FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA

(DECANA DE AMERICA)

 CHAFLOQUE TASAYCO, JESUS 17190168

 MALDONADO BARRAGAN, ITALO 17190176

 RIVERA CALDERON, CRISTHIAN 17190163

 TANTAHUILLCA MONTES, NELSON 17190166

 VARGAS CALUA MICHAEL 17190028

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1. INDICAR Y EXPLICAR CADA UNA DE LAS ESPECIFICACIONES DE FUNCIONAMIENTO DE UN

TRANSISTOR BIPOLAR.

EL TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor bipolar es un operador electrónico con tres patillas o terminales de conexión, cuyos
nombres son. Colector, base y emisor. En resumen su funcionamiento normal es el siguiente: La
corriente principal va de colector a emisor o al revés, según se trate de un transistor NPN o PNP
respectivamente. La carga o receptor a controlar se conecta directamente a colector. A medida que
se aumenta el valor de la intensidad a la base (también VBE) el transistor permite la circulación de
corriente de colector a emisor y por tanto el funcionamiento de la carga conectada a él.

Cuando la tensión entre base y emisor y por tanto la corriente de base, es lo suficientemente alta,
mayor de VOFF, el transistor está dispuesto a dejar pasar corriente entre colector y emisor, con lo
que un receptor conectado directamente a colector podrá funcionar al permitirle que la corriente
que lo atraviesa llegue hasta negativo.

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Por tanto en los circuitos de transistores hay que distinguir dos subcircuitos: el circuito de
polarización o de la base y el circuito de colector o de la carga.
 El circuito de polarización va a determinar cómo va a funcionar el transistor,
es decir si se encuentra en corte, activa o saturación (si conduce ente C y E
o no). Es el circuito que alimenta la base y por tanto el que controla IB y
VBE.
 El circuito de carga es donde está conectado el receptor que queramos que
funcione y que será gobernado por el transistor. El receptor debe
conectarse siempre directamente al Colector del transistor.

REGÍMENES DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR

Estudiaremos los regímenes de funcionamiento del transistor en función de la tensión base-emisor.
Antes de esto definiremos dos parámetros fundamentales del transistor. VBEOFF O simplemente
VOFF es la tensión VBE por debajo de la cual se considera que el transistor no permite el paso de
corriente de colector a emisor. Se dice que el transistor NO CONDUCE. Habitualmente VOFF= 0.2 o
0.6 V VBEON o simplemente VON es la tensión por encima de la cual el transistor conduce
plenamente, es decir permite muy bien el paso entre colector y emisor. Habitualmente suele ser
0.7V.
FUNCIONAMIENTO EN CORTE (VBEVBEOFF)
El transistor se encontrará en corte siempre que VBEVBEOFF. En esta región el transistor no
conduce y por tanto el receptor conectado a colector no funcionará.

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FUNCIONAMIENTO EN ACTIVA
La tensión base-emisor se encuentra entre VOFF<VBE<VON. En esta región el transistor conduce
aunque no lo hace plenamente y por tanto el receptor conectado a colector no funcionará a plena
potencia.
FUNCIONAMIENTO EN SATURACIÓN
Cuando la tensión VBEVON, el transistor conducirá plenamente, y ya aunque sigamos aumentando
la tensión base-emisor, no conducirá mejor, la base se encuentra saturada. El receptor conectado
a la base funcionará a plena potencia.

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN

Cuando hacemos funcionar en transistor solamente en las regiones de corte y de saturación se dice
que le hacemos funcionar en CONMUTACIÓN. En este estado funciona igual que lo haría un
interruptor, es decir o no conduce o conduce plenamente, y por tanto la carga conectada al colector
no funciona o funciona plenamente respectivamente.
Nosotros estudiaremos el funcionamiento del transistor en conmutación.

CORRIENTES Y GANANCIA DEL TRANSISTOR

Las corrientes de un transistor son:
o Ib = corriente de la base
o Ic = corriente de colector

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o Ie = corriente de emisor

Según la ley de Kirchhoff de los nudos, la corriente que sale de un nudo es la suma de las que entran
a él, por tanto:
IE= IB+IC
Cuando el transistor está trabajando en la región activa, la corriente de colector depende la
corriente de la base según la ecuación
Ib = Ic/
Donde  es la ganancia del transistor que suele ser de valor 100. Se puede intuir que Ib es una
intensidad muy pequeña respecto de Ic, del orden de 100 veces más pequeño. Por tanto se puede
afirmar que
Por tanto IE = Ic + Ic/  Ic

CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR

A. Circuito básico de polarización:

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La corriente que controla la base, y por tanto el funcionamiento del transistor es proporcionada
por una fuente de alimentación VBB, mientras que la corriente que alimenta al receptor
principal (la bombilla) es proporcionada por un fuente diferente Vcc.
No suele emplearse en la práctica pues disponer de dos fuentes de alimentación distintas es
caro y no es práctico.

