PROYECTO

AMPLIFICADOR
TRANSISTOR BJT

INTEGRANTES:

• LÓPEZ GALVÁN KARINA

• PINEDA PEREZ CARLOS
ALBERTO
• VELEZ CORTES
EDUARDO ARTURO

GRUPO: 2MV4

06/11/2018
 AMPLIFICADOR

PROYECTO
AMPLIFICADOR
INTRODUCCIÓN ....................................................................................................................................................3
TRANSISTOR BJT ...............................................................................................................................................3
TRANSISTOR NPN..........................................................................................................................................3
TRANSISTOR PNP ..........................................................................................................................................4
TRANSITOR BJT COMO AMPLIFICADOR............................................................................................................4
POLARIZACIÓN..............................................................................................................................................4
DIVISOR DE TENSIÓN ................................................................................................................................5
ANALISIS CD. .........................................................................................................................................6
ANALISIS CA ..........................................................................................................................................6
DESARROLLO.........................................................................................................................................................9
CALCULOS .........................................................................................................................................................9
Análisis en CA..............................................................................................................................................11
SIMULACIÓN ...................................................................................................................................................12
CONCLUSIONES ..................................................................................................................................................14
BIBLIOGRAFÍA .....................................................................................................................................................14

GRUPO: 2MV4 2
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INTRODUCCIÓN

TRANSISTOR BJT
Un transistor es un dispositivo electrónico que tiene la característica de permitir el paso de la
corriente en un único sentido y de una forma controlada.

Posee tres terminales podemos observarlas en la figura 1:

BASE COLECTOR EMISOR

• Es el pin donde se • Mediante este pin • Es el pin por donde
inyecta la señal es donde se se obtiene el
que lo “enciende o alimenta el resultado de
apaga”, a esta transistor, se lo inyectar la
corriente se la conecta a una corriente de base y
denomina fuente para alimentarlo por el
corriente de base. suministrarle la colector
energía externa.

Figura 1. Terminales de un BJT

Existen dos tipos de transistores bipolares (NPN y PNP), la diferencia radicar en los materiales de
construcción y en el sentido de la corriente de polarización (corriente que circula entre la Base y el
Emisor).

TRANSISTOR NPN
Un transistor NPN recibe tensión positiva en el terminal del colector que puede observarse en la
figura 2 (aS) Este voltaje positivo al colector permite que la corriente fluya a través del colector al
emisor, dado que hay una suficiente corriente base para encender el transistor.

A medida que aumenta la corriente a la base de un transistor NPN, el transistor se activa cada vez
más hasta que se conduce completamente desde el colector al emisor.

GRUPO: 2MV4 3
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Y a medida que disminuye la corriente a la base de un transistor NPN, el transistor se enciende

cada vez menos, hasta que la corriente es tan baja, el transistor ya no conduce a través del
colector al emisor y se apaga.

TRANSISTOR PNP
Como podemos ver en la figura 2 (b) , un transistor PNP recibe tensión positiva en el terminal
emisor. El voltaje positivo al emisor permite que la corriente fluya desde el emisor al colector, dado
que hay una corriente negativa a la base (corriente que fluye desde la base a tierra).

A medida que la corriente se hunde desde la base (fluye desde la base hasta la tierra), el transistor
está encendido y conduce a través de la alimentación en la carga de salida.

a) b)

Figura 2. (a) Transistor NPN (b) Transistor PNP

TRANSITOR BJT COMO AMPLIFICADOR

POLARIZACIÓN
La polarización del BJT se realiza mediante tensión continua y consiste en preparar el transistor
para que trabaje en la región activa dentro de un circuito en el cual se le quiere utilizar, se busca
que a través del colector circule una cantidad de corriente IC, y a su vez se obtenga una tensión
entre el colector y el emisor VCE para esa cantidad de corriente IC, a esto se le llama obtener el
punto de operación o punto Q del transistor. La corriente IC va a depender de la corriente en la
base IB que exista en la malla de entrada, esto porque IC=β*IB, la VCE dependerá de la malla de
salida del circuito, para ver esto será de utilidad uso de las curvas características y la ecuación de
recta de carga.

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DIVISOR DE TENSIÓN

Figura 3. (a) Polarización de transistor por divisor de voltaje

Este tipo de polarización es la más estable en comparación con las dos anteriores, esto es porque
cuando el circuito está bien diseñado este casi no se ve afectado por el cambio en el valor de β,
pero para que eso ocurra se tiene que cumplir la condición de la ecuación 1:

𝛽𝑅𝐸 ≥ 10𝑅2 ECUACIÓN [1]

esto para que la base vea a RE aumentada en β veces, luego para la malla de entrada si R2≤(β
*RE/10), a la corriente que circule por R1 le será más fácil ir a tierra a través de R2 que a través de
RE, es decir la corriente que circule por R2 será prácticamente la misma que circule por R1,
entonces el camino formado por R1 y R2 será un divisor de tensión, por lo tanto se tiene que
cumplir la ecuación 2:

𝑉𝐶𝐶 𝑅2
𝑉𝐵 = ECUACIÓN [2]
𝑅1 + 𝑅2

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ANALISIS CD.
1. Calcular la tensión en la base VBB a través del divisor de tensión según la ecuación 3.

2. Restar 0.7V para conseguir la tensión de emisor (0.3 para el germanio), para esto aplicaremos la ecuación
4.

3. Dividir por la resistencia de emisor para obtener la corriente de emisor la formula de la ecuación 5.

4. Suponer que la corriente de colector es aproximadamente igual a la corriente de emisor.

5. Hallar la tensión de colector a tierra restando la tensión a través de la resistencia de colector a la tensión
de alimentación del colector, la fórmula esta descrita en la ecuación 6.

6. Calcular la tensión emisor - colector restándole la tensión de emisor a la de colector (ecuación 7).

ECUACIÓN [3]

ECUACIÓN [4]

ECUACIÓN [5]

ECUACIÓN [6]

ECUACIÓN [7]

ANALISIS CA

En el circuito de figura 4 se muestra un circuito típico de un amplificador de tensión con un

transistor BJT en emisor común polarizado en la zona activa. Con él se trata de amplificar una
tensión cualquiera vi y aplicarla, una vez amplificada, a una carga que simbolizamos por la
resistencia RL. La zona sombreada resalta el amplificador, que en este caso, lo constituye un
transistor BJT en la configuración emisor común. El cual, convenientemente polarizado en la zona
activa.

GRUPO: 2MV4 6
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Los condensadores C1 y C2 que aparecen se denominan condensadores de acoplo y sirven para

bloquear la componente continua. En concreto C1 sirve para acoplar la tensión que queremos
amplificar al amplificador propiamente dicho, eliminando la posible componente continua que esta
tensión pudiera tener. Si no bloqueásemos esta continua se sumaría a las corrientes de
polarización del transistor modificando el punto de funcionamiento de este.

Figura 4. Circuito amplificador de tensión con BJT en E-C

Por otra parte, el condensador C2 nos permite acoplar la señal amplificada a la carga, eliminando la
componente continua (la correspondiente al punto de polarización del transistor) de forma que a la
carga llegue únicamente la componente alterna. El condensador C3 es un condensador de
desacoplo, su misión es la de proporcionar un camino a tierra a la componente. Al añadir el
condensador de desacoplo conseguimos que la continua pase por RE mientras que la alterna
pasaría por el condensador C3 consiguiendo que no afecte a la amplificación.

Para obtener el circuito equivalente de alterna, cortocircuitamos las fuentes de tensión de continua
y los condensadores. En el circuito resultante, sustituiremos el transistor por su modelo en
parámetros híbridos.

Figura 5. Modelos en parámetros híbridos del transistor

GRUPO: 2MV4 7
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El circuito resultante es el que tendremos que analizar y resolver para obtener las tensiones y
corrientes incrementales (o de alterna). Este circuito se observa en la figura 6.

Figura 6. Circuito del BJT para análisis en CA

En la tabla 1 aparece un resumen de los valores calculados para las distintas configuraciones del
transistor.

Tabla 1. Valores para el análisis de un transistor BJT según sus diferentes configuraciones

GRUPO: 2MV4 8
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DESARROLLO

CALCULOS

Datos de la carga: Datos de la señal de entrada:

Psalida= 5W. Vmax= 1.2V; 20Hz ≤ f ≤ 20 kHz

RL= 8Ω Vcc= 20V

Tensión de salida para obtener la potencia:

𝑉𝑜 = √𝑃𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎 ∗ 𝑅𝐿 = 6.32𝑉

Ganancia de la tensión con carga

𝑉𝑜 𝑚𝑎𝑥 6.32
𝐴𝑣 = = = 5.27
𝑉𝑖 𝑚𝑎𝑥 1.2

F
Figura 7. Circuito divisor de
voltaje que se usará para el
diseño del amplificador.

