FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALOGICOS

Actividad #1: Caracterización de transistores MOS

Actividad #2: MOSFET como interruptor

PRESENTADO POR:
JEFFERSON VEGA SUAREZ. CODIGO: 2093253
EDWIN CARREÑO LOZANO. CODIGO: 2090454

PRESENTADO A: ING. JAVIER ARDILA

OBJETIVOS

 Extraer los parámetros más significativos

de dos modelos de transistores tipo Fet,
uno tipo N y el otro tipo P.
 Diseñar un circuito que cumpla las
especificaciones dadas en clase, utilizando
los modelos dados.

PROCEDIMIENTO / RESULTADOS

Caracterización NMOS

Con ayuda de Orcad simulamos los siguientes

circuitos, donde utilizamos el mosfet MbreakN
disponible en la librería BREAKOUT del
programa.

 Encontrar KN, VTH

En las propiedades de este dispositivo
Realizamos el siguiente circuito: seleccionamos L=1U y W=30U.

Se seleccionó un VDS pequeño (VDS=500m[v])

y se realizó un barrido con VGS de 0[v] a 3.5 [v],
para obtener la corriente en el drenador.

El resultado es el siguiente:

Fig. 1. Esquema MOSFET tipo N

Para cargar el modelo dado por el profesor,

copiamos este en Edit PSpice Model, que se, Fig. 2. Grafica 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆
encuentra al hacer clic izquierdo sobre el
dispositivo.

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Actividad #1: Caracterización de transistores MOS
Actividad #2: MOSFET como interruptor

Dado que VDS es pequeño, sabemos que cuando

circula corriente el transistor se encuentra en Con VDS=500m[v], se realizó un barrido con
tríodo y podemos aproximar la corriente así: VGS de 0[v] a 3.5 [v] obteniendo la corriente ID
en la siguiente gráfica:

Lo cual concuerda con los resultados obtenidos,

realizamos la regresión de estos puntos y
obtenemos lo siguiente:

Y=A+BX 𝐴 = −8.5884𝑒 −4
𝐵 = 1.5002𝑒 −3

Donde la pendiente B=K*VDS y el corte con el

Fig. 4. 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 (𝑐𝑜𝑛 𝑉𝑆𝐵 = 200𝑒 −3 )
eje horizontal es Vth.
𝐵
De igual forma que en la simulación anterior se
𝐾=𝑉 = 3𝑒 −3 , VDS=500m, W/L=30 realizó la regresión correspondiente a la región de
𝐷𝑆
𝐾 tríodo y se obtuvo:
K=Kn (W/L) por lo tanto 𝐾𝑁 = (𝑊/𝐿) = 100𝑒 −6
|Vth|= |A/B|= 0,64[v] Y= A+BX Vth1=0.95[v]
𝐴 = −9.98𝑒 −4 𝐵 = 1.061𝑒 −3
 Encontrar Gama
Para VSB2=300m[v] realizamos el siguiente
Ahora vamos a simular teniendo en cuenta el circuito para simularlo:
efecto cuerpo VSB1=200m[v], VSB1=200m[v] y
VSB2=400m[v], con el fin de obtener los Vth
correspondientes:

Para VSB1=200m[v] realizamos el siguiente

circuito para simularlo

Fig.5. MOSFET con efecto cuerpo

(𝑉𝑆𝐵 = 300𝑒 −3 )

Con VDS=500m[v], se realizó un barrido con

VGS de 0[v] a 3.5 [v] obteniendo:

Fig. 3. MOSFET con efecto cuerpo

(𝑉𝑆𝐵 = 200𝑒 −3 )

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Actividad #1: Caracterización de transistores MOS
Actividad #2: MOSFET como interruptor

De igual forma que en la simulación anterior

realizamos la regresión correspondiente a la
región de tríodo y obtuvimos lo siguiente:

Y= A+BX Vth3=1.17[v]
𝐴 = −3.09𝑒 −4 𝐵 = 3.434𝑒 −4

Fig. 6. 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 (𝑐𝑜𝑛 𝑉𝑆𝐵 = 300𝑒 −3 ) Ahora con los valores obtenidos para Vth los
graficamos en
funcion de
Al realizar la respectiva regresion se obtuvo:
donde 0,7=
Y= A+BX Vth2=1.056[v]
𝐴 = −7.392𝑒 −4 𝐵 = 7.387𝑒 −4 Como se muestra en la siguente grafica:

Para VSB2=400m[v] realizamos el siguiente

circuito para simularlo: Vt[v]
1,4
1,2
1
0,8
0,6
0,4
0,2
0
0 0,05 0,1 0,15 0,2 0,25

Fig. 9. 𝑉𝑇 𝑣𝑠 √(𝑉𝑆𝐵 + 𝜑0 − √𝜑0

Ralizamos una regrecion lineal y obtenemos lo

Fig.7. MOSFET con efecto cuerpo siguiente:
(𝑉𝑆𝐵 = 400𝑒 −3 ) Donde la pendiente representa a gama:
Con VDS=500m[v], se realizó un barrido con Y= A+BX
VGS de 0[v] a 3.5 [v] obtenemos la corriente ID 𝐴 = 0.785 𝐵 = 1.714 = 𝐺𝑎𝑚𝑚𝑎
en la siguiente gráfica:
 Encontrar VA, Lambda.

Ahora se simula el siguiente circuito para

observar la modulación de canal:

Fig. 8. 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐺𝑆 (𝑐𝑜𝑛 𝑉𝑆𝐵 = 400𝑒 −3 )

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Actividad #2: MOSFET como interruptor

Caracterización PMOS

Con ayuda de Orcad simulamos los siguientes

circuitos, donde utilizamos el mosfet MbreakP
disponible en la librería BREAKOUT del
programa.

 Encontrar KP, VTH

Se realizó el siguiente circuito:

Fig. 10. MOSFET con modulación de canal
(𝑉𝐺𝑆 = 2)

Se tomó VGS=2[v] para asegurar que se genere

un canal de electrones, se realizó un barrido con
VDS de 0[v] a 3.5 [v] se obtiene la siguiente
gráfica:

Fig. 12. Esquema MOSFET tipo P

Para cargar el modelo dado por el profesor,

copiamos este en Edit PSpice Model de igual
forma que se hizo con el model NMOS.
En las propiedades de este dispositivo igualmente
Fig. 11. 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷𝑆 (𝑐𝑜𝑛 𝑉𝐺𝑆 = 2) se seleccionó L=1U y W=30U.

Se realizo una regresion en la zona de saturacion

para poder obtener el valor de lambda, teniendo
en cuenta que:

Realizamos la regresion para VDS ente 1[v] a 3.5

[v] obteniendo los siguientes resultados:

Y = A+BX Fig. 13. Grafica 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝑆𝐺

𝐴 = 3.1107𝑒 −3 𝐵 = 4.8519𝑒 −5
Como el 𝑉𝑆𝐷 es pequeño se puede hacer la
Donde el corte con el eje horizontal representa a siguiente aproximación:
VA: 𝑉𝐴 = −64.11[𝑣]
1 𝐼𝐷 ≅ 𝐾𝑝 𝑉𝑆𝐷 (𝑉𝑆𝐺 − |𝑉𝑇𝑃 |)
𝑙𝑎𝑚𝑏𝑑𝑎 = = 15.598𝑒 −3
|𝑉𝐴|

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Actividad #1: Caracterización de transistores MOS
Actividad #2: MOSFET como interruptor

Se realizó la respectiva regresión lineal dando De igual forma que para el mosfet tipo n se
como resultado: realizó la respectiva regresión para obtener:
Y=A+BX 𝐴 = −3.7105𝑒 −4
𝐵 = 4.6999𝑒 −4 Y= A+BX |Vtp1|=1.15[v]
𝐴 = −2.8014𝑒 −4 𝐵 = 2.92𝑒 −4
Debido a que la pendiente es B=K*VSD y el
corte con el eje horizontal es Vth Para VBS2=300m[v] realizamos el siguiente
circuito para simularlo:
𝐵
𝐾=𝑉 = 9.3998𝑒 −4 , VSD=500m, W/L=30
𝑆𝐷
𝐾
K=Kp (W/L) por lo tanto 𝐾𝑃 = (𝑊/𝐿) = 31.33𝑒 −6
|Vth|= |A/B|= 0,789[v]

 Encontrar Gama

Ahora vamos a simular teniendo en cuenta el

efecto cuerpo VBS1=200m[v], VBS1=200m[v] y
VBS2=400m[v], con el fin de obtener los |Vtp|
correspondientes.
Para VBS1=200m[v] realizamos el siguiente Fig. 16. MOSFET con efecto cuerpo
circuito para simularlo: (𝑉𝐵𝑆 = 300𝑒 −3)

Se obtuvo la siguiente gráfica:

Fig. 14. MOSFET con efecto cuerpo Fig. 17. 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝑆𝐺 (𝑐𝑜𝑛 𝑉𝐵𝑆 = 300𝑒 −3 )
(𝑉𝐵𝑆 = 200𝑒 −3)
Al realizar la respectiva regresión:
Con VDS=500m[v], se realizó un barrido con Y= A+BX |Vtp1|=1.21[v]
VGS de 0[v] a 3.5 [v] obteniendo la corriente ID 𝐴 = −1.8576𝑒 −4 𝐵 = 1.8939𝑒 −4
en la siguiente gráfica:

Fig. 15. 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝑆𝐺 (𝑐𝑜𝑛 𝑉𝐵𝑆 = 200𝑒 −3 )

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Actividad #1: Caracterización de transistores MOS
Actividad #2: MOSFET como interruptor

Para VBS3=400m[v]

Fig. 20. 𝑉𝑇 𝑣𝑠 √(𝑉𝐵𝑆 + 𝜑0 − √𝜑0

Ralizamos una regrecion lineal para obtener la

pendiente la cual representa a gama:
Fig. 18. MOSFET con efecto cuerpo
(𝑉𝐵𝑆 = 400𝑒 −3) Y= A+BX
𝐴 = 0.995 𝐵 = 1.421 = 𝐺𝑎𝑚𝑚𝑎
Luego de realizar el barrido de Vsg se obtuvo la
siguiente gráfica:  Encontrar VA, Lambda

Se utilizó el siguiente esquema para observar la

modulación de canal en el MOSFET tipo P.

Fig. 19. 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝑆𝐺 (𝑐𝑜𝑛 𝑉𝐵𝑆 = 400𝑒 −3 )

Realizando la regresión:

Y= A+BX |Vtp1|=1.32[v]
−4
𝐴 = −1.05246𝑒 𝐵 = 9.7534𝑒 −5
Fig. 21. MOSFET con modulación de canal
Obtenidos estos datos anteriores se puede graficar
(𝑉𝑆𝐺 = 2)
𝑉𝑇 𝑣𝑠 √𝑉𝐵𝑆 + 𝜑0 − √𝜑0 Se seleccionó un valor de 𝑉𝑆𝐺 para asegurar que
haya canal de electrones, se realizó el respectivo
Donde 𝜑0 = 0.7. barrido de 𝑉𝑆𝐷 para graficar 𝐼𝐷 :
Como muestra la siguiente figura.

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Actividad #1: Caracterización de transistores MOS
Actividad #2: MOSFET como interruptor

