UNIVERSIDAD SANTO TOMÁS

PRIMER CLAUSTRO UNIVERSITARIO DE COLOMBIA

FACULTAD INGENIERÍA ELECTRÓNICA

Laboratorio No. 01
Caracterización de Unión pn.
Carrillo Andrés Cód.: 00000, Beltrán Jorge Cód.: 00000
Presentado a: M.Sc. Oscar Mauricio Gelvez Lizarazo.

RESUMEN: Al desarrollar este laboratorio se tomará como Diodo ideal: El diodo ideal es un componente discreto que
base el circuito propuesto en la guía, con respecto a ello se permite la circulación de corriente entre sus terminales en un
determinarán los valores de la resistencia con la cual se logrará determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido
imitar la máxima corriente y la máxima tensión eléctrica, contrario.
posteriormente se deberá aplicar una variación de la fuente
para lograr unos valores de tención determinada, al finalizar se
deberá comprobar por medio del osciloscopio que dicha
configuración logra recrear las curvas propuestas en el
laboratorio.

I. INTRODUCCIÓN
El diodo es un dispositivo semiconductor de dos terminales
que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de
él en un solo sentido. También cuenta con las funciones de
rectificar debido a que son dispositivos capaces de suprimir
la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para
convertir una corriente alterna en corriente continua. Y
proteger un circuito en donde convenga que la corriente
circule solamente en un determinado sentido, y nunca en el Ilustración 1 Curva característica del diodo ideal
sentido contrario, puede ser protegido por la presencia de un
La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que
diodo.
pasan por el origen de coordenadas. Este diodo ideal no existe
en la realidad, no se puede fabricar por eso es ideal.
El diodo está hecho de cristal semiconductor, como el silicio,
con impurezas en él para crear una región que contiene
portadores de carga negativa (electrones), llamado
semiconductor de tipo n, y una región en el otro lado que
contiene portadores de carga positiva (huecos), llamado
semiconductor tipo p.

En esta práctica se demostrarán las funciones del diodo por

medio de cálculos, simulaciones en el software OrCAD y
montaje experimental

111II. MARCO TEÓRICO

Diodos: El diodo es un elemento electrónico que tiene como

propiedad permitir el flujo de electrones en un solo sentido,
por ello es comparado con un interruptor el cual abre y cierra
los circuitos. Este componente está formado por dos tipos de Ilustración 2 Curva característica del diodo real
materiales.
El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad polarización
Modelos del diodo: directa, pero como a efectos prácticos no conduce, se toma
como inversa. Con esta segunda aproximación el error es
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menor que en la aproximación anterior.

Material tipo n: para incrementar el número de electrones de

banda de conducción en el silicio intrínseco se agregan átomos
de impureza pentavalente (átomos con cinco electrones de
valencia, como arsénico, fosforo, bismuto y antimonio) El
número de electrones de conducción puede ser controlado con
cuidado mediante el número de átomos de impureza agregados
al silicio. Un electrón de conducción creado mediante este
proceso de dopado no deja un hueco en la banda de valencia
porque excede el número requerido.
Ilustración 3 Semiconductor tipo P

Los huecos son los portadores mayoritarios en un material tipo

p. Aunque la mayoría de los portadores de corriente en un
material tipo p son huecos, también existen algunos electrones
de banda de conducción que se crean cuando térmicamente se
generan pares electrón-hueco. Estos electrones de banda de
conducción no se producen por la adición de átomos de
impureza trivalentes. Los electrones de banda de conducción
en un material tipo p son los portadores minoritarios.

Comportamiento de un diodo en polarización directa: Para

polarizar un diodo se aplica voltaje de cc a través de él, en esta
Ilustración 2 Semiconductor tipo N condición permite la circulación de corriente a través de la
unión pn
Los electrones se conocen como portadores mayoritarios en
material tipo n. Aunque la mayoría de los portadores de
corriente en un material tipo n son electrones, también existen
algunos huecos que se crean cuando térmicamente se generan
pares electrón-hueco (estos huecos no se producen por la
adición de átomos de impureza pentavalentes). Los huecos en
un material tipo n reciben el nombre de portadores
minoritarios.

