Lab 503

I / 2019
ELECTRÓNICA BASICA I
Guía de Laboratorio
Laboratorio de
Electrónica Básica I
ETN - 503
Laboratorio de Electrónica Básica I
 2019
UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRES
FACULTAD DE INGENIERÍA
INGENIERÍA ELECTRÓNICA
Página i de 1
Tabla de contenido
LABORATORI O 1
CARACTERÍSTICAS
1 Y CIRCUITOS CON
DIODOS
LABORATORI O 2
CARACTERÍSTICAS
1 DEL TRANSISTOR Y
APLICACIONES
LABORATORI O 3
POLARIZACIÓN
28 Y AMPLIFICADORES
1
LABORATORI O 4
RESPUETA
1 EN FRECUENCIA Y
AMPLIFICADORES MULTIETAPA
LABORATORI O 5
AMPLIFICADORES
1 REALIMENTADOS
LABORATORI O 6
AMPLIFICADORES
1 DE POTENCIA
LABORATORI O 7
EL
1 AMPLIFICADOR OPERACIONAL I
LABORATORI O 8 EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL II
(APLICACIONES)
1
LABORATORI O 9
AMPLIFICADOR
1 OPERACIONAL
FILTROS ACTIVOS
LABORATORI O 10
APLICACIONES DE AUDIO Y PROYECTO
DE IMPLEMENTACIÓN
Página i de Laboratorio 2
1
Laboratorio
CARACTERÍSTICAS Y CIRCUITOS
CON DIODOS
1. LISTA DE MATERIALES
 Diodo de Germanio (1N34) o similar.

 Diodo de Silicio rectificador (1N4007) o similar.
 Diodo Zener de 5.1 [V]/500 [mW] (1N751) o similar.
 Diodo Zener de 9.1 [V] (1N757) o similar, potencia del diodo de acuerdo al
diseño.
 Opto diodo.
 Diodo Varactor.
 Lote de resistencias de todo valor: 330[]; 470[]; 1[K]; 2.2 [K]; 4.7 [K];
10 [K] todos de ½ [W]; 220 [] de 2 [W] y 470 [] de 1 [W].
 Potenciómetro de 1 [K].
 Capacitores electrolíticos de 10 [F]; 100 [F]; 470 [F]; 1000 [F] todos para
35 [V] o más.
2. LISTA DE INSTRUMENTOS A UTILIZAR
 Fuente de alimentación variable DC.

 Multímetro.
 Osciloscopio.
 Generador de Funciones.
Página 1 de Laboratorio III

Consideraciones previas al laboratorio.
Armado en Protoboard
Para las prácticas del laboratorio de electrónica analógica, el uso correcto del protoboard es
importante para obtener un armado que permita un seguimiento fácil de las señales a lo
largo del procesamiento de la misma y un análisis respectivo para una rápida y/o ordenada
verificación del trabajo que se está realizando.
El esquema mostrado a continuación es un ejemplo el que deberá seguirse a lo largo de éste

y los siguientes laboratorios.
Un armado práctico de un circuito simple es como sigue:
3. OBJETIVOS DE LA PRÁCTICA A REALIZAR
3.1 OBJETIVO GENERAL
Analizar, diseñar e implementar circuitos con dispositivos de una juntura (diodo) y

conocer su comportamiento de diferentes circuitos.
Página 2 de Laboratorio I
3.2 OBJETIVOS ESPECIFÍCOS
Los objetivos específicos que a continuación se señalan son para cada experimento.
a) Mostrar cómo se prueban diodos de Germanio y Silicio con el multímetro y

verificar en forma práctica que los diodos de propósito general tienen baja
resistencia en polarización directa.
b) Verificar en forma práctica que los diodos de propósito general tienen alta
resistencia en polarización inversa.
c) Verificar el comportamiento del Diodo de uso general frente a una variación de
Temperatura y los efectos causados en sus características eléctricas.
d) Realizar las medidas pertinentes para construir las curvas características de los
diodos de Germanio y Silicio, realizar observaciones en cuanto a las diferencias
encontradas si es que existen.
e) Analizar circuitos con diodos especiales como los opto diodos varactores y sus
características.
f) Mostrar que los Diodos trabajan como recortadores de tensión positiva y
negativa y demostrar cómo el diodo recortador altera la forma de onda de una
señal aplicada al diodo.
g) Mostrar cómo construir circuitos recortadores de Tensión que introducen los
componentes de valor medio a las ondas sinusoidales y otras.
h) Verificar que los diodos producen cambios de voltaje alterna a continua y que
se pueden obtener tensiones positivas y negativas invirtiendo las conexiones
del diodo. Verificar cómo se construye un rectificador de media onda, onda
completa y mostrar que la tensión de salida DC de un rectificador simple de
media onda y onda completa contienen componentes AC. Además verificar los
efectos de variar el condensador de filtrado y la resistencia de carga de los
rectificadores de media onda y del rectificador de onda completa.
i) Verificar el funcionamiento de circuitos multiplicadores de Tensión requerido en
algunos casos en aplicaciones especiales.
j) Comprobar el funcionamiento de circuitos reguladores verificando que los
Diodos Zener en polarización inversa no excede su rango de voltaje
especificado en las hojas del fabricante.
k) Aplicar los conocimientos adquiridos por el estudiante durante la
experimentación y plasmarlos en la proposición de un ejemplo a desarrollar en
laboratorio.
Para el cumplimiento pleno de los objetivos trazados en esta práctica se puede realizar las
medidas de tensión. Corriente, riple y cualquier otro parámetro que considere sea de importancia.
4. REALIZACIÓN DEL PRE - INFORME.
a) CARACTERÍSTICAS DE POLARIZACIÓN DIRECTA.
Explique detalladamente el funcionamiento de un circuito en Polarización Directa, para un

diodo de uso general y el funcionamiento de un circuito en Polarización Inversa, para un
diodo Zener, mostrado en las figuras 1 y 2 respectivamente. Indique que tipo de
precauciones prácticas se debe tener para no sobrepasar la máxima condición de
operación de un diodo semiconductor. Investigue las características eléctricas del diodo de
uso general y del diodo Zener a utilizar.
R1 R1
1k 1k
Voltímetro Voltímetro
NO DATA
NO DATA
DC V
D1
DC V
V1 + D1 V1 +
DIODE ZENER
15V P1 15V P1
1k 10% 1k 10%
NO DATA
NO DATA
DC A
Amperímetro
DC A
Amperímetro
FIGURA 1 FIGURA 2
b) CARACTERÍSTICAS DE POLARIZACIÓN INVERSA.
Explique detalladamente el funcionamiento de un circuito en polarización Inversa para el

Diodo de uso general en base a la figura 3 y el funcionamiento de un circuito en
Polarización Directa para un Diodo Zener en base a la figura 4. Indique que tipo de
precauciones prácticas se debe tener para no sobrepasar las características de operación
eléctricas en estas condiciones.
R1
1k R1
Voltímetro 1k
Voltímetro
NO DATA
NO DATA
DC V
+ D1
DC V
V1 V1 + D1
DIODE
15V P1 15V ZENER
P1
1k 10% 1k 10%
NO DATA
NO DATA
DC A
Amperímetro
DC A
Amperímetro
FIGURA 3 FIGURA 4
c) EFECTOS DE LA TEMPERATURA EN UN SEMICONDUCTOR.
Explique detalladamente los efectos de la temperatura que sufre un Diodo semiconductor,

indique cuáles son las características eléctricas que son afectados y en que porcentaje se
incrementan de acuerdo a los cambios de temperatura que pueda sufrir. Considera una
variación de 100 C desde –50 C pasando por 25 C y llegando a 50 C (teóricamente).
R1 R2
1k 1k
Voltímetro Voltímetro
D2
NO DATA
D1
NO DATA
DC V
DIODE
DC V
DIODE
+ V2 +
V1
15V 15V
NO DATA
Amperímetro
NO DATA
DC A
Amperímetro
DC A
FIGURA 5
d) CARACTERÍSTICA TENSIÓN-CORRIENTE (V-I)
Utilizando los circuitos indicados la figura 1 al 4 obtenga las características V-I para los
siguientes diodos: Germanio (1N34) o similar, Silicio (1N4007) o similar, Zener de 5.1
[V]/500[mW] (1N751) o similar, Zener de 9.1[V] (1N757) o similar.
e) CARACTERÍSTICAS DEL OPTO DIODO, VARACTOR Y DIODO LED.
Explique detalladamente el funcionamiento de estos dispositivos semiconductores,

investigue también las características eléctricas de los mismos. Diseñar un circuito
mediante el cual se pueda reconstruir la curva característica de este semiconductor.
D1 D1
D1
El símbolo de los dispositivos es: BBY31
f) CONFORMADORES DE ONDA
Analice la señal de salida (Vo) para el circuito de la figura (6) donde la señal de entrada
Vi es una onda triangular simétrica de  12 V de amplitud y periodo de 10ms.
Representar sobre una misma grafica y a escala las formas de onda de salida y entrada
indicando los niveles de tensión e instantes significativos de aquellos. Suponga que los
diodos son ideales tanto para el análisis teórico como en laboratorio. b) Idem que a) si
los diodos son reales.
Datos: R1=R2=R4=100[  ]
R3=R5=50[  ]
V1=V3=3[V]
V2=V4=4.5[V]
R5
R2 R3 R4 R1
+
Vi D1 D2 D4
D3
- + +
V1 V2 V3 V4
+ +
Figura 6
g) RECORTADOR DE ONDA
En el circuito de la figura (7), analizar la forma de onda de la tensión de salida Vo,

cuando la tensión de entrada es una señal senoidal simétrica de valor 10Vpp:
Datos: R = 100
D1 = D2 = 1N4007
  D3 = D4 = 1N4370A
Figura 7
h) RECTIFICADORES.
Diseñar un rectificador de onda completa que entregue una tensión de continua igual a 9
[V], y una corriente continua sobre la carga de 100mA, con un voltaje de ripple de 0.1 [V].
Realice el análisis y cálculo de:
 Modelo del circuito (rectificador - filtro).

 Potencias, tensiones y corrientes del circuito.
 Componentes asociados al circuito.
 Rendimiento del circuito.
 Filtro - tipo RC.
 Transformador.
i) MULTIPLICADORES DE TENSIÓN.
Diseñe e implemente un circuito que permita obtener a la salida:
a. Una señal igual al doble de la tensión de entrada.
b. Una señal igual al cuádruple de la tensión de entrada.
Nota.- Considerar la señal de entrada una onda alterna cuadrada de 5 Vpp.
Explicar su funcionamiento al detalle y efectuar los cálculos respectivos.
j) CIRCUITO REGULADOR.
Dado el siguiente circuito de la figura (8):
D1
T1 BRIDGE
a R
S b
Vi
R1 + RL
C D2
ZENER
Figura 8
Si Vi=15 sen (wt), Donde D1=D2=D3=D4, con rf=100Ω, Vd=0.7v, f=50Hz, R1=1kΩ
a) Considerar S abierto. En estas condiciones Dibujar la forma de onda en el punto (a)

considerar C  100[ F ] . Hallar Vcc , Icc y Id max de cada diodo.
b) Considerar S cerrado. Determinar los valores de R y Vz del diodo Dz, considerando
Va  Vcc  / 20%Vcc con el objeto de mantener en la carga 7 voltios y una variación de
corriente de 0 a 200mA. Determinar así mismo Pz max .
k) APORTE DEL ALUMNO
En base a los puntos del laboratorio, prepare un ejercicio e impleméntelo, obteniendo los
resultados requeridos, explique claramente su funcionamiento.
SIMULACIÓN
Para todos los puntos anteriores, utilice un programa de simulación (workbench, circuit maker,
multisim, Proteus, etc.) e implemente con dicha herramienta el Laboratorio.
5. REALIZACIÓN DE LABORATORIO.
Para la presentación de laboratorio el estudiante necesariamente debe disponer de todos los

puntos armados en protoboard antes del inicio de sesión de la práctica.
a) CARACTERÍSTICAS DE POLARIZACIÓN DIRECTA.
Arme el circuito de la figura 1, 2 y mueva el potenciómetro de un extremo al otro, del

mismo se deben adquirir los datos suficientes como para dibujar en una hoja milimetrada
la curva característica del Diodo en polarización directa, haciendo énfasis en la obtención
del voltaje de arranque.
b) CARÁCTERÍSTICAS DE POLARIZACIÓN INVERSA.
Arme el circuito de la figura 3, 4 y mueva el potenciómetro de un extremo a otro, del

mismo se deben adquirir los datos suficientes como para dibujar la curva característica del
Diodo en Polarización Inversa, repita el proceso para el diodo Zener.
c) EFECTO DE LA TEMPERATURA.
Arme el circuito de la figura 5 (Primero con un diodo de Silicio y posteriormente con un

diodo de Germanio), de acuerdo con su hoja de especificaciones del componente acerque
un cautín caliente al diodo en curso, manteniéndolo próximo al diodo un tiempo razonable.
Luego realice las observaciones que el caso requiera comparando el funcionamiento del
diodo en temperatura normal y los cambios que sufre (si es que los hubiera), a causa del
incremento en la temperatura.
d) CARA CTERÍSTICA TENSIÓN-CORRIENTE (V-I)
Arme los circuitos de la figura 1- 4, mueva el potenciómetro P1 desde un mínimo hasta un

máximo valor según los valores de la tabla 1, segmentando los valores del potenciómetro
en 10 medidas mínimamente y obtenga datos V Vs I según la tabla 1 y grafique en una
hoja de cálculo la curva correspondiente al componente.
Polarización Polarización
VA-K [V] Directa ID, VA-K [V] Inversa ID,
[mA] [mA]
0 0
0.1 -5
0.2 -10
0.4 -20
. .
. .
0.8 -40
Tabla 1
e) CARACTERISTICAS DEL OPTODIODO Y DIODO VARACTOR
Arme los circuitos que usted haya propuesto en su pre-informe para la obtención de las
curvas características del Diodo Varactor o el Opto Diodo compare con las curvas
características emitidas por el fabricante y emita las conclusiones con respecto a la
elaboración de este punto.
f) CONFORMADORES DE ONDA
Arme el circuito de la figura 6 y compruebe con los cálculos realizados en su pre-informe,

tome los datos y las medidas correspondientes a este punto, emita las conclusiones que el
caso requiera. Luego variar la tensión de entrada y emitir sus propias conclusiones.
g) RECORTADOR DE ONDA
Arme el circuito propuesto en la guía en la figura 7 con los valores calculados en su pre
informe y demuestre su funcionamiento.
 Utilice un generador de ondas e introduzca una señal senoidal como se muestra en

la tabla.
 Verifique la onda de salida conforme a lo presentado en el pre informe.
VPP Forma de Onda

