·机械制造· 涂莉萍，等·单层二硫化钼的力学性能及缺陷工程研究进展

DOI： 10．19344 / j．cnki．issn1671－5276．2018．02．014

单层二硫化钼的力学性能及缺陷工程研究进展
涂莉萍 ，李明林 ，万亚玲 ，王卫东
1 1，
2 1 3

（ 1． 福州大学 机械工程及自动化学院，福建 福州 350116； 2． 福建省高端装备制造协同创新中心，福建 福州 350116；

3． 西安电子科技大学 机电工程学院，陕西 西安 710071）

摘 要： 单层二硫化钼（ SLMoS2 ） 是类似石墨烯的准二维蜂窝晶格层状纳米材料。相较于半导

体性石墨烯在制备上的复杂性，具有直接带隙半导体特性的 SLMoS2 被认为更具优势，是取代
传统硅半导体的新一代候选材料之一。介绍了 SLMoS2 优异的物理化学特性及其力学性能的
近期研究进展、SLMoS2 在制备和表征过程中存在的固有缺陷类型和晶界，以及近年来基于理论
和实验方法所揭示的缺陷和晶界对其物理化学性能的影响，并对其缺陷工程的若干研究领域
提出了展望。
关键词： 二维纳米材料； 二硫化钼； 缺陷工程； 力学性能
中图分类号： TB301 文献标志码： A 文章编号： 1671-5276（ 2018） 02-0048-06

Progress in Mechanical Properties and Defect Engineering

of Single Layer Molybdenum Disulfide
TU Liping1 ，LI Minglin1，2 ，WAN Yaling1 ，WANG Weidong3
（ 1． School of Mechanical Engineering and Automation，Fuzhou University，Fuzhou 350116，China；
2． Fujian Collaborative Innovation Center of High－End Manufacturing Equipment，Fuzhou 350116，China； 3． College
of Mechanical and Electrical Engineering，Xi＇an University of Electronic Science and Technology，Xi＇an 710071，China）
Abstract： Single－layer molybdenum disulfide （ SLMoS2 ） is analogous to a graphene layered nanomaterial with pseudo two－dimen-
sional honeycomb lattice structure． Compared with the complexity of obtaining the semiconducting graphene，the semiconductor ma-
terial SLMoS 2 is considered to be more superior due to its direct bandgap，and is believed to be one of candidates for the next gener-
ation semiconductor material to replace the traditional silicon． This paper briefly summarizes the progress in the study of the outstand-
ing physical，chemical and mechanical properties，introduces the inherent structure defects and grain boundaries of SLMoS 2 induced
in the procedures of fabrication and characterization and overviews the effect of the defects and grain boundaries appearing in the
theoritical and experimental research methods on the physical and chemical properties，then，proposes several promising research
fields related to the defect engineering of SLMoS 2 ．
Keywords： two－dimensional nanomaterils； molybdenum disulfide； defect engineering； mechanical properties

