Universidad Tecnológica de Tlaxcala TSU.

Mecatrónica
Electrónica Analógica
Practica 5. Transistores
2° C Matutino, Alumno (s):
Daniel Magdaleno Gutiérrez, Fabián Antonio Fernández Fernández, Brenda Carrillo Roldán, Susana
Rodríguez Zamora.

Profesor:
Jonathan Gutiérrez Atecpanecatl
Materiales

IMAGEN DESCRIPCIÓN
Resumen
Resistencias:
En la práctica se realizó la conexión de transistores 2N2222  110Ω (1)

tipo NPN y que por medio de este se encontrará lo que se

indica en la realización de estos. En estas prácticas se Diodos:

obtuvieron voltajes sobre cada una de las resistencias,  1N4007 (1)

voltaje de base, voltaje de colector, voltaje base emisor,

voltaje colector emisor, y de igual manera, la obtención de  Multímetro.

las corrientes como lo son: la corriente de base. Corriente

de colector, potencia y la determinación de la zona activa  Fuente de

directa. alimentación.

 Protoboard.

Objetivo
El alumno deberá realizar conexiones y mediciones en cada
uno de los circuitos, obteniendo voltajes, corrientes, directa
mediante la analización de cada circuito para hací poder
obtener lo antes mencionado con las leyes de voltaje de
Kirchhoff, así como con la ayuda de β poder encontrar
nuestras corrientes.
Introducción
Los transistores sirven para simplificar las señales
digitales. Como ya lo sabemos, un transistor surge de los
diodos, existen transistores de dos tipos, los cuales son el
tipo NPN y el PNP, el tipo NPN esta conformado de un
material tipo P entre dos materiales de tipo N, el transistor

[1]
tipo PNP esta conformado como un material tipo N entre
dos materiales tipo P.
Estructura de un transistor.
Como ya sabemos los materiales tipo n son aquellos que
son portadores de electrones y los materiales tipo p son
aquellos que poseen huecos. Sus características de un
transistor es que tienen una beta de CC y una beta de C.A.,
y para poder elegir una beta se necesita obtener la
corriente necesaria para poder tener una ganancia.
IE
β=
IB
Como lo habíamos mencionado anteriormente, un
transistor esta formado por un diodo, y de estos hay
transistores de silicio y germanio, que el transistor de
silicio tiene un voltaje de 0.7V y un transistor de germanio
tiene un voltaje de 0.3V.
El transistor es un materia extrínseco ya que es dopado
trivalente y un dopado pentavalente, estos están ubicados
en el tipo P y el tipo N, que contienen distintos materiales
de dopaje.
DESARROLLO
[2]
Físico
1.-Se conectó en el transistor 2N2222 de tipo NPN en el
protoboard.
2.-se conectó una resistencia de 1mΩ con una terminal
conectada hacia la parte positiva de la fuente y la otra
terminal hacia la base del transistor.
3.- se conectó una resistencia de 3.6kΩ hacía con una
terminal hacia la parte positiva de la fuente 2 (vcc) y la
terminal opuesta hacia el conector de transistor, dado que
no existe una resistencia comercial de 3.6kΩ por ene nos
dimos a la tarea de hacer una conexión de dos resistencias
en serie con unos valores de 3.3kΩ y 300Ω para que su
resistencia total tuviera un valor cercano al requerido.
4.- se conectó una resistencia con un valor de 1kΩ con una
de sus terminales hacia el emisor del transistor y la terminal
opuesta conectada hacia el emisor del transistor.
5.- se suministró un voltaje de 1.8v hacia la resistencia de
la base y un voltaje de 10v hacia la resistencia del conector.
Se comenzó por obtener las mediciones de nuestro circuito
mediante un multímetro como primera medición se
comenzó con el voltaje sobre la rexistasia de la base.

Simulador. Proteus 8 Profesional.