(+) 10
Vent 0
(-) 10
(+) 10
a) 0
(-) 10
(+) 10
b) 0
(-) 10
(+) 10
c) 0
(-) 10
h) CIRCUITO RECTIFICADOR.
Arme el circuito propuesto en el pre informe y demuestre su funcionamiento práctico, tome

nota de las medidas efectuadas y dibuje las formas de onda resultantes con y sin filtrado
en ambos circuitos, además indique las diferencias que existen entre estos dos
rectificadores si estas existen.
i) MULTIPLICADOR DE TENSIÓN.
Arme el circuito propuesto en el pre-informe y demuestre su funcionamiento. Tome nota

de las medidas que el caso requiera y dibuje las formas de onda obtenidas si la señal
sinusoidal de 5 Vpp y 1 KHz.
Varíe la frecuencia y verifique si existe alguna variación, de ser así obtenga el rango de
frecuencias de buen funcionamiento y explique por qué posee ese rango.
j) CIRCUITO REGULADOR CON DIODO ZENER.
Arme el circuito de la figura 8, inicialmente compruebe sus cálculos teóricos y

posteriormente varíe la entrada de +15 a –15 Voltios DC en pasos de 1 Voltio,
considerando una carga constante de 2.2 [K], en estas condiciones tomar nota de los
datos que requiera el caso para efectuar las siguientes gráficas:
 VO vs. Vi
 IZ vs. VI
 VO vs. IL
Seguidamente variar la carga desde un circuito abierto hasta por lo menos 0.47 [K],
considerando constante la entrada Vi, graficar VO vs IL.
Sustituir Vi por un generador sinusoidal de 15 Vpp, y de 1 Khz de frecuencia y dibujar las

formas de entrada y salida.
k) APORTE DE ALUMNO
Arme el circuito propuesto en el pre-informe y demuestre su funcionamiento, obteniendo

las tablas y graficas necesarias.
6. INFORME FINAL.
Presentar los resultados obtenidos en laboratorio, con los respectivos análisis de los datos
experimentales obtenidos, interpretando cada uno de los comportamientos físicos obtenidos, para
cada una de las prácticas elaboradas realizar las respectivas observaciones con respecto a lo
aprendido y emitir conclusiones de las mismas.
Tome en cuenta los objetivos de la práctica pues son muy importantes para la elaboración final
del informe:
 Emita Las conclusiones para cada punto de Laboratorio en forma independiente.
 Realice una comparación entre la hoja simulada y el punto desarrollado en laboratorio.
 En base a la comparación emita una conclusión completa y enúncielo en su informe.
 Todo cuanto se haya realizado en laboratorio, debe ser detallado, explicado y

presentado en el informe, adjunto con sus gráficas respectivas.
Este informe será el vivo reflejo de lo que el alumno haya ejecutado como trabajo en laboratorio.
2
Laboratorio
CARACTERÍSTICAS DEL
TRANSISTOR Y
APLICACIONES
 Dos transistores BJT de uso general NPN uno de Germanio y otro de

Silicio respectivamente, recomendable BC548, BC55, 2N3904,
2N3905.
 Un transistor JFET de canal N.
 Un transistor IGFET de canal P.
 Dos potenciómetros, uno de 100 [K] y otro de 1 [K].
 Resistencias de 100 [K]; 8.2 [K]; 2.2 [K]; 1 [K]; 330 [] y
100 [] todos de 0.5 [W].

 2 Multímetros.
 2 miliamperímetros (opcional)
 Osciloscopio.
 Una fuente simétrica fija de +/- 15 [V].
Página 1 de Laboratorio II
Analizar la estructura interna de los transistores, comprobando el estado

interno de los mismos, tipo de transistor así como identificación de sus
terminales y estudiar las características V-I del transistor y determinar el punto
de trabajo estático del transistor.
Los objetivos específicos que a continuación se señalan son para cada

experimento:
a) Aprender a identificar el tipo de transistor con la ayuda solo de un

multímetro.
b) Mostrar cómo se prueban transistores BJT y JFET con la sección
óhmetro del multímetro.
c) Estudiar las características de técnicas según las hojas de
especificaciones de los fabricantes de los transistores BJT, JFET, IGFET
usados en los circuitos.
d) Determinas las características de salida de un transistor.
e) Determinar las curvas características e componentes activos, mediante
el método punto a punto, en la configuración Emisor Común y Fuente
Común y trazar la recta de carga en continúa verificando su concepto.
f) Aprender a obtener en base a los datos obtenidos en anteriores puntos
los parámetros de un transistor.
g) Aprender a obtener la curva característica de un transistor empleando
un osciloscopio por el método de barrido por frecuencia.
h) Aplicar el funcionamiento de un transistor como regulador de Tensión.
i) Aplicar los conocimientos adquiridos por el estudiante durante la
experimentación y plasmarlos en la proposición de un ejemplo a
desarrollar en laboratorio.
a) IDENTIFICANDO TRANSISTORES
Investigue una técnica eficaz para determinar en base a un multímetro

(analógico ó digital) los terminales de los transistores BJT y proceda a
verificarlos expresando cual es base, colector y emisor tomando en cuenta que
la configuración interna de los transistores es como se muestra en la figura
adjunta.
NOTA: tome en cuenta que con el multímetro analógico la interpretación

es a la inversa que un multímetro digital.
b) PROBANDO TRANSISTORES CON MULTIMETRO
Realice las medidas con un multímetro digital para los transistores BJT y
JFET llene la tabla 1.
c) CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS DE LOS TRANSISTORES
En un manual de datos técnicos de semiconductores buscar en la hoja de

especificaciones del fabricante para los transistores BJT:
LOS VALORES NOMINALES MÁXIMOS:
Voltaje colector – emisor (VCEO).

Voltaje colector – base (VCBO).
Voltaje emisor – base (VEBO).
Corriente de colector – continua (IC).
Disipación total del dispositivo a TA = 25°C (PD).
CARACTERÍSTICAS DE SEÑAL PEQUEÑA:
Producto ganancia de corriente – ancho de banda (fT).

Capacitancia de salida (Cobo).
Capacitancia de entrada (Cibo).
Impedancia de entrada (hie).
Razón de retroalimentación de voltaje (hre).
Ganancia de corriente de señal pequeña (hfe).
Admitancia de salida (hoe).
En un manual de datos técnicos de semiconductores buscar en la hoja de

especificaciones del fabricante para los transistores JFET e IGFET:
LOS VALORES NOMINALES MÁXIMOS:
Voltaje drenaje – fuente (VDS).

Voltaje drenaje – compuerta (VDG).
Voltaje compuerta – fuente (VGS).
Corriente de drenaje (ID).
Disipación de potencia a TA = 25°C (PD).
CARACTERÍSTICAS DE SEÑAL
PEQUEÑA:
Transadmitancia directa (Vfs).

Transconductancia directa (Re(yfs)).
Conductancia de salida (Re (yos)).
Conductancia de entrada (Re (yis)).
Capacitancia de entrada (Ciss).
Capacitancia de transferencia inversa (Crss).
d) CARACTERÍSTICAS DE SALIDA
Implemente los circuitos de las figuras 1,2 y 3, llene las tablas 2, 3 y 4 en

cada caso, y con los valores de dichas tablas en una hoja milimetrada y
escala adecuada represente las características de salida de dos
transistores bipolares y dos transistores unipolares.
15V
+V
330
100k 10%
DC A
100k Q1 NO DATA
100k 10% NPN
NO DATA
DC V
DC A
NO DATA
Figura 1
-15V +15V
100
100k 10%
DC A
NO DATA
NO DATA
2.2k Q1
DC V
100k 10% NJFET
NO DATA
DC V
1k
Figura 2
-15V +15V
100
100k 10%
DC A
NO DATA
NO DATA
2.2k
DC V
100k 10%
NO DATA
DC V
1k
Figura 3
e) RECTA DE CARGA
Implemente los circuitos de la figura 4 y llene la tabla 5 en cada caso, y con los
valores de dicha tabla, en una hoja milimetrada y escala adecuada represente la
recta de carga en cada caso.
+15V
NO DATA
DC A
1k
100k Q1
NO DATA
DC V
10k 10% NPN
+15V
-15V
NO DATA
DC A
1k
2.2k Q1
100k 10% NJFET
NO DATA
DC V
NO DATA
DC V
1k
a) b)
+15V
-15V
NO DATA
DC A
1k
Figura 4
2.2k
100k 10%
a) b) c)
NO DATA
DC V
NO DATA
DC V
1k
c)
f) PARÁMETROS DEL TRANSISTOR
 Superponiendo lo obtenido en la práctica d) y e), adoptando un

punto de trabajo sobre la recta de carga, determine los
parámetros del circuito equivalente para cada transistor.
 Realice los cálculos para la configuración Base Común y
Compuerta Común, compare los valores de los parámetros con
los obtenidos en los manuales.
g) CARACTERISTICAS DE SALIDA (VISUALIZACION)
Explicar el método por barrido de frecuencia a través de un osciloscopio de

rayos catódicos para obtener las curvas características de los transistores
bipolares y de efecto de campo.
El circuito planteado para este caso es el siguiente:

entrada
R2 vertical
NO DATA
DC A
R1
terminal de tierra
Q1
PNP DIODO del osciloscopio
+ 1.5V -6.3/6.3V
NO DATA
1kHz
DC V
entrada horizontal
Figura 5
Indique que cambios deben hacerse en este circuito para observar las curvas
características de un transistor NPN, redibuje el circuito con los cambios
efectuados. Proponga un circuito para observar las curvas características de los
transistores de efecto de campo.
h) FUENTE REGULADA
Diseñe una fuente regulada de 9 [V], para una corriente de carga que varía
entre 400 y 500 [mA]. Suponga una entrada de 220 [V] rms a 50[Hz] en un
transformador con derivación central 6:1. Emplear para los cálculos una
Rz=2[]. El transistor tiene VBE=0.7[V] y =100. Calcular CF para que la tensión
de rizado sea el 30% del máximo de señal de entrada. (Figura 5)
D1 Q1
DIODO NPN
T1 +
6:1 + +
Ri
CF CL RL
220[V D3 Vo
r ZENER
]ms
D2
DIODO
-
Figura 6
i) APORTE DEL ALUMNO
En base a los puntos del laboratorio, prepare una función e implemente un

ejercicio, obteniendo los resultados planteados, explique claramente su
funcionamiento.
SIMULACIÓN
Para todos los puntos anteriores, utilice un programa de simulación (workbench, circuit
maker, multisim, Proteus, etc.) e implemente con dicha herramienta el Laboratorio.
Para la presentación de laboratorio el estudiante necesariamente debe disponer de
todos los puntos armados en proto board antes del inicio de sesión de la práctica.
a) IDENTIFICANDO TRANSISTORES
En base a lo investigado en el pre informe realice lo siguiente:
 Tenga a mano un transistor cualquiera en base a un multímetro mida

todas las combinaciones posibles de los tres pines y elabore su
conclusión de que transistor es, sin la necesidad de una hoja de datos.
 En base al anterior punto tome un transistor conocido y compruebe los
pasos que realizó verificando la veracidad del método.
 Realice lo mismo para un PNP o NPN según sea el caso.
b) PROBANDO TRANSISTORES CON MULTÍMETRO
Con el Multímetro para medir resistencias realice los pasos aprendidos en el

anterior inciso y llene la tabla 1.
Tr:……….. Tr:………. Tr:………… Tr:………..