0 引言 而上 制 备 方 法 以 及 其 电 学、光 学 特 性 和 应 用 前 景。
Chhowalla 等人［10］ 综合介绍了 TMDs（ 包括 MoS2 ） 的组成、
二硫化钼（ MoS2 ） 是辉钼矿的主要成分，由于其存在 晶相和电子结构，化学剥离法和化学气相沉积法等制备方
与石墨类似的低层间摩擦特性，长期以来被广泛用作固体 法，以及其在储能方面的应用。Huang 等人
［11］
专门针对
润滑剂。2004 年以来由石墨烯的被发现而引发了二维材 MoS2 发表了讲解性评述，综合介绍了其制备方法、晶体结
［1］
料研究热潮 ，MoS2 由于其优异的半导体特性而得到特 构、机械特性、电学特性和光学特性，以及其在电子器件、
［2］
别关注。MoS2 体材料的能带间隙为 1．29e V ，是间接带 光电器件、传感器和储能器件等领域的应用。浙江大学徐
［12］
隙半导体，具有抗磁性。随着层数的不断减少，能带间隙 明生等人 全面回顾了类石墨烯二维材料在 2013 年前
不断 扩 大，单 层 二 硫 化 钼 （ SLMoS2 ） 的 能 带 间 隙 可 达 的重要研究进展，主要集中在电学和磁学特性、应变效应
［3］ ［13］
1．8e V ，为直接带隙半导体。这使得 SLMoS2 在纳电子 和功能化修饰。江进武 对比回顾了石墨烯、MoS2 、石墨
器件、纳光电子器件中拥有光明的应用前景
［3－8］
。 烯 / MoS2 异质结构等二维材料的力学性能研究进展。赖
［14］
已有多篇文献综合介绍了 MoS2 各方面的研究进展： 占平 简要介绍了当时 MoS2 的器件研制、性能表征和制
Wang 等人 ［9］
回顾了包括 MoS2 在内的过渡金属二硫化物 备方法等方面的研究进展，并对制备高品质的 SLMoS2 提
［15］
（ transition metal dichalcogenides，TMDs） 的自上而下和自下 出了研究建议。汤鹏等人 也综合介绍了 MoS2 的制备、

基金项目： 国家自然科学基金青年基金项目（ 50903017，

51205302）
作者简介： 涂莉萍（ 1990－） ，女，福建泉州人，硕士研究生，研究方向为计算流体力学。

· 48·
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表征、光物理性质和相关机理以及在光电子器件领域的应 如图 2 所示，获得空前的比第一个石墨烯光电探测器高约
［16］ 6 ［6］
用研究进展。顾品超等人 也回顾了 MoS2 的几何结构、 为 10 倍的光敏特性，比 2011 年 Zhang 研究组 制作的
能带结构、光学性质、制备方法及其在电子器件领域的应 SLMoS2 光敏晶体管的光敏特性高出近 105 倍。
用。然而，这些文献均少有涉及 SLMoS2 缺陷工程方面的
研究进展。半导体缺陷工程的概念最早是由日本学者在
1984 年于日本东京召开的“半导体缺陷与性能”会议上提
［17］
出的 。其主旨是希望通过对缺陷的深入理解，扬长避
短，合理控制（ 消除或引入） 缺陷以达到提高半导体器件
性能的目的。
本文重点阐述了 SLMoS2 独特的物理化学性质及其力
学性能的最新进展研究，着重介绍 SLMoS2 在制备和表征
过程中存在的固有缺陷类型和晶界，介绍近年来基于理论
和实验方法所揭示的缺陷和晶界对其物理化学性能的影
响，并对其力学性能和缺陷工程的研究提出了展望。

1 SLMoS2 优异的物理化学性能

1．1 在电特性方面
2011 年 Kis 研 究 组［3］ 构 造 出 SLMoS2 场 效 应 晶 体 管
2
（ FET） ，
率先实现室温下其电子迁移率约 200 cm / V / s，且
8
电流开关比高达 10 ，打开了 SLMoS2 在纳米半导体领域的
应用之门，
如图 1 所示。据此，将 SLMoS2 应用于制备集成
［4］
电路和非门逻辑电路 ，
推进了更小型、 更低能耗的半导体
［7］ 图2 SLMoS2 光电探测器［5］
器件的研发进展。2012 年冯济等人 首次揭示了 SLMoS2
的谷选择圆偏振光吸收性质，解决了谷电子学应用的最大
挑战———谷极化在单层原子薄膜中的实现。2015 年 Lee 1．3 在热特性方面
［18］
及其团队 利用 NiOx 肖特基电极研究基于 MoS2 的金属
2014 年 Wei 等人［19］ 对 SLMoS2 与单层石墨烯的声子
半导体场效应晶体管，获得在一定的低阈值电压下，约 10
2
层的 MoS2 的电子迁移率高达 500～ 1 200 cm / V / s。 热导率进行比较。研究发现由于其超短固有声子平均自
由程，SLMoS2 带的热传导率对尺寸和边缘粗糙度不敏感，
［20］
如图 3 所示。2015 年 Jin 等人研究了 SLMoS2 的电子和
声子的传输性能。通过分子动力学（ molecular dynamics，
MD） 模拟，获得 SLMoS2 的热传导率高达 116．8 Wm －1 K －1 ，
这使其在热电工程领域具有光明的应用 前 景。2015 年
Zhang 等人［21］ 利 用 改 良 后 的 光 热 拉 曼 技 术 测 得 室 温 下
SLMoS2 的热导率为 84（ ± 17） Wm －1 K －1 ，与理论预测值十
分接近。实验还发现，由于声子散射，SLMoS2 的热导率随
着环境温度的升高而降低。

