22/3/2019 100000I16N_DispositivosYCircuitosElectronicos

SÍLABO
DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS (100000I16N)
2019 - Ciclo 1 Marzo

1. DATOS GENERALES

1.1.Carrera: INGENIERÍA BIOMÉDICA

INGENIERÍA ELÉCTRICA Y DE POTENCIA
INGENIERÍA ELECTRÓNICA
INGENIERÍA MECATRÓNICA
1.2. Coordinador: Alberto Duanee Alvarado Rivera

1.3. Créditos: 3
1.4. Modalidad: Presencial

1.5. Horas semanales: 4

2. FUNDAMENTACIÓN
El desarrollo de la asignatura permitirá al estudiante conocer el principio de funcionamiento interno, el análisis y el diseño de las
configuraciones básicas con diodos y transistores, incidiendo en la operación de los dispositivos y su polarización, asimismo, el
análisis en baja señal y respuesta en frecuencia para una amplificación de baja potencia, los cuales constituyen los fundamentos
en electrónica para el diseño de circuitos análogos en los diferentes campos de la electrónica

3. SUMILLA
El curso inicia con los fundamentos de los semiconductores, el dopaje y mecanismo de conducción, asimismo, entiende del diodo
semiconductor, análisis y aplicaciones de circuitos con diodos, filtros y reguladores, asimismo, el transistor bipolar y de efecto de
campo. Se analiza el comportamiento de los transistores en pequeña señal, amplificador Multietapa, amplificador operacional y
configuraciones notables.

4. LOGRO GENERAL DE APRENDIZAJE

Al final de la asignatura el estudiante analiza y conoce de los materiales semiconductores, su importancia dentro del
funcionamiento de los dispositivos electrónicos y como consecuencia sus múltiples configuraciones. Asimismo, puede configurar e
implementar configuraciones básicas de circuitos amplificadores.

5. UNIDADES Y LOGROS ESPECÍFICOS DE APRENDIZAJE

Unidad de aprendizaje 1: Semana 1,2,3,4,5 y 6

Fundamentos de los dispositivos electrónicos.

Logro específico de aprendizaje:

Analiza los fundamentos de los dispositivos electrónicos en base a los materiales semiconductores.

Temario:

Introducción al curso
Materiales eléctricos, materiales Semiconductores, bandas de energía en Silicio, equilibrio térmico, portadores, concentración de
portadores en semiconductores intrínsecos. Adulteración de semiconductores, dopaje tipo N y tipo P.
Realizaremos mediante exposición y ejercicios los fundamentos de los dispositivos electrónicos.
Generación y recombinación de portadores
Mecanismos de conducción de semiconductores-arrastre y difusión.
Realizaremos mediante ejercicios los mecanismos de conducción de semiconductores
Resistividad y conductividad en semiconductores.
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de los temas desarrollados en resistividad y conductividd en semiconductores
Juntura semiconductora, electrostática de juntura perfiles de dopaje idealizado.
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de los temas desarrolladosen Juntura PN
El diodo de juntura PN, Ecuación del diodo, curvas característica del diodo,
Practica CalificadaNo1
Diodos especiales, zener, led, aplicaciones
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de los temas desarrollados.
Laboratorio Dirigido 01

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Unidad de aprendizaje 2: Semana 7,8,9,10,11,12 y 13

Circuitos con diodos y estudio de transistores bipolares y unipolares.

Logro específico de aprendizaje:

Analizar los circuitos en base al funcionamiento de los diodos así como el estudio de los transistores bipolares.

Temario:

Circuitos equivalentes del diodo, polarización, circuitos de conmutación, limitadores y enclavadores de tensión.
Practica Calificada No2
Circuitos de rectificación con diodos, rectificadores de media onda y onda completa, cálculo de valores medio y eficaz, factor de
rizado.
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de los temas desarrollados.
Filtros y reguladores, filtro a condensador, cálculo de condensador y parámetros del filtro. Aplicaciones
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de los temas desarrollados.
Laboratorio Dirigido 02
Ejercicios con circuitos con diodos y rectificadores y filtros. Análisis del diseño de una Fuente DC
Practica Calificada No3
El Transistor Bipolar, formación y criterio de funcionamiento, métodos de polarización comparación entre diferentes métodos.
Rectas de carga en continua y alterna. Aplicaciones
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de los temas desarrollados.
Aplicaciones y ejercicios del transistor bipolar
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de los temas desarrollados.
Laboratorio Dirigido 03
Transistor Metal oxido semiconductor – MOSFET
Zonas de funcionamiento, aplicaciones
Practica Calificada 04

Unidad de aprendizaje 3: Semana 14,15,16,17 y 18

Configuraciones y modelos en baja señal y frecuencia del transistor bipolar.

