Efecto termoel�ctrico

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Esta p�gina es acerca del efecto termoel�ctrico como fen�meno f�sico. Para
aplicaciones del efecto termoel�ctrico, ver termoelectricidad.

Principio termoel�ctrico.
El efecto termoel�ctrico es la conversi�n directa de la diferencia de temperatura a
voltaje el�ctrico y viceversa. Un dispositivo termoel�ctrico crea un voltaje cuando
hay una diferencia de temperatura a cada lado. Por el contrario cuando se le aplica
un voltaje, crea una diferencia de temperatura (conocido como efecto Peltier). A
escala at�mica (en especial, portadores de carga), un gradiente de temperatura
aplicado provoca portadores cargados en el material, si hay electrones o huecos,
para difundir desde el lado caliente al lado fr�o, similar a un gas cl�sico que se
expande cuando se calienta; por consiguiente, la corriente es inducida termalmente.

Este efecto se puede usar para generar electricidad, medir temperatura, enfriar
objetos, o calentarlos o cocinarlos. Porque la direcci�n de calentamiento o
enfriamiento es determinada por el signo del voltaje aplicado, dispositivos
termoel�ctricos producen controladores de temperatura muy convenientes.

Tradicionalmente, el t�rmino efecto termoel�ctrico o termoelectricidad abarca tres

efectos identificados separadamente, el efecto Seebeck, el efecto Peltier, y el
efecto Thomson. En muchos libros de texto, el efecto termoel�ctrico puede llamarse
efecto Peltier-Seebeck. Esta separaci�n proviene de descubrimientos independientes
del f�sico franc�s Jean Peltier y del f�sico estonio-alem�n Thomas Johann Seebeck.
El efecto Joule, el calor generado cuando se aplica un voltaje a trav�s de un
material resistivo, es fen�meno relacionado, aunque no se denomine generalmente un
efecto termoel�ctrico (y se considera usualmente como un mecanismo de p�rdida
debido a la no idealidad de los dispositivos termoel�ctricos). Los efectos Peltier-
Seebeck y Thomson pueden en principio ser termodin�micamente reversibles, mientras
que el calentamiento Joule no lo es.

�ndice
1 Efecto Seebeck
1.1 Termopotencia
1.2 Difusi�n de portadores de carga
1.3 Arrastre de fonones
1.4 Efecto Seebeck de esp�n y bater�as magn�ticas
2 Efecto Peltier
2.1 Descripci�n
3 Efecto Thomson
4 Las relaciones de Thomson
5 Factor de m�rito
6 Eficiencia de dispositivos
7 Usos
8 V�ase tambi�n
9 Bibliograf�a
10 Enlaces externos
Efecto Seebeck

Circuito que muestra el efecto Seebeck.

El efecto Seebeck es la conversi�n de diferencias de temperatura directamente a
electricidad.

Seebeck descubri� que la aguja de una br�jula se desviaba cuando se formaba un

circuito cerrado de dos metales unidos en dos lugares con una diferencia de
temperatura entre las uniones. Esto se debe a que los metales responden
diferentemente a la diferencia de temperatura, creando una corriente de circuito,
que produce un campo magn�tico. Seebeck, aun as�, en ese momento no reconoci� all�
una corriente el�ctrica implicada, as� que llam� al fen�meno el efecto
termomagn�tico, pensando que los dos metales quedaban magn�ticamente polarizados
por el gradiente de temperatura. El f�sico Dan�s Hans Christian �rsted jug� un
papel vital en la explicaci�n y concepci�n del t�rmino �termoelectricidad�.

El efecto es que un voltaje, la FEM termoel�ctrica, se crea en presencia de una

diferencia de temperatura entre dos metales o semiconductores diferentes. Esto
ocasiona una corriente continua en los conductores si ellos forman un circuito
completo. El voltaje creado es del orden de varios microvoltios por kelvin de
diferencia. Una de esas combinaciones, cobre-constant�n, tiene un coeficiente
Seebeck de 41 microvoltios por kelvin a temperatura ambiente.

En el circuito: Seebeck effect circuit 2.svg

(que puede estar en varias configuraciones diferentes y regirse por la misma

ecuaci�n), el voltaje obtenido puede ser derivado de:

{\displaystyle V=\int _{T_{1}}^{T_{2}}\left(S_{\mathrm {B} }(T)-S_{\mathrm {A} }

(T)\right)\,dT} {\displaystyle V=\int _{T_{1}}^{T_{2}}\left(S_{\mathrm {B} }(T)-
S_{\mathrm {A} }(T)\right)\,dT}
SA y SB son los coeficientes Seebeck (tambi�n llamados potencia termoel�ctrica o
termopotencia) de los metales A y B en funci�n de la temperatura, y T1 y T2 son las
temperaturas de las dos uniones. Los coeficientes Seebeck no son lineales en
funci�n de la temperatura, y dependen de la temperatura absoluta, material y
estructura molecular de los conductores. Si los coeficientes Seebeck son
efectivamente constantes para el rango de temperatura medido, la f�rmula anterior
puede aproximarse como:

{\displaystyle V=(S_{\mathrm {B} }-S_{\mathrm {A} })\cdot (T_{2}-T_{1})}

{\displaystyle V=(S_{\mathrm {B} }-S_{\mathrm {A} })\cdot (T_{2}-T_{1})}
El efecto Seebeck se usa com�nmente en dispositivos llamados termopar (porque est�
hecho de un acople o uni�n de materiales, generalmente metales) para medir una
diferencia de temperatura directamente o para medir una temperatura absoluta
colocando un extremo a una temperatura conocida. Una sonda met�lica mantenida a una
temperatura constante en contacto con un segundo metal de composici�n desconocida
puede clasificarse por este efecto TE. Instrumentos de control de calidad
industriales usan este efecto Seebeck para identificar aleaciones met�licas. Esto
se conoce como clasificaci�n Termoel�ctrica de aleaci�n.

Varios termopares cuando se conectan en serie son llamados termopila, la cual se

construye a veces para aumentar el voltaje de salida ya que el voltaje inducido
sobre cada acople es bajo.

Este es tambi�n el principio de trabajo detr�s de los diodos t�rmicos y generadores

termoel�ctricos (tales como los generadores termoel�ctricos de radiois�topos o GTR)
los cuales se usan para crear potencia a partir de la diferencia de calor.

El efecto Seebeck se debe a dos efectos difusi�n de portador de carga y arrastre de

fonones (descritos abajo). Si ambas conexiones se mantienen a la misma temperatura,
pero una conexi�n se abre y cierra peri�dicamente, se mide un voltaje AC, el cual
es tambi�n dependiente de la temperatura. Esta aplicaci�n de la sonda Kelvin a
veces se usa para demostrar que la f�sica subyacente solo necesita una uni�n. Y
este efecto se ve a�n si los alambres solo se acercan, pero no se tocan, as� no se
necesita difusi�n.

Termopotencia
La Termopotencia, potencia termoel�ctrica, o coeficiente Seebeck de un material
mide la magnitud de un voltaje termoel�ctrico inducido en respuesta a una
diferencia de temperatura a trav�s de ese material, la termopotencia tiene unidades
de (V/K), aunque en la pr�ctica es m�s com�n usar microvoltios por kelvin. Los
valores en los cientos de {\displaystyle \mu } \muV/K, negativos o positivos, son
t�picos de buenos materiales termoel�ctricos. El t�rmino termopotencia es un nombre
errado ya que mide el voltaje o campo el�ctrico inducido en respuesta a la
diferencia de temperatura, no a la potencia el�ctrica. Una diferencia de
temperatura aplicada causa portadores cargados en el material, si hay electrones o
huecos, para difundirse desde el lado caliente al lado fr�o, similar al gas cl�sico
que se expande cuando se calienta. Portadores m�viles cargados migran al lado fr�o
dejando atr�s su n�cleo inm�vil opuestamente cargado al lado caliente dando origen
as� al voltaje termoel�ctrico (termoel�ctrico se refiere al hecho que el voltaje es
creado por una diferencia de temperatura). Puesto que una separaci�n de carga
tambi�n crea un potencial el�ctrico, la acumulaci�n de portadores cargados en el
lado fr�o finalmente cesa en alg�n valor m�ximo ya que existe una cantidad de
portadores cargados derivados movidos al lado caliente como resultado del campo
el�ctrico en equilibrio. Solo un incremento en la diferencia de temperatura puede
reanudar una acumulaci�n de m�s portadores de carga en el lado fr�o y as� conllevar
a un incremento en el voltaje termoel�ctrico. Casualmente la termopotencia tambi�n
mide la entrop�a por portador de carga en el material. Para ser m�s espec�ficos, la
capacidad t�rmica electr�nica molar parcial se dice que es igual a la potencia
termoel�ctrica absoluta multiplicada por el negativo de la constante de Faraday.

La termopotencia de un material representada por {\displaystyle S} S (o a veces por

{\displaystyle \alpha } \alpha ), depende de la temperatura y estructura cristalina
del material. T�picamente los metales tienen termopotencias bajas porque la mayor�a
tiene bandas medio llenas. Ambos electrones (cargas negativas) y huecos (cargas
positivas) contribuyen al voltaje termoel�ctrico inducido as� se cancelan cada uno
con la contribuci�n al voltaje de otro y hacerlo peque�o. En cambio, los
semiconductores pueden estar dopados con una cantidad en exceso de electrones o
huecos y as� se puede tener grandes valores positivos o negativos de la
termopotencia seg�n la carga de los portadores en exceso. El signo de la
termopotencia puede definir que portadores cargados domina el transporte el�ctrico
en ambos metales y semiconductores.

Si la diferencia de temperatura {\displaystyle \Delta T} {\displaystyle \Delta T}

entre los dos extremos de un material es peque�a, entonces la termopotencia de un
material se define (aproximadamente) como:

{\displaystyle S={\Delta V \over \Delta T}} {\displaystyle S={\Delta V \over \Delta

T}}
y un voltaje termoel�ctrico {\displaystyle \Delta V} \Delta V se ve en los
terminales. As� se puede escribir una relaci�n del campo el�ctrico {\displaystyle
E} E y el gradiente de temperatura {\displaystyle \nabla T} {\displaystyle \nabla
T}, por la aproximaci�n de la ecuaci�n:

{\displaystyle S={E \over \nabla T}} {\displaystyle S={E \over \nabla T}}
En la pr�ctica raramente se mide la termopotencia absoluta del material de inter�s.
Debido a que los electrodos conectados al mult�metro se pueden colocar en el
material para de medir el voltaje termoel�ctrico. El gradiente de temperatura
tambi�n induce un voltaje termoel�ctrico a trav�s de una de las puntas de los
electrodos. Por lo tanto la termopotencia medida incluye una contribuci�n de la
termopotencia del material de inter�s y del material de los electrodos de medida.
La termopotencia medida es entonces una contribuci�n de ambos y puede ser escrita
como:

{\displaystyle S_{AB}=S_{B}-S_{A}={\Delta V_{B} \over \Delta T}-{\Delta V_{A} \over

\Delta T}} {\displaystyle S_{AB}=S_{B}-S_{A}={\Delta V_{B} \over \Delta T}-{\Delta
V_{A} \over \Delta T}}
Los superconductores tienen termopotencia cero pues los portadores cargados no
producen entrop�a. Esto permite una medici�n directa de la termopotencia absoluta
del material de inter�s, ya que es la termopotencia de todo el termopar tambi�n.
Adem�s, una medida del coeficiente Thomson, {\displaystyle \mu } \mu, de un
material puede tambi�n producir la termopotencia a trav�s de la relaci�n:

{\displaystyle S=\int {\mu \over T}dT} {\displaystyle S=\int {\mu \over T}dT}
La termopotencia es un par�metro importante del material que determina la
eficiencia de la termoelectricidad de un material. Un mayor voltaje termoel�ctrico
inducido para un gradiente de temperatura dado conllevar� a una mayor eficiencia.
Lo ideal es desear valores de termopotencia muy grandes ya que solo se necesita una
cantidad peque�a de calor para crear un voltaje grande. Este voltaje se puede usar
para producir potencia.