图1 SLMoS2 场效应晶体管

1．2 在光特性方面
Kis 研究组在 2013 年将 MoS2 应用于光电探测器［5］ ，

· 49·
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该研究组于 2014 年对由 MoS2 鼓状薄膜制成的高频纳米

谐振器的空气阻尼进行了实验测试。研究发现单层及多
层（ ＜70 nm 厚） 圆形 MoS2 鼓状薄膜谐振特性表现出明显
［22］
的环境压力相关性 。

图4 SLMoS2 纳米谐振器
图3 依赖于 SLMoS2 热导率的长度、宽度和边缘粗糙度

1．5 在力学特性方面
1．4 在谐振性方面 1） 杨氏模量
［8］
2013 年 Feng 等人 将 9 层厚的 MoS2 薄膜应用于纳 SLMoS2 杨氏模量是近年来对其力学性能首要关注的
米谐振器，获得室温下其性能指标 （ 频率和品质因子乘 研究内容。目前，SLMoS2 杨氏模量主要通过理论预测和
10
积） f 0 × Q ≈ 2 × 10 Hz，是迄今包括石墨烯在内的二维 实验测试来获得，但不同方法得到的杨氏模量数值存在显
材料中性能最优良的纳米谐振器之一，
如图 4 所示。此外， 著的差异，如表 1 所示。

表1 SLMoS2 的杨氏模量
Ｒef． Method t / σ / Nm －1 D / eV E 2D / Nm －1 Y / GPa
Ｒef［23］ nanoindentation 6．5 15±3 － 180±60 270±100
Ｒef［24］ nanoindentation 6．15 16．5 － 120±30 －
Ｒef［25］ MD（ SW） 6．09 － － 139．5 229．0
Ｒef［26］ MD（ SW） 6．09 － － 78．4 128．75（ AC）
Ｒe［28］ PBE 6．145 14．5（ AC） － 123．08 200．3±0．2
Ｒef［29］ First Principles 6．147 15．1 － 153．7 250
Ｒef［30］ EIP 6．09 － 9．61 － －
Ｒef［32］ LET － － 8．7－13．4 － －
表中 EIP 表示原子经验势，LET 表示经典线弹性理论。

2011 年 Bertolazzi 等人［23］ 将制备的薄层 MoS2 材料转 的影响。结果发现在周期性边界条件下，无论扶手型（ arm-

移到带 550 nm 圆孔的硅衬底表面，基于原子力显微 镜 chair，AC） 方向还是锯齿型（ zigzag，ZZ） 方向，SLMoS2 杨氏
（ AFM） 探针的压痕实验，测得 SLMoS2 的杨氏模量为 270 ［26］
模量最终收敛于 229．0 GPa。2014 年 Jiang 和 Park 在对
－1
（ ±100） GPa，对应的面内刚度为 180（ ± 60） Nm 。2013 石墨烯 / MoS2 / 石墨烯异质结构的力学性能进行
SLMoS2 、
［24］
年 Cooper 等人 通过纳米压痕实验，测得 SLMoS2 的有效 MD 模拟中， 获得室温下 SLMoS2 在 AC 方向的杨氏模量为
－1
杨氏模量（ 或面内刚度） 为 120（ ±30） Nm 。 远低于石墨烯，
128．75 GPa， 且约为异质结构的 1 /3。此外，
［25］
2013 年 Jiang 等人 基于 Stillinger－Weber（ SW） 势，利 研究还表明 SLMoS2 杨氏模量在 0 ～ 300 K 温度范围内可以
用经典 MD 模拟分析了手性、 尺寸和应变对 MoS2 杨氏模量 保持相对稳定，
这与文献［27］的研究结果差别明显。文献