Sabemos del diagrama del transistor con recta de carga que:

𝑉𝑜 = −𝑖𝑐 ∗ 𝑅𝑐

𝑉𝑜𝑅𝐿 = −𝑖𝑐 ∗ 𝑅𝑐 // 𝑅𝐿 = 𝑉𝑐𝑒

𝑉𝑐𝑒
𝑖𝑐 = −
𝑅𝑐//𝑅𝐿

Donde el punto de operación debe ser mucho mayor a 0.7071

El capacitor en la resistencia de emisor añade una característica y es que cambia la ganancia:

(𝑅𝑐//𝑅𝐿)
𝐴𝑣 = −
𝑟𝑒

Sin dicho capacitor la ganancia se mantendría de esta forma:

−(𝑅𝑐//𝑅𝐿)
𝐴𝑣 =
𝑟𝑒 + 𝑅𝑒

GRUPO: 2MV4 9
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Sabemos de la teoría de diodos que esa resistencia re es la equivalente del diodo, y como depende
de la corriente de emisor sabemos entonces que:

26𝑚𝑉
𝑟𝑒 =
𝐼𝑒

En función de la carga RL=8Ω y P=5W proponemos el punto de operación Vceq=10V e Icq=1A. Con Icq
aproximadamente igual a Ieq.

Al realizar un análisis en la maya de salida obtenemos como resultado la siguiente ecuación:

-Vcc + Icq*Rc +Vceq + Ieq*Re=0

De donde sustituyendo los valores que tenemos podemos obtener los valores de Rc y Re.

Rc= 9.21Ω

Re= 786 mΩ Ambos valores se aproximarán a sus valores comerciales (10Ω y 500 mΩ).

Una vez obtenidos los valores correspondientes por medio de las mallas de entrada y salida se
obtienen los valores de las corrientes:

Se hará uso de un criterio que dice que: 2𝑅𝑇𝐻 = (𝛽 + 1)𝑅𝑒

De este modo se obtiene el valor de 𝑅𝑇𝐻 y así las resistencias Rb1 y Rb2. Donde se valor nos da
un total de: 357Ω y 27Ω.

𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝑏𝑒𝑞
𝐼𝑏𝑞 = = 8.63 𝑚𝐴
𝑅𝑇𝐻 + (𝛽 + 1)𝑅𝑒

𝑅𝑇𝐻 ∗ 𝑉𝑐𝑐
𝑉𝑇𝐻 = = 1.19𝑉
𝑅𝑏1

𝑉𝑐𝑒𝑞 ≅ 𝑉𝑐𝑐 − 𝛽𝐼𝑏(𝑅𝑐 + 𝑅𝑒) = 10.93𝑉

(𝑅𝑐//𝑅𝐿) 26𝑚𝑉
𝐴𝑣 = = −8.38 𝑦 𝑟𝑒 = ≈ 29.8𝑚Ω
𝑟𝑒 + 𝑅𝑒 (𝛽 + 1) ∗ 𝐼𝑏𝑞

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Análisis en CA
El siguiente diagrama es una representación básica del sistema:

Figura 8. Representación de un circuito divisor de voltaje en CA

Las impedancias de entrada y salida además de ro se obtienen con un análisis en CA

desconectando las fuentes de DC y poniendo los capacitores en corto suponiendo altas reactancias
capacitivas.

El diagrama equivalente
resultando es el de la
figura 9. (teniendo en
cuenta el capacitor en Re).

Figura 9. Diagrama equivalente del circuito en CA apagando las fuentes de

DC y cortocircuitando los capacitores.

Donde el valor de la impedancia de entrada es β*re, debido a que es el resultado del paralelo entre
𝑅𝑇𝐻 y β*re, cuando hay un capacitor conectado en paralelo con Re.

En este caso la impedancia de entrada fue de 2.23Ω, considerando una beta de transistor β=75.
Que es la general para el dispositivo TIP31 que será utilizado en el circuito.

ro es el valor de la inversa de la pendiente de la curva de Ibq en el diagrama de polarización de un

transistor, generalmente es muy alto y suele tomarse tendiendo a ∞.