Difusi�n de portadores de carga

Los Portadores de Carga en los materiales (electrones en metales, electrones y
huecos en los semiconductores, iones en los conductores i�nicos) se difundir�n
cuando un extremo de un conductor est� a una temperatura diferente del otro.
Portadores calientes se difundir�n desde el extremo caliente al extremo fr�o, pues
hay menor densidad de portadores calientes en el extremo fr�o del conductor.
Portadores fr�os se difundir�n desde el extremo fr�o al extremo caliente por la
misma raz�n.

Si el conductor dejara alcanzar el equilibrio termodin�mico, este proceso

resultar�a en la distribuci�n uniforme de calor a trav�s del conductor (ver
transferencia de calor). El movimiento de calor (en la forma de portadores
cargados) de un extremo al otro se llama corriente de calor. As� como portadores de
carga movi�ndose, es tambi�n una corriente el�ctrica.

En un sistema donde ambos extremos se mantienen a diferencia constante de

temperatura (una corriente constante de calor de un extremo a otro), es una
difusi�n constante de portadores. Si la raz�n de difusi�n de portadores calientes y
fr�os en direcciones opuestas es igual, all� no ser�a un cambio neto en la carga.
Pero, la difusi�n de carga se dispersa con impurezas, imperfecciones, y vibraciones
de la red cristalina (fonones). Si la dispersi�n depende de la energ�a, los
portadores calientes y fr�os se difundir�n a razones diferentes. Esto crea una
densidad mayor de portadores a un extremo del material, y la distancia entre las
cargas positivas y negativas produce una diferencia de potencial; un voltaje
electrost�tico.

Este campo el�ctrico, sin embargo, se opone a la dispersi�n desigual de portadores,

y se alcanza un equilibrio donde el n�mero neto de portadores difundidos es
cancelado por el n�mero neto de portadores movi�ndose en direcci�n opuesta desde el
campo electrost�tico. Esto indica que la termopotencia de un material depende
grandemente de las impurezas, imperfecciones, y cambios estructurales (el cual
frecuentemente var�a entre ellos mismos con la temperatura y el campo el�ctrico), y
la termopotencia de un material es la colecci�n de muchos efectos diferentes.

Al principio los termopares eran met�licos, pero m�s recientemente dispositivos

termoel�ctricos se desarrollan de elementos semiconductores alternados tipo-p y
tipo-n conectados por interconectores met�licos como se dibuja en la figura de
abajo. Las uniones de los semiconductores son comunes especialmente en dispositivos
de generaci�n de potencia, mientras que las uniones met�licas son m�s comunes en
medidas de temperatura. La carga fluye a trav�s del elemento tipo-n, cruza una
interconexi�n met�lica, y pasa al elemento tipo-p. Si se suministra una fuente de
potencia, el dispositivo termoel�ctrico puede actuar como un enfriador, como en la
figura izquierda de abajo. Esto es el efecto Peltier, descrito en la pr�xima
secci�n. Los electrones en el elemento tipo-n se mover�n a la direcci�n opuesta de
la corriente y los huecos en el elemento tipo-p se mover�n en la direcci�n de la
corriente, ambos removiendo calor de un lado del dispositivo. Si se suministra una
fuente de calor, el dispositivo termoel�ctrico puede funcionar como un generador de
potencia, como en la figura derecha de abajo. La fuente de calor conducir�
electrones en el elemento tipo-n hacia la regi�n m�s fr�a, as� se crea una
corriente a trav�s del circuito. Los huecos en el elemento tipo-p fluir�n entonces
en la direcci�n de la corriente. La corriente se puede usar para impulsar una
carga, as� se convierte la energ�a t�rmica en energ�a el�ctrica.

Thermoelectric Cooler Diagram.svgThermoelectric Generator Diagram.svg

Arrastre de fonones
Los fonones no est�n siempre en equilibrio t�rmico local; se mueven contra el
gradiente t�rmico. Pierden momento por la interacci�n con electrones (u otros
portadores) e imperfecciones en el cristal. Si la interacci�n fon�n-electr�n
predomina, los fonones tender�n a empujar los electrones a uno de los extremos del
material, perdiendo momento en el proceso. Esto aporta al campo el�ctrico ya
presente. Este aporte es el m�s importante en la regi�n de temperatura donde
predomina la dispersi�n fon�n-electr�n. Esto pasa por:

{\displaystyle T\approx {1 \over 5}\theta _{\mathrm {D} }} {\displaystyle T\approx

{1 \over 5}\theta _{\mathrm {D} }}
donde: {\displaystyle \theta } \theta D es la temperatura de Debye. A menores
temperaturas hay menos fonones disponibles para arrastrar, y a mayores temperaturas
tienden a perder momento en dispersiones fon�n-fon�n en vez de dispersiones fon�n-
electr�n. Esta regi�n de la termopotencia contra la funci�n de temperatura es
altamente variable bajo un campo magn�tico.

Efecto Seebeck de esp�n y bater�as magn�ticas

F�sicos han descubierto recientemente que calentar un lado de una barra de n�quel-
hierro magnetizada permite a electrones reacomodarse seg�n sus espines. Esto as�
llamado �efecto Seebeck de esp�n� podr�a dar lugar a bater�as que generen
corrientes magn�ticas, en vez de corriente el�ctrica. Una fuente de corriente
magn�tica podr�a ser �til especialmente para el desarrollo de dispositivos
espintr�nicos, el cual usa corrientes magn�ticas a fin de reducir el
recalentamiento en chips de computador, pues, a diferencia de las corrientes
el�ctricas, las corrientes magn�ticas no generan calor.

Efecto Peltier

Circuito que muestra el efecto Peltier.

El efecto Peltier es una propiedad termoel�ctrica descubierta en 1834 por Jean
Peltier, trece a�os despu�s del descubrimiento del mismo fen�meno, de forma
independiente, por Thomas Johann Seebeck. El efecto Peltier hace referencia a la
creaci�n de una diferencia de temperatura debida a un voltaje el�ctrico. Sucede
cuando una corriente se hace pasar por dos metales o semiconductores conectados por
dos �junturas de Peltier�. La corriente propicia una transferencia de calor de una
juntura a la otra: una se enfr�a en tanto que otra se calienta.

Una manera para entender c�mo es que este efecto enfr�a una juntura es notar que
cuando los electrones fluyen de una regi�n de alta densidad a una de baja densidad,
se expanden (de la manera en que lo hace un gas ideal) y se enfr�a la regi�n.

Cuando una corriente se hace pasar por el circuito, el calor se genera en la

juntura superior (T2) y es absorbido en la juntura inferior (T1). A y B indican los
materiales.

Descripci�n
Este efecto realiza la acci�n inversa al efecto Seebeck. Consiste en la creaci�n de
una diferencia t�rmica a partir de una diferencia de potencial el�ctrico. Ocurre
cuando una corriente pasa a trav�s de dos metales diferentes o semiconductores
(tipo-n y tipo-p) que est�n conectados entre s� en dos soldaduras (uniones
Peltier). La corriente produce una transferencia de calor desde una uni�n, que se
enfr�a, hasta la otra, que se calienta. El efecto es utilizado para la
refrigeraci�n termoel�ctrica.

Este efecto lleva el nombre de Jean-Charles Peltier (f�sico franc�s) quien lo

descubri� en 1834, el efecto cal�rico de una corriente en la uni�n de dos metales
diferentes. Cuando una corriente I se hace fluir a trav�s del circuito, se produce
calor en la uni�n superior (at T2)), y absorbido por la uni�n inferior (at T1)). El
calor Peltier absorbido por la uni�n inferior por unidad de tiempo, {\displaystyle
{\dot {Q}}} {\displaystyle {\dot {Q}}} es igual a:

{\displaystyle {\dot {Q}}=\Pi _{\mathrm {AB} }I=\left(\Pi _{\mathrm {B} }-\Pi

_{\mathrm {A} }\right)I} {\displaystyle {\dot {Q}}=\Pi _{\mathrm {AB} }I=\left(\Pi
_{\mathrm {B} }-\Pi _{\mathrm {A} }\right)I}
donde: {\displaystyle \Pi } \Pi es el coeficiente Peltier {\displaystyle \Pi }
\PiAB de todo el termopar, y {\displaystyle \Pi } \PiA y {\displaystyle \Pi } \PiB
son los coeficientes de cada material. El silicio tipo-P normalmente tiene un
coeficiente Peltier positivo (pero no mayor ~550K), y silicio tipo-n es normalmente
negativo como sugiere su nombre.

Los coeficientes Peltier representan cuanta corriente de calor se lleva por unidad
de carga a trav�s de un material dado. Como la corriente de carga debe ser continua
por una uni�n, el flujo de calor asociado producir� discontinuidad si
{\displaystyle \Pi } \PiA y {\displaystyle \Pi } \PiB son diferentes. Esto provoca
una divergencia no cero en la uni�n y as� el calor debe acumularse o agotarse all�,
seg�n el signo de la corriente. Otra forma de entender como este efecto puede
enfriar una uni�n es notar que cuando electrones fluyen de una regi�n de alta
densidad a una regi�n de baja densidad, ellos se expanden (como con un gas ideal) y
enfr�an.

Los conductores est�n tratando de retornar al equilibrio de electrones que hab�a

antes de aplicarse la corriente absorbiendo energ�a a un conector y liber�ndole al
otro. Los pares individuales pueden conectarse en serie para mejorar el efecto.

Una consecuencia interesante de este efecto es que la direcci�n de transferencia de

calor es controlada por la polaridad de la corriente; invertir la polaridad
cambiar� la direcci�n de transferencia y as� el signo del calor
absorbido/producido.

Un enfriador/calentador Peltier o bomba de calor termoel�ctrica es una bomba de

calor activa de estado s�lido que transfiere calor de un lado del dispositivo al
otro. El enfriamiento Peltier es llamado enfriamiento termoel�ctrico.

Efecto Thomson
El efecto Thomson fue predicho y luego observado experimentalmente por William
Thomson (Lord Kelvin) en 1851. Describe el calentamiento o enfriamiento de un
conductor portador de corriente con un gradiente de temperatura.

Alg�n conductor portador de corriente (excepto para superconductor), con una

diferencia de temperatura en dos puntos, o bien absorber� o emitir� calor, seg�n el
material. Si una densidad de corriente J pasa por un conductor homog�neo, la
producci�n de calor por volumen es:

{\displaystyle q=\rho J^{2}-\mu J{\frac {dT}{dx}}\,\!} {\displaystyle q=\rho

J^{2}-\mu J{\frac {dT}{dx}}\,\!}
donde: {\displaystyle \rho } \rho es la resistividad del material, dT/dx es el
gradiente de temperatura a lo largo del alambre, {\displaystyle \mu } \mu es el
coeficiente Thomson.

El primer t�rmino {\displaystyle \rho } \rho J2 representa el efecto Joule, que no

es reversible.

El segundo t�rmino es el calor de Thomson, que cambia de signo cuando J cambia de

direcci�n.

En metales como zinc y cobre, que tienen un extremo caliente a mayor potencial y un
extremo fr�o a menor potencial, cuando la corriente se mueve de un extremo caliente
al extremo fr�o, se mueve de un alto a un bajo potencial, hay una producci�n de
calor. Que se llama efecto Thomson positivo.

En metales como cobalto, n�quel y hierro, que tienen un extremo fr�o a mayor
potencial y un extremo caliente a menor potencial, cuando la corriente se mueve de
un bajo a un alto potencial, hay una absorci�n de calor. Que se llama efecto
Thomson negativo.

El coeficiente Thomson es �nico entre los tres coeficientes principales

termoel�ctricos pues es el �nico coeficiente termoel�ctrico directamente medible
para materiales individuales. Los coeficientes Peltier y Seebeck solo pueden
hallarse por pares de materiales. As�, no hay m�todo directo experimental para
hallar un coeficiente Seebeck absoluto (ejemplo termopotencia) o coeficiente
Peltier absoluto para un material individual. Sin embargo, como se dijo en otra
parte de este art�culo hay dos ecuaciones, las relaciones de Thomson, conocidas
como las relaciones de Kelvin (ver abajo), relacionando los tres coeficientes
termoel�ctricos. Por lo tanto, solo uno puede considerarse �nico.

