LABORATORIO 5

TRANSISTORES BJT y FET

OBJETIVOS:
 familiarizar al estudiante con características particulares de diversos tipos de transistores.
 Analizar y comprender las diferentes etapas que conforman la aplicación del transistor.
 Identificar el papel del transistor como elemento de diseño como solucionador de problemas electrónicos
 Comparar los resultados teóricos con los prácticos observados durante el desarrollo de la práctica y
concluir de los alcances.
Procedimiento:
. Determine y tenga a su alcance los elementos y equipo necesario para el total y buen desarrollo de la
practica como son: Multímetro, osciloscopio, fuente D.C. de varios valores de voltaje, protoboard,
Transistores BJT (NPN y PNP) y FET`s (canal N y canal P) como el JFET BF256B, MOSFET 2n7000,
MOSFET BS170 entre otros o sus complementarios, resistencias fijas y variables de diferentes valores
en resistencia como en potencia y todos los elementos que usted considera necesarios para la
culminación de la practica.

1) Diseñe e Implemente un circuito en el cual con la ayuda de dos transistores BJT se obtenga un transistor o
configuración Darlington, polarizado en Divisor de voltaje. Determine y mida las corrientes y los voltajes en el
circuito. Use un voltaje de alimentación mayor a 12v y una RE con un valor comprendido entre 0.5k y 1.5k
(establezca su punto de trabajo lo mas colindante al punto medio)

2) Obtenga prácticamente los valores de IDSS y VGS (de apagado) de su JFET

3) Obtener las curvas características de un transistor JFET que

representan ID frente a VDS para diferentes valores de VGS,
por medio del montaje de la figura
V1= 12V; V2= 12V; P1= 1M; P2 = 10k y R1= 100. Para
sacar las curvas características se debe ajustar P1 de modo que
VGS = 0V. A continuación se varía P2 de forma que se obtengan
valores de VDS = 0V, 0.5V, 1V 1.5V y 3V midiendo para cada
caso ID. Para ello se empleará el osciloscopio y se repetirá el
proceso para cuando VGS valga –0.5V, -1V y así sucesivamente
hasta llegar a corte o apagado.
Segunda parte

4) Obtenga las curvas características un transistor MOSFET incrementar, construya el circuito para
obtener el comportamiento ID Vs VDS para 5 valores distintos en VGS, y ID Vs VDS para 5 valores
distintos en VDS, ¿cuál es la tensión de umbral de su transistor MOS usado?, ¿Cuál es el punto de
trabajo para que opere en la región de amplificación?

5. Realice el montaje de la figura, realice la respectiva polarización y

encuentre los valores teóricos, prácticos y simulados de las corrientes
y los voltajes de los circuitos y realice las respectivas comparaciones.
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S1 D1 1K
6- Determine el funcionamiento del circuito (corrientes y voltajes),
determine el comportamiento del condensador y que papel cumple en
M1
V1 el circuito, ¿Qué sucede si el valor del condensador se eleva mas de
100 veces? Tenga en cuenta que V1 = 10v
1M
1uf

7- Determine el funcionamiento del circuito (corrientes y voltajes),

calcule el valor de las resistencias para que su circuito conmute a una
frecuencia entre 5Hz y 15Hz y que se visualice en los leds .

Nota: presentar los datos teóricos y prácticos correspondientes en forma clara y ordenada, realizar las simulaciones
y graficas según sea el caso y obtenga las respectivas conclusiones