U.N.M.S.

M
FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y DE TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

 Cerna Cordero Franco Emmanuel  17190151

CURSO TEMA

EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP AF178

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

INFORME FECHAS NOTA

REALIZACIÓN ENTREGA
PREVIO

17 DE OCTUBRE 24 DE OCTUBRE
NUMERO DEL 2018 DEL 2018

GRUPO 3 PROFESOR

MARTES DE 2-4 PM ING. LUIS PARETTO QUISPE

I. TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR PNP AF178

II. OBJETIVOS:

 Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.

  Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar
PNP.

III. Introducción teórica.

TRANSISTOR BIPOLAR
Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición.
Físicamente, el transistor está constituido por tres regiones semiconductoras
denominadas emisor, base y colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los
denominados PNP. A partir de este punto nos centramos en el estudio de los
transistores bipolares NPN, siendo el comportamiento de los transistores PNP
totalmente análogo.

El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora

más fuertemente dopada con donadores de electrones,
siendo su ancho intermedio entre el de la base y el
colector. Su función es la de emitir electrones a la base.
La base es la zona más estrecha y se encuentra
débilmente dopada con aceptores de electrones. El
colector es la zona más ancha, y se encuentra dopado con
donadores de electrones en cantidad intermedia entre el
emisor y la base.

CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO
Las condiciones normales de funcionamiento de un
transistor NPN se dan cuando el diodo B-E se encuentra
polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra
polarizado en inversa. En esta situación gran parte de los electrones que fluyen del
emisor a la base consiguen atravesar ésta, debido a su poco grosor y débil
dopado, y llegar al colector.

El transistor posee tres zonas de funcionamiento:

1. Zona de saturación: El diodo colector está polarizado directamente y es
transistor se comporta como una pequeña resistencia. En esta zona un
aumento adicionar de la corriente de base no provoca un aumento de la
corriente de colector, ésta depende exclusivamente de la tensión entre
emisor y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a
un interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente
de corriente, determinada por la corriente de base. A pequeños aumentos
de la corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de
colector, de forma casi independiente de la tensión entre emisor y colector.
Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa,
mientras que el diodo B-C, ha de estar polarizado en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente
a mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la
 corriente de colector es prácticamente nula y por ello se puede considerar
el transistor en su circuito C-E como un interruptor abierto.

IV. RESOLUCION TEÓRICA DE LOS SIGUENTES CIRCUITOS:

Trabajamos con el transistor AF178

 POLARIDAD: PNP
 MATERIAL: GERMANIO (Ge)
 GANANCIA DE CORRIENTE (β) =
β =50

Datos del circuito:

 Re=330Ω
 Rc=1kΩ
 R1=56KΩ
 R2= 22KΩ.
 Vcc= -12v

Hacemos el equivalente de Thevenin del

circuito:

(R1+P1)×R2
Rb =
(R1+P1)+R2

R2×Vcc
V = (R1+P1)+R2

Con este nuevo

circuito procedemos a
realizar las
operaciones de las
siguientes tablas.
OBSERVACIÓN: El
transistor AF178 está
hecho de GERMANIO y es PNP, entonces su VBE (activa) y su “β” es respectivamente:
 VBE= 0.2v β = 50

TABLA 2

(Para P1 = 0 Ω y R1 = 56k Ω)
 Hallando el Rb:  Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)
R1×R2
Rb = R1+R2 Ic = (-97.596 µA)(50)

56K×22K Ic = -4.879 mA
Rb = (56+22)K

Rb = 15.794k Ω  Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)

Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re

 Hallando el V:
VCE=Vcc – (Ic+Ib)Re-IcRc
R2×Vcc
V= R1+R2 VCE = -12 – (-4.879×10−3 −
97.596𝑥10−6 )330+4.879×10−3 ×103
22k×(−12)
V= (56+22)𝑘 VCE = -5.47v
V = - 3.3846 v
 Hallando VE:
 Hallando Ib:
VBE = VB - VE……. (VB = V)
V+VBE
Ib=Rb+(β+1)Re VE = V - VBE

−3.384+0.2 VE = - 3.3846 – (0.2)

Ib=15.794×103 +(50+1)330
VE = -3.5846 v
Ib = -97.596 µA

Valores
IC(mA.) Ib(uA.) Β VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 56K Ω)
-3.5846
Teóricos -4.879 -97.596 50 -5.47v 0.2
 TABLA 3
(Para P1 = 0 Ω y R1 = 68k Ω)