Pines PNP Ω/KΩ NPN Ω/KΩ Pines Canal P Ω/KΩ Canal N Ω/KΩ
+B-E +G-S
-B+E -G+S
+C-B +D-G
-C+B -D+G
+C-E +D-S
-C+E -D+S
Tabla 1
Comente en las conclusiones los valores obtenidos
c) CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS DE LOS TRANSISTORES
Elabore una tablita tipo fichero con los datos obtenidos en el pre informe y
téngalo presente para cada laboratorio de los transistores más empleados y
aplique en laboratorio para el cuidado de los mismos en cada circuito armado.
d) CARACTERÍSTICAS DE SALIDA
Arme los tres circuitos de la figura 4 y mueva el potenciómetro de un extremo a

otro, del mismo se deben adquirir los datos suficientes como para dibujar la
señal de salida según la tabla 2, 3 y 4.
Los datos a tomarse deben ser como mínimo 15 valores para la obtención de
un buen gráfico. Todos los valores deben plasmarse en un solo grafico (Curva
característica del colector en configuración Emisor Común).
Transistor……………..
VCE V IC mA IC mA IC mA IC mA IC mA IC mA IC mA
IB=10 mA IB=20 mA IB=30 mA IB=40 mA IB=50 mA IB=60 mA IB=70 mA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
Tabla 2
VDS ID mA ID mA ID mA ID mA ID mA ID mA ID mA ID mA
V VGS=0 VGS=- VGS=- VGS=- VGS=-1 VGS=-1.25 VGS=- VGS=-
V 0.25V 0.5V 0.75V V V 1.5V 2V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Tabla 3
VDS ID mA ID mA ID mA ID mA ID mA ID mA ID mA ID mA
V VGS=+1 VGS=+0.5V VGS=+0.25V VGS=0V VGS=- VGS=- VGS=- VGS=-
V 0.25 V 0.5 V 0.75V 1V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
Tabla 4
e) RECTA DE CARGA
Arme los circuitos de la figura 5 mueva el potenciómetro de un extremo a otro y

tome las lecturas con sumo cuidado llenando la tabla siguiente, realice
mínimamente 10 medidas para la obtención de un buen gráfico.
Transistor………. Transistor………. Transistor……….

VCE V IC mA VDS V ID mA VDS V ID mA
1 1 1
2 2 2
3 3 3
4 4 4
5 5 5
6 6 6
7 7 7
8 8 8
9 9 9
10 10 10
Tabla 5
f) PARÁMETROS DE LOS TRANSISTORES
Arme los circuitos de las figuras 1 y 4 a) elabore las tablas correspondientes a

cada circuito y compruebe lo obtenido en el pre informe según lo requerido en
este inciso, determine los parámetros para cada transistor (hfe, hie, hre y hoe)
en la configuración de los circuitos armados.
g) CARACTERÍSTICAS DE SALIDA (VISUALIZACIÓN)
Arme el circuito de la figura 5 compruebe su funcionamiento según lo

investigado en el pre informe elabore los datos suficientes y dibuje la señal de
salida.
Realice variaciones en la frecuencia y vea cuales son los cambios producidos,

dibuje el grafico para ciertas frecuencias donde los cambios son bien notorios y
determine los rangos máximo y mínimo de una estabilidad de barrido.
h) FUENTE REGULADA
Arme el circuito propuesto en la guía y comprobar de forma práctica el

funcionamiento del circuito planteado en el inciso h) del pre informe. Luego
obtener la curva de regulación VO vs. IL para una tensión fija de VI = 20 [V], en
el que se asegure que el circuito regule y obtenga la curva de transferencia V O
vs. VI para valores fijos de RL. Qué resultados se obtiene si la tensión VI varía
+/-5[V].
i) APORTE DE ALUMNO
Arme el circuito propuesto en el pre informe y demuestre su funcionamiento,

obteniendo las tablas y graficas necesarias.
6. INFORME FINAL.
Presentar los resultados obtenidos en laboratorio, con los respectivos análisis de los
datos experimentales obtenidos, interpretando cada uno de los comportamientos
físicos obtenidos, para cada una de las prácticas elaboradas realizar las respectivas
observaciones con respecto a lo aprendido y emitir conclusiones de las mismas.
Tome en cuenta los objetivos de la práctica pues son muy importantes para la
elaboración final del informe:
 Emita Las conclusiones para cada punto de Laboratorio en forma
independiente.
 Realice una comparación entre la hoja simulada y el punto desarrollado en
laboratorio.
 En base a la comparación emita una conclusión completa y enúncielo en su
informe.
 Todo cuanto se haya realizado en laboratorio, debe ser detallado, explicado
y presentado en el informe, adjunto con sus gráficas respectivas.
Este informe será el vivo reflejo de lo que el alumno haya ejecutado como trabajo en
laboratorio
3
Laboratorio
POLARIZACIÓN Y
AMPLIFICADORES
 Dos transistores BJT de uso general NPN uno de Germanio y otro de

Silicio respectivamente, recomendable BC548 BC557 .
100 [] todos de 0.5 [W].

 Multímetro.
 Osciloscopio.

Analizar y dimensionar los componentes que permitan fijar un punto de trabajo

Q para los transistores bipolares y unipolares.
Analizar y dimensionar los componentes que permitan realizar una
amplificación de señal para transistores bipolares y unipolares.

experimento.
a) El objetivo de esta práctica consiste en diseñar, analizar la polarización

de un circuito para polarizar un transistor BJT en la zona lineal de
funcionamiento y extraer experimentalmente algunas de las
características más significativas de estos dispositivos.
b) El objetivo de esta práctica consiste en diseñar, analizar la polarización
de un circuito para polarizar un transistor JFET en la zona lineal de
funcionamiento y extraer experimentalmente algunas de las
características más significativas de estos dispositivos.
c) Estudiar el comportamiento de un circuito polarizado con la tecnología
MOSFET y ver las diferencias con los transistores JFET.
d) Diseñar analizar y caracterizar una etapa amplificadora basada en un
transistor Bipolar, realizar la medida experimental de la ganancia de
tensión, corriente, impedancia de entrada y de salida que van a
caracterizar la etapa justificando las desviaciones existentes con los
valores obtenidos de forma teórica.
e) Estudiar el comportamiento de los circuitos amplificadores con JFET
frente a la señal de entrada, el diseño de los circuitos para
implementarlos posteriormente en el laboratorio, sus variaciones y en
general su rediseño con valores normalizados.
f) Analizar una etapa amplificadora basada en un transistor MOSFET,
realizar la medida experimental de la ganancia de tensión, corriente,
impedancia de entrada y de salida. Observar las diferencias con los
demás transistores.
g) Aplicar los conocimientos adquiridos por el estudiante durante la

a) POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES
Calcule las resistencias para los siguientes casos:

a.1 Diseñe un circuito de polarización fija en BC (Base Común) para
transistores NPN.
a.2 Diseñe un circuito de polarización por divisor de voltaje en EC
(Emisor Común) para transistores PNP.
a.3 Diseñe un circuito en auto polarización, en CC (Colector Común)
para transistores NPN.
Para los tres puntos anteriores se requiere el punto de trabajo: Q = (5V,

3mA), VCC=12V, determine la estabilidad para cada circuito. En cada caso
adopte los valores más próximos normalizados de las resistencias y
replantee el punto de trabajo.
b) POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES UNIPOLARES (FET)

b.1 Diseñe un circuito de de polarización fija en (Compuerta común) CG
para transistores de canal N.
b.2 Diseñe un circuito de polarización drenador a compuerta en
(Surtidor común) CS para transistores de canal P.
b.3 Diseñe un circuito en auto polarización, en (Drenador Común) CD
para transistores de canal N.

5mA), VDD = 15V. En cada caso adopte los valores más próximos
normalizados de las resistencias y replantee el punto de trabajo.
c) POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES UNIPOLARES (MOSFET)
c.1 Diseñe un circuito de de polarización fija en (Compuerta común) CG

para transistores de canal P (deflexión).
c.2 Diseñe un circuito de polarización drenador a compuerta en
(Surtidor común) CS para transistores de canal N (deflexión).
c.3 Diseñe un circuito en auto polarización, en (Drenador común) CD
para transistores de canal P (inducción).

8mA), VDD=20V. En cada caso adopte los valores más próximos
normalizados de las resistencias y replantee el punto de trabajo.
d) AMPLIFICACIÓN CON TRANSISTOR BIPOLAR
Diseñe un amplificador para obtener una ganancia de voltaje de AV = -20,

impedancia de entrada ZIN = 5K[], impedancia de salida ZOUT =2 K[].
Determine los valores de las resistencias y elija el transistor 2N3904 (opcional).
Vcc
+V
R1 Rc
Cc
+
Rs Cb
+ Q1
V2
-1/1V NPN
RL
1kHz
+
R2 Re Ce
Figura 1
 Calcular la máxima excursión del voltaje de entrada y salida.

 Calcular AV, AI, ZI y ZO, después de adoptar los valores
normalizados de las resistencias.
 Dibujar las rectas de carga AC y DC sobre las características V-I
mostrando claramente los puntos de operación estático y
dinámico.
 Calcule la estabilidad del circuito.
Nota los capacitores son de CC = CB =10F] respectivamente,

electrolíticos para 30V y CE es de 100F.
e) AMPLIFICACIÓN CON TRANSISTOR UNIPOLAR (FET)

Diseñe un amplificador con JFET que tenga una ganancia de tensión de AV = -
10, una ganancia de corriente de AI = -100, una impedancia de entrada de ZI
= 500[K] y una impedancia de salida de ZO = 5 [K]. Para el mismo utilice el
siguiente circuito como referencia.
VDD
+V
R2 RD
C2
C1
RS’ Q2
NJFET
1kHz R1 RS RL
C3
Figura 2
 Calcular la máxima excursión del voltaje de entrada y salida.

 Calcular AV, AI, ZI y ZO, después de adoptar los valores
normalizados de las resistencias.
 Dibujar las rectas de carga AC y DC sobre las características V-I
mostrando claramente los puntos de operación estático y
dinámico.
 Analizar el circuito si se quita en condensador que está en
paralelo a Rs y calcular AV, AI, ZI y ZO, después de adoptar los
valores normalizados de las resistencias.
Nota los capacitores son de CG = CD =10F] respectivamente,

electrolíticos para 30V y Cs es de 100F.
f) AMPLIFICACIÓN CON TRANSISTOR UNIPOLAR (MOSFET)
Diseñe un amplificador MOSFET DC, con las siguientes características:

RL=150 Ai180 IDQ=8mA, VGSQ=1,5V, VDSQ=6,3V, Rin=150K y
gm=2.9mS. Con VDD=18V
Utilice la topología de polarización con divisor de tensión a la entrada.
 Determinar Av y el valor de todas las resistencias del circuito.

 Adoptando los valores normalizados de las resistencias, se
debe calcular el punto de trabajo y la ganancia de tensión Av
del amplificador.
g) APORTE DEL ALUMNO
En base a los puntos del laboratorio, prepare una función e implemente un

ejercicio, obteniendo los resultados planteados, explique claramente su
funcionamiento.
SIMULACIÓN

todos los puntos armados en protoboard antes del inicio de sesión de la práctica.
a) POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES BIPOLARES
Arme los circuitos propuestos en el pre informe, y con la ayuda de un

multímetro mida lo siguiente:
 Una vez conectador la alimentación mida VCC y verifique su exactitud.

 Mida la corriente de colector.
 Mida la tensión VCE y anote esos valores.
Compare los valores obtenidos con los diseñados en el pre informe del punto Q
de trabajo y enuncie sus conclusiones.
b) POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES UNIPOLARES (JFET)
Arme los circuitos propuestos en el pre informe, y con la ayuda de un

multímetro mida lo siguiente:
 Una vez conectador la alimentación mida VDD y verifique su exactitud.

 Mida la corriente de drenador.
 Mida la tensión VDS y anote esos valores.
Compare los valores obtenidos con los diseñados en el pre informe del punto Q
de trabajo y enuncie sus conclusiones.

c) POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES UNIPOLARES (MOSFET)
Arme los circuitos propuestos en el pre informe y verifique el punto Q de

trabajo en forma similar al anterior inciso.
d) AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR BIPOLAR
Arme el circuito de la figura 1 y mida los siguientes valores a frecuencia media:
 Mida la tensión de entrada usando un osciloscopio.

 Mida la tensión de salida usando el otro canal y determine la ganancia de
tensión.
 Mida los valores de impedancia de entrada y de salida.
 Con los valores anteriores determine la ganancia de Corriente y verifique
con la ayuda de un miliamperímetro.
Determine si se acercó a los valores de diseño, de no ser así enuncie en sus

conclusiones la causa probable. Quite el condensador CE y enuncie los cambios
que observa en la señal de salida si los existe.
e) AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR UNIPOLAR (JFET)
Arme el circuito de la figura 2 y tome las medidas pertinentes que le permitan

determinar las ganancias de tensión y corriente. Compruebe que los valores
diseñados en el pre informe corresponden al obtenido en forma experimental.
Abra el switch S1 y enuncie los cambios que observa en la señal de salida si los
existe.
f) AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR UNIPOLAR (MOSFET)
Arme el circuito propuesto en el pre informe y verifique su correcto

funcionamiento comparando los valores que obtenga experimentalmente con
los calculados en el pre informe. Enuncie en las conclusiones si los resultados
son idénticos o varían, explique las causas.

6. INFORME FINAL.


independiente.
laboratorio.
informe.
laboratorio.

