ANALISIS DE CIRCUITO MULTIETAPA CON

MOSFET Y BJT
Electrónica II

Laura Bibiana Baquero Pascagaza

Edwin Eliseo Acosta Fajardo
Este documento busca explicar el análisis que se debe realizar para poder obtener todos los
datos en nivel DC y AC para determinar aspectos como:
 Corrientes de transistores
 Área de trabajo
 Ganancias de voltaje
 Potencias lineales y logarítmicas
 Impedancias de entrada y salida

Descripción del circuito

El circuito que se desea analizar este compuesto por los siguientes transistores:
 Mosfet de empobrecimiento 2n3796 el cual tienes las siguientes características
eléctricas:
 Vds: 25 V
 VGS: 10 V
 ID: 20 mA
 GM: 1800𝜇𝑚ℎ𝑜𝑠
 2N2904 (PNP)
 VCE max: 60V
 IC masx: 0.6 mA
 Beta: 120
 2N222 (NPN)
 VCE max: 40V
 IC max: 0.6 mA
 Fmax: 0.4Mhz
 Beta: 100
 Generador de señales:
 Vpp: 1 V
 F: 10Khz
 offset: 0
Además de las resistencias que se observan en la figura 1 se utilizaran 4 condensadores, en
donde el C1 tiene como función evitar la entrada de un nivel DC al generador de señales, los
otros 3 harán de bypass.

Se pide hallar los siguientes datos: VCEQ2, VDS, Zi, Zo, potencia que entrega la fuente, 󠇚 Δv,
Δi, utilizando los siguientes datos, VCEQ3= 5.8v, β= 󠇚100, IB3= 10,34 µA
 Ilustración 1. Circuito a analizar

Etapa 2
Etapa 1
Etapa 3

Ilustración 2. Etapas del circuito

Lo que haremos inicialmente será dividir el circuito en tres partes (ver ilustración 2), esto con el
fin de facilitar los cálculos y el análisis del circuito. Iniciaremos con la etapa 3, ya que en esta
tenemos datos adicionales que nos permiten abordar el análisis de forma más sencilla, para esta
etapa iniciaremos calculando el corriente colector (IC3) (ver fig#), ya que contamos con la
corriente base (IB3), recordemos la ecuación que nos define la relación entre estas dos
corrientes.
𝛽 ∗ 𝐼𝐵3 = 𝐼𝐶3. ( 1)
 IC3
IB3

Ilustración 4.Corriente base y colector

Reemplazando los valores en la ecuación 1 obtenemos:

100 ∗ 10.34 µ𝐴 = 1.034 mA ( 2)

Obteniendo esta corriente podemos hallar el voltaje que cae sobre la resistencia RC2,
recordando la ley de ohm
𝑉 = 𝐼 ∗ 𝑅. ( 3)

Utilizando la corriente obtenida y la ley de ohm, podemos obtener el voltaje que se encuentra en
la resistencia RC2.
𝑉 = 1.034 𝑚𝐴 ∗ 3.3𝑘Ω = 3.41 𝑉. ( 4)

Obtenido este voltaje, podemos utilizar el método de análisis de mallas para poder obtener el
voltaje que cae en RL.

Ilustración 5 Malla utilizada para hallar VRL

En la ilustración 5 se puede observar el recorrido que realiza la malla y los valores en voltaje
que se encuentra durante el recorrido, la ecuación que describe dicho recorrido es:
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝑅𝐶2 + 𝑉𝐶𝐸𝑄3 + 𝑉𝑅𝐿 = 0. ( 5)

Despejando obtenemos:
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑅𝐶2 − 𝑉𝐶𝐸𝑄3 = 𝑉𝑅𝐿. (6)

Reemplazando los valores conocidos obtenemos la siguiente ecuación:

7.5𝑉 − 3.41𝑉 − 5.8𝑉 = −1.7𝑉. (7)

NOTA: Se realiza el cálculo de RL PARA PODER OBTENER LA CORRIENTE DE LA

MISMA, YA QUE ESTA SERA UTILIZADA PARA EL CALCULO DE LA
CORRIENTE IE3.
Como se puede observar en la ecuación 7 se obtuvo un voltaje negativo, lo cual nos indica que
la dirección de la corriente que se asumió para el cálculo anterior era en sentido contrario.

Ilustración 6. Dirección de la corriente en RL

Utilizando la ecuación 3 de la ley de ohm, despejamos la corriente obteniendo la siguiente

ecuación:
𝑉 (8)
𝐼 = 𝑅.