· 50·
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［27］显示，
SLMoS2 杨氏模量在 4．2 K ～ 500 K 的温度范围内 为实现 MoS2 的上述应用，原则上期望能获得大面积
［28］
随温度升高而单调递减。2014 年 Gan 和 Zhao 使用第一 的无缺陷 SLMoS2 薄膜。然而，不管是机械剥离（ ME） 法、
获得 SLMoS2 的杨氏模量为 200．3（ ±0．2） GPa，并且
性原理， 物理气相沉积（ PVD） 法或化学气相沉积（ CVD） 法制备的
发现空穴的引入降低了 SLMoS2 的杨氏模量和断裂强度。 SLMoS2 薄膜都或多或少地存在各类缺陷或晶界。
2015 年 Fan 等人［29］基于第一性原理研究发现： 在约 2%的
SLMoS2 的杨氏模量约为 250 GPa，与文献［23］的
小应变下， 2 SLMoS2 的结构缺陷
实验结果一致。通过理论预测和实验测试，SLMoS2 的杨氏
－1
面内刚度为 78 ～ 240 Nm ，且手性
模量约为 120～ 370 GPa， 2013 年 Zhou 等人［38］ 系统研究了化学气相沉积法制
效应不明显， 但受空穴的影响较大。 备的 SLMoS2 薄膜的固有结构缺陷———点缺陷和晶界，确
2） 强度 定了 6 种点缺陷———分别是： 单硫原子空穴（ V S ） 、双硫原
2011 年 Bertolazzi 等人［23］ 基于 AFM 纳米压痕实验测 子空穴（ V S2 ） 、单钼原子和周边三硫原子空穴（ V MoS3 ） 、单
得 SLMoS2 的平均断裂强度为 15（ ±3） Nm 。利用同种方
－1
钼原子和周边六硫原子空穴（ V MoS6 ） 、单钼原子替换双硫
2013 年 Cooper 等人［24］ 测得 SLMoS2 的固有强度为 16．5
法， 原子的反位缺陷（ Mo S2 ） 和双硫原子替换单钼原子的反位
－1
Nm ，与 Bertolazzi 等人的结果十分接近。2014 年 Gan 和 缺陷（ S2 Mo ） ，点缺陷以 V S 和 V MoS3 为主； 以及 5 种位错芯类
Zhao［28］ 利用第一性原理获得在单轴拉伸试验下 SLMoS2 型———分别是： 4 | 4 环、
4 | 6 环、
4 | 8 环、
5 | 7 环、
6 | 8 环，如图
在 AC 方向的极限强度为 23．6 GPa，在 ZZ 方向的极限强 5 所示。
［29］
度为 16．1 GPa。2015 年 Fan 等人 测得 SLMoS2 的理想强
度为 24．6 GPa，与文献［23］的实验结果一致。理论和实
验研究均获得较为一致的 SLMoS2 拉伸断裂强度。
3） 弯曲模量
2013 年 Jiang 等人［30］ 结合原子经验势，得出 SLMoS2
弯曲模量的解析式：