4
Laboratorio
RESPUESTA EN FRECUENCIA Y
AMPLIFICADORES MULTIETAPA
 Dos transistores BJT de uso general NPN uno de Germanio y otro de Silicio
respectivamente, recomendable BC548, BC557 2N3904, 2N3906.
 Resistencias de 100 [K]; 8.2 [K]; 2.2 [K]; 1 [K]; 330 [] y 100 []
todos de 0.5 [W].

 Multímetro.
 Osciloscopio.

Analizar y diseñar los amplificadores de doble etapa y realizar el estudio de respuesta en

frecuencia.
a) Demostrar que los amplificadores tienen limitación en frecuencia debido

principalmente a los efectos capacitivos, comprobar que los condensadores
externos fijan la frecuencia de corte inferior y los condensadores internos o
parásitos la frecuencia de corte superior.
b) Demostrar que el análisis en frecuencia de un amplificador nos permite fijar las
zonas de operación ya sean bajas medias o altas.
c) Demostrar que los amplificadores multi etapa permiten obtener características de
amplificación que no es posible obtener con una sola etapa básica. Realizar el
análisis de un amplificador constituido por dos tipos diferentes de etapas básicas
conectadas en cascada por medio del acoplamiento capacitivo.
d) Demostrar prácticamente que el acoplamiento directo tiene sus propias diferencias
frente a la capacitiva, la respuesta en frecuencia y limitaciones en amplitud.
e) Realizar el análisis experimental de las configuraciones especiales con transistores
en general. Realizaremos un análisis tanto teórico como experimental en la
configuración cascodo.
f) Estudiar el comportamiento del amplificador Darlington frente a la señal de
entrada, el diseño de los mismos para implementarlos posteriormente en el
laboratorio, sus variaciones y en general su rediseño con valores normalizados,
aprender a realizar la medida de las impedancias tanto de entrada como el de
salida.
g) Verificar que el amplificador diferencial es un circuito muy versátil que sirve como
entrada típica de los amplificadores operacionales y en circuitos integrados tan
diversos como en comparadores, etc. En esta práctica se realice el montaje y
análisis de un amplificador diferencial sencillo donde se va a estudiar sus
características de amplificación en modo diferencial y en modo común.
h) Aplicar los conocimientos adquiridos por el estudiante durante la experimentación
y plasmarlos en la proposición de un ejemplo a desarrollar en laboratorio.
Página 2 de Laboratorio IV
a) ANÁLISIS EN FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR BJT Y

JFET
a.1 En la figura 1 se muestra un amplificador con condensadores externos: CS y CE que

fijan la frecuencia de corte inferior y CC la frecuencia de corte superior. CC se ha
introducido de una manera artificial para reducir la frecuencia de corte superior y que
pueda ser medida con el equipo de laboratorio, esta frecuencia es de 30 Mhz sin el
condensador.
Diseñar un amplificador para un punto de trabajo Q = (-7.5V, -4mA), tomando como

referencia el circuito de la figura 1; Halle la ganancia Av en ambos casos para RL=4KΩ.
Datos: RB1= 1 M[Ω]; RB2= 330 K[Ω]; RS = 600 [Ω];
CE= 100 µ[F]; CC = 1n[F]; VCC = -12 V.
Vcc
RB1 Rc
Vo
Cs
RS Q1 Cc
2N3906
+ RL
Vs RB2
Re Ce
-
+
Figura 1
 Calcular el valor de Re para que tenga estabilidad.

 Calcular el valor de Av.
 Calcular teóricamente el valor de CS que fije la frecuencia de corte inferior al valor
especificado para la práctica.
 Calcular de manera teórica la frecuencia de corte superior.
 Obtener experimentalmente la respuesta en frecuencia del amplificador y
comprobar los resultados.
 Cambiar la carga a 10K, 47K y 200K, repetir para cada valor lo realizado en
el anterior punto.
a.2 En el circuito amplificador presentado en la figura 2, el transistor tiene las
siguientes características: VDD = 18V ,RD=3KΩ, RG=2MΩ, RF=RS=1kΩ,
RL=4KΩ,cg=0.1uF, cd=4.7uF ,cF=10uF.(utilizar características del transistor de
Vgs(off)=-3.5V).
 Calcular el punto de polarización del transistor.
 Calcular la función de transferencia, AV(s).
 determinar los valores de la frecuencia de corte inferior, fci, y frecuencia de

corte superior, fcs.
Figura 2
b) DISEÑO DE AMPLIFICADORES CON FRECUENCIA DE CORTE ESTABLECIDO
Para determinar los elementos reactivos externos al transistor, considere una frecuencia de
corte inferior de 300 Hz. Determine además la frecuencia de corte superior.
 Diseñe un amplificador con transistor bipolar con Av = 70, para una señal de
entrada de 15mVpp.
 Diseñe un amplificador con transistor unipolar con Av = 30, para una señal de
entrada de 20mVpp.
 Calcule y verifique la ganancia Av en las tres bandas de operación.
 Construya los diagramas de Bode correspondientes.
c) AMPLIFICADOR MULTIETAPA (ACOPLAMIENTO AC)
Diseñe un amplificador de dos etapas con Av = -200, Ai= - 50, Zin= 20 K, Zout= 2.7 K.
Con una respuesta en frecuencia f1=200Hz, f2= 15KHz La primera etapa está constituida
por un amplificador con transistor unipolar y la segunda con un bipolar; el acoplamiento
debe ser capacitivo.
 Polarizar el circuito.
 Calcular la máxima tensión de salida sin distorsión y para este, la tensión de
entrada.
 Replantear Av, Ai, Zin, Zout, después de la normalización de los resistores.
 Dibujar las rectas de carga AC y DC mostrando claramente los puntos de operación
estático y dinámico.
 Construya el diagrama de Bode correspondientes.
d) AMPLIFICADOR MULTIETAPA (ACOPLAMIENTO DC)
Diseñe un amplificador de dos etapas con Av = -200. Con una respuesta en frecuencia
f1=200Hz, f2= 15KHz según el circuito de la figura 3 en acoplamiento continuo.
+V
R6
C3
R2 R4
Q1
R1 C1 C4
V1 Q2 Vo
1kHz C2 R7
R3 R5
Figura 3
Para el circuito realizar lo siguiente:
 Calcular todos los valores que faltan para la polarización.

 Calcular Ai, Zin, Zout.
 Replantear Av, Ai, Zin, Zout, después de la normalización de los resistores.
e) AMPLIFICADOR CASCODO
Diseñe un amplificador en la configuración cascodo como se muestra en la figura 4 a
continuación:
Polarizar el circuito para obtener una ganancia de tensión AV = -100, ZI = 180 [K] y
ZO=2200[]. Determine todos los valores de los resistores.
+V
R1
R2
C6
C1
Q1
R3
V2
C5
Q2
RL
1kHz
R6
R4
R5
C7
Figura 4
Obtener los valores teóricos de las resistencias calculadas y normalizarlas con valores
existentes en el mercado.

estático y dinámico del circuito diseñado.
 Determinar las frecuencias de ruptura relativas al corte en la baja frecuencias y en
la alta frecuencia.
 Calcular la ganancia de tensión AV, la ganancia de corriente AI para una resistencia
de carga de RL = 1.8[K].
f) AMPLIFICADOR DARLINGTON
Diseñe un amplificador Darlington emisor común como se muestra en la figura 5:
Para obtener AV = - 250, ZI = 200 [k]. Determinar todos los valores de resistores y la
máxima excursión simétrica no distorsionada del voltaje de salida.
 Calcular la máxima excursión del voltaje a la salida y VIMAX.
 Determinar las frecuencias de rupturas relativas al corte en baja frecuencia y alta
frecuencia.
 Calcular la ganancia de tensión AV y la ganancia de corriente AI para una resistencia de
carga de RL = 180[].
estático y dinámico. Construya el diagrama de Bode para VO / VI correspondiente al
circuito.
VCC
RC
R1
10uF
RS
10uF
Vs
-1/1V R4
R2 10uF
RL
1kHz
R3 RE
Figura 5
g) AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
Diseñe el amplificador que se presenta en la figura a continuación:
Para el amplificador diferencial que se muestra en la figura 6:

Obtener: ICQ1 = ICQ2 =1.8 mA
 Polarizar el circuito, determinar las resistencias R1 y R2

 Calcular la máxima tensión de salida sin distorsión y para este, la tensión de
entrada.
 Calcular la ganancia en el modo diferencial AD, la ganancia en el modo común AC y
la relación de rechazo al modo común RRMC.
 Medir las ganancias en el modo diferencial AD, la ganancia en el modo común AC, y
compararlas con los resultados de la segunda viñeta.
 Indique como medir las impedancias de entrada en modo común y en modo
diferencial.
+V1
R1 R2
V3 V4
C1 C2
Q1 Q2
1kHz 1kHz
R3 R4
Q3
R5 D1
R6
-V1
Figura 6
h) APORTE DEL ALUMNO
En base a los puntos del laboratorio, prepare un ejercicio e implemente en el laboratorio,

obteniendo los parámetros y estableciendo los cálculos necesarios para su realización.
SIMULACIÓN

a) ANÁLISIS EN FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR BJT Y

JFET
Arme el circuito de la figura 1-2 y compruebe su correcto funcionamiento comparando los

resultados con la hoja de simulaciones.
Mida las frecuencias de corte superior e inferior, retire los condensadores CC y CE en forma
secuencial y vea los efectos que produce.
b) DISEÑO DE AMPLIFICADORES CON FRECUENCIA DE CORTE DEFINIDO.
Diseñe un amplificador como se indica y compruebe los resultados obtenidos con la hoja
de simulaciones, del mismo modo verifique las frecuencias de corte superior e inferior,
quite el condensador C1 y vea los efectos en la señal de salida.
c) AMPLIFICADOR MULTIETAPA (ACOPLAMIENTO AC)
Arme el circuito propuesto en el pre informe en el mismo realizar las medidas

correspondientes al diseño efectuado previamente, comprobar su funcionamiento y
comparar las medidas con la hoja de simulaciones.
d) AMPLIFICADOR MULTIETAPA (ACOPLAMIENTO DC)
Arme el circuito de la figura 3 y con los valores calculados en el pre informe determine en
forma experimental lo siguiente:
 La ganancia de tensión
 La frecuencia de corte superior e inferior
 Obtener en forma experimental el modelo equivalente en tensión
 Determinar en forma independiente IC y VCE de cada etapa.
e) AMPLIFICADOR CASCODO
Implementar de forma práctica el circuito de la figura 4 para este punto, realizar las
medidas correspondientes para determinar el punto de operación estático y graficarlo.
Comparar este resultado con el diseño preliminar realizado en el pre informe.
 Calcular la ganancia de tensión total si VIMAX = 7 [mV]pp.

 Cual es la amplitud de VI a la cual el amplificador empieza a distorsionar.
 Cuál es el valor de RL a la cual se tiene máxima salida.
Conectar la señal del generador y ajustar VI = 20 [mV]pp a continuación llenar la siguiente

tabla:
F [Hz] 20 50 100 500 1 [K] 5 [K] 10 [K] 20 [K] 50 [K] 100 [K]
VO[mV]pp
VI [mV]pp
 Dibujar la respuesta en frecuencia con los datos de Vo vs f.
f) AMPLIFICADOR DARLINGTON
Empleando los valores obtenidos en el pre informe del circuito de la figura 5, anotar en una
tabla los valores teóricos encontrados y realizar una comparación con los valores
experimentales a medir en el laboratorio.
Conectar la señal del generador y ajustar VI = 20 [mV]pp a continuación llenar la siguiente

tabla:
F [Hz] 20 50 100 500 1 [K] 5 [K] 10 [K] 20 [K] 50 [K] 100 [K]
VO[mV]pp
VI [mV]pp
Medir la impedancia de entrada del amplificador para a) f = 1 [KHz] y b) f = 20 [KHz].
 Con las mediciones efectuadas al principio hallar los puntos de operación estático y
comparar con los puntos de operación estáticas teórico.
 Qué sucede en el circuito si la impedancia del voltímetro es relativamente baja en
las mediciones.
 Graficar la respuesta en frecuencia AV vs. f tomando datos de la tabla obtenida,
comparar con la ganancia teórica en frecuencia media. Indicar los puntos de media
potencia y calcular el ancho de banda de repuesta del circuito.
 Indicar el valor experimental de ZIN medido y comparar con el teórico calculado en
el pre informe. Es afectado la ZIN por la frecuencia. ¿Por qué?
 Dibujar la respuesta en frecuencia del circuito de la misma manera que se hizo para
el amplificador cascodo.
g) AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
Arme el circuito de la figura 6 para esta parte y verificar antes de conectar las fuentes de
alimentación.
 Sin señal cortocircuitar las bases a tierra y medir los puntos de operación estáticos.
 Desconectar de tierra la base de Q1 y aplicar una señal con el generador a una
frecuencia de 1 [KHz]. Cuidar que no haya distorsión a la salida. Luego medir la
salida en el colector de Q1 hacia tierra de tal manera de obtener VO1, medir la salida
en el colector de Q2 hacia tierra de tal manera de obtener VO2 y finalmente entre
colectores para obtener VO. Medir la señal que entrega el generador (sin
desconectar), volver a conectar la base de Q1 a tierra y desconectar la base de Q2 y
aplicar una señal con el generador a una frecuencia de 1 [KHz]. Cuidar que no haya
distorsión a la salida. Luego medir la salida en el colector de Q1 hacia tierra de tal
manera de obtener VO1, medir la salida en el colector de Q2 hacia tierra de tal
manera de obtener VO2 y finalmente entre colectores para obtener VO. Medir la
señal que entrega el generador (sin desconectar), volver a conectar la base de Q2 a
tierra.
 Desconectar las dos bases de tierra y unirlos en un solo nodo, al mismo aplicar la
señal del generador. Aumentar la amplitud del generador hasta poder medir con el
osciloscopio. Efectuar la medición de VO1, VO2 y VO. Medir la señal que entrega el
generador.
 Efectuar la medición de las impedancias en modo diferencial y no en modo común.
Comparar los puntos de operación teóricos y experimentales. Explicar las diferencias
existentes.
 En base a las mediciones efectuadas, hallar la ganancia en modo diferencial para
cada caso y comparar con los teóricos. Explicar diferencias.
 En base a las mediciones efectuadas, hallar la ganancia en modo común para cada
caso y comparar con los teóricos. Explicar diferencias.
 Calcular la relación de rechazo al modo común RRMC para cada caso.
 Comparar las impedancias de entrada medidas con las teóricas.
Arme el circuito propuesto en el pre informe y demuestre su funcionamiento, obteniendo

6. INFORME FINAL.
del informe:
 En base a la comparación emita una conclusión completa y enúncielo en si informe.

 Este informe será el vivo reflejo de lo que el alumno haya ejecutado como trabajo en
laboratorio.
5
Laboratorio
AMPLIFICADORES
REALIMENTADOS
respectivamente, recomendable BC548, BC557 2N3904, 2N3906.
todos de 0.5 [W].