Voltaje sobre la resistencia del conector
1.-Seleccionar cada uno de los materiales que son
necesarios para esta conexión los cuales son. Transistor
2N2222, resistencias de 3.6kΩ,1mΩ y 1 kΩ, además de
baterías (battery single-cell)

Corriente del conector

Corriente del emisor

[3]
2.-Se comenzó por conectar cada uno de los componentes
de la manera que se indica en los componentes.
3.-Después se conectaron el amperímetro en el circuito los
cuales tendrán que estar después de cada una de las
resistencias.
4.-Posteriormente se conectaron los voltímetros sobre las
resistencias colocadas en el emisor, base y conector para
conocer el valor de VRE, VRB Y VRC.
[4]
5.-Después se conectaron otros multímetros pero
conectando una terminal hacia después de la resistencia y la
otro terminal directamente hacia GND (ground o tierra),
para así poder conocer los volares de los voltajes; VE, VB
Y VC.
6.-Por último se conectaron otros 3 voltímetros el primero
tomando una de sus terminales y conectando la a la base del
transistor y la otra hacia el conector del transistor para
obtener el valor de VBC, en el segundo multímetro también
colocamos una terminal en la base del mismo transistor y
la otra terminal hacia el emisor del transistor para obtener
el valor de VBE, y en el tercer multímetro conectamos una
terminal en el conector de transistor y la otra terminal hacia
el emisor del transistor para poder obtener el valor de VCE.
Cuando toda la conexión fue concluida de inicio la
simulación para poder observar los resultados o mediciones
en los voltímetros o amperímetros colocados.
Mediciones el emisor

Cálculos
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 1.8 − 0.7
𝐼𝐵 = =
𝑅𝐵 + 𝑅𝐸(1 + 𝐵) 1𝑀Ω + 1𝐾Ω𝑋1 + 100
𝐼𝐵 = 𝑂. 99µ𝐴

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶(𝛽 𝑋 𝐼𝐵)

𝑉𝐶𝐸 = 10𝑉 − 3.6𝐾Ω(100 𝑋 0.99µ𝐴)
𝑉𝐶𝐸 = 9.64𝑣

𝐼𝐸 = (𝛽 + 1) 𝐼𝐵
Mediciones en la base
𝐼𝐸 = (100 + 1) 𝑋 0.99µ𝐴
𝐼𝐸 = 99.9µ𝐴 ≅ 100µ𝐴

𝐼𝐶 = 𝛽 𝑋 𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 100 𝑋 0.99µ
𝐼𝐶 = 99.9µ𝐴

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐵 − 𝑅𝐵 𝑋 𝐼𝐵
𝑉𝐵 = 1.8𝑉 − 1𝑚Ω 𝑋 0.99µ𝐴
𝑉𝐵 = 0.801𝑣
Mediciones en el conector
𝑉𝐶 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑅𝐶 𝑋 𝐼𝐶

[5]
 𝑉𝐶 = 10 − 3.6𝐾Ω 𝑋 99.9Ω𝐴 Sacamos nuestra fuente y la conectamos a una resistencia.

𝑉𝐶 = 9.65𝑉

𝑉𝑅𝐵 = 𝑅𝐵 𝑋 𝐼𝐵
𝑉𝑅𝐵 = 1𝑚Ω 𝑋 0.99µ𝐴
𝑉𝐵 = 𝑂. 99𝑣

Colocamos otra resistencia a positivo.

𝑉𝑅𝐶 = 𝑅𝐶 𝑋 𝐼𝐶
𝑉𝑅𝐶 = 3.6𝐾Ω 𝑋 99.9µ𝐴

𝑉𝑅𝐸 = 𝑅𝐸 𝑋 𝐼𝐸
𝑉𝑅𝐸 = 1𝐾Ω 𝑋 100µ𝐴
𝑉𝑅𝐸 = 0,1𝑣

Colocaremos nuestro transistor y la base ira a una

𝑃𝑇 = 𝑉𝐶𝐸 𝑋 𝐼𝐶 resistencia al igual q la otra ira al conector.

𝑃𝑇 = 9.64𝑉 𝑋 99.9µ𝐴
𝑃𝑇 = 0.00096𝑊

Circuito a 12v transistor.

