Laboratorio Análisis en DC y AC de

un BJT
Hamilton Figueroa López – 42151075
Hfigueroa75@unisalle.edu.co

1. OBJETIVOS
1.1. Objetivos generales

 Calcular y simular diferentes circuitos de un transistor BJT,

analizar su funcionamiento y entender las distintas formas de
polarización.
1.2. Objetivos específicos

2. MARCO TEORICO
2.1. Funcionamiento del circuito y fundamentos teóricos
2.2. Esquema del circuito se debe presentar en fondo blanco y las líneas y los
elementos del esquema en color negro
2.4. Formas de onda de entrada y salida
2.5. Cálculos teóricos
2.6. Leyes o principios
2.7. Gráficos esperados que relacionen las variables a probar en la práctica

3. EQUIPO
3.1. Listado del equipo empleado en la práctica
3.2. Listado de materiales, con referencias y valores

3. PROCEDIMIENTO

1. For the network of Fig. 1:

a. Determine Z i and Z o.
b. Find Av.
c. Repeat parts (a) and (b) with ro = 20 kΩ
 Fig. 1

A)

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐵 ∗ 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
12𝑉 − 0.7
𝐼𝐵 = = 51.36µ𝐴
220𝑘Ω
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 60 ∗ 51.36µ𝐴 = 3.08𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
𝐼𝐸 = 51.36µ𝐴 + 3.08𝑚𝐴 = 3.13𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶
𝑉𝐵 = 0.7𝑉
𝑉𝐸 = 0𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 12 − (3.08𝑚𝐴) ∗ (2.2𝑘Ω) = 5.22𝑉
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 = 5.26𝑉
2. For the network of Fig. 2:
a. Determine Z i and Z o.
b. Find Av.
c. Repeat parts (a) and (b) with ro = 20 kΩ

Fig. 2

𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 − 𝑉𝐸

𝑉𝐶𝐸 = 20𝑉 − 4.79𝑚𝐴 ∗ 2.2𝐾Ω − 4.86𝑚𝐴 ∗ 1.2𝐾Ω = 3.688

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 20𝑉 − 0.7𝑉

𝐼𝐵 = = = 34.51µ𝐴
𝑅𝐵 + (𝐵 + 1)𝑅𝐸 390𝐾Ω + (141) ∗ 1.2𝑘Ω
𝐼𝐸 = (𝐵 + 1)𝐼𝐵 = (141) ∗ (34.51µ𝐴) = 4.86𝑚𝐴
 26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 5.349Ω
𝐼𝐸 4.86𝑚𝐴

A)

Se somete a prueba la siguiente condición

𝑟𝑜 ≥ 10(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

100𝐾Ω ≥ 10(2.2𝐾Ω + 1.2𝐾Ω)

100𝐾Ω ≥ 10(3.4𝐾Ω) = 34𝐾Ω

𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ||𝑍′𝑖
𝑍𝑖 = 390𝐾Ω||𝑍′𝑖
𝑍′𝑖 = 𝐵(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 ) = 140 ∗ (5.349Ω + 1.2𝐾Ω)

𝑍′𝑖 = 168.74𝐾Ω
𝑍𝑖 = 390𝐾Ω||168.74𝐾Ω
𝑍𝑖 = 117.78𝐾Ω
𝑍𝑂 ≅ 𝑅𝐶 = 2.2𝐾Ω
B)

Si se satisface la siguiente condición

𝑟𝑜 ≥ 10𝑅𝐶
100𝐾Ω ≥ 10 ∗ 2.2𝐾Ω = 22𝐾Ω
𝑉𝑜 𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 2.2𝐾Ω
𝐴𝑣 = = = = 1.825
𝑉𝑖 𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 5.349Ω + 1.2𝐾Ω
3. For the network of Fig. 3:
a. a. Determine r e.
b. b. Find Z i and A v.