 Multímetro.
 Osciloscopio.
 Fuente simétrica de + / - 15 [V].

Analizar estudiar la importancia de la ganancia del amplificador en malla abierta (sin

realimentación) y comprobar que esta varía significativamente con cambios en la frecuencia,
en tanto que la ganancia en malla cerrada (con realimentación) es mucho menos sensitiva a
cambios en la frecuencia.
a) Analizar teórico y experimentalmente el comportamiento del amplificador realimentado

de transconductancia y verificar los resultados del mismo.
b) Deducir en el pre informe las ecuaciones que permitan determinar los puntos de
trabajo, la ganancia de tensión, las frecuencias de corte en altas y bajas con el efecto
de realimentación en el amplificador de transresistencia.
c) Análisis de los amplificadores realimentados con transistores en general, aplicado a los

amplificadores de tensión, realizando el estudio teórico y experimental.
d) Estudiar el comportamiento del circuito y su diseño preliminar, variaciones del diseño

con respecto a la normalización de los componentes y su correspondiente rediseño
para la implementación de los amplificadores de corriente realimentados.
e) Estudiar el efecto de la realimentación en cuanto a la reducción de sensibilidad del

amplificador completo ante los cambios de los parámetros del transistor, al mismo
tiempo estudiar los resultados de una realimentación positiva (Introducción a los
osciladores).
f) Aplicar los conocimientos adquiridos por el estudiante durante la experimentación

a) AMPLIFICADOR DE TRANS CONDUCTANCIA.
Diseñe un amplificador realimentado de trans conductancia de la figura 1, con una

ganancia en malla abierta AVO =-30 y una ganancia en malla cerrada AV =-5. Y una
frecuencia de corte inferior f1=1000 Hz y un ancho de banda de 20 KHz, tomar en cuenta
V=12 [v]. en el circuito diseñado determine:
Página 2 de Laboratorio V
+V
R2 R4
C2
RS C1
V1 Q1
-1/1V NPN
RL
1kHz R1
R3
C3
R5
Figura 1
 Determinar los puntos de operación estático mostrando en cada caso las rectas de
carga AC y DC.
 Calcular la ganancia de voltaje AV, la ganancia de corriente AI, la impedancia de
entrada ZI y la impedancia de salida ZO con realimentación y sin realimentación.
 Determinar la máxima señal de entrada para no tener distorsión a la salida.
 Dibujar la respuesta de frecuencia del amplificador diseñado con realimentación y
sin realimentación.
b) AMPLIFICADOR DE TRANS RESISTENCIA.
Diseñe un amplificador realimentado de trans resistencia de la figura 2, con una ganancia

en malla abierta AVO = -20 y una ganancia en malla cerrada AV = -4. En el circuito diseñado
determine:
+V
R2 R4
C3
R1 C1
V1 Q1
-1/1V NPN
RL
1kHz L1 C4
1mH 0.1uF
R3 R5 C2
R7
Figura 2
 Las resistencias normalizadas asociadas al diseño del amplificador realimentado de
transresistencia.
 Determinar los puntos de operación estático experimentales mostrando en cada
caso las rectas de carga AC y DC.
 Dibuje el modelo necesario para ilustrar el tipo de realimentación que se utiliza en
este circuito realimentado de transresistencia.
 Determinar la máxima señal de entrada para no tener distorsión a la salida. Y la
máxima excursión sin distorsión a la salida.
sin realimentación. Realizar los diagramas de Bode para Vo / Vi con respecto a la
frecuencia.
c) AMPLIFICADOR DE TENSION.
El circuito de la figura 3 representa un amplificador de ganancia de tensión para el cual

diseñe el amplificador y determine lo siguiente en base a los datos que se proporciona en
el circuito. Tomar en cuenta que Vcc=15 [v].
Figura 3
 Dibujar el circuito equivalente para señal alterna, mostrando la red de

realimentación y el amplificador básico
 Indicar el tipo de comparación y muestreo
 Calcular el factor de realimentación
 Deduzca las ecuaciones y calcule el punto de trabajo.
 Dibuje el modelo necesario para ilustrar el tipo de realimentación que se utiliza en
este circuito realimentado de tensión.
sin realimentación. Realizar los diagramas de Bode para Vo / Vi con respecto a la
frecuencia.
d) AMPLIFICADOR DE CORRIENTE
Diseñe un amplificador realimentado de tensión de la figura 4, con una ganancia en malla

abierta AVO = -10 y una ganancia en malla cerrada AV = -2. En el circuito diseñado
determine:
 Las resistencias normalizadas asociadas al diseño del amplificador realimentado de

tensión.
caso las rectas de carga AC y DC.
 Diseñar el circuito para obtener una ganancia el lazo abierto AI = -50 y una
ganancia en lazo cerrado AIF = -10.
 Dibujar la respuesta de frecuencia del circuito.
+V
R1 R2 R3 R4
C2
C4
C1
V1 Rs
Q1
NPN Q2
NPN
1kHz
R5 C3
R6
RL
R8
R7 C5
Figura 4
e) APLICACIÓN DE REALIMENTACIÓN (POSITIVA)
Para el circuito de la figura 5 realizar los siguientes apartados:
 Determinar las resistencias y condensadores faltantes normalizadas asociadas al
diseño del amplificador realimentado.
caso.
 Determinar la ganancia del amplificador AV así como la ZI y ZO sin realimentación.
 Determinar las frecuencias de corte del amplificador sin la red de realimentación.
 Determinar en forma teórica la ganancia y la frecuencia de la señal de salida con la
red de realimentación.
DATOS
VCC = 12 V
RB1 = 750 K
RB2 = 47K
RC = 3.3 K
RE1 = 33
R1 = 100 K
C1 = 10 nF
C2 = 4.7uF
C3 = C4 = ?
RE2 = ?
Q1 = BC547B
Figura 5
f) APORTE DEL ALUMNO
En base a los puntos del laboratorio, prepare un ejercicio e impleméntelo, obteniendo los
resultados requeridos, explique claramente su funcionamiento.
SIMULACIÓN
a) AMPLIFICADOR DE TRANSCONDUCTANCIA.
Arme el circuito de la figura 1, amplificador de transconductancia planteado en el pre-

informe, realice las medidas pertinentes que permitan verificar sus cálculos teóricos y haga
una comparación con los datos experimentales obtenidos en el laboratorio.
Determine experimentalmente las frecuencias de corte inferior y superior, comente las

diferencias encontradas con respecto a sus cálculos teóricos con respecto a lo obtenido en
el laboratorio. Presentar los resultados en forma gráfica, interpretando con diagrama de
Bode cuando así sea necesario.
b) AMPLIFICADOR DE TRANSRESISTENCIA.
Arme el circuito de la figura 2, amplificador de transresistencia planteado en el pre-

informe, realice las medidas pertinentes que permitan verificar sus cálculos teóricos y haga
una comparación con los datos experimentales obtenidos en el laboratorio, observe los
cambios.

el laboratorio si es posible emita las conclusiones preliminares para la elaboración de su
informe. Presentar los resultados en forma gráfica, interpretando con diagrama de Bode
cuando así sea necesario.
c) AMPLIFICADOR DE TENSIÓN.
Arme el circuito de la figura 3, amplificador de tensión planteado en el pre-informe, realice

las medidas pertinentes que permitan verificar sus cálculos teóricos y haga una
comparación con los datos experimentales obtenidos en el laboratorio.

Bode cuando así sea necesario.
d) AMPLIFICADOR DE CORRIENTE.
Arme el circuito de la figura 4. En este realice todas las medidas necesarias para obtener
los puntos de operación experimentales y haga una comparación con los datos teóricos
predeterminados en el pre-informe.

Bode cuando así sea necesario. Observe las variaciones y emita sus conclusiones.
e) APLICACIÓN DE REALIMENATACIÓN (POSITIVA)
Arme el circuito de la figura 5, y realizar los siguientes apartados:
 Montar en primer lugar el amplificador y medir el punto de trabajo del transistor IC,
IB, VCE.
 Medir en el rango de frecuencias medias, los siguientes datos del amplificador:
ganancia de Tensión AV, impedancia de entrada ZI, Impedancia de salida ZO.
 Medir las frecuencias de corte del amplificador para ello utilizar un condensador a la
entrada de 100 nF.
 Conectar la red realimentación y medir la frecuencia y amplitud de la señal de salida
VO.
 Representar gráficamente el desfase y la ganancia en función de la frecuencia,
entre la entrada y la salida de la red de realimentación, A la vista de los resultados,
explicar cómo se comporta la red de realimentación.
f) APORTE DEL ALUMNO
Arme el circuito propuesto en el pre-informe y demuestre su funcionamiento, obteniendo

6. INFORME FINAL.
del informe:

laboratorio.
6
Laboratorio
AMPLIFICADORES
DE POTENCIA
respectivamente, recomendable BC548, BC55, 2N3904, 2N3905.
 Transistores de potencia TIP31, TIP32, TIP41, TIP42.
 Una resistencia de 50 [] para carga.
 Parlantes pequeños de 8[] ó 4[] de potencia 1 [W].
 Dos potenciómetros, uno de 100 [K], de 10 [K] y otro de 1 [K].
todos más de 0.5 [W].

 Multímetros.
 Osciloscopio.

Diseñar amplificadores de potencia, cuyo propósito sea entregar una excursión del voltaje de
salida máxima no distorsionada a una carga de baja potencia.
Los objetivos específicos que a continuación se señalan son para cada experimento:
a) Introducir al estudiante al análisis y diseño de los amplificadores de potencia en

sus diferentes clases.
b) Investigar el propósito de los disipadores de potencia, así como el cálculo de las
dimensiones, el material del cual están hechos, etc.
c) Estudiar experimentalmente los amplificadores correspondientes a la clase A y su
aplicación, realizando el análisis correspondiente en potencia y frecuencia.
d) Determinar el rendimiento, el factor de calidad de los amplificadores de clase B
denominados también (Push-Pull) y trazar la recta de carga en continúa
verificando su concepto.
e) Determinar experimentalmente el funcionamiento del amplificador par
complementario y su respectivo análisis de potencia, rendimiento y factor de
calidad.
f) Estudiar en forma experimental el amplificador cuasi complementario elaborado en
base de transistores de potencia y su respectivo análisis de potencia, rendimiento
y factor de calidad.
g) Aplicar el funcionamiento de un amplificador par complementario en la utilización
de un intercomunicador de audio.
h) Aplicar los conocimientos adquiridos por el estudiante durante la experimentación
a) ANALISIS EN CLASES DE AMPLIFICADORES
Los amplificadores de potencia se clasifican de acuerdo con el porcentaje de tiempo donde

la corriente de colector es distinta de cero.
Indique las diferencias fundamentales entre las configuraciones de amplificadores en las

clases:
Página 2 de Laboratorio VI
 Operación clase A.
 Operación clase B.
 Operación clase AB.
 Operación clase C.
 Operación clase D.
b) PLACAS DISIPADORES DE POTENCIA
 Investigue la razón por el que se requiere utilizar placas disipadoras para los
transistores de potencia.
 Investigue el/los métodos para establecer las dimensiones de las placas disipadoras
utilizadas en los transistores para aplicaciones de amplificadores de potencia.
c) AMPLIFICADOR CLASE A
Diseñar un amplificador de potencia clase A acoplado por bobina de salida 0.5 [W].
+V
T2
R1
C3
V2 Q1
R4
R2 C2
R3
Figura 1a
10K
10uF +
+ 9V
0.01uF
Q1
NJFET
salida
micrófono al AMP POT
+
470p 1M
1k 10uF
Figura 1b
En el circuito de la figura 1a:
Diseñe el circuito para obtener una ganancia de corriente AI = -10, ganancia de tensión
AV = -25 e impedancia de entrada ZIN = 4.5 [K].
 Polarizar el circuito de la figura, calcular las resistencias y normalizar estas para

implementar el circuito en laboratorio.
 Calcular la potencia suministrada por la fuente.
 Calcular la potencia disipada en el transistor.
 Calcular la máxima excursión del voltaje de salida.
 Calcular el valor nominal de potencia requerido en el transistor.
 Determinar las líneas de carga para el amplificador.
Para el circuito de la figura 1b, Explique el funcionamiento del circuito:
Deduzca:
 Los puntos de trabajo del FET.
 Potencia de salida.
 Potencia disipada por el FET.
 Potencia que entrega la fuente DC.
 El rendimiento del circuito.
 Arme el circuito y verifique los cálculos realizados, determine
 experimentalmente la frecuencia de corte superior e inferior
d) AMPLIFICADOR CLASE B (PUSH - PULL).
Explique detalladamente el funcionamiento de un amplificador de potencia en la

configuración PUSH – PULL, diseñe el amplificador de la figura 2.
Q1
NPN
1:1 R1
2:1
+
Vi R2 RL
10 Vo
+
-
Cb
Q2
NPN
Figura 2
Una vez realizada la polarización del circuito, encontrados los puntos de operación estática
DC y dinámica AC y calculados los resistores de polarización, estas deben estar
normalizadas.
 Calcular la potencia suministrada por la fuente de alimentación.

