U.N.M.S.M.

FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y

DE TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

Pino Santillán, David Marcelo 17190159
Valeriano Muñoz, Erick Hebert 17190141
Galarza Cuba, José Luis 17190111
Ccallo Maza ,Angel 17190107
Balbin Medrano,Williams Bladimir 17190027
CURSO TEMA
Dispositivos y componentes
TRANSISTOR MONOUNION(UJT)
electrónicos
INFORME FECHAS NOTA

Final REALIZACION ENTREGA

NÚMERO
11-Julio-2018 18-Julio-2018
9

GRUPO PROFESOR

“L3”:Miércoles 2PM.-4PM.(2018-I) Ing. Luis Paretto Q.

 EL TRANSISTOR MONOUNION (UJT)

l. OBJETIVOS:

a.-Verificar en forma estática el estado operativo de un UJT

b.-Verificar y determinar las características de funcionamiento de un UJT

ll. MARCO TEORICO:

 El transistor de monounión o UJT (monounion transistor) está constituido por
dos regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor.

 En la figura 12.21.a aparece la estructura física de este dispositivo. El emisor está

fuertemente dopado con impurezas p y la región n débilmente dopado con n.

 Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada
(de 5 a 10K estando el emisor abierto). El modelo equivalente representado en la
figura 12.21.b está constituido por un diodo que excita la unión de
dos resistencias internas, R1 y R2 , que verifican RBB = R1 + R2. Cuando
el diodo no conduce, la caída de tensión en R1 (V1) se puede expresar como:

 en donde VB2B1 es la diferencia de tensión entre las bases del UJT y el factor de
división de tensión conocido como relación intrínseca. El modelo de este
dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura 12.21.c, cuya estructura
es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conducción los
transistores la caída de tensión en R es muy baja. El símbolo del UJT se muestra
en la figura 12.21.d.
lll. MATERIALES Y EQUIPOS UTILIZADOS:

1. Multímetro Digital
Marca: Fluke

SBN:60226443-0251

2. Dos Miliamperímetro DC analógico

Marca: Yokogawa

SBN:60220333-0141

3. Fuente de corriente continua de

voltaje ajustable
Marca: BK PRECISION

SBN: 46225646-0028

4. Resistores (470Ω, 56Ω, 2.2kΩ y 1kΩ)

5. Cables y conectores de cocodrilo
banano.
6. Potenciómetros 𝟓𝒌Ω 𝒚 𝟏𝟎𝒌Ω
7. Voltímetro de corriente continua
analogico
Marca: Yokogawa

SBN:60229950-0102

8. Protoboard
lV. PROCEDIMIENTO:

1. Verificamos el estado operativo del UJT, usando el ohmímetro y el diodito al estar polarizado en
directa y así llenamos la Tabla 1.
2. Se armó el siguiente circuito:

3. Se analiza el circuito con P1 y P2 en 0Ω, y:

a) Medimos la corriente del emisor y de la base.
b) Medimos los voltajes del emisor y de las bases.
c) Con los datos obtenidos llenamos la tabla 2.
4. Analizamos el circuito, graduando P1, y:
a) Se ajusta P1 hasta visualizar el disparo del UJT.
b) Medimos la corriente del emisor y de la base.
c) Medimos los voltajes del emisor y de las bases.
d) Medimos el valor de P1 en el momento de disparo.
e) Con los datos obtenidos llenamos la tabla 3.
5. Analizamos el circuito, graduando P2, y:
f) Se ajusta P2 hasta visualizar la obtención de la corriente de valle (regreso a OFF).
g) Medimos la corriente del emisor y de la base.
h) Medimos los voltajes del emisor y de las bases.
i) Medimos el valor de P2 en el momento de regreso a OFF.
j) Con los datos obtenidos llenamos la tabla 4.

V. CUESTIONARIO FINAL:

Tabla 1

Resistencia Directa (𝛺) Inversa( 𝛺)

Emisor-Base1 788 30M>
Emisor-Base2 737 30M>
Base1-Base2 5.16k 5.14k
Interpretación:
  La resistencia en Emisor-Base1 se comporta de esta manera debido a que es la unión de un
material tipo p con otro material tipo n es decir se comporta como un diodo.
 La resistencia en Emisor-Base2 se comporta de esta manera debido a que es la unión de un
material tipo p con otro material tipo n es decir se comporta como un diodo.
 La resistencia en Base1-Base2 se comporta de esta marera debido a que solo está conformada por
un solo material en este caso tipo n es decir se comporta como una resistencia.

figura. 1 Funcionamiento interno del UJT

Tabla 2

Valores 𝑉𝑒(𝑉. ) 𝐼𝑒(𝑚𝐴. 𝛺) 𝑉𝑏1 (𝑉. ) 𝑉𝑏2 (𝑉. ) 𝐼𝑏(𝑚𝐴)

Teóricos 0V 0mA 18.6v 0.17V 3.01mA
Medidos 50mV 0mA 18.82v 0.151V 2.7mA
Interpretación:

En esta tabla observamos el comportamiento en OFF del UJT; debido a que no está disparado el UJT la
mayor parte del voltaje se concentra entre Base1-Base2.

Tabla 3

Valores 𝑉𝑒(𝑉. ) 𝐼𝑒(𝑚𝐴. ) 𝑉𝑏1 (𝑉. ) 𝑉𝑏2 (𝑉. ) 𝐼𝑏(𝑚𝐴) 𝑃1(𝛺)

Teóricos 2.49v 6.17mA 17.1V 0.74V 7.12mA 2.05k 𝛺
Medidos 2.45V 7.5mA 13.5v 1.322V 14.6mA 4.11K 𝛺
Interpretación:

En esa tabla observamos el comportamiento del UJT en el instante en que se disparó; esto se debe a que
se polarizo directamente las bases con el emisor así dejando el pase del corriente emisor.

Tabla 4

Valores 𝑉𝑒(𝑉. ) 𝐼𝑒(𝑚𝐴. ) 𝑉𝑏1 (𝑉. ) 𝑉𝑏2 (𝑉. ) 𝐼𝑏(𝑚𝐴) 𝑃1 (𝛺) 𝑃2(𝛺)
Teóricos 2.9V 0.76mA 17.2v 0.38v 5.99mA 2.05k 𝛺 10K 𝛺
Medidos 2.2V 1mA 17.41v 0.047V 5.5mA 4.11K 𝛺 10K 𝛺
Interpretación:

En esta tabla intentamos hacer llegar la corriente emisor a 0mA (UJT OFF) variando el potenciómetro 2.
Vl. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:

 Durante esta experiencia se ha logrado verificar el comportamiento y características de un

transistor monounion UJT.

 Previamente a realizar las conexiones es necesario identificar de manera correcta los

pines respectivos del transistor monounión UJT para que de esa manera evitar dañar ya
sea el UJT o algún otro componente del circuito.
Vll. BIBLIOGRAFIA :

 http://electronika2.tripod.com/info_files/ujt.htm

 https://apuntesdeelectronica.files.wordpress.com/2011/10/
17-dispositivos-de-disparo-ujt-y-put.pdf

 https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_uniuni%C3%B3n

 http://eletronicassim.blogspot.com/2015/02/oscilador-u-j-
t.html