮط ﻣﺮزي ﻣﯽﺗﻮاﻧﺪ ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻬﯽ ﺑﺮ‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي ﺳﺎزه داﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﻨﺎﺑﺮاﯾﻦ‪ ،‬ﻃﺮاح ﺑﺎ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻦ ﺗﻤﺎﻣﯽ اﯾﻦ‬
‫‪400‬‬
‫‪370‬‬
‫‪330‬‬

‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ دوم )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫‪SSSS‬‬
‫اﻻﺳﺘﯿﮏ ‪ 1‬و ‪ 3‬و ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ‪ ،‬ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺗﺎ ﺑﺨﺶ ﻣﯿﺎﻧﯽ ﻫﺮ ﯾﮏ‬ ‫‪CCCC‬‬
‫‪SCSC‬‬
‫از ﻻﯾﻪﻫﺎي اﻻﺳﺘﯿﮏ اﻃﺮاف ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر ﮐﻪ ﺗﺎﺛﯿﺮ آنﻫﺎ روي ﺻﻔﺤﺎت‬ ‫‪290‬‬

‫ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﺮرﺳﯽ ﺷﺪ‪ .‬ﻧﺘﺎﯾﺞ ﻧﺸﺎن داد ﮐﻪ اﯾﻦ ﻋﻮاﻣﻞ‬
‫‪250‬‬
‫ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻬﯽ ﺑﺮ ﺳﻔﺘﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ دارﻧﺪ‪ .‬ﻧﮑﺘﻪ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻪ‬
‫در ﻣﻮرد ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﺑﺮ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎي ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ اﯾﻦ‬
‫‪210‬‬
‫ﺑﻮد ﮐﻪ در ﻣﻮد دوم ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﻫﻤﻪ ﺻﻔﺤﺎت ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ‪،‬‬ ‫‪0‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪6‬‬
‫ﺑﯿﺸﺘﺮﯾﻦ ﻣﻘﺪار ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺑﻪ ازاي ‪ 20‬ﻻﯾﻪ ﺻﻔﺮ درﺟﻪ در ﻫﺮ ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﯿﮏ رخ‬ ‫‪n‬‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ 19‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ روي ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ دوم ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫ﻣﯽداد‪ ،‬در ﺣﺎﻟﯽﮐﻪ در ﻣﻮدﻫﺎي ارﺗﻌﺎﺷﯽ دﯾﮕﺮ و در ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ‪،‬‬ ‫‪(906-n/06/90n)s/MRE/(906-n/06/90n)s‬‬
‫ﺑﯿﺸﺘﺮﯾﻦ ﺳﻔﺘﯽ ﺳﺎزه ﺑﻪ ازاي ﺗﻌﺪاد ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ ﻣﺘﻔﺎوﺗﯽ ﺣﺎﺻﻞ‬
‫ﻣﯽﺷﺪ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﯿﻦ‪ ،‬در ﻣﻮرد ﭘﺎراﻣﺘﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﺻﻔﺮ درﺟﻪ از ﺑﺨﺶ ﻣﯿﺎﻧﯽ‬ ‫‪500‬‬
‫ﻻﯾﻪﻫﺎي اﻻﺳﺘﯿﮏ ‪ 1‬و ‪ ،3‬ﻣﺸﺎﻫﺪه ﺷﺪ ﮐﻪ در ﺑﺮﺧﯽ از ﻣﻮدﻫﺎي ارﺗﻌﺎﺷﯽ‪ ،‬اﯾﻦ‬
‫ﭘﺎراﻣﺘﺮ ﺗﺎﺛﯿﺮ ﻗﺎﺑﻞ ﺗﻮﺟﻬﯽ ﺑﺮ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺳﺎزه ﻧﺪارد‪.‬‬ ‫‪450‬‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺳﻮم )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫‪ -5‬ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻋﻼﺋﻢ‬ ‫‪400‬‬