Reemplazando los valores conocidos obtenemos la corriente en RL:

−1.7𝑉 (9)
𝐼𝑅𝐿 = 3.2𝐾Ω = 531,25µ𝐴.

El siguiente dato a obtener es el corriente emisor (IE3), la cual no es la misma que IC3 ya que
se están haciendo acoples directos con cada etapa de amplificación. en la ilustración 7 se puede
observar las corrientes obtenidas y la corriente IE3
 IC3

IRL
IE3

IRE2

Ilustración 7. Corrientes de la tercera etapa de amplificación

De la ilustración anterior podemos deducir la siguiente ecuación:

𝐼𝐸3 = 𝐼𝑅𝐸2 + (−𝐼𝑅𝐿). (10)

El problema para ecuación anterior es que no tenemos la IRE2, pero se puede obtener la IE3
utilizando la ecuación que describe la relación entre las corrientes de un transistor bjt.
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶. (11)

En la ecuación 10 sustituimos (IE3) por la ecuación 11, obteniendo la siguiente ecuación:

𝐼𝐵3 + 𝐼𝐶3 = 𝐼𝑅𝐸2 + (−𝐼𝑅𝐿). (12)

Reemplazando los datos conocidos obtenemos:

10.34µ𝐴 + 1.034𝑚𝐴 = 𝐼𝑅𝐸2 + (−531.25µ𝐴). (13)

Despejando y operando obtenemos

𝐼𝑅𝐸2 = 1.57𝑚𝐴. (14)

Por ultimo calculamos el voltaje de dicha resistencia utilizando la ecuación 3 (ley de ohm),
obteniendo:
𝑉𝑅𝐸2 = 1.57𝑚𝐴 ∗ 3.7𝑘Ω = 5.82𝑉. (15)

El siguiente paso es obtener el voltaje base (VB3), ya que como se mencionó al inicio, se desea
calcular el VCEQ2, y el (VB3) al igual que los cálculos anteriores son necesarios para poder
conseguir este objetivo. Para conseguir este voltaje es necesario recordar que un transistor tiene
entre base y emisor un diodo en directo, teniendo esto en cuenta podemos definir el voltaje base
(VB3) de la siguiente manera:
𝑉𝐵3 = 0.7𝑉 + (−1.7𝑉). (16)
Para entender de manera más clara la ecuación anterior se tiene la siguiente ilustración:

VB3

VRL

Ilustración 8. Voltaje VB3

Para este cálculo es importante no confundir el voltaje del punto que se encuentra resaltado, con
el voltaje VRE2, ya que NO ES EL MISMO, porque como observamos la corriente que entra a
ese nodo corresponde a la IRL, por ende, el voltaje que se encuentra en este nodo será VRL, una
forma de comprobar esto es volviendo a calcular el voltaje de RE2, realizando el diferencial
entre VRL y VEE, este cálculo debe arrojar el mismo resultado obtenido con la ecuación 15.
(17)
𝑉𝑅𝐸2 = 𝑉𝑅𝐿 − (−𝑉𝐸𝐸).
5.8 = −1.7𝑉 − (−7.5𝑉)

Como se puede observar, el resultado es el mismo al obtenido con la ecuación 15, lo cual nos
indica que el voltaje que se encuentra en el punto resaltado de la imagen corresponde al voltaje
que se encuentra sobre la resistencia de carga (RL). Aclarado esto, tenemos como resultado de
la ecuación 16 el siguiente voltaje VB3= -1V.
Terminado el análisis de la última etapa de amplificación, se puede continuar con la segunda
fase de amplificación la cual se puede identificar como un transistor PNP en configuración de
emisor común. Iniciaremos hallando el voltaje en la resistencia RC1.
 Ilustración 9. Segunda etapa de amplificación

Para este análisis podemos observar en la ilustración 9 que la resistencia RE2 y la RC1 se
encuentran en paralelo, pero en este caso el voltaje de la resistencia RC1 no es el mismo que se
calculó en RE2, ya que entre estas dos resistencias se encuentra el voltaje del diodo en directo
que tiene el transistor, para este caso solo se tiene que sumar el 0.7 V del diodo más el voltaje
de la resistencia RE2, obteniendo así el voltaje que se encuentra sobre RC1, que en este caso es
de 6.52 voltios, otra forma de calcular el voltaje de esta resistencia es realizando la diferencia de
voltajes que caen sobre ella, en este caso -1V menos el voltaje de la fuente VEE, obteniendo el
mismo dato calculado anteriormente.
𝑉𝑅𝐶1 = 0.7𝑉 + (−1.7𝑉) = 6.52𝑉. (18)

Utilizando la ley de ohm (ecuación 4), calcularemos la corriente en RC1.

6.52𝑉 (19)
𝐼𝑅𝐶2 = . = 541.66µA
12𝑘Ω

Calculada esta corriente podemos encontrar la corriente del colector (IC2)

IB3
IC2

IRC1

Ilustración 10. Corriente colector de la segunda etapa

Como podemos observar en la ilustración 10, la corriente colector (IC2) resulta de la suma de la
corriente base (IB3) y la corriente que pasa por RC1 (IRC1), expresado en ecuación obtenemos:
𝐼𝐶2 = 𝐼𝑅𝐶1 + 𝐼𝐵3. (20)

𝐼𝐶2 = 541.66µ𝐴 + 10.34µ𝐴. =552.00µA (21)

Obtenida esta corriente podemos hallar la corriente de base (IB2), utilizando la ecuación 1
despejamos (IB2) y obtenemos la siguiente relación:
𝐼𝐶2 (22)
𝐼𝐵2 = 𝛽
.

𝐼𝐶2 (23)
𝐼𝐵2 = 100 = 5.52µ𝐴.

Halladas estas dos corrientes ya se puede calcular IE2 utilizando la ecuación 11.
𝐼𝐸2 = 𝐼𝐶2 − 𝐼𝐵2. (24)

IE2
IB2

IC2

Ilustración 11. Corriente emisor de la segunda etapa

Como se observa en la ilustración 11, la corriente emisor en este caso está entrando y no
saliendo como en los transistores NPN, al momento que se plantea la ecuación de las corrientes
es importante tener en cuenta la dirección de esta corriente, razón por la cual en la ecuación 24
se ve el cambio de signo respecto a la ecuación 11, retomando la ecuación anterior y
reemplazando los valores conocidos obtenemos:
𝐼𝐸2 = 552.00µ𝐴 − 5.52µ𝐴. = 546.48µA (25)

El siguiente paso es calcular el voltaje que cae sobre la resistencia RE1, para esto volvemos
aplicar la ley de ohm (ecuación 4) obteniendo el siguiente valor.
 𝑉𝑅𝐸1 =546.48µA*7kΩ 󠇚= 󠇚3.82V. (26)

Ahora vamos a calcular el voltaje que se encuentra en el punto que se observa en la ilustración

VE1

Ilustración 12. Voltaje VE2

Para este voltaje se realiza la diferencia que se encuentra entre la fuente (VCC) y el voltaje de
RE1.
𝑉𝐸1 = 7.5𝑉 − 3.82𝑉. = 3.68V (27)

En este punto del circuito y con los datos que se han obtenidos, ya se puede hallar el VCEQ2,
para esto hay dos opciones, el camino largo que traza una malla desde la fuente VEE hasta VDD
o realizar la resta de voltajes que se encuentra en VE1 menos VB3, en este caso usaremos la
segunda opción que nos da como resultado:
𝑉𝐶𝐸𝑄2 = 3.68𝑉 − (−1). = 4.68V (28)

Para finalizar esta etapa calculamos el voltaje de base (VB2)

𝑉𝐵2 = 𝑉𝐸1 − 𝑉𝐵𝐸2 = 3.68𝑉 − 0.7𝑉 = 2.98𝑉. (29)

La ecuación anterior es la resta del voltaje en el punto VE1 menos el voltaje del diodo del
transistor.

Para la última etapa del transistor, nos encontramos con un mosfet de empobrecimiento en
configuración de drenador común.
 VCC

VB2
2

Ilustración 13. primera etapa de amplificación

Para esta etapa calcularemos el voltaje que cae en la resistencia de drenador, para esto
aplicaremos el diferencia de voltaje que se encuentra entre VB2 y VCC.
𝑉𝑅𝐷 = 7.5𝑉 − 2.98𝑉 = 4.52V. (30)

Para la corriente se utiliza la ley de ohm obteniendo como resultado:

𝑉𝑅𝐷 4.52𝑉 (31)
𝐼𝐷 = = . =1.13 mA
𝑅𝐷 4𝐾Ω

La corriente de surtido (IS) va ser igual a:

𝐼𝑆 = 𝐼𝐷 − 𝐼𝐵2 = 1.13mA-5.52µA=1.124mA. (32)

Para el voltaje en la resistencia surtido (RS) aplicamos la ley de ohm.

𝑉𝑅𝑆 = 𝐼𝑆 ∗ 𝑅𝑆 = 1.124𝑚𝐴 ∗ 1.2𝑘Ω = 1.34𝑉. (33)

Para calcular el VDS trazamos la siguiente malla:

 VDS

Ilustración 14. Malla trazada para VDS

En la ilustración 14 se puede observar el recorrido y los voltajes que recorre la malla, visto esto
lo podemos expresar con la siguiente ecuación:
−𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝑅𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑅𝑆 + (−𝑉𝐸𝐸) = 0. (34)

Ahora agrupamos las fuentes:

𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐸𝐸 = 𝑉𝑅𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑅𝑆. (35)

Despejando y reemplazando los valores conocidos obtenemos:

15𝑉 − 4.52𝑉 − 1.34𝑉 = 𝑉𝐷𝑆. (36)

Del cálculo anterior obtenemos VDS= 9.14V, siendo este el ultimo valor en DC que se tenía que
calcular para cumplir con los objetivos planteados al comienzo del taller.
A continuación, se procederá a realizar el análisis del circuito en AC, para este caso
realizaremos el modelo hibrido que representa nuestro circuito.

B C B C

E
E

Etapa 1
Etapa 2 Etapa 3
Etapa 1
Ilustración 15. Modelo hibrido del circuito
Como se puede observar en la imagen anterior, el diseño del circuito ha cambiado respecto al
primero que se manejó en el análisis DC, el modelo hibrido se utiliza para calcular ganancias en
voltajes, corrientes, potencias logarítmicas y lineales, en la imagen podemos identificar cada
etapa que compone al circuito, de igual manera se puede observar las etiquetas que identifican a
cada pin de los transistores.
Lo primero que haremos será identificar las impedancias que se encuentran dentro del circuito.

B C B C

zl1 E
E
zi zl2

Ilustración 16. Impedancias presentes en el circuito.

Para la primer impedancia 󠇚tenemos 󠇚que 󠇚zi= 󠇚a 󠇚la 󠇚resistencia 󠇚de 󠇚compuerta 󠇚del 󠇚Mosfet 󠇚2MΩ, 󠇚para 󠇚
zl1 󠇚tenemos 󠇚el 󠇚paralelo 󠇚entre 󠇚RD 󠇚y 󠇚βre2, 󠇚quedando 󠇚de 󠇚la 󠇚siguiente 󠇚manera:
𝑅𝐷∗𝛽𝑟𝑒2 4𝑘∗47.5𝑘 ( 37)
𝑧𝑙1 = .= .= 3.68kΩ
𝑅𝐷+𝛽𝑟𝑒2 4𝑘+47.5𝑘

En la ecuación 󠇚37 󠇚podemos 󠇚observar 󠇚que 󠇚se 󠇚tiene 󠇚un 󠇚valor 󠇚βre2, 󠇚el 󠇚cual 󠇚se 󠇚tiene 󠇚a 󠇚través 󠇚de 󠇚la 󠇚
siguiente formula:
26𝑚𝑉 ( 38)
𝛽𝑟𝑒2 = .= 47.5k
𝐼𝐸

Para la impedancia zl2 tenemos:

𝑅𝐶3∗𝛽𝑟𝑒3 12𝑘∗2.5𝑘 (39)
𝑧𝑙2 = 𝑅𝐶3+𝛽𝑟𝑒3+REL.=12𝑘∗2.5𝑘+1.7k=3.11k

Obtenidas las impedancias del circuito podemos calcular la ganancia en voltaje de cada etapa de
amplificación, para el caso de la etapa 1 en donde tenemos un jfet, tenemos la ecuación de
shockly la cual representa la ganancia de la siguiente forma:
−𝑔𝑚∗𝑧𝑙1 (40)
Δv1=1+𝑔𝑚∗𝑅𝑆.

En donde tenemos a gm como el valor de la trans-admitacia, valor que se puede consultar en el

datasheet de cada fabricante, de el caso contrario la podemos hallar este valor utilizando la
siguiente ecuación:
𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆 (41)
𝑔𝑚 = 2 ( 𝑉𝑇
)∗ (1 − 4
).

Para este caso tomaremos los siguientes valores:

 IDSS= 3Ma
 VT=-4V
En la ecuación 41 tenemos un valor que no conocemos (VGS), pero lo podemos encontrar
utilizando la siguiente ecuación:
𝑉𝐺𝑆 (42)
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆(1 − −𝑉𝑃)2.

De donde podemos reemplazar ID y dejar la ecuación en términos de VGS utilizando la

siguiente relación:
−𝑉𝐺𝑆 (43)
𝐼𝐷 = 𝑅𝑆
.

