INFORME PREVIO N°1: AMPLIFICADOR MULTIETAPA.

I. OBJETIVO
Diseñar, simular, implementar y analizar, la ganancia y respuesta en frecuencia de un
amplificador lineal.

II. EQUIPOS Y MATERIALES

 01 Osciloscopio
 01 Generador de Señales de Baja Frecuencia
 01 Multímetro Digital
 01 Fuente DC
Lista de componentes:
 Transistores:
𝑄1, 𝑄2, 𝑄3, 𝑄4 2𝑁2222𝐴
 Resistencias:
𝑅1, 𝑅𝐿 10𝐾𝛺
𝑅2 100𝐾𝛺
𝑅3, 𝑅9 68𝐾𝛺
𝑅4, 𝑅8 2.2𝐾𝛺
𝑅5, 𝑅11 3.9𝐾𝛺
𝑅6, 𝑅13 3.3𝐾𝛺
𝑅7, 𝑅14 100𝛺
𝑅9 68𝐾𝛺
𝑅10 22𝐾𝛺
𝑅12 1.5𝐾𝛺
𝑅15 680𝛺
 Capacitores:
𝐶1, 𝐶4 0.22𝜇𝐹
𝐶2, 𝐶5 47𝜇𝐹
𝐶3 0.15𝜇𝐹
𝐶6 1.8𝑛𝐹
𝐶7 1.2𝑛𝐹

III. PROCEDIMIENTO

1. Detallar las condiciones para los que un BJT y/o FET puede operar en baja frecuencia:

El análisis del transistor como amplificador se hace bajo condiciones donde se encuentra
linealidad entre las características de la señal de entrada y la de salida. Estas son la de tener
pequeña amplitud y baja frecuencia. Pasada esta frecuencia, entra a consideración las
capacidades internas del dispositivo como la capacidad de la juntura BE y BC, que con el efecto
Miller forman una dependencia con las altas frecuencias muy limitantes por los efectos sobre
sintonización de señales, que en esos casos son moduladas. Además se puede despreciar el efecto
de la resistencia r0 en el modelo híbrido π.
 2. Para la primera etapa 𝑄1 − 𝑄2 del circuito en estudio, escriba la ecuación 𝑑𝐼𝐶2 ⁄𝑑𝑇 ,
tal que 𝐼𝐶2 = 𝑓(𝐼𝐶𝐵0 , 𝑉𝐵𝐸 ) y considerando que los BJT son de silicio:

Tomando en cuenta solo la primera etapa del amplificador, tomaremos el circuito de la Fig.1.
Desarrollaremos la variación de la corriente del colector (𝑰𝒄𝟐 ) con la temperatura, también
conocida como estabilidad en el punto de trabajo.

Teniendo en cuenta que la corriente de

polarización inversa de la juntura Base-Colector
(𝑰𝑪𝑩𝟎 ) es fuertemente dependiente de la
temperatura la tendremos en cuenta al momento
de desarrollar las mallas en el circuito. Sabemos
que:

𝐼𝐶2 = 𝛼𝐼𝐸2 + 𝐼𝐶𝐵0 (1)

Además:
𝐼𝐸2 = 𝐼𝐶2 + 𝐼𝐵2 (2)

𝛽 = 𝛼/(1 − 𝛼) (3)

𝛽 + 1 = 1/(1 − 𝛼) (4)
Fig. 1. Primera etapa del circuito amplificador.
Se analizará la estabilidad en el punto de
trabajo de Q2.

Reemplazando ecuación (2) en ecuación (1):

𝐼𝐶2 = 𝛼( 𝐼𝐶2 + 𝐼𝐵2 ) + 𝐼𝐶𝐵0 (5)

𝐼𝐶2 = [𝛼/(1 − 𝛼)]𝐼𝐵2 + [1/(1 − 𝛼)]𝐼𝐶𝐵0 (6)

Reemplazando (3) y (4) en (6):

𝐼𝐶2 = 𝛽𝐼𝐵2 + (𝛽 + 1)𝐼𝐶𝐵0 (7)

Ahora desarrollaremos las mallas del circuito de la Fig. 1. Para relacionar 𝑰𝑪𝟐 con 𝑽𝑩𝑬 .

Analizando Q1 obtenemos lo siguiente:

𝑉𝑡ℎ – 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐵1 (𝑅1//𝑅2) + 𝐼𝐸1 𝑅4 (8)

𝑉𝑡ℎ – 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐵1 [(𝑅1//𝑅2) + (𝛽 + 1)𝑅4] (9)

𝐼𝐵1 = (𝑉𝑡ℎ – 𝑉𝐵𝐸 )/ [(𝑅1//𝑅2) + (𝛽 + 1)𝑅4] (10)

𝐼𝐸1 = (𝛽 + 1)(𝑉𝑡ℎ – 𝑉𝐵𝐸 )/ [(𝑅1//𝑅2) + (𝛽 + 1)𝑅4] (11)

Analizando Q2 obtenemos:

𝐼𝐸1 𝑅4 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝐼𝐸2 𝑅6 (12)

Usando (11) en (12):

(𝛽 + 1)(𝑉𝑡ℎ – 𝑉𝐵𝐸 )𝑅4/ [(𝑅1//𝑅2) + (𝛽 + 1)𝑅4] − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐸2 𝑅6 (13)

𝐼𝐵2 = (1/𝑅6)[(𝑉𝑡ℎ – 𝑉𝐵𝐸 )𝑅4/ [(𝑅1//𝑅2) + (𝛽 + 1)𝑅4] − 𝑉𝐵𝐸 /(𝛽 + 1)] (14)

𝑉𝑡ℎ𝑅4 𝑅4 1
𝐼𝐵2 = −{ + }𝑉 (15)
𝑅6[(𝑅1//𝑅2) + (𝛽 + 1)𝑅4] 𝑅6[(𝑅1//𝑅2) + (𝛽 + 1)𝑅4] 𝑅6(𝛽 + 1) 𝐵𝐸

Hacemos a las constantes de la ecuación anterior, A y B para facilitar el cálculo.

