Características Físicas, Eléctricas y Aplicaciones de

Mosfet de Baja Señal, LDMOS,VDMOS.

Henry Vinicio Pilamala Sislema.
Informática y Eletrónica,
Escuela Superior Politécnica de Chimborazo
EC060155.
henry.pilamala@espoch.edu.ec
 Resumen- Este documento
presenta conceptos básicos
sobre Mosfet, empezando por
la clasificación de
empobrecimiento de tipo n y
p , enriquecimiento de tipo n
y p, dando hincapié en las
características físicas y se forma una placa de
eléctricas de estos. Cabe
recalcar que estos elementos
son de potencia y hay que
darles especial importancia.
Los dispositivos a tratar en la
parte final serán LDMOS,
VDMOS y de baja señal.
Palabras Clave- LDMOS,
VDMOS, Mosfet.
INTRODUCCIÓN
El transistor de efecto de
campo semiconductor de
óxido metálico (MOSFET)
ha llegado a ser uno de los
dispositivos más importantes
utilizados en el diseño y
construcción de circuitos
integrados para
computadoras digitales. Su
estabilidad térmica y otras
características generales
hacen que sean
extremadamente populares
en el diseño de circuitos de
computadora. Sin embargo,
por ser un elemento discreto
confinado en un contenedor
acopado, requiere un manejo
cuidadoso. Este documento
describe los tipos de
MOSFET los cuales son de
empobrecimiento y Para poder observar su
enriquecimiento así como
sus características y su
construcción básica.[1]
CONCEPTOS Y
CARACTERÍSTICAS DE
LOS TIPOS DE MOSFET
Es necesario partir de la
descripción y conceptos de
los elementos en baja
tensión, en este caso se hace
énfasis en los Mosfet de
enriquecimiento y Dependiendo de la magnitud
empobrecimiento de tipo n y
p. Se hace necesario la
diferenciación en su
construcción y recombinación entre los
características eléctricas
para entender su
funcionamiento y las
aplicaciones a las que puede
estar destinado el elemento.
Mosfet tipo
empobrecimiento
CANAL TIPO N:
En el MOSFET tipo
empobrecimiento de canal n
material tipo p a partir de
una base de silicio y se
conoce como sustrato que es
donde se construye el
dispositivo y generalmente
está conectada al terminal de
fuente. La fuente y el drenaje
están conectados mediante
contactos metálicos a dirección
regiones tipo n dopadas
vinculadas a un canal n. La
compuerta está conectada a
una delgada capa de SiO2
que sirve de aislante por lo
que no hay una conexión
eléctrica entre la terminal de
compuerta y el canal de un
MOSFET.
Fig. 1. MOSFET tipo
empobrecimiento de canal n
funcionamiento se conectan
los terminales de compuerta
y fuente, y se aplica un
voltaje del drenaje a la
fuente y el resultado es la
atracción del potencial
positivo en el drenaje por los
electrones libres del canal n;
por otro lado el potencial
negativo en la compuerta
tenderá a ejercer presión en
los electrones hacia el
sustrato tipo p y a atraer los
huecos del sustrato tipo p.
de la polarización negativa
establecida por VGS,
ocurrirá un nivel de
electrones y huecos que
reducirá el número de
electrones libres en el canal
n disponibles para
conducción. Cuanto más
negativa sea la polarización,
más alta será la tasa de
recombinación por lo que la
corriente de drenaje
resultante se reduce con la
polarización cada vez más
negativa de VGS. Por otro
lado para valores positivos
de VGS, la compuerta
positiva atraerá más
electrones del sustrato tipo p
y establecerá nuevos
portadores. A medida que el
voltaje de la compuerta a la
fuente continúa
incrementándose en la
positiva la
corriente de drenaje se
incrementará con rapidez.
[1]
Fig. 2. MOSFET tipo
empobrecimiento de canal n
con VGS 0 V y voltaje
aplicado VDD
Fig.3. Características de
drenaje y transferencia de
un MOSFET tipo
empobrecimiento de canal
n.
