ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA MECÁNICA,

MECÁNICA ELECTRICA Y MECATRÓNICA

Circuitos Electrónicos

TEMA: Transistor BJT

PROFESOR: Ing. Juan Diego Cáceres Huamán

GRUPO: 04

ALUMNOS: Moyna Delgado Felipe Anthony

Chuquitaype Manrique Marco Antonio
Sierra Valdivia Bryan Alonzo
Chambi Lizárraga Pablo Roberto

2019
 Transistor BJT

OBJETIVOS

Esta práctica tiene como propósito:

 Reconocer algunas de las características de los transistores BJT en sus distintas zonas de
operación.
 Obtener nociones acerca de la polarización de los transistores.

INTRODUCCION

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un
dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que
permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a
través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica
analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital. Un transistor de unión
bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una
región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose
como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores
de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal, la

unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los
portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca
recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de
operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.

PROCEDIMIENTO
Parte 1: Identificación de transistor
- Identifique los terminales del transistor BJT
- Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM. Conectar con el transistor de acuerdo
a la tabla 1. Registrar la lectura del DMM.
Terminal Rojo (+) Terminal Negro (-) Lectura del DMM
1 2 OL
2 1 0.645 V
1 3 OL
3 1 OL
 2 3 0.629
3 2 OL

- Identificar las características de Transistor en la siguiente tabla.

Terminal Base 2
Terminal Colector 3
Terminal Emisor 1
Tipo de Transistor 2N3904 K640
Material del Transistor Si
Parte 2:

- Obtener las lecturas de VCE, IB e IC empleando el multímetro, repitiendo el proceso para IB

igual a 50 µA, 75 µA y 125 µA. Grafique VCE vs IC para cada caso.
Vce = 0V Vce = 0.48V Vce = 1.07V Vce = 1.5V
Ib = 25 µA Ic = 1.45 mA 7.03 mA 7.10 mA 4.15 mA
Ib = 50 µA Ic = 1.44 mA 12.60 mA 12.77 mA 12.88 mA
Ib = 75 µA Ic = 1.44 mA 16.57 mA 17.15 mA 17.37 mA
}Ib= 125 µA Ic= 1.44 mA 19.36 mA 22.2 mA 23.3 mA
 VRC(V
IB(A) VCE(V) IC(mA) VBE(V) IE(mA)  
VRB(V) )
CALCULA MEDI CALCULA MEDI CALCULA CALCULA CALCULA
MEDIDO MEDI
DO DO DO DO DO DO DO
DO
3.3 10 2 2.21 2.203 0,664 2,213 0.915 220,3
3.3 10 4 2.25 2.243 0,663 2,263 0.995 224,5
3.3 10 6 2.31 2.307 0.668 2,517 0.995 230,3
3.3 10 8 2.35 2.343 0.661 2,353 0.995 234,3
3.3 10 10 2.39 2.388 0.659 2,392 0.995 235,3
3.3 10 12 2.44 2.433 0.657 2,443 0.995 243,3
3.3 10 14 2.49 2.482 0,654 2,492 0.995 248,3
3.3 10 16 2.53 2.588 0,658 2,532 0.916 252,3

6.6 20 2 4.52 4.506 0,680 4,526 0,995 228,3

6.6 20 4 4.6 4.580 0.680 4,606 0,996 224,3
6.6 20 6 4.71 4.608 0.678 4,716 0,996 234,3
6.6 20 8 4.82 4.806 0.675 4,926 0,996 240,3
6.6 20 10 4.94 4.985 0,678 4,945 0,996 246,3
6.6 20 12 5.04 5.025 0.675 5,045 0,996 251,3
6.6 20 14 5.17 5.154 0,672 5,174 0,996 257,3

9.9 30 2 6.7 6.8 0,692 6.820 0,996 286,7

9.9 30 4 6.91 6.889 0,689 6,919 0,996 224,7
9.9 30 6 7.08 7.059 0,685 7,029 0,996 255,3
9.9 30 8 7.27 7.248 0,680 7,213 0,996 241,6
9.9 30 10 7.48 7.458 0.676 7,488 0,996 248,6

13.2 40 2 8.95 8.953 0,567 8,993 0,996 223,3

13.2 40 4 9.13 9.1 0,568 9,143 0,996 227,3
13.2 40 6 9.48 9.459 0,568 9,492 0,996 236,3
13.2 40 8 9.82 9.791 0,684 9,851 0,996 244,3

16.5 50 2 10.42 10.859 0,707 10,937 0,996 217,3

16.5 50 4 11.3 11.256 0,703 11,516 0,996 225,3
16.5 50 6 11.69 11.655 0,695 11,205 0,996 235,3
16.5 50 8 12.15 12.114 0,688 12,164 0,996 245,3

TABLA 4
CUESTIONARIO FINAL

1. ¿Qué diferencia encuentra entre las gráficas para 25,50,75 y 125 µA?
El valor de la resistencia varía dependiendo de cuanto sea el voltaje y la intensidad
2. ¿Cuándo se dice que un transistor esta en corte? ¿se da este caso en la práctica?
Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros
terminales; se dice entonces que el transistor está en corte, es como si se tratara de un
interruptor abierto. El transistor está en saturación cuando la corriente en la base es
muy alta; en ese caso se permite la circulación de corriente entre el colector y el
emisor y el transistor se comporta como si fuera un interruptor cerrado

3. Cuando se dice que un transistor esta en saturación. ¿se logra en la práctica?

El transistor se encuentra en saturación cuando el voltaje colector emisor sea de cero
VCE=0.
4. Indique la relación entre Ic y Ib que encontró en la práctica.
El parámetro Beta de un transistor bipolar o BJT nos indica la eficiencia del transistor,
relacionando la corriente de colector con la corriente de base, cuanto mayor es el
número de Beta más eficiente es el transistor, es decir que con una corriente de base
pequeña es capaz de entregar una corriente de colector grande

CONCLUSIONES

 La corriente del colector depende de la corriente de la base.

 El transistor opera en tres estados: lineal, saturación y corte. Éstos dependen de Vce e Ic.
 Si la tensión Vce es inferior a 0,4V más cercano estará el transistor a la Zona de Saturación.
 Si la corriente Ic tiende a cero, el transistor operará en la Zona de Corte.
 El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por corriente, es decir,
una fuente de corriente que no es de valor fijo; sino que, varía produciendo más o menos
corriente en la medida en que hay más o menos corriente en la base.
 El Transistor no acumula carga: Toda la corriente que entra a él debe salir.
 El comportamiento fundamental del transistor es que genera una corriente en el colector
que es proporcional a la corriente que entra (NPN) o sale (PNP) por la base, la constante de
proporcionalidad se llama la Ganancia de Corriente de Emisor Común y se indica por
Ic
 .
Ib
 Una vez logrados los objetivos de esta práctica, sabemos que los transistores BJT pueden
operar en uno de tres modos posibles: Corte (ambas uniones polarizadas inversamente),
Activo (Unión Base-Emisor polarizada directamente y Unión Base-Colector polarizada
inversamente) y Saturación (ambas uniones polarizadas directamente).
BIBLIOGRAFÍA

[1]. N.R. Malik, Circuitos Electrónicos. Análisis, simulación y diseño, Ed. Prentice Hall, 1998,
ISBN: 84-89660-03-4.

[2]. G.W. Neudeck, El transistor bipolar de unión, Ed. Addison-Wesley Iberoamericana, 1989,
ISBN: 0-201-60143-5.

[3]. E. Muñoz Merino, Circuitos Electrónicos: Analógicos I, E.T.S. de Ingenieros de

Telecomunicación (U.P.M.), 1986, ISBN: 84-7402-066-2.

[4]. A.P. Malvino, Principios de Electrónica. Ed. Mc Graw Hill, 1996, ISBN: 84-481-1999-1.

[5]. C.J. Savant Jr., M.S. Roden, G.L. Carpenter, Diseño Electrónico: Circuitos y sistemas, Ed.
Addison-Wesley Iberoamericana, 1992, ISBN: 0-201-62925-9.

[6]. A.R. Hambley, Electrónica, Ed. Prentice Hall, 2000, ISBN: 84-205-2999-0.

[7]. M.H. Rashid, Circuitos Microelectrónicos. Análisis y Diseño. International Thomson

Editores. 2000. ISBN: 968-7529-79-2