Logro específico de aprendizaje:

Analiza y aplica los dispositivos electrónicos para las configuraciones básicas de amplificación en baja señal y baja frecuencia

Temario:

Análisis en pequeña señal del transistor bipolar. Modelo de parámetros híbridos. Cálculo de ganancias.
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de los temas desarrollados para el modelamiento del transistor bipolar
Aplicaciones del Transistor bipolar utilizando los modelos para pequeña señal. Cálculo de Impedancias de entrada y Salida.
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de los temas desarrollados.
Laboratorio Dirigido 04
Amplificador Multietapa. Análisis y configuraciones notables. Amplificador Cascode
Practica Calificada No5
El amplificador Darlington – Introducción al OPAM Análisis y configuración básica
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de los temas desarrollados
Laboratorio Dirigido 05
Examen Final

6. METODOLOGÍA
El curso se realiza desde el enfoque teórico y práctico. El enfoque teórico comprende actividades individuales (exposición,
explicación y solución de problemas), promoviendo la participación activa de los estudiantes a través del diálogo permanente, a fin
de consolidar el aprendizaje de los temas.

El enfoque práctico se desarrolla por medio de experiencias en el laboratorio con la ayuda de instrumentos y el uso de
componentes o módulos que permiten realizar la demostración de los temas tratados.

Los principios de aprendizaje que se promueven en este curso son:

Aprendizaje autónomo.
Aprendizaje basado en evidencia.
Aprendizaje colaborativo.

7. SISTEMA DE EVALUACIÓN
El cálculo del promedio final se hará de la siguiente manera:

(10%)PC1 + (10%)PC2 + (10%)PC3 + (15%)PC4 + (15%)PC5 + (40%)EXFI

Donde:

Tipo Descripción Semana Observación

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Tipo Descripción Semana Observación

PC1 PRACTICA CALIFICADA 1 5 practica calificada 1

PC2 PRACTICA CALIFICADA 2 7 practica calificada 2-Laboratorio

PC3 PRACTICA CALIFICADA 3 10 practica calificada 3

PC4 PRACTICA CALIFICADA 4 13 practica calificada 4-Laboratorio

PC5 PRACTICA CALIFICADA 5 16 practica calificada 5

EXFI EXAMEN FINAL INDIVIDUAL 18 examen final individual

Indicaciones sobre Fórmulas de Evaluación:

1. Solo se podrá rezagar el Examen Final.

2. El examen rezagado incluye los contenidos de todo el curso.
3. No se elimina ninguna práctica calificada.
4. La nota mínima aprobatoria es 12 (doce).
5. En el caso de que un alumno no rinda una práctica calificada (PC) y, por lo tanto, obtenga NS, esta es reemplazada con la
nota que se obtenga en el examen final o de rezagado. En caso de que el alumno tenga más de una práctica calificada no
rendida, solo se reemplaza la práctica calificada de mayor peso. No es necesario que el alumno realice trámite alguno para
que este remplazo se realice.

8. FUENTES DE INFORMACIÓN
Bibliografía Base:

FLOYD, THOMAS L. Dispositivos electrónicos

BOYLESTAD, ROBERT (2012) Teoría de circuitos

Bibliografía Complementaria:

CAMPANA VALDERRAMA, RENATO (2012) Los dispositivos electrónicos semiconductores

CARMEN BAONA, MANUEL BELLIDO (2010) Problemas y circuitos de sistemas

9. CRONOGRAMA DE ACTIVIDADES

Actividades y
Unidad de aprendizaje Semana Sesión Tema
evaluaciones

Unidad 1 Introducción al curso

Fundamentos de los Materiales eléctricos, materiales Ejemplos de aplicación
dispositivos electrónicos Semiconductores, bandas de energía en Silicio,
1 equilibrio térmico, portadores, concentración de
portadores en semiconductores intrínsecos.
1 Adulteración de semiconductores, dopaje tipo N
y tipo P.

Realizaremos mediante exposición y ejercicios

los fundamentos de los dispositivos Examen de entrada.
2
electrónicos. Ejercicios de aplicación

Generación y recombinación de portadores

3 Mecanismos de conducción de Ejercicios de aplicación
semiconductores-arrastre y difusión.
2
Realizaremos mediante ejercicios los
4 mecanismos de conducción de Ejercicios de aplicación
semiconductores

Resistividad y conductividad en
5 semiconductores. Ejercicios de aplicación

3
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de
6 los temas desarrollados en resistividad y Ejercicios de aplicación
conductividd en semiconductores

4 Juntura semiconductora, electrostática de

7 juntura perfiles de dopaje idealizado. Ejercicios de aplicación

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Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de

8 los temas desarrolladosen Juntura PN Ejercicios de aplicación

El diodo de juntura PN, Ecuación del diodo,

9 curvas característica del diodo, Ejercicios de aplicación

5
Practica CalificadaNo1
Practica Calificada 1
10
(Practica Calificada 1)

Diodos especiales, zener, led, aplicaciones

11 Ejemplos de aplicación

6
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de
12 los temas desarrollados. Laboratorio dirigido 1
Laboratorio Dirigido 01

Unidad 2 Circuitos equivalentes del diodo, polarización,

Circuitos con diodos y estudio 13 circuitos de conmutación, limitadores y Ejercicios de aplicación
de transistores bipolares y enclavadores de tensión.
unipolares
7
Practica Calificada No2
Practica Calificada 2
14 (Practica Calificada 2
Laboratorio)

Circuitos de rectificación con diodos,

rectificadores de media onda y onda completa, Ejercicios de aplicación
15
cálculo de valores medio y eficaz, factor de
rizado.
8
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de
los temas desarrollados. Ejemplos de aplicación
16
práctica

Filtros y reguladores, filtro a condensador,

17 cálculo de condensador y parámetros del filtro. Ejercicios de aplicación
Aplicaciones
9
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de
18 los temas desarrollados. Laboratorio dirigido 2
Laboratorio Dirigido 02

Ejercicios con circuitos con diodos y

19 rectificadores y filtros. Análisis del diseño de Ejercicios de aplicación
una Fuente DC
10
Practica Calificada No3
Practica Calificada 3
20
(Practica Calificada 3)

El Transistor Bipolar, formación y criterio de

funcionamiento, métodos de polarización Ejercicios de aplicación
21
comparación entre diferentes métodos. Rectas
de carga en continua y alterna. Aplicaciones
11
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de
los temas desarrollados. Ejemplos de aplicación
22
práctica

Aplicaciones y ejercicios del transistor bipolar

23 Ejercicios de aplicación

12
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de
24 los temas desarrollados. Laboratorio Dirigido 03
Laboratorio Dirigido 03

13 Transistor Metal oxido semiconductor –

25 MOSFET Ejercicios de aplicación
Zonas de funcionamiento, aplicaciones

https://silbia.lacafetalab.pe/syllabuses/export/439.html 4/5
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Practica Calificada 04
Practica Calificada 4
26 (Practica Calificada 4
Laboratorio)

Análisis en pequeña señal del transistor bipolar.

27 Modelo de parámetros híbridos. Cálculo de Ejercicios de aplicación
ganancias.
14
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de
los temas desarrollados para el modelamiento Ejemplos de aplicación
28
del transistor bipolar práctica

Aplicaciones del Transistor bipolar utilizando los

29 modelos para pequeña señal. Cálculo de Ejercicios de aplicación
Impedancias de entrada y Salida.
15
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de
30 los temas desarrollados. Laboratorio Dirigido 04
Laboratorio Dirigido 04
Unidad 3
Configuraciones y modelos en Amplificador Multietapa. Análisis y
31 configuraciones notables. Amplificador Cascode Ejercicios de aplicación
baja señal y frecuencia del
transistor bipolar
16
Practica Calificada No5
Practica Calificada 5
32
(Practica Calificada 5)

El amplificador Darlington – Introducción al

33 OPAM Análisis y configuración básica Ejercicios de aplicación

17
Realizaremos ejemplos y ejercicios básicos de
34 los temas desarrollados Laboratorio Dirigido 05
Laboratorio Dirigido 05

Examen Final
Examen Final Individual
18 35 (Examen Final
Individual)

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