Reemplazando la ecuación 43 en la 42, obtenemos:

−𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 (44)
𝑅𝑆
= 𝐼𝐷𝑆𝑆(1 − −𝑉𝑃)2.

Ahora reemplazaremos los valores conocidos:

−𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2 (45)
1.2𝐾Ω
= 3𝑚𝐴(1 + 4
) .

Para hallar el valor de VGS utilizaremos la fórmula de binomio cuadrado perfecto

(𝑎 + 𝑏)2 = 𝑎2 + 2𝑎𝑏 + 𝑏 2
Para facilitar los cálculos se multiplicará por 1000 en ambos lados de la ecuación y se
simplificaran los valores posibles.
−𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2 (46)
1.2𝐾Ω
∗ 1000 = 3𝑚𝐴(1 + 4
) ∗ 1000.

Obteniendo:
−5𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2 (47)
6Ω
= 3(1 + 4
) .

En la ecuación 47 multiplicaremos por 6 en ambos lados, esto con el fin de quitar el

denominador que acompaña a VGS.
−5𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2 (48)
∗ 6 = 3(1 + ) ∗ 6.
6Ω 4

𝑉𝐺𝑆 2 (49)
−5𝑉𝐺𝑆 = 18(1 + 4
) .

Para la ecuación 49 aplicaremos la fórmula del binomio cuadrado perfecto obteniendo:

𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆2 (50)
−5𝑉𝐺𝑆 = 18(1 + 2
+ 16
) .

Aplicando distributiva en la ecuación 47

9𝑉𝐺𝑆2 (51)
−5𝑉𝐺𝑆 = 18 + 9𝑉𝐺𝑆 + 8
.

Reordenando los valores

9 (52)
−5𝑉𝐺𝑆 = 8 𝑉𝐺𝑆 2 + 9𝑉𝐺𝑆 + 18.
Para dejar la ecuación igualada a 0 sumamos al otro lado del igual con +5VGS, obteniendo la
ecuación final que nos permite hallar el valor de VGS.
9 (52)
0 = 8 𝑉𝐺𝑆 2 + 9𝑉𝐺𝑆 + 18.

Utilizando la ecuación para cuadráticas obtenemos:

X1=-1.45
X2=-10.98
Para determinar qué valor utilizar es necesario conocer cuáles son los valores máximos que
puede tener el transitor en VGS, para la referencia utilizada no puede sobrepasar los -10 voltios,
en este caso utilizaremos x1. Reemplazando en la ecuación 41 obtenemos.
3𝑚𝐴 1.45 (53)
𝑔𝑚 = 2 ( −4
)∗ (1 − 4
).

Operando obtenemos un gm de 956.25µohms, el cual coincide con el que tiene la ficha técnica
del transistor. El siguiente paso es hallar las ganancias de cada etapa para finalmente obtener la
ganancia total del circuito.
Para la primera etapa tenemos la siguiente ecuación de ganancia
𝑔𝑚∗𝑧𝑙1 ( 54)
∆𝑉1 = 1+𝑔𝑚𝑅𝑠.

Reemplazando los valores obtenemos:

956.25µ𝑜ℎ𝑚𝑠∗3.68𝑘 ( 55)
∆𝑉1 = 1+1.1475
. =1.63

Para la etapa 2, la cual está configurada en emisor común tenemos:

−𝑧𝑙2 ( 56)
∆𝑉2 = .
𝑅𝐸+𝑅𝑒

Obteniendo Re:
26𝑚𝑉 ( 57)
𝑅𝑒 = 546.48µ𝐴.

Donde el denominador corresponde al corriente emisor de la etapa 2, obteniendo 47.57Ω

Reemplazando este valor y los demás conocidos en la ecuación 56 obtenemos:
−3.11𝑘 ( 58)
∆𝑉2 = = 65.37.
47.57

En la ecuación 56 en el denominador se tienen dos termines RE y Re, en donde RE, al ser

La resistencia emisor de la etapa 2, la cual se encuentra con un condensador lo cual en el
análisis AC corresponde a un corto, eliminando esa resistencia de la ecuación 56.
Para la etapa 3 al ser una configuración de colector común solo genera ganancia en corriente,
por ende, la ganancia de voltaje es 1.
Finalmente multiplicamos las ganancias obtenidas.
1.63*65.37*1=106.56
Para la ganancia de voltaje lineal tenemos:
𝛥𝑉𝑇 = 20 log 1.6 + 20 log 65.37 + 20 log 1 = 40.55(𝑑𝑏). ( 10)