 Determinar la potencia transferida a la carga.
 Obtener la potencia disipada en el colector.
 Calcular el rendimiento de la operación.
 Halla el factor de calidad de utilización del transistor.
e) AMPLIFICADOR CLASE B (PAR COMPLEMENTARIO).
Explique detalladamente el funcionamiento de un amplificador de potencia en al

configuración simetría complementaria de la figura.
+V
R2 R6
+ C5 R1 R7 R5 Q2
D1 C6
0 C3 R1 +
D2
C1 Q3
V2 Q4 Q1 R4
R9 R8 +
C4 R3 + C2
Figura 3
Diseñar el circuito de la figura 3 anterior, para obtener una potencia de salida mayor o
igual a 3 [W]., esta potencia debe desarrollarse sobre una carga de 8 [], que puede ser
un parlante pequeño.
Calcular:
 La potencia suministrada por la fuente de alimentación.

 La potencia transferida a la carga.
 La potencia disipada en el colector.
 El factor de calidad de utilización del transistor.
f) AMPLIFICADOR CUASICOMPLEMENTARIO
Explique detalladamente el funcionamiento de un circuito de potencia en la configuración

cuasi complementaria de la figura 4.
Diseñar el circuito para obtener una potencia de salida mayor o igual a 5 [W], sobre una
carga de 8 [], o su equivalente.
V1
R2 +V
R11
R6
Q3
R5
Q8
C6
+ Q5
R10 R7 R14 +
C5
C3
Q7
C1 R3
Q6
V2
-1m/1mV Q4 Q2 R4
R12
10kHz R9 R8 +
R13
C4
Figura 4
 Polarizar el circuito de la figura, calcular las resistencias y normalizar estas para

implementar el circuito en laboratorio.
 Calcular la potencia suministrada por la fuente.
 Calcular la potencia disipada en el transistor.
 Calcular la máxima excursión del voltaje de salida.
 Calcular el valor nominal de potencia requerido en el transistor.
 Determinar las líneas de carga para el amplificador.
g) APLICACIÓN DEL PAR COMPLEMENTARIO
En el circuito de la figura 5, explique el funcionamiento del circuito.

Deduzca:
 Los puntos de trabajo de cada transistor

 Potencia de salida.
 Potencia disipada por los transistores.
 Potencia que entrega la fuente de dc.
Figura 5
En base a los puntos del laboratorio, prepare una función e implemente un ejercicio,
obteniendo los resultados planteados, explique claramente su funcionamiento.
Sugerencia:
Diseñar el amplificador de la figura, para una potencia de 5W sobre 20Ω. Los transistores son de silicio
con β>100 salvo los de potencia para los cuales β>20.
Vcc
Q2
PNP
R2 Q4
NPN
C1
Q1
NPN
R5
R1 Q3
P NPN
C2
R
R3 R5
SPK1
20
Q5
PNP
R4
SIMULACIÓN

a) ANÁLISIS EN CLASES DE AMPLIFICADORES
 Tenga a mano una tabla resumida de las clases de amplificadores y sus

características más importantes (los usará en laboratorio).
b) PLACAS DISIPADORES DE POTENCIA.
En base a lo investigado determine el área de disipador de un amplificador de potencia de

audio sencillo de 2W elaborado en base a los integrados TDA2003.
Arme el circuito propuesto y verifique el funcionamiento del disipador, realizando un

seguimiento de la temperatura del disipador Vs señal de entrada o señal amplificada.
c) AMPLIFICADOR CLASE A.
Implemente los circuitos de las figuras 1a y 1b de forma práctica para demostrar los
conocimientos adquiridos. Compare con los análisis efectuados en el pre informe y deje en
claro las diferencias obtenidas en los circuitos implementados en el laboratorio.
d) AMPLIFICADOR CLASE B (PUSH-PULL).
Arme los tres circuitos de la figura 2 y verifique la polarización del circuito. Colocar una
señal de entrada de 5 [KHz] y 100 [mV] pp, luego determinar la ganancia de tensión y
potencia del circuito. Dibujar la respuesta en frecuencia del amplificador, para ello
introducir una señal sinusoidal que varíe de 10 [Hz] a 20 [KHz].
e) AMPLIFICADOR CLASE B (PAR COMPLEMENTARIO)
Arme el circuito de la figura 3 verificar la polarización del circuito. Colocar una señal de
entrada de 5 [KHz] y 100 [mV] pico pico, luego determinar la ganancia de tensión y
potencia del circuito. Dibujar la respuesta en frecuencia del amplificador, para ello
introducir una señal sinusoidal que varíe de 10 [Hz] a 20 [KHz]. Mostrar gráficamente las
formas de onda de los colectores y bases de los transistores tanto teóricas como
experimentales.
f) AMPLIFICADOR CUASICOMPLEMENTARIO
Arme el circuito de la figura 4 Verificar la polarización del circuito. Colocar una señal de
entrada de 5 [KHz] y 100 [mV] pico, luego determinar la ganancia de tensión y potencia
del circuito. Dibujar la respuesta en frecuencia del amplificador, para ello introducir una
señal sinusoidal que varíe de 10 [Hz] a 20 [KHz]. Mostrar gráficamente las formas de onda
de los colectores y bases de los transistores tanto teóricas como experimentales.
g) APLICACIÓN DEL PAR COMPLEMENTARIO
Arme el circuito de la figura 5 y compruebe su correcto funcionamiento según lo explicado

en el pre informe.Realice variaciones en el circuito de ser necesario.
h) APORTE DE ALUMNO

las graficas necesarias.
6. INFORME FINAL.
del informe:
 En base a la comparación emita una conclusión completa y enúncielo en si informe.

7
Laboratorio
AMPLIFICADOR
OPERACIONAL I
 Amplificadores operacionales A741 según requiera el diseño.

 Circuitos integrados reguladores LM317.
 Amplificadores operacionales como ser LM386, TL080, TL082 y TL084.
 Capacitores Electrolíticos ó cerámicos según el valor que se requiera en el
diseño.
todos de 0.5 [W].

 Multímetro.
 Osciloscopio.

Análisis y verificación de los parámetros de los amplificadores operacionales (AO) y el

estudio e implementación de aplicaciones básicas de los mismos.
a) Estudiar las características técnicas de los amplificadores operacionales ideales y reales

como elementos de circuito.
b) Aprender a calibrar el amplificador operacional y su respectivo ajuste de tensión

offset y medición del RRMC.
c) Aprender a usar amplificadores operacionales para construir amplificadores buffers,
inversores y no inversores.
d) Utilizar Modelos de circuitos utilizados para representar operaciones aritméticas básicas

como son los sumadores.
e) Diseñar circuitos aritmético restador con amplificador operacional a fin de efectuar una
resta de tensiones.
f) Entender la operación interna del amplificador operacional de modo tal que podamos
conformar un circuito capaz de resolver una ecuación simple de 2 incógnitas.
g) Aplicar los conocimientos adquiridos por el estudiante durante la experimentación

a) ESPECIFICACIONES TECNICAS
En el manual de componentes encontrar las características de los AO´s:
 Fairchild A741.
 LM741 Motorola.
 Texas Instrument TL 081.
Encontrar sus valores límites, ganancias en modo común, diferencial, RRMC e impedancias
de entrada y salida de los diferentes modos del AO.
Página 2 de Laboratorio VII
En los circuitos básicos (inversor y no inversor) con AO, investigue los efectos de la
distorsión no lineal y el ruido.
V1
8V
+V
D3
1N4007
D1 Q10
1N4007 BC558AP
Q8 Q16
BC558AP R8 BC548A
C1 4.5k
30pF
Q1 Q2
BC548A D4 Q17
BC548A Q11
BC548A
R7 DIODE BC548A
R9
35k 7.5k R11
25
Q3 Q4
BC558AP BC558AP
Q7 Q12
BC548A BC548A
R10
Q13 50
BC548A
Q6 Q5 Q9
BC548A BC548A
BC548A Q14
BC548A Q15
BC558AP
D2
1N4007
R3 R2 R6 R5 R4
R1 3k 80k
1k 50k 1k 50k
V2
+V-8V
Fig. Circuito interno del CI Op-Amp 741
b) OFFSET Y RRMC
 Demostrar algebraicamente el efecto de las tensiones y corrientes de OFFSET en el

AO.
 Explicar cómo se puede eliminar los efectos de OFFSET (realizar su demostración).
 Los siguientes circuitos son alternativas para eliminar los efectos del OFFSET,
impleméntelos en laboratorio y verifique la compensación en cada caso. Calcule las
resistencias R1 y R2 para tener una ganancia de 100 y 1 para cada circuito, utilice
los CI´s LM741 y TL081.

R2
+V O O
R1 Vi
O O R2 Vo
R1
Vi
5.6K
Vo 50k 40%
100 5.6k
100
-V
+V -V
RP
50K 50%
Figura 1a Figura 1b
V1
+V
R
Vin RG RF
D1
10k 40%
R7 R5
10k
R3
+
C1 100
D2 1uF
R
-V
Figura 1c
 Medida de RRMC. En forma práctica en el caso del LM741 y el TL081, explicar como
funciona el circuito de la figura 2 para medir el RRMC.
R1 R3
100 100k
V2
V1 12V
-1/1V +V U1
UA741
A +
B
1kHz
V3
+V
-12V
R2 R4
100 100k
Figura 2

c) AMPLIFICADORES BÁSICOS
 Implemente y explique el funcionamiento del circuito de la figura 3a, indique su

aplicación.
 Deducir y calcular AV = VO/VI ,ZI, ZO del circuito de la figura 3b
 Deducir y calcular AV = VO/VI ,ZI, ZO del circuito de la figura 3c
RF
6.8k
RA
Vi 2.2k
Vo
R1
6.8k
O
O
Vo
Vi
Figura 3a Figura 3b
2.2k 5.8k
2.2k O
O
Vo
Vi
5.8k
Figura 3c
Nota.- Adopte para las tensiones de entrada señales alternas de amplitud moderada.
d) AMPLIFICADORES SUMADORES
Para los siguientes circuitos hallar el valor de las resistencias para que el circuito funcione.
 Deducir y calcular AV, ZI, ZO del circuito de la figura 4a

 Deducir y calcular AV, ZI, ZO del circuito de la figura 4b

RA RF
O R
R
U1 V1 1
IDEAL f
V1 R1 VO
O R
2 O
V2 Vo
R2
V2
O R
R
V3 3
V3 R3 R
Figura 4a Figura 4b
e) AMPLIFICADOR RESTADOR
Para el siguiente circuito hallar el valor de las resistencias para que el circuito funcione,
obtener la expresión:
Vsal  3 V1  2 V2  0.5V3   2.V4  3 V5  V6 
 Deducir y calcular AV,, ZI, ZO del circuito de la figura 5
O R
V1 1
O R
V2 2
O R R
V3 3 f
O R 
4 Vo
V4
O R
5 R
V5
O R
V6 6
Figura 5
f) SOLUCIÓN DE ECUACIONES SIMULTÁNEAS
Elija dos ecuaciones simultáneas con dos incógnitas que pueda resolver. Si no se le ocurre
ninguna que pueda resolver, use éstas:
X  3Y  8 5  X  2 Y  6