Fig. 3

𝑅𝐸 = 1.2𝐾Ω + 0.47𝐾Ω = 1.67𝐾Ω

𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 3.707𝑚𝐴 ∗ 1.67𝐾Ω = 6.19𝑉

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ 𝑅𝐶 − 𝑉𝐸 = 22𝑉 − 3.75𝑚𝐴 ∗ 5.6𝐾Ω − 6.19𝑉 = −5.19𝑉

a)
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 22𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 = = = 45.77µ𝐴
𝑅𝐵 + (𝐵 + 1)𝑅𝐸 330𝐾Ω + (81) ∗ 1.67𝑘Ω
 𝐼𝐸 = (𝐵 + 1)𝐼𝐵 = (81) ∗ (45.77µ𝐴) = 3.707𝑚𝐴
26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 7.013Ω
𝐼𝐸 3.707𝑚𝐴
b)

Se somete a prueba la siguiente condición

𝑟𝑜 ≥ 10(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
40𝐾Ω ≥ 10(5.6𝐾Ω + 1.67𝐾Ω)
40𝐾Ω ≥ 10(7.27𝐾Ω) = 72.7𝐾Ω

𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ||𝑍′𝑖
𝑍𝑖 = 330𝐾Ω||𝑍′𝑖
𝑍′𝑖 = 𝐵(𝑟𝑒 + 𝑅𝐸 ) = 81 ∗ (7.013Ω + 1.67𝐾Ω)

𝑍′𝑖 = 135.83𝐾Ω
𝑍𝑖 = 390𝐾Ω||135.83𝐾Ω

𝑍𝑖 = 100.74𝐾Ω
c)

𝑍𝑂 ≅ 𝑅𝐶 = 5.6𝐾Ω
d)

Si se satisface la siguiente condición

𝑟𝑜 ≥ 10𝑅𝐶
40𝐾Ω ≥ 10 ∗ 5.6𝐾Ω = 56𝐾Ω
𝑉𝑜 𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 5.6𝐾Ω
𝐴𝑣 = = = = 798.51
𝑉𝑖 𝑟𝑒 7.013Ω
4. For the network of Fig. 4:
a. Determine re.
b. Calculate V B, V CE, and VCB.
c. Determine Z i and Z o.
d. Calculate A v
e. Determine A i

Fig. 4
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

16𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 = = 26.85µ𝐴
270𝑘Ω + (110 + 1) ∗ 2.7𝐾Ω
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 110 ∗ 26.85µ𝐴 = 2.95𝑚𝐴
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶
𝐼𝐸 = 26.85µ𝐴 + 2.95𝑚𝐴 = 2.97𝑚𝐴
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 = 16𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 16𝑉 − 2.7𝐾Ω ∗ 2.97𝑚𝐴 = 7.9𝑉
𝑉𝐸 = (2.7𝐾Ω) ∗ (2.97𝑚𝐴) = 8.01𝑉
 𝑉𝐵 = 8.01 + 0.7𝑉 = 8.7𝑉

5. For the network of Fig. 5:

a. Determine AvNL, Z i, and Z o .
b. Determine AvL and Avs.
c. Calculate AiL.
d. Change RL to 5.6 kΩ and calculate Avs. What is the effect of increasing levels of RL on
the gain?
e. Change Rs to 0.5 kΩ (with RL at 2.7 kΩ) and comment on the effect of reducing
Rs on Avs.
f. Change RL to 5.6 kΩ and R s to 0.5 kΩ and determine the new levels of Z i and Z o.
How are the impedance parameters affected by changing levels of RL and Rs ?

Fig. 5

6. For the network of Fig. 6:

a. Determine AvNL, Z i , and Z o .
b. Determine AvL and Avs.
c. Change Rs to 1 kΩ and determine AvL and Avs. What is the effect of increasing
levels of Rs on the voltage gains?
d. Change R s to 1 kΩ and determine AvNL, Z i , and Z o . What is the effect of
increasing levels of Rs on the parameters?
e. Change R L to 5.6 kΩ and determine AvL and Avs. What is the effect of
increasing levels of RL on the voltage gains? Maintain Rs at its original level of 0.6 kΩ.
f. Determine Ai = Io/ Ii with RL = 2.7 kΩ and Rs = 0.6 kΩ.
 Fig. 6