Mandaremos directo a negativo el emisor del transistor.

Cálculos
Pues en esta práctica es para el cálculo de voltajes y
corriente de nuestro circuito. −𝑣𝑐𝑐 + 𝑣𝑟𝑏 + 𝑣𝑏𝑒 = 0
−𝑣𝑐𝑐 + (𝑅𝑏 × 𝐼𝑏) + 𝑣𝑏𝑒 = 0
𝑅𝑏 × 𝐼𝑏 = 𝑣𝑐𝑐 − 𝑣𝑏𝑒
𝑣𝑐𝑐 − 𝑣𝑏𝑒
𝐼𝑏 =
𝑅𝑏

[6]
 𝑣𝑐𝑐 − 𝑣𝑏𝑒 12 − 0.7𝑣 11.3
𝐼𝑏 = = = = 4.7𝑥10−5
𝑅𝑏 240𝑘Ω 240𝑘Ω
= 0.047𝑚𝐴
𝑣𝑟𝑏 = 𝑅𝑏 × 𝐼𝑏
𝑣𝑟𝑏 = (240𝑘Ω) × (0.047𝑚𝐴)

𝑣𝑟𝑏 = 11.28𝑣
𝑣𝑐𝑒 = 𝑣𝑐𝑐 − 𝑟𝑐(𝛽 × 𝐼𝑏)
𝑣𝑐𝑒 = 12 − 2.2𝑘Ω(113 × 0.047𝑚𝐴)
𝑣𝑐𝑒 = 0.31𝑣
𝑣𝑐𝑐 − 0.31𝑣 12 − 0.31𝑣
𝐼𝑐 = = 0.00531𝐴 = 5.31𝑚𝐴
𝑅𝑐 2.2𝑘Ω
𝑣𝑟𝑐 = 𝐼𝑐 × 𝑅𝑐
𝑣𝑟𝑐 = 5.31𝑚𝐴 × 2.2𝑘Ω
𝑣𝑟𝑐 = 11.68𝑣 Primer paso es reconocer los materiales q ocuparemos en el
𝑣𝑏𝑐 = 𝑣𝑏 − 𝑣𝑐 circuito.

𝑣𝑏𝑐 = 0.72 − 0.31

𝑣𝑏𝑐 = 0.42𝑣
𝑣𝑏 = 𝑣𝑐𝑐 − 𝑅𝑐 × 𝐼𝑏
𝑣𝑏 = 12 − (240𝑘Ω × 0.047𝑚𝐴)
𝑣𝑏 = 0.72𝑣
𝑣𝑐 = 𝑣𝑐𝑐 − 𝑅𝑐 × 𝐼𝑏
𝑣𝑐 = 12(2.2𝑘Ω × 5.31𝑚𝐴)
𝑣𝑐 = 0.31𝑣
𝑃𝑡 = 𝑣𝑐𝑒 × 𝐼𝑐
𝑃𝑡 = 0.31𝑣 × 5.31𝑚𝐴
𝑃𝑡 = 0.00164𝑤 Conectaremos el transistor en nuestra protoboard.
𝑃𝑡 = 1.64𝑚𝑤

Físico

[7]
 Conectaremos un cable en el emisor t este directamente a
Colocaremos nuestras resistencias en serie en el colector del negativo.
transistor.
Físico
Estamos calculando los voltajes de las resistencias tanto del
colector y de la base.

Conectaremos la resistencia en la base y se ira a positivo.

[8]
En estas imágenes estamos midiendo el voltaje del base
colector y de emisor colector.

En estas imágenes medimos la corriente del colector y la

corriente de la base y comparar los valores físicos y
calculados además de simulados.

[9]
 Sacaremos nuestra fuente de alimentación y conectaremos
una Resistencia a positivo.

Colocaremos nuestra otra resistencia a positivo también.

Simulador multisim

Circuito a 5v transistor.

Conectaremos el emisor del transistor a negativo.