Material tipo p: con el fin de aumentar el número de huecos

en silicio puro se añaden átomos de impureza trivalentes
(átomos con tres electrones de valencia, como aluminio, boro,
y galio)El número de huecos se controla cuidadosamente con
el número de átomos de impureza trivalente agregados al
silicio. Un hueco creado mediante este proceso de dopado no
está acompañado por un electrón de conducción (libre).
Ilustración 4 Polarización directa
Como las cargas iguales se repelen, el lado negativo de la
fuente de voltaje de la polarización “empuja” a los electrones
libres, los cueles son portadores mayoritarios en la región n,
hacia la unión pn. Este flujo de electrones libres se llama
corriente de electrones. El lado negativo de la fuente también
genera un flujo continuo de electrones a través de la conexión
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externa (conductor) y hacia la región n como la figura.

Ilustración 6 Polarización Inversa

Ilustración 5 Diodo en polarización directa
Una fuente de voltaje de cc conectada a través de un diodo en
La fuente de voltaje de polarización proporciona suficiente la dirección que produce polarización en inversa.
energía a los electrones libres para que venzan el potencial de
barrera de la región de empobrecimiento y continúen Un diodo conectado para polarización en inversa. Se muestra
moviéndose hacia la región p. Una vez que llegan a la región un resistor limitador, aunque no es importante en la
p, estos electrones de conducción han perdido suficiente polarización en inversa porque en esencia no hay corriente.
energía para combinarse de inmediato con los huecos
presentes en la banda de valencia. Entonces, los electrones
quedan en la banda de valencia de la región p simplemente
porque perdieron demasiada energía al vencer el potencial de
barrera y permanecer en la banda de conducción. Como las
cargas diferentes se atraen, el lado positivo de la fuente de
voltaje de polarización atrae los electrones de valencia hacia el
extremo izquierdo de la región p. Los huecos en la región p Ilustración 7 Diodo en polarización inversa
proporcionan el medio o “ruta” para que estos electrones de
valencia se desplacen hacia la región p. Los electrones de
valencia se desplazan de un hueco al siguiente hacia la En la región p, los electrones procedentes del lado negativo de
izquierda. Los huecos, que son portadores mayoritarios en la la fuente de voltaje entran como electrones de valencia y se
región p, efectivamente (no en realidad) se desplazan a la desplazan de hueco en hueco hacia la región de
derecha hacia la unión. empobrecimiento, donde crean iones negativos adicionales.
Esto ensancha la región de empobrecimiento y agota los
portadores mayoritarios. El flujo de electrones de valencia
Comportamiento de un diodo en polarización inversa: La
puede ser considerado como huecos que están siendo “jalados”
polarización en inversa es la condición que en esencia evita
hacia el lado positivo.
la circulación de corriente a través
del diodo.

Una de las herramientas más útiles para el análisis y diseño

de sistemas LIT (lineales e invariantes en el tiempo), es la
transformada de Fourier. Esta representación de señales
implica la descomposición de las mismas en términos de
componentes sinusoidales o exponenciales complejas. Con
esta descomposición, se dice que una señal está representada
en el dominio de la frecuencia. A continuación, se encontrará
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dos tipos de Transformada de Fourier la DTF y FFT

(transformada Discreta de Fourier y la Transformada Rápida
de Fourier)
La Transformada discreta de Fourier (Discrete Fourier
Transform, DFT) es un caso particular de la transformada de
Fourier para secuencias de longitud finita en que se evalúa el
espectro solamente en unas frecuencias concretas (y por
consiguiente se obtiene un espectro discreto).
Bajo las ecuaciones 1 y 2 podemos realizar un análisis
profundo de las señales discretas en el dominio de la
frecuencia contando con una opción de convergencia rápida
pero más tediosa en su manejo ya que en la FFT se realizan
dos sumatorias continuas en vez de una.
I. PROCEDIMIENTO Y DESARROLLO

𝑁−1 1. Usar la ecuación (1) para implementar la DFT (Discrete

−2𝜋𝑛𝑘𝑗
𝑋𝑘 = ∑ 𝑥𝑛 𝑒 𝑁 𝑘 = 0,1 … 𝑁 − 1
𝑛=0
En 1965 Cooley y Tukey publicaron un algoritmo para realizar
cálculos de forma mucho más eficiente, basándose en el hecho
de si N es un número compuesto, formado por el producto de
dos o más enteros. A partir de entonces surgen algoritmos en
base 2, base 4 de base partida, y muchos más llamados
algoritmos de transformada rápida de Fourier.
(1) Fourier Transform), Xk, para la siguiente señal x[n].
Graficar la secuencia original, la magnitud y la fase del
espectro.
En este código encontramos un vector x el cual tendrá en su
contenido cada valor de amplitud para todos los valores
definidos en la ecuación de la señal de entrada como vemos en
la figura 1 es una ventana de amplitud 1 y duración 128
muestras para el tiempo discreto n.