B. Circuito de Autopolarización

Es el circuito más utilizado ya que solamente hay que utilizar una fuente de alimentación.
Para su estudio debemos diferenciar los dos subcircuitos: el de polarización o de la base y el de
carga o colector.

El circuito de polarización es el formado por R1, R2 y Rb. El papel que desempeñan en el circuito
son:
 La resistencia Rb, del orden de 1 o 2 K, su función es proteger la base de
sobretensiones. No es imprescindible por lo que podría quitarse del circuito.

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 R1 y R2 forman un divisor de tensión y sirven para proporcionar la tensión que necesita

la base para hacer funcionar el transistor en la región de funcionamiento deseada.
Nosotros asumiremos que dado que la intensidad de base es muy pequeña, la caída de
tensión en R2 es la misma que tendrá la base del transistor y por tanto la que gobierna
su funcionamiento. Las ecuaciones que rigen este circuito, en este caso, son las de un
circuito con dos resistencias en serie.

IT = Vcc / (R1+R2)
VR2 = IT x R2
Es decir, con a través de las ecuaciones anteriores determinamos la región de funcionamiento del
transistor.

C. Circuito de Autopolarización modificado

Funciona exactamente igual que el de autopolarización estudiado anteriormente. En este caso la

ventaja es que R2 es variable y podemos gobernar el funcionamiento del transistor a nuestro antojo
según variemos el valor de R2. Además podríamos hacer que R2 fuese una LDR o una
termorresistencia de forma que se conseguiría que el funcionamiento del transistor se rigiera por
la luz o la temperatura ambiente respectivamente.
Nota: podrían intercambiarse R1 por R2 y el funcionamiento del circuito sería igual que en el caso
anterior solo que las variaciones en R2 provocarían el efecto contrario en el funcionamiento de la
carga conectada al colector.

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2. DE LOS MANUALES, OBTENER LOS DATOS DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES: 2N3904, 2N2222.

PARA 2N3904
Clasificación simbolo valor unidad
Voltaje colector-emisor VCE 40 vdc
Voltaje colector-base VCB 60 vdc
Voltaje emisor-base VEB 6 vdc
Corriente de colector (continua) IC 200 mAdc
Disipación total del dispositivo TA = 25°C PD 625 mw
derivación por encima de 25°C 5 mW\°C
Empalme de operación y almacenamiento. tj. Tstg -55 t °C
rango de temperatura +150

PARA 2N2222
Clasificación simbolo Valor unidad
maximo
Voltaje colector-emisor VCE 30 vdc
Voltaje colector-base VCB 60 vdc
Voltaje emisor-base VEB 5 vdc
Corriente de colector (continua) IC 800 mAdc
ganancia de corriente Hfe IC = 10mA
VCE = 10v
Empalme de operación y almacenamiento. tj. Tstg -55 t °C
rango de temperatura +150

3. DETERMINAR EL PUNTO DE OPERACIÓN DEL CIRCUITO DEL EXPERIMENTO.

Donde:
VCC ∗ R 2 R ∗ R2
VBB = ; RB =
R + R2 R + R2

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Hallamos los valores máximos de IC y VCE :

VCC 12 V
ICmax = = ≅ 9.84 mA ; VCEmax = VCC = 12 V
R C + R E 1 KΩ + 220 Ω

 Haciendo R = 56 KΩ (P1 = 0 KΩ):

VCC ∗ R 2 (12 V) ∗ (22 KΩ)

VBB = = ≅ 3.38 V ;
R + R2 56 KΩ + 22 KΩ
R ∗ R 2 (56 KΩ) ∗ (22 KΩ)
RB = = ≅ 15.79 KΩ
R + R2 56 KΩ + 22 KΩ
R C = 1 KΩ ; R E = 220 Ω ; VBE ≅ 0.7 V (Silicio) ; IC = βIB ; IC ≅ IE ; β = 200

En la malla 1:
IC
VBB = R E ∗ IC + VBE + R B ∗ IB ; IB =
β
RB
VBB − VBE = IC (R E + )
β
VBB − VBE 3.38 V − 0.7 V
ICQ = = ≅ 8.96 mA
R 15.79 KΩ
RE + B 220 Ω +
β 200
En la malla 2:
VCC = IC ∗ (R C + R E ) + VCE
VCEQ = VCC − ICQ ∗ (R C + R E ) = 12 V − (8.96 mA) ∗ (1.22 KΩ) ≅ 1.07 V
Hallamos IB y VE :
VBB − VBE 3.38 V − 0.7 V
IB = = ≅ 44.66 µA
R B + (β + 1)R E 15.79 KΩ + (201) ∗ (220 Ω)
VE = ICQ ∗ R E = (8.96 mA) ∗ (220 Ω) ≅ 1.97 V

TABLA 2 (R = 56 KΩ)
𝐈𝐂 (𝐦𝐀) 𝐈𝐁 (µ𝐀) 𝛃 𝐕𝐂𝐄 (𝐕) 𝐕𝐁𝐄 (𝐕) 𝐕𝐄 (𝐕)
𝟖. 𝟗𝟔 𝐦𝐀 44.66 µA 200 1.07 V 0.7 V 1.97 V

 Haciendo R = 68 KΩ (P1 = 12 KΩ):

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VCC ∗ R 2 (12 V) ∗ (22 KΩ)

VBB = = ≅ 2.93 V ;
R + R2 68 KΩ + 22 KΩ
R ∗ R 2 (68 KΩ) ∗ (22 KΩ)
RB = = ≅ 16.62 KΩ
R + R2 68 KΩ + 22 KΩ
R C = 1 KΩ ; R E = 220 Ω ; VBE ≅ 0.7 V (Silicio) ; IC = βIB ; IC ≅ IE ; β = 200

En la malla 1:
IC
VBB = R E ∗ IC + VBE + R B ∗ IB ; IB =
β
RB
VBB − VBE = IC (R E + )
β
VBB − VBE 2.93 V − 0.7 V
ICQ = = ≅ 7.36 mA
R 16.62 KΩ
RE + B 220 Ω +
β 200
En la malla 2:
VCC = IC ∗ (R C + R E ) + VCE
VCEQ = VCC − ICQ ∗ (R C + R E ) = 12 V − (7.36 mA) ∗ (1.22 KΩ) ≅ 3.02 V
Hallamos IB y VE :
VBB − VBE 2.93 V − 0.7 V
IB = = ≅ 36.65 µA
R B + + 1)R E 16.62 KΩ + (201) ∗ (220 Ω)
(β
VE = ICQ ∗ R E = (7.36 mA) ∗ (220 Ω) ≅ 1.62 V

TABLA 3 (R = 68 KΩ)
𝐈𝐂 (𝐦𝐀) 𝐈𝐁 (µ𝐀) 𝛃 𝐕𝐂𝐄 (𝐕) 𝐕𝐁𝐄 (𝐕) 𝐕𝐄 (𝐕)
𝟕. 𝟑𝟔 𝐦𝐀 36.65 µA 200 1.62 V 0.7 V 1.62 V

Con estos valores podemos trazar nuestra recta de carga y ubicar los puntos de trabajo Q1 y Q2:
 Haciendo R = 156 KΩ (P1 = 100 KΩ):

VCC ∗ R 2 (12 V) ∗ (22 KΩ)

VBB = = ≅ 1.48 V ;
R + R2 156 KΩ + 22 KΩ
R ∗ R 2 (156 KΩ) ∗ (22 KΩ)
RB = = ≅ 19.28 KΩ
R + R2 156 KΩ + 22 KΩ
R C = 1 KΩ ; R E = 220 Ω ; VBE ≅ 0.7 V (Silicio) ; IC = βIB ; IC ≅ IE ; β = 200

En la malla 1:

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IC
VBB = R E ∗ IC + VBE + R B ∗ IB ; IB =
β
RB
VBB − VBE = IC (R E + )
β
VBB − VBE 1.48 V − 0.7 V
IC = = ≅ 2.47 mA
R 19.28 KΩ
RE + B 220 Ω +
β 200
En la malla 2:
VCC = IC ∗ (R C + R E ) + VCE
VCE = VCC − IC ∗ (R C + R E ) = 12 V − (2.47 mA) ∗ (1.22 KΩ) ≅ 8.99 V
Hallamos IB :
VBB − VBE 1.48 V − 0.7 V
IB = = ≅ 12.28 µA
R B + (β + 1)R E 19.28 KΩ + (201) ∗ (220 Ω)

 Haciendo R = 306 KΩ (P1 = 250 KΩ):

VCC ∗ R 2 (12 V) ∗ (22 KΩ)

VBB = = ≅ 0.80 V ;
R + R2 306 KΩ + 22 KΩ
R ∗ R 2 (306 KΩ) ∗ (22 KΩ)
RB = = ≅ 20.52 KΩ
R + R2 306 KΩ + 22 KΩ
R C = 1 KΩ ; R E = 220 Ω ; VBE ≅ 0.7 V (Silicio) ; IC = βIB ; IC ≅ IE ; β = 200

En la malla 1:
IC
VBB = R E ∗ IC + VBE + R B ∗ IB ; IB =
β
RB
VBB − VBE = IC (R E + )
β
VBB − VBE 0.80 V − 0.7 V
IC = = ≅ 0.31 mA
RB 20.52 KΩ
RE + 220 Ω +
β 200
En la malla 2:
VCC = IC ∗ (R C + R E ) + VCE
VCE = VCC − IC ∗ (R C + R E ) = 12 V − (0.31 mA) ∗ (1.22 KΩ) ≅ 11.62 V
Hallamos IB :

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VBB − VBE 0.80 V − 0.7 V

IB = = ≅ 1.54 µA
R B + (β + 1)R E 20.52 KΩ + (201) ∗ (220 Ω)

 Haciendo R = 556 KΩ (P1 = 500 KΩ):

VCC ∗ R 2 (12 V) ∗ (22 KΩ)

VBB = = ≅ 0.46 V ;
R + R2 556 KΩ + 22 KΩ
R ∗ R 2 (556 KΩ) ∗ (22 KΩ)
RB = = ≅ 21.16 KΩ
R + R2 556 KΩ + 22 KΩ
R C = 1 KΩ ; R E = 220 Ω ; VBE ≅ 0.4 V (Suposición) ; IC = βIB ; IC ≅ IE ; β = 200

En la malla 1:
IC
VBB = R E ∗ IC + VBE + R B ∗ IB ; IB =
β
RB
VBB − VBE = IC (R E + )
β
VBB − VBE 0.46 V − 0.4 V
IC = = ≅ 0.18 mA
R 21.16 KΩ
RE + B 220 Ω +
β 200
En la malla 2:
VCC = IC ∗ (R C + R E ) + VCE
VCE = VCC − IC ∗ (R C + R E ) = 12 V − (0.18 mA) ∗ (1.22 KΩ) ≅ 11.78 V
Hallamos IB :
VBB − VBE 0.46 V − 0.4 V
IB = = ≅ 0.92 µA
R B + (β + 1)R E 21.16 KΩ + (201) ∗ (220 Ω)

 Haciendo R = 1056 KΩ (P1 = 1 MΩ):

VCC ∗ R 2 (12 V) ∗ (22 KΩ)

VBB = = ≅ 0.24 V ;
R + R2 1056 KΩ + 22 KΩ
R ∗ R 2 (1056 KΩ) ∗ (22 KΩ)
RB = = ≅ 21.55 KΩ
R + R2 1056 KΩ + 22 KΩ

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R C = 1 KΩ ; R E = 220 Ω ; VBE → VBB (IB ≈ 0) ; IC = βIB ; IC ≅ IE ; β = 200

En la malla 1:
IC
VBB = R E ∗ IC + VBE + R B ∗ IB ; IB =
β
RB
VBB − VBE = IC (R E + )
β
VBB − VBE 0.24 V − 0.24 V
IC = = ≈ 0 mA
RB 21.55 KΩ
RE + 220 Ω + 200
β
En la malla 2:
VCC = IC ∗ (R C + R E ) + VCE
VCE = VCC − IC ∗ (R C + R E ) = 12 V − (0 mA) ∗ (1.22 KΩ) ≅ 12 V
Hallamos IB :
VBB − VBE 0.24 V − 0.24 V
IB = = ≅ 0 µA
R B + (β + 1)R E 16.62 KΩ + (201) ∗ (220 Ω)

TABLA 5
𝟏𝟓𝟔 𝐊Ω 𝟑𝟎𝟔 𝐊Ω 𝟓𝟓𝟔 𝐊Ω 𝟏𝟎𝟓𝟔 𝐊Ω
𝐈𝐂 (𝐦𝐀) 2.47 mA 0.31 mA 0.18 mA 0 mA
𝐈𝐁 (µ𝐀) 12.28 µA 1.54 µA 0.92 µA 0 µA
𝐕𝐂𝐄 (𝐕) 8.99 V 11.62 V 11.78 V 12 V

Notamos que, a medida que el valor de R aumenta (P1 aumenta), el transistor pasa a la zona de corte,
donde la corriente de colector (Ic) es mínima y el voltaje colector-emisor (Vce) es máximo.

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