Ahora reemplazaremos (15) en (7):

𝐼𝐶2 = 𝛽(𝐴 − 𝐵𝑉𝐵𝐸 ) + (𝛽 + 1)𝐼𝐶𝐵0 (16)

Para ver la variación de IC2 con la temperatura diferenciaremos la ecuación (16) con respecto a
la temperatura.

𝑑𝐼𝐶2 𝑑(𝛽(𝐴 − 𝐵𝑉𝐵𝐸 ) + (𝛽 + 1)𝐼𝐶𝐵0 )

= (17)
𝑑𝑇 𝑑𝑇

𝑑𝐼𝐶2 𝑑(𝛽(𝐴 − 𝐵𝑉𝐵𝐸 )) 𝑑((𝛽 + 1)𝐼𝐶𝐵0 )

= + (18)
𝑑𝑇 𝑑𝑇 𝑑𝑇

Se considera como regla práctica:

𝑑𝑉𝐵𝐸
= −2.5 𝑚𝑉/º𝐶 (19)
𝑑𝑇

Además:
𝑇−25
𝐼𝐶𝐵0 (𝑇) = 𝐼𝐶𝐵0(25º𝐶) 2 8 (20)

𝑇−25
𝑑𝐼𝐶𝐵0 (𝐼𝐶𝐵0(25º𝐶) 2 8 𝑙𝑛 2)
= (21)
𝑑𝑇 8

Entonces reemplazando (19) y (21) en (18):

𝑻−𝟐𝟓
𝒅𝑰𝑪𝟐 𝑹𝟒 𝟏 (𝑰𝑪𝑩𝟎(𝟐𝟓º𝑪) 𝟐 𝟖 𝒍𝒏 𝟐)
= 𝟐. 𝟓𝜷 { + } + (𝜷 + 𝟏)
𝒅𝑻 𝑹𝟔[(𝑹𝟏//𝑹𝟐) + (𝜷 + 𝟏)𝑹𝟒] 𝑹𝟔(𝜷 + 𝟏) 𝟖

3. Fundamente las razones por los que se diseña la ganancia y otros parámetros de un
amplificador independiente del ℎ𝑓𝑒 , ℎ𝑖𝑒 , 𝑒𝑡𝑐 ; del BJT por ejemplo:

Se diseña la ganancia y otros parámetros de un amplificador independiente del 𝒉𝒇𝒆 y 𝒉𝒊𝒆

porque estos parámetros tienen una fuerte dependencia de la temperatura, la corriente del
colector y otros parámetros del circuito que puedan hacer variar la operación del amplificador, y
trayendo como resultado la inestabilidad y variación de la ganancia, el cual ya es algo
inaceptable.
4. Diseñe el circuito amplificador bajo las siguientes premisas:
o Fuente de Operación DC 12𝑉
o Elementos activos 2𝑁2222𝐴 𝑜 𝑠𝑖𝑚𝑖𝑙𝑎𝑟
o Señal de prueba de 10𝑚𝑉 𝑐𝑜𝑛 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 10𝐾𝛺
o Corrientes ICQ 𝑚𝑎𝑦𝑜𝑟 𝑜 𝑖𝑔𝑢𝑎𝑙 𝑎 1𝑚𝐴
o Frecuencias de corte 𝑓𝑖 = 100𝐻𝑧 𝑦 𝑓𝑠 = 5𝐾𝐻𝑧
o Ganancia a frecuencia media 350(𝑎𝑝𝑟𝑜𝑥)

R5
R1 R2
3.9kΩ R6
V1 100kΩ 2.2kΩ R3 R4 C5
12V 3.3kΩ
3.3kΩ 68kΩ
C2
1.2nF C6
C3 Q3
1.8nF
2N2222
Q4 0.22µF
0.15µF
2N2222 R7
Q2
2N2222 10kΩ
Q1
C1 2N2222

0.22µF
R12
R16 22kΩ R14
R10 R13
10kΩ 0.1kΩ
0.1kΩ 1.5kΩ
R8 R9
68kΩ 3.9kΩ
C7
R15
V3 47µF
R11 C4 0.68kΩ
10Vrms
2.2kΩ 47µF
1kHz
0°

5. Simular el circuito y grafique los principales parámetros del amplificador:

-Salida de la señal
 -Amplitud:

-Fase:

6. Presentar los diagramas de Bode obtenidos en la simulación:

*Sean los puntos señalados:

-BODE V2/V1

-BODE V6/V1

-BODE V7/V6
-BODE V9/V1

-BODE V12/V9
-BODE V15/V12

-BODE V16/V12
 -BODE V16/V1

IV. BIBLIOGRAFÍA

 https://es.slideshare.net/JonathanRuizdeGaribay/amplificadores-multietapa
 https://es.scribd.com/document/232743419/AMPLIFICADOR-MULTIETAPA
 https://es.scribd.com/document/166999863/Previo-1-Laboratorio-de-Electronica-II-
Amp-multietapa
 https://es.scribd.com/document/216063097/Informe-Previo-del-Laboratorio-
N%C2%BA1-Amplificador-Multietapa
 https://www.coursehero.com/file/23697823/previo-1-Puente/
 https://es.scribd.com/document/332460391/Informe-N-4-Amplificadores-Multietapas-
pdf