 Hallando el Rb:
R1×R2
Rb = R1++R2  Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)
Ic = (-93.683 µA) (50)
68K×22K
Rb = (68+22)K
Ic = -4.684mA
Rb = 16.623k Ω
 Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)
 Hallando el V: Vcc= Ic×Rc + VCE + Ic×Re
R2×Vcc
V= R1+R2 VCE=Vcc – (Ic+Ib)Re-IcRc
22k×(−12) VCE = -12 – (-4.684×10−3 −
V=
(68+22)𝑘 93.683𝑥10−6 )330+4.684×10−3 × 103

V = - 2.934 v VCE = -5.739v

 Hallando Ib:  Hallando VE:

V−VBE
Ib=
Rb+(β+1)Re
VBE = VB - VE……. (VB = V)

−2.934−(0.2) VE = V - VBE
Ib=16.623×103 +(50+1)330
VE = - 2.934 – (0.2)
Ib = -93.683µA
VE = -3.134 v

Valores
IC(mA.) Ib(uA.) β VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 68K Ω)

Teóricos -4.684 -93.683 50 -5.739 0.2 -3.134

 TABLA 5

(Para P1 = 100K Ω y R1 = 56k Ω)

 Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(−12)
V = (56+100+22)𝑘

V = -1.483 v

 Hallando Ib:
V−VBE
Ib=Rb+(β+1)Re

−1.483−(0.2)
Ib=19.2808×103 +(50+1)330

Ib = -46.606 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)

Ic = (-46.606µA) (50)

Ic = -2.330mA
 Hallando el Rb:
(R1+P1)×R2
Rb =  Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)
R1+P1+R2
Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re
156K×22K
Rb = (56+100+22)K
VCE=Vcc – Ic×Rc-(Ic+Ib)×Re

Rb = 19.2808k Ω
VCE = -12 – (-2.330×10−3 )×1000-(-

2.330×10−3 -46.606×10−6 )×330

VCE = -8.885 v
 (Para P1 = 250K Ω y R1 = 56k Ω)

 Hallando el V:

R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(−12)
V = (56+250+22)𝑘

V = -0.8048 v

 Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re

−0.8048−(0.2)
Ib=20.524×103 +(50+1)330

Ib = -26.899 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)

Ic = (-26.899 µA) (50)

Ic = -1.344 mA

 Hallando el Rb:  Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)

(R1+P1)×R2 Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re
Rb = R1+P1+R2

VCE=Vcc – Ic×Rc-(Ic+Ib)×Re
306K×22K
Rb = (56+250+22)K
VCE = -12 – (-1.344×10−3 )×1000-(-

Rb = 20.524k Ω 1.344×10−3 -26.899×10−6 )×330

VCE = -10.20 v

(Para P1 = 500K Ω y R1 = 56k Ω)

  Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(−12)
V = (56+500+22)𝑘

V = -0.4567 v

 Hallando Ib:
V−V
BE
Ib=Rb+(β+1)Re

−0.4567−(0.2)
Ib=21.162×103 +(50+1)330

Ib = -17.285 µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)

Ic = (-17.285 µA) (50)

 Hallando el Rb: Ic = -0.864 mA

(R1+P1)×R2
Rb =  Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)
R1+P1+R2

Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re
556K×22K
Rb = (56+500+22)K
VCE=Vcc – Ic×Rc-(Ic+Ib)×Re
Rb = 21.162k Ω
VCE = -12 – (-0.864×10−3 )×1000-(-

0.864×10−3 -17.285×10−6 )×330

VCE = -10.84 v

(Para P1 = 1M Ω y R1 = 56k Ω)
  Hallando el V:
R2×Vcc
V = R1+P1+R2

22k×(−12)
V = (56+1000+22)𝑘

V = -0.245 v

 Hallando Ib:
V−VBE
Ib=Rb+(β+1)Re

−0.245−(0.2)
Ib=21.551×103 +(50+1)330

Ib = -11.594µA

 Hallando Ic:..( Ic = Ib×β)

Ic = (-11.594 µA)(50)
 Hallando Rb:
(R1+P1)×R2
Ic = -0.579mA
Rb = R1+P1+R2
 Hallando VCE: (Ic+Ib = Ie)
1056K×22K
Rb = (56+1000+22)K Vcc= Ic×Rc+VCE+(Ic+Ib)×Re

Rb = 21.551k Ω VCE=Vcc – Ic×Rc-(Ic+Ib)×Re

VCE = -12 – (-0.579×10−3 )×1000-(-

0.579×10−3 -11.594×10−6 )×330

VCE = -11.227v
Procedemos a llenar la tabla con los datos teóricos obtenidos:

P1 100K Ω 250K Ω 500K Ω 1M Ω

Ic(mA) -2.330 -1.344 -0.864 -0.579

Ib(uA) -46.606 -26.899 -17.285 -11.594

VCE (v) -8.885 -10.20 -10.84 -11.227