𝑉𝑜 = −𝑖𝑐(𝑅𝑐//𝑅𝐿)

−𝛽 ∗ 𝑉𝑖 ∗ (𝑅𝑐//𝑅𝐿)
𝑉𝑜 =
𝛽 ∗ 𝑟𝑒

𝑉𝑜 −(𝑅𝑐//𝑅𝐿)
= , 𝑑𝑜𝑛𝑑𝑒 𝑅𝐿 𝑒𝑠 𝑢𝑛𝑎 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑒𝑛 𝑝𝑎𝑟𝑎𝑙𝑒𝑙𝑜 𝑎 𝑅𝑐 𝑞𝑢𝑒 𝑠𝑒 𝑎ñ𝑎𝑑𝑒
𝑉𝑖 𝑟𝑒

𝑝𝑜𝑟 𝑠𝑒𝑟 𝑙𝑎 𝑖𝑚𝑝𝑒𝑑𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑏𝑜𝑐𝑖𝑛𝑎.

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SIMULACIÓN

Con ayuda de proteus simulamos nuestros cálculos, para tener una idea mas general de nuestro
diagrama y construir mucho más fácil nuestra placa fenólica.

Figura 10. Simulación de amplificador en PROTEUS

En la figura 10 podemos observar el circuito diseñado y simulado en proteus, se agregaron

medidores de voltaje y corriente en CA Y CD, además de un osciloscopio. El cual se muestra en la
figura 11.

Figura 11. Simulación de amplificador en PROTEUS con Osciloscopio

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En la figura 12 podemos observar el diseño de nuestra placa fenólica

Figura 12. Diseño de placa con ayuda de ARES

a) b)

Figura 13. Vistas de placa fenólica a) vista superior b) vista lateral

En la figura 14 podemos observar nuestro proyecto armado en protoboard ya que por el error que
tuvimos en la bocina no se concluyó la creación de nuestra placa fenólica.

Figura 14. Circuito en protoboard

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CONCLUSIONES
Después del trabajo de cálculo y prueba del circuito en físico surgieron varios problemas, el primero
era la oscilación del punto de operación debido a los cambios de β<75. Al hacer las pruebas nos
dimos cuenta de que los valores de los capacitores tenían una fuerte influencia en la tensión de
salida de la bocina, los valores óptimos de los capacitores de entrada y salida eran entre 100uF-
470uF, para que entregaran una potencia.

Valores mayores o menores a estos causaban un bajo rendimiento en la potencia de salida

disminuyéndola; el capacitor en Re se mostraba diferente ya que entre más grande era su valor,
más potencia entregaba. Con el valor de 4700uF entregó 11Vpp de salida, introduciendo 1Vpp, así
que ese fue el valor escogido para no dañar la bocina.

Una de las observaciones que se mantenía constante era la gran cantidad de calor que disipaba el
transistor por lo que fue necesario un gran disipador de calor, además de que la resistencia Rc
igual se calentaba de gran manera.

Un detalle para reconocer es que la respuesta del circuito y la bocina dependía del reproductor de
una manera especializada, ya que con algunos reproductores de audio (fueron utilizados celulares),
no se producía respuesta alguna, sin embargo, con otros celulares diríamos más avanzados el
circuito efectivamente amplificaba.

Al final utilizamos una bocina de 7W a 8Ω aunque los cambios fueron pequeños, la ganancia era de
11, y el circuito respondía bastante bien.

BIBLIOGRAFÍA
(2018). Recuperado de
https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/1/electro_gen/teoria/tema-5-
teoria.pdf
Amplificador emisor común - Electrónica Unicrom. (2018). Recuperado de
https://unicrom.com/amplificador-emisor-comun/
Boylestad, R., Nashelsky, L., & Boylestad, R. (1984). Dispositivos electrônicos e teoria de circuitos.
Rio de Janeiro: Prentice/Hall do Brasil.
¿Qué es un Transistor Bipolar o BJT? - Electrónica Unicrom. (2018). Recuperado de
https://unicrom.com/que-es-un-transistor-bipolar/
Transistor bipolar o BJT (Conceptos Básicos) - Electrónica analógica y digital. (2018). Recuperado
de http://www.electrontools.com/Home/WP/2016/03/08/transistores-bipolares-conceptos-
basicos/
Transistores, polarización por divisor de tensión - va electrónica. (2018). Recuperado de
https://sites.google.com/site/vapelectronica/home/diseno-de-hardware/transistores-
polarizacion-por-divisor-de-tension

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