‫‪SSSS‬‬
‫ﻣﺎﺗﺮﯾﺲ ﺳﻔﺘﯽ ﮐﺸﺸﯽ‬ ‫‪A‬‬ ‫‪CCCC‬‬
‫‪350‬‬
‫ﻣﺎﺗﺮﯾﺲ ﮐﻮﭘﻠﯿﻨﮓ ﮐﺸﺶ ‪ -‬ﺧﻤﺶ‬ ‫‪B‬‬ ‫‪SCSC‬‬
‫ﻣﺎﺗﺮﯾﺲ ﺳﻔﺘﯽ ﺧﻤﺸﯽ‬ ‫‪D‬‬
‫‪300‬‬
‫ﻣﺪول ﺑﺮﺷﯽ ﻣﺨﺘﻠﻂ )‪(Pa‬‬ ‫*‪G‬‬
‫] ‪ [K‬ﻣﺎﺗﺮﯾﺲ ﺳﺨﺘﯽ‬ ‫‪250‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪6‬‬
‫] ‪ [M‬ﻣﺎﺗﺮﯾﺲ ﺟﺮﻣﯽ‬
‫‪n‬‬
‫ﺗﻮاﺑﻊ ﺷﮑﻞ‬ ‫‪ N‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ 20‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ روي ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺳﻮم ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫اﻧﺮژي ﺟﻨﺒﺸﯽ‬ ‫‪ T‬‬ ‫‪(906-n/06/90n)s/MRE/(906-n/06/90n)s‬‬
‫اﻧﺮژي ﭘﺘﺎﻧﺴﯿﻞ‬ ‫‪ V‬‬ ‫‪550‬‬
‫ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻻﯾﻪ ‪1‬‬ ‫‪ h1‬‬
‫ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻻﯾﻪ ‪2‬‬ ‫‪ h2‬‬ ‫‪500‬‬
‫ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻻﯾﻪ ‪3‬‬ ‫‪ h3‬‬
‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﭼﻬﺎرم )ﻫﺮﺗﺰ( ‬

‫ﻣﻮﻟﻔﻪ ﺟﺎﺑﻪﺟﺎﯾﯽ در راﺳﺘﺎي ﻣﺤﻮر ‪x‬‬ ‫‪ u‬‬

‫‪450‬‬
‫ﻣﻮﻟﻔﻪ ﺟﺎﺑﻪﺟﺎﯾﯽ در راﺳﺘﺎي ﻣﺤﻮر‪y‬‬ ‫‪ v‬‬ ‫‪SSSS‬‬
‫‪CCCC‬‬
‫ﻣﻮﻟﻔﻪ ﺟﺎﺑﻪﺟﺎﯾﯽ در راﺳﺘﺎي ﻣﺤﻮر ‪ z‬‬ ‫‪ w‬‬ ‫‪SCSC‬‬
‫‪ z ، y،x‬ﻣﺤﻮرﻫﺎي ﻣﺨﺘﺼﺎت‬ ‫‪400‬‬

‫ﻋﻼﯾﻢ ﯾﻮﻧﺎﻧﯽ‬
‫ﮐﺮﻧﺶﻫﺎي ﺑﺮﺷﯽ ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام ‪-‬آر‬ ‫‪γ~MRE‬‬ ‫‪350‬‬
‫‪0‬‬ ‫‪1‬‬ ‫‪2‬‬ ‫‪3‬‬ ‫‪4‬‬ ‫‪5‬‬ ‫‪6‬‬
‫ﮐﺮﻧﺶ ﺑﺮﺷﯽ‬ ‫‪g‬‬ ‫‪n‬‬
‫‪ ε x‬و ‪ ε y‬ﮐﺮﻧﺶﻫﺎي ﻧﺮﻣﺎل‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ 21‬ﺗﺎﺛﯿﺮ ﺷﺮاﯾﻂ ﻣﺮزي ﻣﺨﺘﻠﻒ روي ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﭼﻬﺎرم ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ‬
‫‪(906-n/06/90n)s/MRE/(906-n/06/90n)s‬‬

‫‪57‬‬ ‫ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﮏ ﻣﺪرس‪ ،‬ﺑﻬﻤﻦ ‪ ،1393‬دوره ‪ ،14‬ﺷﻤﺎره ‪11‬‬

‫ ‬
‫ﻣﺤﻤﺪ ﺣﺴﯿﻦزاده و ﺟﻠﯿﻞ رﺿﺎﯾﯽ ﭘﮋﻧﺪ‬ ‫ﺑﻬﺒﻮد رﻓﺘﺎر ارﺗﻌﺎﺷﯽ ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ ﺑﺎ ﻻﯾﻪﻫﺎي ﮐﺎﻣﭙﻮزﯾﺘﯽ ﻣﺘﻌﺎﻣﺪ ﺑﺎ اﺳﺘﻔﺎده از ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ﻫﻮﺷﻤﻨﺪ‬

[6] G. Y. Zhou, Q. Wang, Use of magnetorheological elastomer in an adaptive ‫ﺿﺮﯾﺐ اﺗﻼف ﻣﻮدال‬ η
sandwich beam with conductive skins. Part II: Dynamic properties,
International Journal of Solids and Structures, Vol. 43, pp. 5403-5420, ‫ﻣﻘﺎدﯾﺮ وﯾﮋه ﻣﺨﺘﻠﻂ‬ l
2006.
[7] H. X. Deng, X. L. Gong, Adaptive Tuned Vibration Absorber based on (kgm-3) ‫ﭼﮕﺎﻟﯽ‬ r
Magnetorheological Elastomer, Journal of Intelligent Material Systems
and Structures, Vol. 18, pp. 1205-1210, 2007. (Pa) ‫آر‬- ‫ﺗﻨﺶ ﺑﺮﺷﯽ ﻻﯾﻪ اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام‬ τ~MRE
[8] H. X. Deng, X. L. Gong, Application of magnetorheological elastomer to
vibration absorber, Communications in Nonlinear Science and Numerical ‫ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ‬ w
Simulation, Vol. 13, pp. 1938-1947, 2008. ‫ﺑﺎﻻﻧﻮﯾﺲﻫﺎ‬
[9] X. Zhang, S. Peng, W. Wen, W. Li, Analysis and fabrication of patterned
magnetorheological elastomers, Smart Materials and Structures, Vol. 17, ‫ﺷﻤﺎره ﮔﺮهﻫﺎي اﻟﻤﺎن‬ l
045001, pp. 1-5, 2008.
[10] Y. Q. Ni, Z. G. Ying, Z. H. Chen, Magnetorheological elastomer (MRE) ‫زﯾﺮﻧﻮﯾﺲﻫﺎ‬
based composite structures for micro-vibration control, Earthquake
Engineering and Engineering Vibration, Vol. 9, pp. 345-356, 2010. ‫ﻣﺴﺎﺣﺖ‬ A
[11] G. Hu, M. Guo, W. Li, H. Du, G. Alici, Experimental investigation of the
vibration characteristics of a magnetorheological elastomer sandwich
‫آر‬- ‫اﻻﺳﺘﻮﻣﺮ ام‬ MRE
beam under non-homogeneous small magnetic felds, Smart Materials (3 ‫ و‬1 ‫ﺷﻤﺎره ﻻﯾﻪ در ﺻﻔﺤﻪ ﺳﺎﻧﺪوﯾﭽﯽ )ﻻﯾﻪﻫﺎي‬ p
and Structures, Vol. 20, No. 12, pp. 1-7.
x ‫ﻣﺸﺘﻖ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ‬
[12] B. Nayak, S. K. Dwivedy, K. Murthy, Vibration analysis of a three-layer
magnetorheological elastomer embedded sandwich beam with ,x
y ‫ﻣﺸﺘﻖ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ‬
conductive skins using finite element method, in Proceedings of the
Institution of Mechanical Engineers, Part C: Journal of Mechanical
,y
Engineering Science, Vol. 227, No. 4, pp. 714-729, 2012.
[13] J. Y. Yeh, Vibration analysis of sandwich rectangular plates with ‫ ﻣﺮاﺟﻊ‬-6
magnetorheological elastomer damping treatment, Smart Materials and
[1] J. M. Ginder, M. E. Nichols, L. D. Elie, S. M. Clark, Controllable-stiffness
Structures, Vol. 22, 035010, pp. 1-8, 2013.
components based on magnetorheological elastomers, in Proceedings of
[14] Z. S. Fattahi, A. Zabihollah, Vibration of laminated composite structures
SPIE 3985, In: Wereley,N.M.(ed.), Smart and Materials: Smart Structures
integrated with magnetorheological fluid segments, Modarres
and Integrated Systems, pp. 418–425, 2000.
Mechanical Engineering, Vol. 13, No. 12, pp. 156-160, 2013. (In Persian)
[2] J. D. Carlson, M. R. Jolly, MR Fluid, Foam and Elastomer Devices,
[15] V. Rajamohan, S. Rakheja, R. Sedaghati, Vibration analysis of a partially
Mechatronics, Vol. 10, pp. 555-569, 2000.
treated multi-layer beam with magnetorheological fluid, Journal of
Sound and Vibration, Vol. 329, pp. 3451-3469, 2010. [3] Y. Shen, M. F. Golnaraghi, G. R. Heppler, Experimental Research and
[16] J. Rahiminasab, J. Rezaeepazhand, Aeroelastic stability of smart Modeling of Magnetorheological Elastomers, Journal of Intelligent
sandwich plates with electrorheological fluid core and orthotropic faces, Material Systems and Structures, Vol. 15, pp. 27-35, 2004.
Journal of Intelligent Material Systems and Structures, Vol. 24, No. 5, pp. [4] M. Kallio, The elastic and damping properties of magnetorheological
669-677, 2012. elastomers, Ph.D Thesis, VTT Publications 565. 146 p, Espoo 2005.
[17] J. Y. Yeh, L. W. Chen, Dynamic stability of a sandwich plate with a [5] H. X. Deng, X. L. Gong, L. H. Wang, Development of an adaptive tuned
constraining layer and electrorheological fluid core, Journal of Sound and vibration absorber with magnetorheological elastomer, Smart Materials
Vibration, Vol. 285, pp. 637-652, 2005. and Structures, Vol. 15, pp. 111–116, 2006.

11 ‫ ﺷﻤﺎره‬،14 ‫ دوره‬،1393 ‫ ﺑﻬﻤﻦ‬،‫ﻣﻬﻨﺪﺳﯽ ﻣﮑﺎﻧﯿﮏ ﻣﺪرس‬ 58