CANAL TIPO P:
La construcción de un
MOSFET tipo
empobrecimiento de canal p
es exactamente a la inversa
que la del tipo n, ahora el
sustrato es tipo n y el canal
tipo p. Las terminales no
cambian, pero las
polaridades del voltaje y las
direcciones de corriente se
invierten. Las características
de drenaje aparecerán
exactamente como en el caso
anterior pero VDS con
valores negativos, e ID
valores positivos como se
indica, y VGS con las
polaridades opuestas. La
inversión en VGS dará una
imagen de espejo (con
respecto al eje ID) para las
características de
transferencia. En otras
palabras, la corriente de
drenaje se incrementará
desde el valor de corte Vp en
la región positiva de VGS
hasta IDSS y luego
continuará incrementándose
con los valores negativos
crecientes de VGS. La
ecuación de Shockley sigue
siendo aplicable y sólo
requiere que se coloque el
signo correcto tanto para
VGS como para Vp en la
ecuación.[1]
Fig. 4. Construcción básica
de un MOSFET
de empobrecimiento tipo p
Fig. 5. Características de
drenaje y transferencia de
un MOSFET tipo
empobrecimiento de canal p
Mosfet de tipo
enriquecimiento
CANAL TIPO N:
Las características del
MOSFET tipo
enriquecimiento son muy
diferentes a las de los
MOSFET tipo
empobrecimiento a pesar de
que existen algunas
semejanzas en su
construcción y modo de
operación. La curva de
transferencia no está
definida por la ecuación de
Shockley y la corriente de
drenaje ahora es la de corte
hasta que el voltaje de la
compuerta a la fuente
alcance una magnitud
específica. En particular, el
control de corriente en un
dispositivo de canal n ahora
se ve afectado por un voltaje
positivo.
La construcción básica del
MOSFET tipo
enriquecimiento de canal n
se asemeja mucho a la del
MOSFET tipo
empobrecimiento de canal n.
Se forma una base de
material p conocido como
sustrato. La fuente y el
drenaje se conectan de nuevo
mediante contactos metálicos
a regiones tipo n dopadas,
pero en este caso no hay un
canal entre las dos regiones
tipo n dopadas. Ésta es la
diferencia principal entre la
construcción. La capa de
SiO2 sigue presente para
aislar la plataforma metálica
de la compuerta de la región
entre el drenaje y la fuente
pero, ahora, simplemente
está separada de una sección
del material tipo p.
Fig. 6. MOSFET tipo
enriquecimiento tipo n
Con un cierto voltaje
positivo de VDS, VGS de 0 V
y la terminal SS
directamente conectada a la
fuente, existen en realidad
dos uniones p-n polarizadas
en inversa en el sustrato p a
lo largo del borde de la capa
de SiO3 para que abandonen
el área y lleguen a regiones
más profundas del sustrato p.
El resultado es una región de
empobrecimiento cerca de la
capa aislante de SiO2 libre
de huecos pero aun así los
electrones en el sustrato tipo
p serán atraídos a la
compuerta positiva y se
acumularán en la región
cercana a la superficie de la
capa de SiO2. Conforme
VGS se incrementa, la
concentración de electrones
cerca de la superficie de
SiO3 se incrementa y con el
tiempo la región tipo n
inducida puede soportar un
flujo mensurable entra el
drenaje y la fuente. El nivel
de VGS que produce el siguiente relación no lineal:
incremento significativo de [1]
la corriente de drenaje se
llama voltaje de umbral y
está dado por el símbolo VT.