tiene un voltaje de umbral de 𝑉𝑇 = 2 𝑉. Se

deduce que para cerrar el transistor para todos los
posibles niveles de señal de entrada, el valor alto
de 𝑉𝐶 debe ser por lo menos +7 V. Análogamente,
para abrir el transistor para todos los posibles
niveles se señal de entrada, el valor bajo de 𝑉𝐶
debe ser un máximo de -3 V. Observe, sin
embargo, que estos niveles no son suficientes en
la práctica, puesto que el transistor apenas se
Fig. 22. 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝑆𝐷 (𝑐𝑜𝑛 𝑉𝑆𝐺 = 2)
cierra o se abre en los límites. En cualquier caso,
Se realizo una regresion en la zona de saturacion vemos que los valores del voltaje de control
teniendo en cuenta que: tienen que ser por lo menos iguales a los de la
señal de entrada analógica que se conmuta.
𝑉𝑆𝐺 ≥ |𝑉𝑇 |, 𝑉𝑆𝐷 ≥ 𝑉𝑆𝐺 − |𝑉𝑇 | Desafortunadamente, empero, la resistencia en
condición cerrada del interruptor dependerá en
gran medida del valor de la señal de entrada
Realizamos la regresion para obtener los analógica, una característica indeseable, como se
siguientes resultados: menciona antes. Otra desventaja obvia es la de los
niveles más bien inconvenientes necesarios para
Y = A+BX 𝑉𝐶 .
𝐴 = 8.6359𝑒 −4 𝐵 = 3.8632𝑒 −5 En la figura 23 no se ha indicado, cual terminal
es la fuente y cual el dren. Se ha evitado
Donde el corte con el eje horizontal representa a indicarlos primeramente porque el MOSFET es
VA: 𝑉𝐴 = −22.35[𝑣] un dispositivo simétrico, con la fuente y dren
1 intercambiables. Lo más importante es que la
𝑙𝑎𝑚𝑏𝑑𝑎 = = 44.73𝑒 −3 operación del dispositivo como interruptor se
|𝑉𝐴| basa en esta intercambiabilidad de papeles.
Específicamente, cualquiera de los dos
terminales que este al voltaje más alto actúa
MOSFET COMO INTERRUPTOR como dren. Así si la señal analógica de entrada
es positiva, por ejemplo +4 V, entonces el
En la figura 23 se describe uno de estos circuitos terminal a actúa como dren y el b como fuente.
que utiliza un transistor NMOS. Para este caso, el circuito (cuando 𝑉𝐶 es alto)
toma la conocida forma que se ilustra en la figura
24(a). Es fácil ver que el dispositivo estará de +4
V. por otra parte, si la señal de entrada es
negativa, por ejemplo -4 V, entonces el terminal
b actúa como dren y el a como fuente. En este
caso, el circuito (para señal 𝑉𝐶 alta) se puede
volver a dibujar a la conocida forma de la figura
24(b). Otra vez en este caso, debe quedar claro
que el dispositivo opera en la región de tríodo, y
𝑉0 será solo ligeramente más alto que el
Fig. 23. Uso de un transistor NMOS como nivel de señal analógica de entrada de -4 V.
interruptor

El objetivo de la señal de control 𝑉𝐶 es cerrar y

abrir el interruptor. Supóngase que el dispositivo

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Actividad #1: Caracterización de transistores MOS
Actividad #2: MOSFET como interruptor

BIBLIOGRAFIA

 Sedra & Smith-Circuitos Microeletronicos

– Oxford University Press, Inc. USA- 4
ed.
Fig. 24. Método para visualizar la operación del  Mixed Analog digital VLSI devices and
circuito de la Fig. 23. Cuando 𝑉𝐶 alto: (a) 𝑉𝐴 es Technology.
positivo; (b) 𝑉𝐴 es negativo

CONCLUSIONES

 Se pudo obser que el modelo utilizado

para la caracterizacion de los transistores
es tan real que al someterlo a un 𝑉𝐷𝑆
aproximadamente mayor a 4 v el transistor
se dañaria debido a que la corriente como
se puede observar aumenta
desmesuradamente dañoando el circuito
en si.

Fig. 25. 𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷𝑆

 El cálculo de los parámetros de un

transistor es fundamental para su debida
implementación, ya que nos permite
afirmar que lo diseñado se cumplirá
fielmente en la realidad.

 Se puedo apreciar que las gráficas

obtenidas con los datos tomados
concuerdas con lo esperado en la teoría
sobre la respuesta del transistor MOS.