( ) ( )
2 22 2
 W r q  W θ q
D = ∑ 2 ∑ 2
+ （ 1）
q r q κq θ q κ
其中： W 为弯曲能量密度，κ 为弯曲曲率，r q 为变形后的键
长，θ q 为键角。基于 SLMoS2 的三原子层厚，式中r q / κ 和
θ q / κ 均不为零。所获得 SLMoS2 的弯曲模量为 9．61e V，
［31］
比石墨烯的 1．4e V 大了 7 倍，这可归因于其三原子层
［32］
厚。2016 年 Xiong 和 Cao 使用 MD 模拟，获得 SLMoS2
合理的弯曲刚度为（ 8．7 ～ 13．4） e V； 并且发现，如果采用合
理的厚度假设，连续力学弯曲理论可以准确预测 SLMoS2
［33］
弯曲刚度。此外，2016 年 Yu 等人 提出弯曲二维材料
可控制局部电荷和费米能级转移，并利用经典线弹性理论
研究了 1H－MoS2（ 1H 是 SLMoS2 的一种相结构，1H －MoS2
［10，34］
中 Mo 原子是三方柱面体配位 ） 的 弯 曲 能 量，获 得
1H－MoS2 的弯曲刚度为 157．59 N。
4） 屈曲现象
屈曲的发生会影响材料在使用过程中的稳定性。欧
拉屈曲定理指出屈曲临界应变可以通过有效杨氏模量和
［35］
弯曲模量来确定，公式为 ：
4π2 D
εc = － （ 2）
E2D L2
2D
其中： D 为弯曲模量，E 为有效杨氏模量，L 为系统长度。
2014 年 Jiang［36］ 对受力下的 SLMoS2 声子能带隙工程进行
研究。研究发现： 单轴拉伸时 SLMoS2 的声子能带隙可以
缩小并在屈曲应变 ε = 0． 145 时完全闭合； 然而双轴拉伸
对声子能带隙只有有限的影响。此外还证明对 SLMoS2 进 图5 SLMoS2 的点缺陷和位错芯
［37］
行压缩会诱发屈曲。同年，Jiang 又发现当屈曲应变 ε =
0．009 4 时会产生屈曲现象（ SLMoS2 的长度 L = 60 ） 。此 2015 年金传洪等人［39］ 全面观察了 ME、PVD 和 CVD
外还发现在温度 T＜ 50 K 时，临界应变几乎与温度无关； 等方法制备的 SLMoS2 薄膜，研究其固有的点缺陷，特别是
当 T＞50 K 时，临界应变则随温度的增加而增加。 反位缺陷，增加定义了 3 种点缺陷： 单钼原子空穴（ V Mo ） 、

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单钼原子替换单硫原子的反位缺陷（ Mo S ） 、和单硫原子替
换单钼原子的反位缺陷（ S Mo ） 。此外，还发现 PVD 制备的
SLMoS2 点缺陷类型以 Mo S2 和 Mo S 为主，而 ME 和 CVD 方
法则以 V S 为主要缺陷类型，如图 6 所示。
世界因缺陷而丰富多彩，材料的性能即可受制于缺陷
［40］
也可受益于缺陷 。缺陷和晶界的存在不同程度地影响
着单层 MoS2 的物理和化学性能。
图6 SLMoS2 的反位缺陷和浓度
3缺陷对 SLMoS2 物理化学性能的
影响
［41］
在电特性方面，2013 年 Heine 等人 研究发现单原
子空穴可大幅度降低平均电导率。导电率的减少既依赖
于缺陷的类型和浓度，又依赖于电子传输方向，特别是对
于晶界或线缺陷，导电率呈现出明显的各向异性。同年美
［42］
国 Wang 等人 模拟研究显 示，钼 原 子 空 穴 可 促 使 SL-
MoS2 隧穿二极管的隧穿电流增加 10 倍。2015 年 Lauhon、
Hersam 等人［43］ 巧妙地利用 SLMoS2 的晶界构造了三类门
控忆阻器。获得了开关比约为 1000 且可调的负微分电
阻。
［44］
在化学催化方面，2014 年 Ｒahman 等人 针对形成
队列和片状补丁的两类 V S 空穴堆积进行第一性原理计
算，初步研究发现队列形状的 V S 空穴堆积对酒精合成的
催化活性优于片状补丁。该研究预示着可以通过裁制空
穴的几何形状优化其催化特性。
2014 年 Nan 等人［45］ 发现在高温真空退
在光特性方面，
火中形成的缺陷或缝隙可使 SLMoS2 的光致发光性能增强千
倍，
而且在空穴处引入氧原子可进一步增强其发光性能。
［46］
在磁特性 方 面，2014 年 杨 腾 研 究 组 通过计算发
现，拉伸应变会在 SLMoS2 的空穴附近诱发磁矩。对于 V S
空穴和 V Mo 空穴，
10% 和 7% 的双轴拉伸应变可诱发不小
于 2 μ B 的磁矩。该特性预示着可以利用无磁性的 MoS2 材
料制作新型的逻辑器件或存储开关。
［47］
在热 特 性 方 面，2015 年 江 进 武 等 人 研 究 表 明，
0．5%浓度的 V Mo 空穴或 12% 的拉伸应变可分别使得 SL-
MoS2 的导热率降低 60%。而且拉伸应变对热导率的影响
与有无空穴无关。缺陷和应变对 SLMoS2 热导率的调制作
用可促使其应用于热电器件和热管理领域。
在力学特性方面，2014 年 Dang 和 Spearot
［48］
通过基
于 ＲEBO 原子势的分子动力学模拟研究，发现 V S 空穴和
晶界的存在改变了 SLMoS2 的断裂机理，并导致其断裂强
［28］
度的降低。同年，美国 Zhao 研究组 利用第一性原理计
算方法，研究获得含 V S 空穴的 SLMoS2 在 AC 方向的断裂
· 52·
强度为 17．8 GPa，在 ZZ 方向的为 15．4 GPa； 含 V S2 空穴的
在 AC 方 向 的 断 裂 强 度 为 18． 7 GPa，在 ZZ 方 向 的 为
15．6 GPa。此外，2016 年本课题组［49］ 研 究 了 基 于 ＲEBO
势的 V MoS3 点缺陷对 SLMoS2 弹性性能的影响。利用经典
MD 模拟发现 V MoS3 空穴浓度的增加会使得 SLMoS2 弹性模
量明显的减少（ 弹性模量减少的最大值达 25%） ，但对泊
松比的影响较小。
4 结语
由以上研究可以发现，SLMoS2 的杨氏模量和断裂强
度相对石墨烯而言并不大，但是 SLMoS2 有较高的弯曲模
相对而言更不易屈曲。因此，研究者综合利用 MoS2 和
量，
石墨烯的优异力学性能，构造异质结构，以便更好地发挥
出材料卓越特性。缺陷的引入更是赋予 SLMoS2 新的活
力，不仅不断激发和突破材料的各方面优异性能，而且也
在不断冲击人们对常规物理化学本质规律的认识。基于
上述研究，认为关于半导体性 SLMoS2 的缺陷工程研究在
以下方面需要更多的关注： 1） 缺 陷、掺 杂 等 因 素 的 SL-
MoS2 的力学行为的影响及相关机制； 2） SLMoS2 在热、电、
磁、力等耦合状态下的力学性能及相关机制； 3） SLMoS2 压
拉伸、剪切等力学行为的实验测试及相关机制。此外，
缩、
虽然 SLMoS2 与其他物质组成异质结构已引起广泛的关
但其各异质结构力学性能参数的预测也是一个值得研
注，
究的方向。
自制备出单层和少层的 MoS2 以来，关于 SLMoS2 的研
究不断取得新的突破，充分显示了 SLMoS2 在研究与应用
领域的巨 大 潜 力。SLMoS2 具 有 不 同 于 石 墨 烯 的 直 接 带
隙，使得其在二维纳米材料领域更是脱颖而出。缺陷和晶
界的存在更赋予了 SLMoS2 薄膜优异的物理化学性质，对
缺陷的控制和利用可增强 SLMoS2 的各方面性能，然而其
缺陷工程方面的研究还不够充分，本文主要对半导体性
SLMoS2 缺陷工程研究进行综述，引领研究者进一步拓展
SLMoS2 薄膜新的应用领域。
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收稿日期： 2016-09-14
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