Físico
Pues en estas imágenes podemos ver el voltaje q pasa por
Conectaremos nuestro circuito y calcularemos el voltaje y las resistencias.
la corriente en el transistor.

[10]
 Cálculos
−𝑣𝑐𝑐 + 𝑣𝑟𝑏 + 𝑣𝑏𝑒 = 0
−𝑣𝑐𝑐 + (𝑅𝑏 × 𝐼𝑏) + 𝑣𝑏𝑒 = 0
𝑅𝑏 × 𝐼𝑏 = 𝑣𝑐𝑐 − 𝑣𝑏𝑒
𝑣𝑐𝑐 − 𝑣𝑏𝑒
𝐼𝑏 =
𝑅𝑏
𝑣𝑐𝑐 − 𝑣𝑏𝑒 5 − 0.7𝑣 11.34.3
𝐼𝑏 = = = = 0.019𝑚𝐴
𝑅𝑏 220𝑘Ω 220𝑘Ω
𝐼𝑐 = β × 𝑖𝑏
𝐼𝑐 =(112)(0.012mA)=2.128mA

𝑣𝑏𝑐 = 𝑣𝑏 − 𝑣𝑐
Resultados y conclusiones.
Circuito 1: 10 V. y 1.9 V.
Medidas Físico Calculado Proteus Multisim
IB 1 mA 0.99 mA 0.99 0.98 mA
mA
IC 223 mA 99.9 mA 216 mA 99.42
mA
IE 222mA 99.9 mA 232 mA 230 mA
VRB 0.79 V 0.99 V 0.98 V 0.98 V
VRC 0.66 V 0.35 V 0.36 V 0.35 V
VB 9.2 V 0.801 V 0.81 V 0.81 V
VC 0.17 V 9.64 V 9.64 V 9.54 V
VRE 0.8 V 0.1 V 0.23 V 0.10 V
VCE 9.61 V 9.04 V 8.94 V 9.54 V
VBC -8.72 V -8.84 V -8.32 V -8.82 V

Circuito 2: 5 V.

Medidas Físico Calculado Proteus Multisim

En estas imágenes medimos la corriente q pasa por el IB 19 mA 19 mA 19.7 19.7 mA
circuito realizado además de comprobar si es lo q mA
calculamos y el que tenemos en los simuladores. IC 2.2 2.12 mA 2.19 1.8 mA
mA mA
VRB 4.88 V 4.18 V 4.32 V 4.34 V
VRC 4.37 V 4.8 V 4.82 V 4.14 V
VB 0.71 V 0.82 V 0.68 V 0.65 V
VC 0.65 V 0.29 V 0.18 V 0.85 V
VCE 0.51 V 0.29 V 0.18 V 0.85 V
VBC 0.15 V 0.62 V 0.50 V 0.20 V

Circuito 3: 12 V.

Medidas Físico Calculado Proteus Multisim

IB 48 mA 47 mA 47.2 47.2 mA
mA
[11]
 IC 5.4 5.31 mA 5.3 mA 4.8 mA
mA
VRB 11.4 V 11.28 V 11.3 V 11.32 V
VRC 11.80 11.68 V 11.7 V 10.70 V
V
VB 0.66 V 0.72 V 0.7 V 0.67 V
VC 0.15 V 0.31 V 0.28 V 1.29 V
VBC 0.52 V 0.42 V 0.42 V 0.62 V
VCE 0.67 V 0.31 V 0.28 V 1.29 V

Conclusiones
En esta práctica comprobamos como al realizar un circuito
de forma física, simulada la diferencia entre un voltaje y
otro no debe de ser mucho y sin lugar a duda, en las
corrientes no deben de varear los valores. Sin embargo;
aprendimos a como medir su corriente de en el emisor (IE),
corriente de la base (IB), corriente del conector (IC). Con
sus respectivos voltajes como lo son, voltaje de la base
(VBB), voltaje de la base al emisor (VBE), voltaje de la
base al conector (VBC), voltaje en el emisor (VE), voltaje
en el conector (VC), entre otros.

[12]