Conforme VGS se
incrementa más allá del
nivel de umbral, la densidad
de los electrones libres en el
canal inducido aumentará y
el resultado es el nivel
incrementado de la corriente
de drenaje. Sin embargo, si
mantenemos VGS constante
y aumentamos el nivel de
VDS, la corriente de drenaje
con el tiempo alcanzará un
nivel de saturación como Fig. 7. MOSFET tipo
ocurre en el MOSFET tipo enriquecimiento de canal n
empobrecimiento. La con VGS y voltaje VDS
nivelación de ID se debe a
un proceso de
estrangulamiento en el
extremo de drenaje del canal
inducido.[1]
Si aplicamos la ley de
voltajes de Kirchhoff a los
voltajes en las terminales del
MOSFET tendremos:
Si VGS se mantiene fijo y
VDS se incrementa
positivamente, el voltaje
VDG se reducirá la
compuerta se volverá cada Fig. 8. Trazo de las
vez más negativa con características de
respecto al drenaje. Esta transferencia de un
reducción del voltaje de la MOSFET tipo
compuerta al drenaje, a su enriquecimiento de canal n
vez, reducirá las fuerzas de a partir de las
atracción para los portadores características de drenaje.
libres (electrones) en esta
región del canal inducido, CANAL P:
provocando una reducción La construcción de un
en el ancho efectivo del MOSFET tipo
canal. A la larga, el canal se enriquecimiento de canal p
reducirá hasta el punto de es exactamente a la inversa
estrangulamiento y se de la de uno canal n. Es
establecerá una condición de decir, ahora hay un sustrato
saturación. tipo n y regiones tipo p
Para niveles de VGS dopadas bajo las conexiones
mayores VT, la corriente de del drenaje y la fuente. Las
drenaje está relacionada con terminales no cambian, pero
el voltaje de la compuerta a todas las polaridades del
la fuente aplicado por la voltaje y las direcciones de la
corriente se invierten.
Las características de
drenaje aparecerán con
niveles crecientes de
corriente a consecuencia de
los valores cada vez más
negativos de VGS.
Fig. 9. MOSFET tipo
enriquecimiento tipo p
Fig. 10. MOSFET tipo
enriquecimiento de canal
p con VT =2 V y
k =0.5 X10^-1 A/V2.
VDMOS
El MOSFET de estructura
vertical se desarrolló para
ocupar el lugar de los
transistores bipolares de
potencia. En la actualidad se
ha convertido en el
elemento más utilizado en
aplicaciones de baja y media
potencia por su
comportamiento casi ideal
como conmutador. Apareció
en 1976 y su principal
ventaja es que no necesita
corriente de entrada
(corriente de base) para su
funcionamiento, aunque sí
hay que cargar su capacidad
de puerta para controlarlo.
Por otra parte no sufre
fenómenos como la segunda
ruptura, la concentración de
corriente o la cola de
corriente al ser un
dispositivo que conduce por
portadores mayoritarios. De
hecho su comportamiento en
la zona óhmica, como su
nombre indica, es
puramente resistivo y la
corriente por el dispositivo
sólo depende de la tensión
aplicada entre drenador y
surtidor. Esto también limita
su utilización para
aplicaciones de media y baja
potencia ya que para niveles
de muy alta corriente la
caída de tensión y por tanto
la disipación de potencia se
hace inaceptable. Al igual
que en el transistor bipolar
se ha desarrollado una
estructura vertical para el
MOSFET con el objetivo de
reducir la resistencia del
canal. En la estructura
vertical la corriente circula
en sentido vertical a través
de un canal dispuesto con
esa misma orientación. La
primera estructura
desarrollada fue la VMOS.
[2]
Fig. 11. (a) MOSFET de
potencia de estructura
vertical VMOS. (b)
Circulación de la corriente
Dicha estructura
proporciona un área
máxima a los contactos de
drenador y surtidor a fin de
producir una baja resistencia
de contacto en los
terminales del encapsulado.
Entre las regiones de
drenador y surtidor se tienen
dos regiones de tipo p en las
cuales se forma el canal. La
longitud del canal "l" viene
determinada por las
profundidades relativas de
las sucesivas difusiones. Un
valor típico podría ser de
uno o dos micrómetros. La
región débilmente dopada n-
de drenador es utilizada en
los MOSFETs de potencia
para permitir un mayor
crecimiento de la zona de
agotamiento (al aumentar
VDS), permitiendo al
dispositivo bloquear altas
tensiones cuando está
cortado. Dado que la región
n- está menos dopada que la
p, la mayor parte de la zona
de agotamiento se extiende
sobre la zona n- . Al
aumentar VDS, la zona de
agotamiento crece pero, al
extenderse
fundamentalmente sobre la
región n- , el dispositivo es
capaz de bloquear mayores
tensiones.[2]
El funcionamiento del
VMOS es igual al de
cualquier otro MOSFET de
inducción pero la resistencia
de canal se habrá reducido a
1 Ω. Su transconductancia
es relativamente alta y la
longitud del canal también
corta. La máxima corriente
que puede circular a través
del dispositivo está limitada
por el efecto de
concentración de corriente
en el extremo de la "V". Por
otra parte, este extremo tan
abrupto causa que en el
estado de corte se desarrolle
una región local de alto
valor del campo eléctrico, lo
cual limita severamente la
máxima tensión VDS
aplicable al transistor. Para
corregir este problema se
han desarrollado otras
geometrías que permiten
reducir el campo eléctrico y
por tanto aumentar la
tensión máxima que soporta
el MOSFET. Una geometría
que corrige este problema es
la de tipo U. En ella se han
“redondeado” las esquinas y
así reducido el efecto bordes
causante de ambos
problemas.
Fig. 13. (a) Concentración
de corriente en un VMOS.
(b) MOSFET de potencia de
estructura vertical UMOS.
Una estructura vertical
conocida como VDMOS fue
desarrollada posteriormente.
Esta técnica utiliza la
técnica de doble difusión
para determinar la longitud
del canal "l" y soporta
verticalmente la tensión de
drenador en la capa n- . La
corriente fluye de forma
lateral desde la fuente a
través del canal, paralela a
la superficie del silicio, y
luego da un giro en ángulo
recto para fluir
verticalmente hacia abajo a
través de la zona n- al
substrato n+ y de ahí al
contacto de drenador. La
región de tipo p, en la que
se forma el canal si se aplica
una tensión de puerta
positiva suficientemente
grande, y la n+ de surtidor
se difunden de forma
sucesiva a través de la
misma ventana en la capa
de oxido. De esa forma, la
longitud del canal puede ser
controlada hasta por debajo
del micrómetro si fuera
necesario. Debido a las
concentraciones de
impurezas presentes en la
zona p y en la zona n- , la
zona de agotamiento que
soporta la tensión VDS se
extiende más hacia abajo en
la capa n- que lateralmente
en el canal.
A. LDMOS
Debido a la dificultad y
precisión necesaria de los
procesos de fabricación de
los dispositivos antecesores,
estos han sido sustituidos por
un tipo diferente de
transistor MOS vertical
llamado DMOS o “double
diffusion” MOS pues utiliza
el proceso de doble difusión
en su fabricación. Este
proceso se basa en que es
posible utilizar dos
difusiones sucesivas,
primeramente una difusión
de impurezas de tipo p y
posteriormente una de
impurezas de tipo n para
producir dos uniones p-n
cercanas a diferentes
profundidades por debajo de
la superficie del silicio. La
diferente extensión lateral de
las dos difusiones puede ser
utilizada para definir la
longitud del canal en el
MOS. Esta técnica fue
primeramente aplicada al
LDMOS o "lateral DMOS
transistor". La longitud del
canal ahora es dependiente
del control en las
extensiones laterales de las
sucesivas difusiones a través
de la misma ventana de
óxido.[2]

Fig. 13. Transistor LDMOS.

REFERENCIAS
[1] R. L. Boylestad, L.
Nashelsky, R. Navarro
Salas, and F. Rodríguez
Ramírez, Electrónica :
teoría de circuitos y
dispositivos electrónicos.
Pearson Prentice Hall,
2009.
[2] E. Sanchis and J. B. Ejea,
“A.3.2. Caracterización de
los transistores unipolares.”