𝑅1 ∗ 𝑅2 91𝐾Ω ∗ 12𝐾Ω
𝑅𝑇𝐻 = = = 10.6𝐾Ω
𝑅1 + 𝑅2 91𝐾Ω + 12𝐾Ω
12𝐾Ω
𝑉𝑇𝐻 = 20𝑉 ∗ = 2.33𝑉
91𝐾Ω + 12𝐾Ω
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐸 − 𝑅𝐶 ∗ 𝐼𝐶
𝑉𝐶𝐸 = 20𝑉 − 6.8𝐾Ω ∗ 1.26𝑚𝐴 − 1.2𝐾Ω ∗ 1.27𝑚𝐴 = 9.91𝑉

a)
𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 2.33𝑉 − 0.7𝑉
𝐼𝐵 = = = 10.46µ𝐴
𝑅𝑇𝐻 + (𝐵 + 1)𝑅𝐸 10.6𝐾Ω + (121) ∗ 1.2𝐾Ω
𝐼𝐸 = (𝐵 + 1)𝐼𝐵 = (121) ∗ (10.46µ𝐴) = 1.26𝑚𝐴
26𝑚𝑉 26𝑚𝑉
𝑟𝑒 = = = 20.63Ω
𝐼𝐸 1.26𝑚𝐴
b)
𝑍′𝑖 = 𝐵𝑟𝑒 + (𝐵 + 1)𝑅𝐸 = (121) ∗ (20.63Ω) + (121) ∗ (830.7𝐾Ω)

𝑍′𝑖 = 103.01𝐾Ω
𝑍𝑖 = 𝑅𝐵 ||𝑍 ′ 𝑖 = 10.6𝐾Ω||103.01𝐾Ω = 9.6𝐾Ω

c)
𝑅𝐶 ≅ 𝑍𝑂 = 6.8𝐾Ω

d)
 𝑉𝑜 𝑅𝐶 6.8𝐾Ω
𝐴𝑣 = = = = 7.98
𝑉𝑖 𝑅𝐸 +𝑟𝑒 830.7Ω + 20.63Ω
e)
𝑅𝐵 91𝐾Ω
𝐴𝑖 = 𝛽 ∗ = 120 ∗ = 116.822
𝑅𝐵 + 𝛽𝑟𝑒 91𝐾Ω + 120 ∗ 20.63Ω

5. ANALISIS DE RESULTADOS
5.1 Con los resultados consignados en las tablas, los datos experimentales,
las mediciones directas indirectas, datos simulados, gráficos se realiza una
comparación para determina el porcentaje de error y las posibles causas.
Aquí será donde se justifican las conclusiones y la confiabilidad del
laboratorio.

6. CONCLUSIONES
6.1. Parte de estas son el resumen de los resultados
6.2. Su fundamento esta en los resultados, en el análisis de resultados, y en
los objetivos.
6.3. Describir las enseñanzas y las experiencias que le dejo el desarrollo del
laboratorio.

7. BIBLIOGRAFIA
En esta sección se incluye únicamente la bibliografía citada o consultada.
Para facilitar su consulta, se ordena alfabéticamente por apellidos.

8. ANEXO 1:
En esta sección se incluye únicamente los resultados obtenidos de las
simulaciones, como son gráficos, formas de onda, magnitudes, esquemas.
Se debe organizar una carpeta para los resultados de las etapas de potencia
y en otra los resultados de las etapas de control.

9. ANEXO 2:
En esta sección se incluye únicamente los resultados obtenidos de las
mediciones con el osciloscopio, como son formas de onda, magnitudes.
 Estas formas de onda se deben tomar del osciloscopio con una USB y
traerlas al informe.

10. ANEXO 3:
En esta sección se incluye únicamente los datasheet de los elementos
utilizados en la práctica, como por ejemplo, sensores, resistencia especiales,
diodos, transistores, SCR, etc.

11. ANEXO 4:
En esta sección se incluye únicamente los ejecutables de las simulaciones
de las etapas de potencia y de control.

Con respecto a los programas en C desarrollados para los controladores

cuando se utilizan PIC’s, se deben incluir en un bloc de notas el listado del
código debidamente comentado en cada una de sus instrucciones y en otro
bloc de notas el código hexadecimal de cada programa.

OBSERVACION:
No se debe realizar el informe sobre el
formato de la guía, el informe debe ser
construido en un documento en formato
word, con las partes relacionadas en este
documento.