Elija una escala adecuada para el suministro de voltaje de un amplificador y para la
respuesta.
 Construya un circuito de solución usando circuitos sumadores restadores. No olvide

balancear los amplificadores.
 Verifique sus respuestas medidas y calculadas.
Nota. Cada sumador-restador debe ponerse a cero con su salida en lazo abierto y todas las
entradas a tierra.
La baja ganancia en lazo cerrado de los sumadores restadores conectados para resolver la
ecuación puede producir oscilación en algunos amplificadores. Usualmente, un
condensador de 0.01 [F] conectado a través de Rf de cada amplificador hará cesar la
oscilación. Si no lo hace, será necesario aumentar la ganancia total en lazo cerrado de los
amplificadores. Esto puede lograrse si se conecta una resistencia ( 10 [K]) de las dos
terminales de entrada, la inversora y la no inversora, a tierra.
En base a los puntos del laboratorio, prepare una función e implemente un ejercicio,
obteniendo los resultados planteados, explique claramente su funcionamiento.
SIMULACIÓN

a) ESPECIFICACIONES TÉCNICAS
 Tenga a mano una tabla resumida de las características más elementales de los
amplificadores operacionales a utilizarse a lo largo de los laboratorios.
b) OFFSET Y RRMC
 Medición de la tensión de offset Use los circuitos 1a, 1b y 1c y coloque VI a 0 [V] y a

través de RP variar hasta que VO esté a 0 [V], inicialmente conectar las tensiones de

alimentación V = +/- 12 [V], luego reducir a V = +/- 9 [V] y finalmente colocar a la
terminal que corresponda +12 [V] y a la otra terminal de alimentación 0 [V].
Registre las mediciones correspondientes de los resultados obtenidos.
 Medición de la RRMC y el Acm. Construya el circuito de la figura 2, mida Vent y Vsal y

con los datos obtenidos haga los cálculos de la RRMC. La salida no debe estar
recortada. El Vent es una señal de AC de menos de 5 [Hz] y alrededor de 10 [V]p de
magnitud. Recuerde que:
 V   R  RF 
RRMC   ENT   1 
 VSAL   R1 
Para medir directamente la ganancia en modo común, disponga R1 = RF en el

circuito y use la relación Acm = Vsal / Vent.
¿Corresponden sus valores medidos de RRMC, voltaje de desajuste y corriente de

desajuste a los garantizados por las especificaciones del fabricante?
c) AMPLIFICADORES BÁSICOS
Armé los circuitos de las figuras 3a, 3b y 3c, en cada uno de los casos variar VI de –15 [V]
a +15 [V] DC en pasos de 1 [V] y obtener la tensión de salida VO, asegurar en cada caso
que la tensión y la corriente de offset sean nulos, considerar las tensiones de alimentación
de +/- 12 [V]. DC.
Pruebe los mismos circuitos colocando VI una señal sinusoidal y vea su comportamiento de
cada caso en un osciloscopio.
d) AMPLIFICADORES SUMADORES
 Para el circuito sumador no inversor de la figura 4a calcule y mida el Vsal para V1 = 2

[V], V2 = -3 [V], V3 = -0.5 [V].
 Para el circuito sumador inversor de la figura 4b calcule y mida el Vsal para V1 = -2

[V], V2 = -3 [V], V3 = 4 [V].
e) AMPLIFICADOR RESTADOR
Arme el circuito de la figura 5 y verifique su funcionamiento con los valores calculados en

el pre informe, Construya el circuito. Ajuste V1 = V2 = V3 = V4=V5 = V6 = 1.2 [V].
Calcule y mida el voltaje de salida. No olvide balancear el circuito.

f) SOLUCIÓN DE ECUACIONES SIMULTÁNEAS
Implementar de forma práctica el circuito según el análisis realizado en el pre informe,

comprobar con claridad los cálculos teóricos efectuados.

6. INFORME FINAL.
del informe:

Este informe será el vivo reflejo de lo que el alumno haya ejecutado como trabajo en laboratorio

8
Laboratorio
AMPLIFICADORES
OPERACIONALES II
 Amplificadores operacionales A741, CA3060 según requiera el diseño.

 Circuitos integrados de audio TDA2003 y otros.
 Amplificadores operacionales como ser LM386, TL080, TL082 y TL084.
 Capacitores Electrolíticos ó cerámicos según el valor que se requiera en el
diseño.
todos de 0.5 [W].

 Multímetro.
 Osciloscopio.
Analizar, estudiar e implementar las aplicaciones más elementales de los amplificadores

operacionales.
a) Aprender como diseñar rectificadores empleando amplificadores operacionales.
b) Aprender y utilizar un amplificador operacional como comparador, en aplicaciones de

sensores etc.
c) Experimentar la aplicación básica de circuitos que resuelvan una expresión matemática

básica como son los logaritmos, en base a amplificadores operacionales.
d) Experimentar la aplicación básica de circuitos que resuelvan una expresión matemática

básica como son los anti logaritmos, en base a amplificadores operacionales.
e) Utilizar un amplificador operacional en un circuito derivador y experimentar el

funcionamiento de las mismas con diferentes señales de entrada.
f) Utilizar un amplificador operacional en un circuito integrador y experimentar el

funcionamiento de las mismas con diferentes señales de entrada.
g) Analizar y diseñar un circuito Girador con amplificador Operacional.
h) Emplear el amplificador operacional para realizar desfases en la señal de entrada,

tanto de 90º como de 180º.
i) Aplicar los conocimientos adquiridos por el estudiante durante la experimentación

a) RECTIFICADORES
a.1 DE MEDIA ONDA Explicar el funcionamiento del circuito y calcular la relación

VO/VI si VI es una señal sinusoidal de f=5 kHz y +/-30mV. Dibujé el diagrama de Bode
para VO/VI.
Página 2 de Laboratorio VIII

R2
D1
R1
ei
D2
R3
eo
Figura 1a
a.2 DE ONDA COMPLETA Explicar el funcionamiento del circuito y calcular la relación VO

/ VI si VI es una señal sinusoidal de f = 1 [KHz] y +/- 30 mV. Dibuje el diagrama de Bode
para VO / VI.
R2 R3 R4
D1
R1
ei
eo
D2 RL
R5
Figura 1b
b) CIRCUITO COMPARADOR
Explicar el funcionamiento del circuito de la figura 2 y calcular la relación Vo / Vi si Vi es una

señal continua que varía de +15V a -15V.
Explicar brevemente el comportamiento de la tensión de la entrada frente a la salida.
Regular el potenciómetro hasta obtener un detector de luz.

+V
+V
10k
R3 R5
10k 40% 1k
10k
D1
LED1
LDR
Vin
Figura 2
c) AMPLIFICADOR LOGARÍTMICO
Realizar un diseño que responda a la siguiente ecuación:
y = 3log 10+x 
d) AMPLIFICADOR ANTILOGARÍTMICO
Diseñar un amplificador que responda a la siguiente ecuación:
y = 4e x+2
e) CIRCUITO DERIVADOR
Deducir la ecuación de transferencia del circuito de la figura 3 para frecuencias inferiores

al corte en 3 dB. Calcular los componentes de tal manera que se obtenga un circuito
derivador, demuestre su funcionamiento teórico y práctico con una señal de entrada en
onda:
ENTRADA SALIDA
Sinusoidal 1Vpp
Triangular 1Vpp
Cuadrada 1Vpp
Determinar la frecuencia de corte para comprobar que el circuito es un buen derivador y

dibujar sus ondas de entrada y salida en relación de tiempos, así como su diagrama de
Bode mencionando sus pendientes y sus cortes.

R1
V1 C3
-1/1V
+ Vo
1kHz
Figura 3
f) CIRCUITO INTEGRADOR
En el circuito de la figura 3, calcular los componentes de tal manera de obtener un

circuito integrador con un corte determinado por el condensador dado (0.1uF).
Determinar la relación de ganancia para frecuencias inferiores al corte de 3dB.
Demuestre su funcionamiento teórica y experimente con una señal de entrada en
onda:
ENTRADA SALIDA
Sinusoidal 1Vpp
Triangular 1Vpp
Cuadrada 1Vpp
C1
V1
-5/5V R2 +
0.0010pf
Vo
1kHz
C2 R5
Figura 4

g) CIRCUITO GIRADOR
Deducir la ecuación de L según se muestra en la figura 5:
R R1
Zi
R
R
R
U3 R
IDEAL
R1
C
R
Figura 5
Una vez que se tiene L, elaborar un filtro RL pasa altas y comprobar el funcionamiento
para una frecuencia de corte de 10 KHz. Como se muestra a continuación:
R1
Vin Vo
L1
h) CIRCUITO DESFAZADOR
Dado el siguiente circuito, explicar el funcionamiento de la misma, etapa por etapa.

Dimensionar el circuito para el cual se debe establecer las condiciones de oscilación y
determinar la frecuencia de trabajo y establecer las condiciones de oscilación y determinar
la frecuencia.

22pF
10k 10k
P1 10k 10k
100k 10%
50k
P2 P3
100k 10% 100k 10%
0.1uF 0.01uF
27k
0º de desfase 90º de desfase 180º de desfase
Figura 6
i) APORTE DEL ALUMNO
En base a los puntos del laboratorio, prepare un ejercicio e implemente en el laboratorio,

obteniendo los parámetros y estableciendo los cálculos necesarios para su realización.
SIMULACIÓN

a) RECTIFICADORES
a.1 DE MEDIA ONDA Arme el circuito de la figura 1a rectificador de media onda y

polarice, en la señal de entrada coloque una señal de 8 [V] pp. y una frecuencia de 1[KHz]
y 0 [dBm], para el mismo dibuje la señal de entrada, y la señal de salida.
Realizar un barrido de frecuencias y llenar la siguiente tabla:
F [Hz] 20 50 100 500 1 [K] 5 [K] 10 [K] 20 [K] 50 [K] 100 [K]
VO[mV] pp
VI [mV] pp

Con esta Tabla construya el diagrama de Bode asociado al circuito, compare este resultado
con el teórico obtenido en el pre informe. Si lo desea puede extender esta tabla a más
medidas.
a.2 DE ONDA COMPLETA Arme el circuito de la figura 1b rectificador de onda completa

y polarice, en la señal de entrada coloque una señal de 10 [V] pp. y una frecuencia de
1[KHz] y 0 [dBm], para el mismo dibuje la señal de entrada, y la señal de salida.
Realizar un barrido de frecuencias y llenar la siguiente tabla:
F [Hz] 20 50 100 500 1 [K] 5 [K] 10 [K] 20 [K] 50 [K] 100 [K]
VO[mV] pp
VI [mV] pp
Con esta Tabla construya el diagrama de Bode asociado al circuito, compare este resultado
con el teórico obtenido en el pre informe. Si lo desea puede extender esta tabla a más
medidas.
b) CIRCUITO COMPARADOR
Arme el circuito de la figura 2 realice los siguientes apartados:
 Varíe el voltaje de entrada y observe que hacen el LED para tal efecto coloque un
potenciómetro a la entrada de tensión.
 Reemplazar el potenciometro y el LDR por el generador de funciones e introducir
una señal triangular de 1 kHz y amplitud +/- 2V. Comparar la entrada y la salida.
 Ajuste Vi y observe el voltaje en la terminal positiva dónde se enciende o apaga el
LED. Registre el valor en la tabla siguiente.
Detector de PASA no PASA

LED 1º Paso
LED 2º Paso
Voltaje de cruce
c) AMPLIFICADOR LOGARÍTMICO
Para la realización de esta parte del laboratorio tome en cuenta la siguiente sugerencia:
 Mida la IES de un transistor NPN con bajo voltaje inverso emisor – base, VBE  1 [V].
 Conecte el circuito de la figura siguiente

R1
Vi
+
-
Vo
-
Eligiendo R1 de manera de IR1 = 0.1 [mA] con V1 = 10 [V]. Nota. Una resistencia de 20
[M] a través de las terminales emisor a colector del transistor resolverá los problemas de
anulación del desajuste, pero introducirá algún error. Si se producen oscilaciones, un
pequeño condensador ( 0.001 [F]) a través del transistor, de emisor s colector, podrá
suprimirlas.
 Calcule y mida el voltaje de salida con VENT = + 3 [V] y VENT = +6 [V].

 No desconecte el circuito.
 Aplique el circuito sugerido para el diseño del pre informe y comprobación en
laboratorio.
d) AMPLIFICADOR ANTILOGARÍTMICO
Para la realización de esta parte del laboratorio, tome en cuenta la siguiente sugerencia:
 Mida la IES del transistor debe ser aproximadamente el valor obtenido con el
transistor usado en el amplificador logarítmico.
 Conecte el circuito anti logarítmico de la figura siguiente.
RF
+
Vi
+
-
Vo
-
Elija RF de manera que IF = 0.1 [mA] con VSAL = 10 [V]
 Conecte la salida del amplificador logarítmico construido en la parte del amplificador

logarítmico a la entrada del amplificador anti logarítmico.