Si el coeficiente Thomson de un material se mide sobre un amplio rango de

temperatura, incluyendo temperaturas cercanas a cero, entonces puede integrarse el
coeficiente Thomson en el rango de temperatura usando las relaciones de Kelvin para
hallar los valores absolutos (ejemplo simple material) de los coeficientes Peltier
y de Seebeck. En principio, esto solo necesita hacerse para un material, ya que los
otros valores pueden hallarse midiendo pares de coeficientes Seebeck en termopares
conteniendo el material de referencia y agregar luego la potencia termoel�ctrica
absoluta (termopotencia) del material de referencia.

Es com�n afirmar que el plomo tiene un coeficiente Thomson cero, Si bien es cierto
que los coeficientes termoel�ctricos del plomo son bajos, en general no son cero.
El coeficiente Thomson del plomo ha sido medido en un amplio rango de temperatura y
ha sido integrado para calcular la potencia termoel�ctrica absoluta (termopotencia)
del plomo en funci�n de la temperatura.

Diferente al plomo, los coeficientes termoel�ctricos de todos los superconductores

conocidos son cero.

Las relaciones de Thomson

El efecto Seebeck realmente es una mezcla de los efectos Peltier y Thomson. De
hecho, en 1854 Thomson hall� las dos relaciones, ahora llamadas relaciones de
Thomson o Kelvin, entre los coeficientes correspondientes. La temperatura absoluta
T, el coeficiente {\displaystyle \Pi } \Pi de Peltier y el coeficiente Seebeck S se
relacionan por la primera relaci�n de Thomson

{\displaystyle \Pi =S\cdot T} {\displaystyle \Pi =S\cdot T}

que predijo el efecto Thomson antes de que fuera realmente formalizado. Estos se
relacionan al coeficiente Thomson {\displaystyle \mu } \mu por la segunda relaci�n
de Thomson
{\displaystyle \mu =TdS/dT.\,} {\displaystyle \mu =TdS/dT.\,}
El tratamiento te�rico de Thomson de la termoelectricidad es notable por el hecho
de que es quiz� el primer intento por crear una teor�a sensata de termodin�mica
irreversible (termodin�mica del no equilibrio). Esto pas� en el momento en que
Clausius, Thomson, y otros estaban introduciendo y afinando el concepto de
entrop�a.

Factor de m�rito
El factor de m�rito para dispositivos termoel�ctricos se define como:

{\displaystyle Z={\sigma S^{2} \over \kappa }} {\displaystyle Z={\sigma S^{2} \over

\kappa }},
donde {\displaystyle \sigma } \sigma es la conductividad el�ctrica,
{\displaystyle \kappa } \kappa es la conductividad t�rmica, y S es el coeficiente
Seebeck o termopotencia (por convenci�n en {\displaystyle \mu } \muV/K). Es m�s
com�n expresarlo como el factor de m�rito adimensional ZT multiplic�ndolo por la
temperatura promedio ( {\displaystyle (T_{2}+T_{1})/2} {\displaystyle
(T_{2}+T_{1})/2}). Mayores valores de ZT indican mayor eficiencia termodin�mica,
seg�n ciertas disposiciones, en particular el requisito de que los dos materiales
del par tengan valores Z similares. ZT es por lo tanto un par�metro muy conveniente
para comparar la eficiencia del potencial de dispositivos usando materiales
diferentes. Valores de ZT=1 se consideran buenos, y valores de al menos en el rango
de 3-4 se consideran esenciales para que la termoelectricidad compita con la
generaci�n mec�nica y refrigeraci�n en eficiencia. Hasta ahora, los mejores valores
ZT reportados est�n en el rango de 2-3. Mucha de la investigaci�n en materiales
termoel�ctricos se enfoca en aumentar el coeficiente Seebeck y reducir la
conductividad t�rmica, especialmente manipulando la nanoestructura de los
materiales.