Tomando en cuenta lo anterior podemos darnos cuenta de las

posibles modificaciones de la DFT para con dichas
modificaciones optimizar el proceso de análisis de la señal y
encontrar así la FFT.

Partiendo de la ecuación 1 podemos llegar a la siguiente

ecuación recordando las variaciones de N en dicha sumatoria
como el producto de enteros así:

𝑁1 −1 𝑁2 −1
2𝜋 2𝜋
−𝑗( )𝑛 𝑘 −𝑗( )𝑛2 𝑘2
𝑋(𝑘1 , 𝑘2 ) = ∑ ∑ 𝑥(𝑛1 , 𝑛2 )𝑒 𝑁1 1 1 𝑒 𝑁2

𝑛1 =0 𝑛2 =0

0 ≤ 𝑛1 ≤ 𝑁1 − 1 0 ≤ 𝑛2 ≤ 𝑁2 − 1

−2𝜋𝑗
𝑊𝑁 = 𝑒 𝑁
Fig. 1. Esquemático de la primera compuerta
𝐿−1 𝑀−1
𝑙𝑞 𝑚𝑞 𝑙𝑞
𝑋(𝑝, 𝑞) = ∑ {𝑊𝑁 [ ∑ 𝑥(𝑙, 𝑞)𝑊𝑀 ]} 𝑊𝐿 (2)
𝑙=0 𝑚=0

La ecuación 2 nos presenta una transformada rápida de Fourier

la cual proviene de modificaciones a la DFT.
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Mediante el uso del comando fft() visto en el código 4 a la

señal de entrada obtenemos la Tabla I.