 Calcule y mida VO con la entrada del amplificador logarítmico a VI = +3 [V] y a VI
= +6 [V] anote sus medidas.
 Utilice el circuito sugerido para la implementación del laboratorio.
e) CIRCUITO DERIVADOR
Arme el circuito de la figura 3 y verifique su funcionamiento:
 Para el caso emplee tres fuentes de onda (sinusoidal, triangular y cuadrada),

conecte las fuentes y dibuje la señal de salida en los tres casos, también realizar las
mediciones de las tensiones pico respectivas.
f) CIRCUITO INTEGRADOR
Arme el circuito de la figura 4 y verifique su funcionamiento:
 Para este caso también emplee tres fuentes de onda (sinusoidal, triangular y
cuadrada), conecte las fuentes y dibuje la señal de salida en los tres casos, también
realizar las mediciones de las tensiones pico respectivas.
g) CIRCUITO GIRADOR
Arme el circuito de la figura 5 compruebe los resultados obtenidos en el pre informe, para
el caso utilice un multímetro que tenga capacidad de medir bobinas o en su caso un
Qmetro (para medir inductancias).
h) CIRCUITO DESFAZADOR
Arme el circuito de la figura 6 y polarícelo, con todos los potenciómetros P1, P2, y P3 en la
mitad ( 50 [K]) de su valor. Seguidamente con el osciloscopio conectado a la salida vea si
existe una señal si no hay mueva P1 hasta obtener una señal sinusoidal a la salida,
seguidamente P2 y finalmente P3 Hasta obtener una señal en buenas condiciones.
A continuación use el modo XY del osciloscopio para realizar las medidas en los puntos en
los cuales se indica el desfase de 0º, 90º y 180º. Tome todas las medidas de los valores
prácticos asociados al circuito.
a) APORTE DEL ALUMNO


6. INFORME FINAL.
del informe:


9
Laboratorio
FILTROS ACTIVOS
 Amplificadores operacionales A741, CA3060 según requiera el
diseño.
 Circuitos integrados de audio TDA2003 y otros.
 Amplificadores operacionales como ser LM386, TL080, TL082 y
TL084.
 Capacitores Electrolíticos ó cerámicos según el valor que se requiera
en el diseño.
100 [] todos de 0.5 [W].

 Multímetro.
 Osciloscopio.

Estudio e implementación de los amplificadores operacionales en el diseño de

filtros activos y en la implementación de circuitos de audio.
Página 1 de Laboratorio IX

experimento.
a) Diseñar filtros activos pasa bajos de primer orden con amplificadores

operacionales y obtener experimentalmente su respuesta en frecuencia
obteniendo los valores para tal objeto.
b) Diseñar filtros activos pasa altos de segundo orden con amplificadores

operacionales y obtener experimentalmente su respuesta en frecuencia.
c) Diseñar filtros activos pasa banda Butterwoth y obtener experimentalmente

su respuesta en frecuencia verificando sus ventajas con respecto a otros
filtros.
d) Diseñar filtros activos pasa banda del tipo Rouch obteniendo

experimentalmente su respuesta en frecuencia y verificar la diferencia con
el anterior filtro.
e) Diseñar filtros activos rechaza banda Chebyschev y obtener

experimentalmente su respuesta en frecuencia.
f) Diseñar filtros resonadores KHN con amplificadores operacionales y obtener

experimentalmente su respuesta en frecuencia.
g) Diseñar filtros resonadores Tow-Tomas con amplificadores operacionales y

obtener experimentalmente su respuesta en frecuencia.
h) Aplicar los conocimientos adquiridos por el estudiante durante la

a) FILTRO PASA BAJOS
Dimensionar un filtro pasa bajos con frecuencia de corte de primer orden que
tenga un corte en f (3dB) = 50 [KHz]. Con una ganancia en CD de 10.
C2
R3
R1 R2 Vo
Vi
C1
Figura 1
 Encuentre la función de transferencia

 Dibuje el diagrama de Bode asociado al circuito.
b) FILTRO PASA ALTOS
Construir un filtro Chebyshev paso – altas de segundo orden con ondulación de

3 dB. Sea f(3dB) = 10 [KHz].
C3
R4 R3 +
Vin R6
C2
C1 Vout
R5
R1
Figura 2
 Encuentre la función de transferencia
 Dibuje el diagrama de Bode asociado al circuito.
c) FILTRO PASA BANDA
El circuito de la figura 3 es un filtro pasa banda.
10uF
1k
1k 1k 0.1uF 0.1uF
Vi Vo
5.6k 1k 560
10uF
10k 1k
Figura 3
 Deducir la función de transferencia que cumpla con lo especificado.

 Construya el nuevo diagrama de Bode del circuito a implementar.
d) FILTRO PASA BANDA (Raouch)
El circuito de la figura 4 es un filtro pasa banda tipo Raouch, dimensione los

componentes para obtener una f1=2kHz, f2=15kHz, y una ganancia unitaria
C1 R3
R1 C2 U1
Vi Vo
R2
Figura 4
e) FILTRO RECHAZA BANDA
El circuito de la figura 5 es un filtro rechaza banda. Dimensionar para una

f L  1kHz , f H  10kHz y una ganancia de 10.
Figura 5
 Deducir la función de transferencia que cumpla con lo especificado.

 Construya el nuevo diagrama de Bode del circuito a implementar.
f) FILTRO RESONADOR KHN
El circuito de la figura 6 es un filtro resonador KHN, ¿A que se denomina filtro

resonador KHN?, indique una aplicación e implemente en el laboratorio, para la
figura 6 determine las siguientes relaciones: VO/Vi, VA/Vi, VB/Vi, indique que tipo
de filtros que se forma en cada función de transferencia. Dimensione los
componentes para probar el circuito en laboratorio con frecuencias elegidas a
criterio personal.
RR
RR C C
U1 R U2
R2 R U3
Vo
Vi VA VB
R1
Figura 6
g) FILTRO RESONADOR TOW-TOMAS
El circuito de la figura 7 es un filtro resonador Tow-Tomas, ¿A que se denomina

filtro resonador Tow-Tomas?, indique una aplicación e implemente en el
laboratorio, para la figura 7, determine las siguientes relaciones: VA/Vi, VB/Vi,
indique que tipo de filtros se forma en cada función de transferencia, demuestre
que VC=-VB. Dimensione los componentes para probar el circuito en laboratorio
con frecuencias elegidas a criterio personal
R3
R1
C C
R
R4 U1
R2 U2 R U3
Vi VA
VB VC
Figura 7
En base a los puntos del laboratorio, prepare un ejercicio e implemente en el

laboratorio, obteniendo los parámetros y estableciendo los cálculos necesarios
para su realización.
SIMULACIÓN
todos los puntos armados en protoboard antes del inicio de sesión de la práctica.
a) FILTROS PASA BAJOS
Comprobar prácticamente el funcionamiento del circuito diseñado en el pre

informe, para ello efectúe un barrido de frecuencia, anote los valores teórico –
prácticos, luego realice una gráfica de respuesta de AV vs. f.
1 2 5.5
F [Hz] 20 50 100 500 4 [K] 5 [K] 6 [K]
[K] [K] [K]
VO[mV] pp
VI [mV] pp
Con esta Tabla construya el diagrama de Bode asociado al circuito, compare
este resultado con el teórico obtenido en el pre informe. Si lo desea puede
extender esta tabla a más medidas.
b) FILTRO PASA ALTOS

12 12.5 13 14 15
F [Hz] 9[K] 10[K] 11[K] 11.5[K]
[K] [K] [K] [K] [K]
VO[mV] pp
VI [mV] pp

c) FILTRO PASA BANDA
Arme el circuito diseñado en el pre informe y compruebe su funcionamiento

conforme a la grafica y valores propuestos en la guía.
d) FILTRO PASA BANDA (Raouch)

10 1.5 11
F [Hz] 3[K] 4[K] 4.5[K] 5[K] 7[K] 9 [K]
[K] [K] [K]
VO[mV] pp
VI [mV] pp

e) CIRCUITO RECHAZABANDA
Arme el circuito diseñado en el pre informe y compruebe su funcionamiento

conforme a la grafica y valores propuestos en la guía.
f) FILTRO RESONADOR KHN
Arme el circuito de de la figura 6 y compruebe su funcionamiento según el

diseño planteado en el pre informe.
g) FILTRO RESONADOR TOW-TOMAS
Arme el circuito de de la figura 7 y compruebe su funcionamiento según el

diseño planteado en el pre informe.
a) APORTE DEL ALUMNO

6. INFORME FINAL.

independiente.
laboratorio.
 Tome en cuenta la diferencias entre los circuitos implementados de primer
orden y segundo orden
informe.
laboratorio
10
Laboratorio
PROYECTO DE
IMPLEMENTACIÓN
Objetivo del experimento.
Implementar un proyecto utilizando los diferentes componentes desarrollados en la materia.
Material.
Resistencias, Capacitores, Diodos, Transistores Unipolares/Bipolares y AO´s.
Laboratorio.
Diseñe un sistema electrónico que incluya los componentes analizados en la teoría.
REALIZACIÓN DEL PRE - INFORME.
1. Detalle los procedimientos a seguir para el laboratorio.

2. Explique los fundamentos teóricos y realice las deducciones de las ecuaciones para el
diseño.
3. Dibuje los circuitos resultantes.
SIMULACIÓN
6. INFORME FINAL.
experimentales obtenidos,
Página 1 de Laboratorio X

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I / 2019

Laboratorio de Electrónica Básica I

LABORATORI O 8 EL AMPLIFICADOR OPERACIONAL II

APLICACIONES DE AUDIO Y PROYECTO

 Diodo de Germanio (1N34) o similar.

2. LISTA DE INSTRUMENTOS A UTILIZAR

 Fuente de alimentación variable DC.

Página 1 de Laboratorio III

El esquema mostrado a continuación es un ejemplo el que deberá seguirse a lo largo de éste

Un armado práctico de un circuito simple es como sigue:

3. OBJETIVOS DE LA PRÁCTICA A REALIZAR

3.1 OBJETIVO GENERAL

Analizar, diseñar e implementar circuitos con dispositivos de una juntura (diodo) y

a) Mostrar cómo se prueban diodos de Germanio y Silicio con el multímetro y

a) CARACTERÍSTICAS DE POLARIZACIÓN DIRECTA.

Explique detalladamente el funcionamiento de un circuito en Polarización Directa, para un

b) CARACTERÍSTICAS DE POLARIZACIÓN INVERSA.

Explique detalladamente el funcionamiento de un circuito en polarización Inversa para el

c) EFECTOS DE LA TEMPERATURA EN UN SEMICONDUCTOR.

Explique detalladamente los efectos de la temperatura que sufre un Diodo semiconductor,

d) CARACTERÍSTICA TENSIÓN-CORRIENTE (V-I)

e) CARACTERÍSTICAS DEL OPTO DIODO, VARACTOR Y DIODO LED.

Explique detalladamente el funcionamiento de estos dispositivos semiconductores,

En el circuito de la figura (7), analizar la forma de onda de la tensión de salida Vo,

 Modelo del circuito (rectificador - filtro).

Diseñe e implemente un circuito que permita obtener a la salida:

Nota.- Considerar la señal de entrada una onda alterna cuadrada de 5 Vpp.

Explicar su funcionamiento al detalle y efectuar los cálculos respectivos.

Dado el siguiente circuito de la figura (8):

a) Considerar S abierto. En estas condiciones Dibujar la forma de onda en el punto (a)

k) APORTE DEL ALUMNO

Para la presentación de laboratorio el estudiante necesariamente debe disponer de todos los

Arme el circuito de la figura 1, 2 y mueva el potenciómetro de un extremo al otro, del

b) CARÁCTERÍSTICAS DE POLARIZACIÓN INVERSA.

Arme el circuito de la figura 3, 4 y mueva el potenciómetro de un extremo a otro, del

Arme el circuito de la figura 5 (Primero con un diodo de Silicio y posteriormente con un

d) CARA CTERÍSTICA TENSIÓN-CORRIENTE (V-I)

Arme los circuitos de la figura 1- 4, mueva el potenciómetro P1 desde un mínimo hasta un

Arme el circuito de la figura 6 y compruebe con los cálculos realizados en su pre-informe,

 Utilice un generador de ondas e introduzca una señal senoidal como se muestra en

VPP Forma de Onda

Arme el circuito propuesto en el pre informe y demuestre su funcionamiento práctico, tome

Arme el circuito propuesto en el pre-informe y demuestre su funcionamiento. Tome nota

j) CIRCUITO REGULADOR CON DIODO ZENER.

Arme el circuito de la figura 8, inicialmente compruebe sus cálculos teóricos y

Sustituir Vi por un generador sinusoidal de 15 Vpp, y de 1 Khz de frecuencia y dibujar las

Arme el circuito propuesto en el pre-informe y demuestre su funcionamiento, obteniendo

 Emita Las conclusiones para cada punto de Laboratorio en forma independiente.

 Realice una comparación entre la hoja simulada y el punto desarrollado en laboratorio.

 En base a la comparación emita una conclusión completa y enúncielo en su informe.

 Todo cuanto se haya realizado en laboratorio, debe ser detallado, explicado y

 Dos transistores BJT de uso general NPN uno de Germanio y otro de

2. LISTA DE INSTRUMENTOS A UTILIZAR

 Fuente de alimentación variable DC.

3.1 OBJETIVO GENERAL

Analizar la estructura interna de los transistores, comprobando el estado

3.2 OBJETIVOS ESPECIFÍCOS

Los objetivos específicos que a continuación se señalan son para cada

a) Aprender a identificar el tipo de transistor con la ayuda solo de un

4. REALIZACIÓN DEL PRE - INFORME.

Investigue una técnica eficaz para determinar en base a un multímetro

NOTA: tome en cuenta que con el multímetro analógico la interpretación

b) PROBANDO TRANSISTORES CON MULTIMETRO

c) CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS DE LOS TRANSISTORES

En un manual de datos técnicos de semiconductores buscar en la hoja de

LOS VALORES NOMINALES MÁXIMOS: