Tarea 1 - El Estado Del Arte - Eliminación de Arónico y Control de Potencia Reactiva en La Red

MASTER EN INVESTIGACIÓN DE ENERGÍA ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA Y CONTROL INDUSTRIAL
(M-IEECI)
Máster Universitario en Investigación en

Ingeniería Eléctrica, Electrónica y Control
Industrial (M-IEECI)
ESTADO DEL ARTE:

Eliminación de armónicos y control de potencia reactiva
en la red
Sistemas Y Métodos En Electrónica De Potencia

2018-2019
Nelson Vaca
UNIVERSIDAD NACIONAL DE EDUCACIÓN A DISTANCIA
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(M-IEECI)
ÍNDICE
1. Introducción.....................................................................................................................................3
2. Fuentes que alteran el f.d.p y/o Generan armónicos ........................................................................4
2.1. Fuentes que alteran el factor de potencia................................................................................4
2.2. Fuentes que generan armónicos .............................................................................................. 4
3. Efectos .............................................................................................................................................7
3.1. Bajo Factor de Potencia ...........................................................................................................7
3.2. Armónicos ...............................................................................................................................7
4. Corrección de f.d.p. ..........................................................................................................................9
4.1. Tipos de corrección del f.d.p ....................................................................................................9
4.2. Medios comunes de corrección de f.d.p. ...............................................................................10
5. Filtro de Armónicos ........................................................................................................................12
6. Elementos usados ..........................................................................................................................14
6.1. Tiristor ...................................................................................................................................14
6.1.1. Funcionamiento básico .................................................................................................14
6.1.2. Formas de activación de un tiristor ...............................................................................15
6.2. IGBT.......................................................................................................................................15
6.2.1. Características ...............................................................................................................16
6.3. MOSFET .................................................................................................................................16
6.3.1. Símbolos de transistores MOSFET .................................................................................17
6.3.2. Funcionamiento ............................................................................................................18
6.3.3. Modos de operación .....................................................................................................18
6.4. BJT .........................................................................................................................................19
6.4.1. Principio de Funcionamiento .........................................................................................19
6.4.2. Control de tensión y carga de corriente.........................................................................20
7. Dispositivos FACTS .........................................................................................................................21
7.1. Compensación en paralelo ....................................................................................................21
7.2. Compensación en Serie .........................................................................................................22
8. Compensador estático síncrono .....................................................................................................23
9. Compensador estático VAR (SCV) ...................................................................................................24
10. Controlador de Flujo de Potencia Unificado ...............................................................................26
11. Conclusiones ..............................................................................................................................27
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1. INTRODUCCIÓN
Todos los aparatos electrónicos que utilizan energía eléctrica para la transformación de esta en diferentes
tipos de energía, ya sea calorífica, lumínica, cinética, sonora, etc. Utilizan en su mayoría la corriente
alterna, corriente que tuvo sus inicios en el año 1882, cuando el físico, matemático, inventor e ingeniero
Nikola Tesla diseña y construye el primer motor de corriente Alterna (C.A.) y para el año de 1885 reutiliza
este diseño para crear lo que se conocería como transformador de CA.
Con esto se empieza el proceso de reemplazar la corriente continua con alterna, esta corriente tiene una
componente fundamental con una forma de onda característica, una frecuencia y una amplitud que
podían variar de sentido o polaridad en el tiempo.
La forma de onda más comúnmente utilizada es la sinusoidal, producida por el movimiento de un campo
electromagnético de CC rodeado de bobinas en los generadores de corriente alterna. Al aumentar el uso
de la CA en casi todos los procesos cotidianos ya sea de hogares o industriales se empezó a evidenciar
ciertos problemas ya sea al extender las líneas o al agregar o disminuir tipos de cargas, unos de los
problemas mas frecuentes y que prácticamente inició a la par de la utilización de CA, es el factor de
potencia.
El factor de potencia de un circuito de corriente alterna viene dado con la relación de la potencia activa(P)
sobre la potencia aparente(S), es una medida que indica la capacidad de una carga de absorber potencia
activa.
𝑃
𝑓. 𝑑. 𝑝. =
𝑆
Con esto se determina que un factor de potencia adelantado significa que la corriente adelanta a la
tensión lo que implica carga capacitiva y lo contrario indicaría una carga inductiva, que es la más comuna
nivel residencial y una parte de industrial, ya que en su mayoría se puede hablar de cargas lineales.
A esto con el ingreso de diferentes cargas, especialmente electrónicas, y luego con la llegada de la
electrónica de potencia, se tiene un nuevo problema, que son las cargas no lineales, es decir existe una
distorsión en la forma sinusoidal. Dando con esto resultante de los llamados armónicos.
Estos armónicos dan lugar a una nueva componente de potencia denominada distorsión (D), alterando
los cálculos y dando forma a nuevas técnicas para logar corregir los problemas causados.
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2. FUENTES QUE ALTERAN EL F.D.P Y/O GENERAN ARMÓNICOS
2.1. FUENTES QUE ALTERAN EL FACTOR DE POTENCI A
El valor del factor de potencia viene determinado por el tipo de cargas que se tiene conectadas en la red,
de acuerdo con su definición el factor de potencia es adimensional y puede tomar valores entre 0 y
1(𝐶𝑜𝑠(𝜑)), esto puede aplicarse para cargas lineales como para cargas no lineales.
Circuito resistivo. - En un circuito resistivo puro recorrido por corriente alterna, la corriente y la
tensión están en fase (𝜑 = 0), es decir cambian de polaridad en el mismo
instante en cada fase del ciclo, dando como resultante un f.d.p =1.
Circuito inductivo. - En las cargas inductivas como motores o transformadores se genera un retraso
de la corriente con respecto de la tensión, gran parte de las cargas industriales
son cargas inductivas, en cargas puramente inductivas se tiene un retraso de
90˚ (𝜑 = 1).
Circuito inductivo. - En las cargas capacitivas como líneas de transmisión o bancos de capacitores,
la corriente adelanta al voltaje, en cargas puramente capacitivas se tiene un
adelanto de 90˚ (𝜑 = 1).
2.2. FUENTES QUE GENERAN ARMÓNICOS
Las perturbaciones armónicas son un fenómeno que causa problemas tanto a los usuarios como a la
empresa generadora de energía eléctrica. Los armónicos son tensiones o corrientes sinusoidales con una
frecuencia que es un múltiplo entero (k) de la frecuencia fundamental de la forma de onda. Cuando los
armónicos se combinan con la forma de onda de la corriente o la tensión fundamental, estas se ven
distorsionadas(Figura 1).
Figura 1
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Los armónicos son el resultado de cargas no lineales, las cuales ante una señal de tipo sinusoidal presentan
una respuesta no sinusoidal mezclándose para una onda resultante como la figura 1.
Como las fuentes más comunes tenemos los siguientes casos:
Elemento de descarga de arco.- Como hornos de arco, luces fluorescentes, etc. Se consideran
generadores de armónico de voltaje y pueden contener en su mayoría componentes impares de la
fundamental (3°, 5°, 7°, 9°).
Núcleos magnéticos.- Usados en transformadores y máquinas rotativas que requieren corrientes del
tercer armónico para la excitación del hierro.
Corrientes In Rush.- Es la corriente para energizar los transformadores, mucho más apreciable entre más
grande sea el elemento de potencia y produce 2° y 4° armónico de corriente.
Elementos de control de velocidad.- Como variadores de frecuencia utilizados para el arranque y

funcionamiento de ventiladores, bombas y control de procesos como levas electrónicas, etc.
Switches de estado sólido.- SSR, SCR, transistores, etc. Ya que modulan corrientes para el control de
intensidades de consumo y control
Fuentes.- Fuentes con conversores AC/DC, las cuales modifican la onda para el uso en equipos
electrónicos.
Rectificadores.- Con el uso de diodos o tiristores para sueldas eléctricas, cargadores, etc.
Compensadores.- Estáticos de potencia reactiva.
Otros.- Estaciones DC para transmisión de altos voltajes.
Ejemplo de estas fuentes de armónicos es un rectificador de 6 puntos (Figura 2):
Figura 2
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Este circuito causa una forma de onda de corriente característica (Figura 3)
Figura 3
A continuación podemos apreciar las fórmulas para encontrar los armónicos de las ondas más comunes
en los sistemas de potencia, industriales y residenciales.
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3. EFECTOS
3.1. BAJO FACTOR DE POTENCIA
 Un bajo factor de potencia pude significar que para una misma potencia activa P, se debe inyectar
una mayor potencia S, es decir, una mayor corriente lo que decanta en tener que utilizar un
cable de mayor sección para poder transportar esa corriente.
 Por la misma razón puede causar pérdidas en los conductores al aumentar la temperatura de los
mismos, reducir la vida útil, además de causar caídas de tensión.
 Aumento del costo de la factura eléctrica.
 A nivel de la empresa distribuidora de energía deriva en mayor inversión para adquirir generación
y líneas de transmisión que puedan generar y transportar esa energía extra demandada.
3.2. ARMÓNICOS
La presencia de armónicos en las redes puede tener los siguientes efectos generales:
 Resonancia.- Cuando la distorsión armónica en la línea alcanza valores elevados existiendo

problemas de resonancia entre los elementos de corrección (banco de capacitores) y la
inductancia equivalente de la red, esto nos lleva a hablar de un circuito resonante.
 Sobrecargas.- Al provocar un funcionamiento anómalo en los aparatos eléctricos se producen
sobrecargas, ciertos armónicos especialmente los 3n° producen sobrecargar en el hilo de neutro.
En el caso de equipos la presencia de armónicos tiene los siguientes efectos:
 Efectos sobre los cables.- Al tratarse de conductores circulares la corriente alterna, a medida que
la frecuencia aumenta, se pronuncia más la no uniformidad de la distribución de corriente.
La densidad de corriente aumenta del centro a la superficie, es decir, que en corrientes alternas,
se induce mayor flujo magnético en el centro del conductor causando que se induzca más voltaje
en el centro que en las capas externas (efecto skin).
En la figura 4 se puede apreciar los efectos de la relación de la resistencia en ac sobre la
resistencia dc para algunos calibres de conductores cuando aumenta la frecuencia
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Figura 4
 Efectos sobre los transformadores.- Casi en su totalidad los transformadores están diseñados
para trabajar con 50 o 60 Hz de frecuencia nominal, es decir que de no alterarse esta frecuencia
el transformador está diseñado para disipar el calor producido por las pérdidas internas sin que
esto altere su vida útil.
o En el caso de pérdidas en el núcleo, al someterse a voltajes con forma de onda diferente
a la sinusoidal, estas tienden a aumentar.
o Para las pérdidas en el cobre al depender de la corriente entonces al contener
armónicos estas aumentan debido al efecto skin.
o En el caso de pérdidas por corrientes de Eddy, al depender estas en la frecuencia
fundamental y ser proporcionales al cuadrado de la corriente de carga, aumentan en los
devanados y también su temperatura.
o
 Efectos en capacitores.- En el caso de conectar capacitores a la red, y estos ser sometidos a una
frecuencia mayor de la de diseño, su reactancia disminuye, esto puede aumentar el esfuerzo
dieléctrico y la temperatura interna del capacitor, causando disminución de su vida útil por fatiga
del dieléctrico.
 Efecto sobre los motores.- Para las máquinas rotativas síncronas y motores de inducción, los
armónicos de voltaje causan calentamiento, principalmente debido al aumento en las pérdidas
en el cobre y en el hierro.
Los armónicos de corriente pueden causar el aumento de ruidos causando adicionalmente una
aceleración en el arranque o un alto deslizamiento para motores de inducción, de darse
armónicos en pareja como por ejemplo el 5° y el 7°, se podrían tener problemas mecánicos, ya
que pueden causar oscilaciones en el torque debido a una interacción entre la corriente
fundamental y las corrientes armónicas.
Ya que debido a la interacción de estas corrientes se ve afectado el flujo giratorio de la máquina,
se causa un aumento en la corriente necesaria para realizar el mismo trabajo.
 Efectos en otros equipos.- Todos los equipos electrónicos son susceptibles a una operación
incorrecta a causa de los armónicos, en lo que respecta a equipos de medición, estos se ven más
afectados en el caso de tener condiciones de resonancia.
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4. CORRECCIÓN DE F.D.P.
4.1. TIPOS DE CORRECCIÓN DEL F.D.P
Para sacar el máximo rendimiento a una corrección del factor de potencia se debe determinar la posición
en donde va a estar instalado el método de corrección.
Dependiendo de la ubicación los tipos de corrección se pueden clasificar:
Corrección distribuida.- Se realiza conectando una batería de condensadores correctamente

dimensionada a cada uno de los elementos que necesita de esa potencia reactiva (maquinas rotativas).
Figura 5
Corrección por grupos.- Funciona de igual manera que la corrección distribuida pero agrupa equipos con
características y funcionamiento similares al momento de aplicar la corrección.
Figura 6
Corrección centralizada.- En las localidades donde todas sus cargar tiene un comportamiento establecido
y funcionan simultáneamente, dependiendo de la cantidad de equipos la corrección distribuida resulta
muy costosa para lo que se utiliza la corrección centralizada.
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Figura 7
Corrección mixta.- Esta es la resultante de la mezcla entre la corrección centralizada y la distribuida,

dependiendo de la cantidad de equipos y factor de utilización de los mismos.
Corrección automática.- Cuando en las instalaciones no se tiene una constante absorción de potencia
reactiva, se emplean sistemas de corrección automática, estos sistemas comúnmente se componen de
los siguientes elementos:
 Sensores para detectar las corrientes y las tensiones del sistema.

 Unidad de control inteligente para comparar el set-point de f.d.p. deseado con el medido y
ejecutar la inserción de un componente de potencia reactiva (banco de capacitores).
 Cuadro eléctrico de potencia, incluye elementos de maniobra y protecciones.
 Bancos de capacitores.
4.2. MEDIOS COMUNES DE CORRECCIÓN DE F.D.P.
Alternadores síncronos.- Son las principales máquinas rotativas utilizadas para la generación de energía
eléctrica, y, al actuar sobre la excitación de la máquina es posible producir variaciones en el valor generado
y con ello regular las aportaciones de potencia reactiva a la red.
Compensadores síncronos.- Son motores síncronos que se conectan en vacío en sincronismo con la red
para absorber o proporcionar los reactivos necesarios dependiendo del estado de la excitación.
Compensadores estáticos.- Con el avance de la electrónica de potencia se favorece la sustitución de los

compensadores síncronos por compensadores estáticos como por ejemplo los TSC (thyristor switched
capacitor) y TSR (thyristor switched reactor), permitiendo con esto el control escalonado de la potencia
reactiva suministrada o absorbida por los equipos.
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Figura 8
Figura 9
Con la instalación de TSC o TCR es posible llevar a cabo una regulación modulación con continuidad de la
potencia reactiva producida o absorbida. Como contraparte y por el costo estos equipos se usan sobre
todo en redes de alta y muy alta tensión.
Baterías de condensadores estáticos.- El condensador es un bipolo pasivo constituido por dos placas
conductoras separadas por un elemento dieléctrico, el uso de los compensadores para la corrección de
f.d.p. esta ampliamente distribuido, siendo vistos desde redes de voltajes altos como sub estaciones de
transmisión hasta redes industriales y residenciales.
Las principales magnitudes que caracterizan a un condenador son:
 Capacidad nominal.
 Potencia nominal.
 Voltaje nominal.
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5. FILTRO DE ARMÓNICOS
Se suele utilizar un conjunto de inductores junto con los bancos de capacitores para realizar el filtrado de
armónicos en una red, teniendo en cuenta que para evitar resonancias se utiliza un inductor en serie con
el banco de capacitores correctamente dimensionados y con esto eliminar el armónico objetivo.
Figura 10
Figura 11
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Filtro pasivo.- Se denomina filtro pasivo al elemento compuesto por un condensador en serie con un
inductor y su función es la de igualar la frecuencia de resonancia total a la frecuencia de resonancia del
armónico que se desea eliminar. Estos filtros se diseñan específicamente para el armónico que se desea
eliminar.
Filtro activo.- El filtro activo de armónicos, gracias a los avances realizados en la electrónica de potencia
y con un elemento de control, permite, luego de realizar cálculos con las medidas de entrada
proporcionadas por los sensores, determinar la corriente armónica de la carga y genera las señales de
orden de acuerdo a los armónicos presentes. Las aplicaciones típicas de los compensadores activos es que
se encuentran instalados en bajo y media potencia (sector industrial).
Figura 12
Filtro mixto.- Esta clase de filtro utiliza tanto como filtros pasivos como filtros activos, luego de un estudio
de la dinámica de la red se determina la frecuencia armónica predominante para con esto determinar la
magnitud del filtro pasivo y el resto de armónicos son tratados por el filtro activo, con esto reduciendo el
tamaño de la instalación y el precio.
Figura 13
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6. ELEMENTOS USADOS
6.1. TIRISTOR
El tiristores una familia de componentes electrónicos constituido por elementos semiconductores que
utiliza realimentación interna para producir una conmutación. Los materiales de los que se compone son
de tipo semiconductor, es decir, dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar
como aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales (SCR) o bidireccionales (Triac) o
(DIAC). Se emplea generalmente para el control de potencia eléctrica.
Figura 14
6.1.1. FUNCIONAMIENTO BÁSIC O
El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrónico de los interruptores

mecánicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por completo el paso de la corriente
sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de soportar grandes sobrecargas de corriente.
Este principio básico puede observarse también en el diodo Shockley.
El diseño del tiristor permite que éste pase rápidamente a encendido al recibir un pulso momentáneo de
corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en inglés, gate) cuando hay una tensión
positiva entre ánodo y cátodo, es decir la tensión en el ánodo es mayor que en el cátodo. Solo puede ser
apagado con la interrupción de la fuente de tensión, abriendo el circuito, o bien, haciendo pasar una
corriente en sentido inverso por el dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existirá una débil
corriente inversa de fugas hasta que se alcance el punto de tensión inversa máxima, provocándose la
destrucción del elemento (por avalancha en la unión).
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Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una corriente de
enganche positiva en el ánodo, y además debe haber una pequeña corriente en la puerta capaz de
provocar una ruptura por avalancha en la unión J2 para hacer que el dispositivo conduzca. Para que el
dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el ánodo una corriente de sostenimiento, mucho
menor que la de enganche, sin la cual el dispositivo dejaría de conducir.
A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se puede controlar así la
tensión necesaria entre ánodo y cátodo para la transición OFF -> ON, usando la corriente de puerta
adecuada (la tensión entre ánodo y cátodo dependen directamente de la tensión de puerta pero
solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor sea la corriente suministrada al circuito de puerta IG
(intensidad de puerta), tanto menor será la tensión ánodo-cátodo necesaria para que el tiristor conduzca.
También se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad de puerta y la tensión
ánodo-cátodo es mayor que la tensión de bloqueo.
6.1.2. FORMAS DE ACTIVACIÓN DE UN TIRISTOR
Luz.-Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo silicio, el número de pares
electrón-hueco aumentará pudiéndose activar el tiristor.
Corriente de Puerta.- Para un tiristor polarizado en directa, la inyección de una corriente de puerta al
aplicar un voltaje positivo entre puerta y cátodo lo activará. Si aumenta esta corriente de puerta,
disminuirá el voltaje de bloqueo directo, revirtiendo en la activación del dispositivo.
Térmica.- Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del número de pares electrón-
hueco, por lo que aumentarán las corrientes de fuga, con lo cual al aumentar la diferencia entre ánodo y
cátodo, y gracias a la acción regenerativa, esta corriente puede llegar a ser 1, y el tiristor puede activarse.
Este tipo de activación podría comprender una fuga térmica, normalmente cuando en un diseño se
establece este método como método de activación, esta fuga tiende a evitarse.
Alto Voltaje.- Si el voltaje directo desde el ánodo hacia el cátodo es mayor que el voltaje de ruptura
directo, se creará una corriente de fuga lo suficientemente grande para que se inicie la activación con
retroalimentación. Normalmente este tipo de activación puede dañar el dispositivo, hasta el punto de
destruirlo.
Elevación del voltaje ánodo-cátodo.- Si la velocidad en la elevación de este voltaje es lo suficientemente

alta, entonces la corriente de las uniones puede ser suficiente para activar el tiristor. Este método también
puede dañar el dispositivo.
6.2. IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo semiconductor que se aplica como
interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características
de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo
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voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control
y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como
el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular
en los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de
potencia, domótica y Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.
Figura 15
6.2.1. CARACTERÍSTICAS
El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 kHz y ha sustituido al BJT
en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y media energía como fuente conmutada,
control de la tracción en motores y cocina de inducción. Grandes módulos de IGBT consisten en muchos
dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios
con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de manejo de
corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conducción. Sin
embargo las corrientes transitorias de conmutación de la base pueden ser igualmente altas. En
aplicaciones de electrónica de potencia es intermedio entre los tiristores y los MOSFET. Maneja más
potencia que los segundos siendo más lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es
de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de
entrada muy débil en la puerta.
6.3. MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) es un transistor utilizado para

amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica,
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ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular
en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en
transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenador (D, Drain), puerta
(G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al
terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales.
Figura 16
El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el aluminio que fue el material
de la puerta hasta mediados de 1970 fue sustituido por el silicio policristalino debido a su capacidad de
formar puertas auto-alineadas. Las puertas metálicas están volviendo a ganar popularidad, dada la
dificultad de incrementar la velocidad de operación de los transistores sin utilizar componentes metálicos
en la puerta. De manera similar, el 'óxido' utilizado como aislante en la puerta también se ha reemplazado
por otros materiales con el propósito de obtener canales fuertes con la aplicación de tensiones más
pequeñas.
Un transistor de efecto de campo de puerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un

término relacionado que es equivalente a un MOSFET. El término IGFET es más inclusivo, ya que muchos
transistores MOSFET utilizan una puerta que no es metálica, y un aislante de puerta que no es un óxido.
Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-aislante-
semiconductor (Metal-insulator-semiconductor field-effect transistor).
6.3.1. SÍMBOLOS DE TRANSISTORES MOSFET
Figura 17
17
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6.3.2. FUNCIONAMIENTO
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los primeros son los
MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creación de un canal entre el drenador y la fuente,
al aplicar una tensión en la puerta. La tensión de la puerta atrae portadores minoritarios hacia el canal,
de manera que se forma una región de inversión, es decir, una región con dopado opuesto al que tenía el
sustrato originalmente. El término enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad
eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la región correspondiente al
canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentración de electrones (en un nMOSFET o
NMOS), o huecos (en un pMOSFET o PMOS). De este modo un transistor NMOS se construye con un
sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato
tipo n y tiene un canal de tipo p.
Los MOSFET de empobrecimiento o deplexión tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se
debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica en la puerta, lo cual ocasiona una
disminución de la cantidad de portadores de carga y una disminución respectiva de la conductividad.
6.3.3. MODOS DE OPERACIÓN

Corte.- De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región el dispositivo se encuentra apagado.
No hay conducción entre la fuente y el drenador, de modo que el MOSFET se comporta como un
interruptor abierto.
Región lineal u óhmica.- Al polarizarse la puerta con una tensión mayor que la tensión de umbral, se crea
una región de agotamiento en la región que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo
suficiente, aparecerán portadores minoritarios (huecos en PMOS, electrones en NMOS) en la región de
agotamiento, que darán lugar a un canal de conducción. El transistor pasa entonces a estado de
conducción, de modo que una diferencia de potencial entre drenador y fuente dará lugar a una corriente.
El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión de puerta.
Saturación o activa.- Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de
conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del drenador y desaparece. La
corriente que entra por el drenador y sale por la fuente no se interrumpe, ya que es debida al campo
eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
Figura 18
18
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6.4. BJT
El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de
controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y
electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Figura 19
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica
analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o
BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor,
separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
 Emisor.- que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como
un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
 Base.- la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector.- de extensión mucho mayor.
6.4.1. PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-colector en

inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de
potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo compartida. En una
operación típica, la unión base-emisor está polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada
en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-
emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente de la
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región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la

región de la base. Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta concentración
cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana al colector. Estos electrones en la base
son llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P, los cuales generan
"huecos" como portadores mayoritarios en la base.
La región de la base en un transistor debe ser constructivamente delgada, para que los portadores puedan
difundirse a través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario del
semiconductor, para minimizar el porcentaje de portadores que se recombinan antes de alcanzar la unión
base-colector. El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones.
6.4.2. CONTROL DE TENSIÓN Y CARGA DE CORRIENTE
La corriente colector-emisor puede ser vista como controlada por la corriente base-emisor (control de
corriente), o por la tensión base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relación tensión-corriente
de la unión base-emisor, la cual es la curva tensión-corriente exponencial usual de una unión PN (es decir,
un diodo).
En el diseño de circuitos analógicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente

lineal. Esto significa que la corriente de colector es aproximadamente β veces la corriente de la base.
Algunos circuitos pueden ser diseñados asumiendo que la tensión base-emisor es aproximadamente
constante, y que la corriente de colector es β veces la corriente de la base. No obstante, para diseñar
circuitos utilizando BJT con precisión y confiabilidad, se requiere el uso de modelos matemáticos del
transistor como el modelo Ebers-Moll.
Figura 20
20
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7. DISPOSITIVOS FACTS
Un sistema de transmisión de corriente flexible alterna (FACTS) es un sistema compuesto de equipos

estáticos utilizado para la AC de transmisión de energía eléctrica. Está destinado a mejorar la capacidad
de control y aumentar la capacidad de transferencia de potencia de la red Y Generalmente es un sistema
basado en electrónica de potencia.
El IEEE define FACTS como "un sistema electrónico de potencia y otro equipo estático que proporciona el
control de uno o más parámetros del sistema de transmisión de CA para mejorar la capacidad de control
y aumentar la capacidad de transferencia de potencia".
Las diferentes tecnologías de compensación son las siguientes:
7.1. COMPENSACIÓN EN PARALELO
En la compensación de derivación, el sistema de alimentación está conectado en derivación (paralelo) con

los equipos FACTS. Funciona como una fuente de corriente controlable y la compensación de la derivación
es de dos tipos:
 Compensación capacitiva de derivación.- Este método se utiliza para mejorar el factor de

potencia. Cada vez que se conecta una carga inductiva a la línea de transmisión, el factor de
potencia se retrasa debido a una corriente de carga retrasada. Para compensar, se conecta un
condensador de derivación que extrae la corriente que conduce al voltaje de la fuente. El
resultado neto es la mejora en el factor de potencia.
 Compensación inductiva shunt.- Este método se utiliza para cargar la línea de transmisión o
cuando hay una carga muy baja en el extremo receptor. Debido a la muy baja o sin carga, la
corriente muy baja fluye a través de la línea de transmisión. La capacitancia de derivación en la
línea de transmisión causa amplificación de voltaje (efecto Ferranti). La tensión final de recepción
puede duplicar la tensión final de envío (generalmente en el caso de líneas de transmisión muy
largas). Para compensar, los inductores de derivación están conectados a través de la línea de
transmisión. Por lo tanto, la capacidad de transferencia de potencia aumenta según la ecuación
de potencia
Ejemplos de compensación en paralelo:
 Compensador estático síncrono (STATCOM); anteriormente conocido como un condensador

estático (STATCON)
 Compensador de VAR estático (SVC). Las SVC más comunes son:
o Reactor controlado por tiristor (TCR): el reactor está conectado en serie con una válvula
de tiristor bidireccional. La válvula del tiristor es de fase controlada. La reactancia
equivalente se varía continuamente.
o Reactor conmutado por tiristor (TSR): Igual que el TCR, pero el tiristor está en cero o en
conducción completa. La reactancia equivalente se varía de manera gradual.
o Condensador de conmutación de tiristores (TSC): el condensador está conectado en
serie con una válvula de tiristor bidireccional. El tiristor está en conducción cero o total.
La reactancia equivalente se varía de manera gradual.
o Condensador de conmutación mecánica (MSC): el capacitor se conmuta mediante un
interruptor automático. Su objetivo es compensar la potencia reactiva en estado
estacionario. Se cambia solo unas pocas veces al día.
21
(M-IEECI)
7.2. COMPENSACIÓN EN SERI E
Los FACTS para la compensación en serie modifican la impedancia de la línea: X se reduce para aumentar
la potencia activa transmisible. Sin embargo, se debe proporcionar más potencia reactiva.
Ejemplos de compensación en serie:
 Compensador de serie síncrona estática (SSSC)

 Condensador en serie controlado por tiristor (TCSC): un banco de capacitores en serie se desvía
por un reactor controlado por tiristor
 Reactor en serie controlado por tiristores (TCSR): un banco de reactores en serie se desvía por
un reactor controlado por tiristores
 Condensador de serie conmutado por tiristores (TSSC): un banco de condensadores en serie se
desvía por un reactor conmutado por tiristor
 Reactor en serie con conmutador de tiristores (TSSR): un banco de reactores en serie se desvía
por un reactor con conmutador de tiristores
Figura 21
22
(M-IEECI)
8. COMPENSADOR ESTÁTICO SÍNCRONO
Un compensador estático síncrono (STATCOM), también conocido como condensador estático síncrono
(STATCON), es un dispositivo de regulación usado en redes de transmisión de electricidad de corriente
alterna. Se basa en un convertidor de fuente de voltaje de la electrónica de potencia y puede actuar como
una fuente o sumidero de alimentación de CA reactiva a una red eléctrica. Si está conectado a una fuente
de alimentación, también puede proporcionar alimentación de CA activa. Es un miembro de la familia de
dispositivos FACTS. Es inherentemente modular y elegible, estos compensadores también se pueden usar
para reducir las fluctuaciones de voltaje.
Un STATCOM es un dispositivo basado en convertidor de fuente de voltaje (VSC), con la fuente de voltaje
detrás de un reactor. La fuente de voltaje se crea a partir de un condensador de CC y, por lo tanto, un
STATCOM tiene muy poca capacidad de potencia activa. Sin embargo, su capacidad de potencia activa
puede aumentarse si se conecta un dispositivo de almacenamiento de energía adecuado a través del
condensador de CC. La potencia reactiva en los terminales del STATCOM depende de la amplitud de la
fuente de voltaje. Por ejemplo, si el voltaje del terminal del VSC es más alto que el voltaje de CA en el
punto de conexión, el STATCOM genera una corriente reactiva; a la inversa, cuando la amplitud de la
fuente de tensión es menor que la tensión de CA, ésta absorbe la potencia reactiva. El tiempo de respuesta
de un STATCOM es más corto que el de un compensador estático VAR (SVC), principalmente debido a los
rápidos tiempos de conmutación proporcionados por los IGBT del convertidor de fuente de voltaje. El
STATCOM también proporciona un mejor soporte de potencia reactiva a bajos voltajes de CA que un SVC,
ya que la potencia reactiva de un STATCOM disminuye linealmente con el voltaje de CA (ya que la corriente
se puede mantener en el valor nominal incluso a bajo voltaje de CA).
Figura 22
23
(M-IEECI)
9. COMPENSADOR ESTÁTICO VAR (SCV)
Un compensador estático VAR o SVC por sus siglas en ingles es un conjunto de dispositivos eléctricos para
proporcionar energía reactiva de acción rápida en redes de transmisión de electricidad de alto voltaje. Los
SVC forman parte de la familia de dispositivos del sistema de transmisión de CA flexible, que regulan la
tensión, el factor de potencia, los armónicos y la estabilización del sistema. Un compensador estático VAR
no tiene partes móviles significativas (que no sean interruptores internos). Antes de la invención del SVC,
la compensación del factor de potencia estaba reservada a las grandes máquinas rotativas, como los
condensadores síncronos o los bancos de condensadores conmutados.
Figura 23
El SVC es un dispositivo de adaptación de impedancia automatizado, diseñado para acercar el sistema al

factor de potencia de la unidad. Los SVC se utilizan en dos situaciones principales:
 Conectado al sistema de potencia, para regular el voltaje de transmisión ("Transmisión SVC")

 Conectado cerca de grandes cargas industriales, para mejorar la calidad de la energía ("Industrial
SVC")
En aplicaciones de transmisión, el SVC se utiliza para regular el voltaje de la red. Si la carga reactiva del
sistema de energía es capacitiva (líder), el SVC utilizará reactores controlados por tiristores para consumir
24
(M-IEECI)
VAR del sistema, lo que reducirá la tensión del sistema. En condiciones inductivas (retrasadas), los bancos
de condensadores se conectan automáticamente, lo que proporciona un voltaje del sistema más alto. Al
conectar el reactor controlado por tiristores, que es continuamente variable, junto con un paso en el
banco de capacitores, el resultado neto es una potencia continua o variable.
En aplicaciones industriales, los SVC suelen colocarse cerca de altas cargas que varían rápidamente, como
los hornos de arco, donde pueden suavizar el voltaje flicker.
Por medio de la modulación de ángulo de fase conmutada por los tiristores, el reactor puede conmutarse
de manera variable en el circuito y así proporcionar una inyección (o absorción) de VAR continuamente
variable a la red eléctrica. En esta configuración, los condensadores proporcionan un control de voltaje
grueso; El reactor controlado por tiristor es para proporcionar un control suave. Se puede proporcionar
un control más suave y más flexibilidad con la conmutación de capacitores controlada por tiristores.
Los tiristores son controlados electrónicamente. Los tiristores, como todos los semiconductores, generan
calor y el agua des ionizada se usa comúnmente para enfriarlos. Al cortar la carga reactiva en el circuito
de esta manera se inyectan armónicos de orden impar no deseados y, por lo tanto, generalmente se
proporcionan bancos de filtros de alta potencia para suavizar la forma de onda. Como los propios filtros
son capacitivos, también exportan MVAR al sistema de energía.
25
(M-IEECI)
10. CONTROLADOR DE FLUJO DE POTENCIA UNIFICADO
Un dispositivo eléctrico de controlador de flujo de potencia unificado para proporcionar compensación

de potencia reactiva de acción rápida en redes de transmisión de electricidad de alto voltaje. Utiliza un
par de puentes controlables trifásicos para producir la corriente que se inyecta en una línea de transmisión
utilizando un transformador en serie. El controlador puede controlar los flujos de potencia activa y
reactiva en una línea de transmisión.
Figura 24
El Controlador Unificado de Flujo de Potencia (UPFC), como representante de la tercera generación de

dispositivos FACTS , es, con mucho, el dispositivo FACTS más completo , en el estado estable del sistema
de energía puede implementar la regulación del flujo de potencia, controlando razonablemente la
potencia activa de la línea y potencia reactiva, mejora la capacidad de transmisión del sistema de potencia,
y en estado transitorio del sistema de potencia puede realizar una compensación de potencia reactiva de
acción rápida, soportando dinámicamente la tensión en el punto de acceso y mejorando la estabilidad de
la tensión del sistema, además, puede mejorar la amortiguación de la Sistema y estabilidad del ángulo de
potencia.
El UPFC utiliza dispositivos de estado sólido, que proporcionan flexibilidad funcional, generalmente no
alcanzable por los sistemas convencionales controlados por tiristores. El UPFC es una combinación de un
compensador estático síncrono (STATCOM) y un compensador estático síncrono en serie (SSSC) acoplado
a través de un enlace de voltaje de CC común.
La principal ventaja de la UPFC es el control de los flujos de potencia activa y reactiva en la línea de
transmisión. Si hay alguna perturbación o falla en el lado de la fuente, la UPFC no funcionará. La UPFC
funciona solo bajo una fuente de onda sinusoidal balanceada. Los parámetros controlables de la UPFC son
la reactancia en la línea, el ángulo de fase y el voltaje. El concepto UPFC fue descrito en 1995 por L. Gyugyi
de Westinghouse. La UPFC permite una función secundaria pero importante, como el control de
estabilidad, para suprimir las oscilaciones del sistema eléctrico, mejorando la estabilidad transitoria del
sistema eléctrico.
26
(M-IEECI)
11. CONCLUSIONES
 Tanto la corrección del f.d.p como los filtros de armónicos se pueden encontrar en todos los
niveles de potencia (alta, media y baja) cubriendo el espectro de cargas industriales y
residenciales, además de la transmisión de energía.
 Los avances en la electrónica de potencia causaron un cambio drástico en la forma en la cual se
realizan las correcciones y filtrados, es así que elementos considerados como válvulas pueden
regular con el mismo banco de capacitores o reactores diferentes necesidades de energía
reactiva.
 Para sistemas de líneas de transmisión se cuenta con elementos complejos, que combinan
elementos fijos y automáticos ya sea controlados in situ o a distancia, con esto se puede regular
la energía reactiva transmitida y los efectos de la misma en la línea.
 La corrección de factor de potencia causa un ahorro económico a varios niveles (residencia,
industrial, transmisión de energía y generación) ya que tanto al momento de facturar como al
momento de transmitir la energía se tiene una disminución.
 En puntos críticos los armónicos causados pueden llegar a ser muy dañinos no solo
eléctricamente, ya que una suma de los armónicos adecuados causaría problemas mecánicos y
podría causar daños irreparables especialmente en máquinas rotativas.
27

Tarea 1 - El Estado Del Arte - Eliminación de Arónico y Control de Potencia Reactiva en La Red

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MASTER EN INVESTIGACIÓN DE ENERGÍA ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA Y CONTROL INDUSTRIAL

Máster Universitario en Investigación en

ESTADO DEL ARTE:

Sistemas Y Métodos En Electrónica De Potencia

UNIVERSIDAD NACIONAL DE EDUCACIÓN A DISTANCIA

2. FUENTES QUE ALTERAN EL F.D.P Y/O GENERAN ARMÓNICOS

2.1. FUENTES QUE ALTERAN EL FACTOR DE POTENCI A

2.2. FUENTES QUE GENERAN ARMÓNICOS

Como las fuentes más comunes tenemos los siguientes casos:

Elementos de control de velocidad.- Como variadores de frecuencia utilizados para el arranque y

Compensadores.- Estáticos de potencia reactiva.

Otros.- Estaciones DC para transmisión de altos voltajes.

Ejemplo de estas fuentes de armónicos es un rectificador de 6 puntos (Figura 2):

Este circuito causa una forma de onda de corriente característica (Figura 3)

3.1. BAJO FACTOR DE POTENCIA

 Resonancia.- Cuando la distorsión armónica en la línea alcanza valores elevados existiendo

En el caso de equipos la presencia de armónicos tiene los siguientes efectos:

4.1. TIPOS DE CORRECCIÓN DEL F.D.P

Dependiendo de la ubicación los tipos de corrección se pueden clasificar:

Corrección distribuida.- Se realiza conectando una batería de condensadores correctamente

Corrección mixta.- Esta es la resultante de la mezcla entre la corrección centralizada y la distribuida,

 Sensores para detectar las corrientes y las tensiones del sistema.

4.2. MEDIOS COMUNES DE CORRECCIÓN DE F.D.P.

Compensadores estáticos.- Con el avance de la electrónica de potencia se favorece la sustitución de los

Las principales magnitudes que caracterizan a un condenador son:

6.1.1. FUNCIONAMIENTO BÁSIC O

El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrónico de los interruptores

6.1.2. FORMAS DE ACTIVACIÓN DE UN TIRISTOR

Elevación del voltaje ánodo-cátodo.- Si la velocidad en la elevación de este voltaje es lo suficientemente

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) es un transistor utilizado para

Un transistor de efecto de campo de puerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un

6.3.1. SÍMBOLOS DE TRANSISTORES MOSFET

6.3.3. MODOS DE OPERACIÓN

6.4.1. PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO

En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-colector en

región agotada se desbalancea, permitiendo a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la

6.4.2. CONTROL DE TENSIÓN Y CARGA DE CORRIENTE

En el diseño de circuitos analógicos, el control de corriente es utilizado debido a que es aproximadamente

Un sistema de transmisión de corriente flexible alterna (FACTS) es un sistema compuesto de equipos

Las diferentes tecnologías de compensación son las siguientes:

7.1. COMPENSACIÓN EN PARALELO

En la compensación de derivación, el sistema de alimentación está conectado en derivación (paralelo) con

 Compensación capacitiva de derivación.- Este método se utiliza para mejorar el factor de

Ejemplos de compensación en paralelo:

 Compensador estático síncrono (STATCOM); anteriormente conocido como un condensador

7.2. COMPENSACIÓN EN SERI E

Ejemplos de compensación en serie:

 Compensador de serie síncrona estática (SSSC)

8. COMPENSADOR ESTÁTICO SÍNCRONO

9. COMPENSADOR ESTÁTICO VAR (SCV)

El SVC es un dispositivo de adaptación de impedancia automatizado, diseñado para acercar el sistema al

 Conectado al sistema de potencia, para regular el voltaje de transmisión ("Transmisión SVC")

10. CONTROLADOR DE FLUJO DE POTENCIA UNIFICADO

Un dispositivo eléctrico de controlador de flujo de potencia unificado para proporcionar compensación

El Controlador Unificado de Flujo de Potencia (UPFC), como representante de la tercera generación de

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