TABLA I
UNIDADES PARA PROPIEDADES MAGNÉTICAS
Conversion from Gaussian and
Símbolo Cantidad
CGS EMU to SI a
Φ flujo magnético 1 Mx → 10− 8 Wb = 10− 8 V·s
B densidad de 1 G → 10− 4 T = 10− 4 Wb/m2
flujo magnético,
H inducción 1 Oe → 103/(4π) A/m
magnética
m intensidad del 1 erg/G = 1 emu
campo → 10− 3 A·m2 = 10− 3 J/T
magnético
Fig. 2. Montaje de la primera compuerta M 1 erg/(G·cm3) = 1 emu/cm3
momento
magnético → 103 A/m
4πM magnetización 1 G → 103/(4π) A/m
σ magnetización 1 erg/(G·g) = 1 emu/g → 1 A·m2/kg
j magnetización 1 erg/G = 1 emu
específica → 4π × 10− 10 Wb·m
J dipolo 1 erg/(G·cm3) = 1 emu/cm3
magnético → 4π × 10− 4 T
χ, κ momento 1 → 4π
χρ polarización 1 cm3/g → 4π × 10− 3 m3/kg
magnética
μ susceptibilidad 1 → 4π × 10− 7 H/m
Fig. 3. Magnetización como una función del campo aplicado. Tenga en cuenta = 4π × 10− 7 Wb/(A·m)
que "Fig." Se abrevia. Hay un período después del número de figura, seguido
de dos espacios. Es una buena práctica explicar la importancia de la figura en μr susceptibilidad a μ → μr
el título. las masas
w, W permeabilidad 1 erg/cm3 → 10− 1 J/m3
Utilizando el comando dft() el programa resulta con errores de N, D 1 → 1/(4π)
permeabilidad
overflow ya que la señal de entrada es un vector de 256
relativa
espacios y bajo el comando se queda corto en proporcionar los Las líneas verticales son opcionales en las tablas. Las declaraciones que sirven
valores complejos asignados a dicha transformación. como subtítulos para toda la tabla no necesitan letras de pie de página.
Las unidades gaussianas son las mismas que cg EMU para magnetostáticas;
Bajo este percance se grafico y simulo en matlab el mismo Mx = maxwell, G = gauss, Oe = oersted; Wb = weber, V = volt, s = second, T
= tesla, m = meter, A = ampere, J = joule, kg = kilogram, H = henry.
comando dft() el cual fue definido en el código 3 y la grafica
provista fue la siguiente:
2. Utilizar los comandos dft() y fft() con la secuencia del
punto 1. Comparar resultados.
Según la recomendación del código dft para matlab podemos
concluir que el comportamiento de las figuras 3 y 4 son las
Como observamos el software scilab puede cargar todos los
mismas con la diferencia en los valores de amplitud y duración
valores que sean de la señal de entrada a diferencia de su
ya que la gráfica 4 es el doble de la provista por el código de
contraparte el comando dft() mediante el cual se obtienen
scilab creado por los autores del presente texto.
problemas de overflow; comparando las señales obtenidas por
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los códigos 2 y 4 vemos que son iguales tanto en frecuencia
como en amplitud.
El análisis anterior nos permite determinar la gran facilidad en
el análisis de frecuencia por medio del comando fft() el cual
proporciona los datos de una manera eficaz y presentando la
garantía de que podrá realizar el proceso para un gran número
de datos (señal de entrada.)
II. CONCLUSIONES
✓ En el análisis de señales es de gran importancia el uso de
herramientas en frecuencia los cuales deben ser rápidos y
confiables, pues en el mundo de la ingeniería es
importante la velocidad y la certeza.
✓ El proceso de convolucion es la suma de productos entre
dos señales y esta puede ser planteada como una
sumatoria, pero es de tener en cuenta la posibilidad en la
complejidad de la misma por ello para series finitas es de
gran uso el comando mtlb_conv de scilab.
✓ La ventaja de trabajar con un software no es solo el
cálculo rápido que puede realizar sino los gráficos que
permiten una interpretación más clara y concisa en el
análisis de señales.
✓ Al trabajar con cualquier comando de scilab es de gran
utilidad el código help además del apropos cuya finalidad
es la especificación de otros comandos que se utilizaran
en los procesamientos de la señal.
✓ La convolucion de dos ventanas nos dará una señal
triangular la cual comienza en la suma de los inicios de
las ventanas así como finalizara en la suma de los finales
de dichas ventanas.
✓ Existen diferentes comandos para la percepción eficaz de
una grafica como lo es bar(), plot2d3(,-4) y xgrid los
cuales permiten determinar mejor los valores máximos
que alcanza una señal así como el instante en el cual
ocurre.
III. REFERENCIAS
[1] Oppenheim, Alan V. Willsky, Alan S, Señales y sistemas.
Pearson education, 1998.
[2] Ashok Ambardar, Procesamiento de Señales Analógicas y
Digitales 2003.
[3] http://www.scilab.org. Plataforma de computación
numérica SCILAB
First A. Author (M’76–SM’81–F’87)
and the other authors may include
biographies at the end of regular papers.
Biographies are often not included in
conference-related papers. This author
became a Member (M) of IEEE in 1976, a
Senior Member (SM) in 1981, and a
Fellow (F) in 1987. The first paragraph
may contain a place and/or date of birth
(list place, then date). Next, the author’s educational
background is listed. The degrees should be listed with type of
degree in what field, which institution, city, state, and country,
and year the degree was earned. The author’s major field of
study should be lower-cased.
The second paragraph uses the pronoun of the person (he or
she) and not the author’s last name. It lists military and work
experience, including summer and fellowship jobs. Job titles
are capitalized. The current job must have a location; previous
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last name (e.g., Dr. Smith, Prof. Jones, Mr. Kajor, Ms. Hunter).
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and publications. If a photograph is provided, the biography

will be indented around it. The photograph is placed at the top
left of the biography, and should be of good quality,
professional-looking, and black and white (see above
example). Personal hobbies will be deleted from the
biography. Following are two examples of an author’s
biography.

Second B. Author was born in

Greenwich Village, New York City, in
1977. He received the B.S. and M.S.
degrees in aerospace engineering from the
University of Virginia, Charlottesville, in
2001 and the Ph.D. degree in mechanical
engineering from Drexel University,
Philadelphia, PA, in 2008.

From 2001 to 2004, he was a Research Assistant with the

Princeton Plasma Physics Laboratory. Since 2009, he has been
an Assistant Professor with the Mechanical Engineering
Department, Texas A&M University, College Station. He is
the author of three books, more than 150 articles, and more
than 70 inventions. His research interests include high-
pressure and high-density nonthermal plasma discharge
processes and applications, microscale plasma discharges,
discharges in liquids, spectroscopic diagnostics, plasma
propulsion, and innovation plasma applications. He is an
Associate Editor of the journal Earth, Moon, Planets, and
holds two patents.

Mr. Author was a recipient of the International Association

of Geomagnetism and Aeronomy Young Scientist Award for
Excellence in 2008, the IEEE Electromagnetic Compatibility
Society Best Symposium Paper Award in 2011, and the
American Geophysical Union Outstanding Student Paper
Award in Fall 2005.