Eficiencia de dispositivos
La eficiencia de un dispositivo termoel�ctrico para generar electricidad se da por
{\displaystyle \eta } \eta , definida como

{\displaystyle \eta ={{\text{energ�a suministrada a la carga}} \over {\text{energ�a

t�rmica absorbida en la junta caliente}}}} {\displaystyle \eta ={{\text{energ�a
suministrada a la carga}} \over {\text{energ�a t�rmica absorbida en la junta
caliente}}}} , y

{\displaystyle \eta _{\max }={T_{H}-T_{C} \over T_{H}}{{\sqrt {1+Z{\bar {T}}}}-1

\over {\sqrt {1+Z{\bar {T}}}}+{T_{C} \over T_{H}}}} {\displaystyle \eta _{\max }
={T_{H}-T_{C} \over T_{H}}{{\sqrt {1+Z{\bar {T}}}}-1 \over {\sqrt {1+Z{\bar {T}}}}+
{T_{C} \over T_{H}}}}
donde TH es la temperatura de la uni�n caliente y TC es la temperatura de la
superficie que se enfr�a. ZT es la figura de m�rito adimensional modificada que
ahora considera la capacidad termoel�ctrica de ambos materiales termoel�ctricos
usados en dispositivos para generar potencia, y definida como

{\displaystyle Z{\bar {T}}={(S_{p}-S_{n})^{2}{\bar {T}} \over [(\rho _{n}\kappa

_{n})^{1/2}+(\rho _{p}\kappa _{p})^{1/2}]^{2}}} {\displaystyle Z{\bar {T}}={(S_{p}-
S_{n})^{2}{\bar {T}} \over [(\rho _{n}\kappa _{n})^{1/2}+(\rho _{p}\kappa
_{p})^{1/2}]^{2}}}
donde {\displaystyle \rho } \rho es la resistividad el�ctrica, {\displaystyle
{\bar {T}}} {\displaystyle {\bar {T}}} es la temperatura promedio entre las
superficies caliente y fr�a, y los sub�ndices n y p, indican propiedades
relacionadas con los materiales termoel�ctricos semiconductores tipo n y p,
respectivamente. Es importante notar que la eficiencia de un dispositivo
termoel�ctrico se limita por la eficiencia de Carnot (por ello los t�rminos TH and
TC en {\displaystyle \phi } \phi max), pues los dispositivos termoel�ctricos son
m�quinas de calor inherentemente. El COP - Coefficient Of Performance (en ingl�s
Coeficiente De Rendimiento) de sistemas actuales es peque�o, variando de 0.3 a 0.6.

Usos
Las compa��as de autom�viles alemanas Volkswagen y BMW han desarrollado generadores
termoel�ctricos (GTE) que recuperan el gasto de calor de una m�quina de combusti�n.

Seg�n un informe del Profesor Rowe de la Universidad de Gales en la Sociedad

Termoel�ctrica Internacional, Volkswagen afirma obtener 600 W de salida del GTE en
condiciones de conducci�n en autopista. La electricidad producida por el GTE es
cerca del 30% de la electricidad requerida por el autom�vil, obteniendo una carga
mec�nica reducida (aligerando el trabajo del alternador) y una reducci�n en el
consumo de combustible de m�s del 5%.

BMW y DLR (Centro aeroespacial alem�n) han desarrollado tambi�n un generador

termoel�ctrico impulsado por el tubo de escape que alcanza un m�ximo de 200 W y se
ha usado con �xito a lo largo de 12.000 km en carretera.

Sondas espaciales en el exterior del sistema solar hacen uso del efecto en
generadores termoel�ctricos radioisot�picos para producir electricidad.

Un refrigerador Peltier es una bomba t�rmica activa que transfiere calor desde una
parte del dispositivo hacia la otra. Los sistemas de enfriamiento de las c�maras
CCD funcionan con base en el efecto Peltier. As� como en el termociclador usado en
Biolog�a Molecular para realizar la PCR.