UNIVERSIDAD DEL MAGDALENA

FACULTAD DE INGENIERIAS
ELECTRÓNICA I
ANDRÉS MARTINEZ – ANDRÉS OROZCO – RAFAEL PAVA

ABSTRACT que es la base no solo del diodo, sino de

otros muchos componentes eléctricos.
This report shows the performance of a
diode in an electrical circuit using as
benchmarks the ideal diode model. To this
were handled diode bias concepts seen in RESULTADOS
the theoretical framework of the subject.
TABLA 1.1
INTRODUCCIÓN Vf(V) 0 0,1 0,2 0,4 0,6 0,7 0,8
If 0 0 0 0,06 0,72 1,26 1,9
A partir de los tres componentes básicos
(resistencia, condensadores e inductancia)
TABLA 1.2
surge la necesidad de nuevos dispositivos
Vr(V) 0 2 6 10 15 20 30
para el control de la corriente eléctrica y asi Ir 0 0 0 0 0 0 0
se descubren las propiedades de los
semiconductores, mediado el siglo XIX
(1833 y 39 por Faraday y Becquerel), no
comenzando su utilización practica hasta el
siglo XX, después de la Segunda Guerra
Mundial (1948, en los laboratorios bell
Telephone).

En un principio estos elementos adquieren

una serie de ventajas respecto a sus
precursores (válvulas o tubos de vacio) en
el tratamiento de señales: espacio más
reducido, mayor resistencia mecánica y
mayor vida de funcionamiento. Al mismo CUESTIONES
tiempo presentaban los inconvenientes de
ser mas sensibles a los cambios de 1. ¿Cuál es la finalidad de dopar un
temperatura y no conseguir potencias muy semiconductor puro?
elevadas.
R/ crear componentes con mayores
Nos disponemos, pues a abordar el estudio aplicaciones y usos, tales como el diodo.
de diodo semiconductor como componente
aislado, para, posteriormente, incluirlo en 2. ¿Por qué es perjudicial el aumento de
temperatura en los
circuito donde podamos aprovechar sus
semiconductores?
cualidades o características.
R/ un aumento de la temperatura en los
Para esto requeriremos un esbozo previo
semiconductores puede ocasionar una
del fundamento de los semiconductores, ruptura del material. Los electrones y
huecos empiezan a cruzar la unión en
INFORME N° 1
MARZO-16-2010
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grandes cantidades, por lo que a pequeños

incrementos de tensión corresponden
grandes aumentos de intensidad, a mayor
temperatura, el efecto se magnifica lo cual
es perjudicial en el funcionamiento del
dispositivo.

3. ¿Qué otro nombre recibe la corriente

inversa de saturación?

R/Corriente de Fuga.

4. ¿Qué debe limitar la corriente directa

que atraviesa a un diodo?

R/el único Impedimento al flujo de corriente

a través del dispositivo lo constituye la
resistencia óhmica de las regiones P y N

5. ¿que significan las siglas If y Vr?

R/
 If representa la corriente en
sentido directo que atraviesa el
componente
 Vr representa la tensión inversa
aplicable al componente

CONCLUSIÓNES

 Con polarización directa y superada

la tensión umbral (Vy) el diodo se
comporta como un cortocircuito.
 En polarización inversa se comporta
como un circuito abierto.
 Se deben tener en cuenta las
especificaciones del fabricante y no
sobrepasarlas en ningún caso para
garantizar el funcionamiento correcto
del componente.

INFORME N° 1
MARZO-16-2010