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ELECTRICA
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS II
CONFIGURACION DARLINGTON
I. OBJETIVOS:
transistorizado
Fig. 2.1
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y
ELECTRICA
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS II
𝑉1 ∗ 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = = 9.2307𝑉 = 9𝑉
𝑅2 + 𝑅1
𝐼𝐸 ≡ 𝐵𝐷 ∗ 𝐼𝐵
𝐼𝐵 = 0.5184𝑢𝐴
𝐼𝐸 = 5.1843𝑚𝐴
𝑉𝐸 = 𝑅4 ∗ 𝐼𝐸
𝑉𝐸 = 7.7764𝑉
𝐼𝐸 ≡ 𝐼𝐶
𝐼𝐶 ≡ 5.1843𝑚𝐴
𝑉𝐵 = 𝑉𝐸 + 1.4 = 9.1764𝑉
𝑉𝐶 = 15𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 = 7.2236𝑉
IMPEDANCIA DE ENTRADA
UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y
ELECTRICA
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS II
𝑍𝑖𝑞1 = 𝐵 ∗ (𝑟 ′ 𝑒1 + 𝑍𝑖𝑞2)
𝑍𝑖𝑞2 = 𝐵 ∗ 𝑟 ′ 𝑒2
25𝑚𝑉
𝑟 ′ 𝑒2 = = 4.8222Ω
𝐼𝐸2
25𝑚𝑉
𝑟 ′ 𝑒1 = = 482.2251Ω
𝐼𝐸1
𝐼𝐶
𝐼𝐸1 = 𝐼𝐵2 = = 51.843𝑢𝐴
𝐵
𝑍𝑖 = (𝑍𝑖𝑞1||𝑅3) + 𝑅𝐸 = 52395.0396Ω
GANANCIA DE CORRIENTE
𝐼𝑖 ∗ 𝑅3
𝐼𝐵𝑟𝑒1 =
𝐵𝑟𝑒1 + 𝑅3
𝐼𝑖 ∗ 𝐵𝑟𝑒
𝐼𝑅3 =
𝐵𝑟𝑒 + 𝑅3
𝐼𝑜 = 0.7735𝐴
𝐼𝑜
= 1.006𝑀
𝐼𝑖
GANANCIA DE VOLTAJE
𝑉𝑜 = 𝐼𝑜 ∗ 𝑅𝐸
𝑉𝑖 = 𝐼𝑖(𝑍𝑖)
𝑉𝑜 𝐼𝑜 ∗ 𝑅𝐸
= = 63.42𝑘
𝑉𝑖 𝐼𝑖(𝑍𝑖)
4. indique el objetivo de utilizar la Red constituida por R1, R2, R3, C2, en el
1 ORC
1 MULTIMETRO
1 GENERADOR DE SEÑALES
1 FUENTE DE DC
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LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS II
2 TRANSISTORES 2N2222
IV. PROCEDIMEINTO
4. Mida:
AV=Vo/Vg=……………. AI=Io/If=………………………
Zi=Vg/If=……………….
Zo=……………
V. BIBLIOGRAFIA: