1 UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

Laboratorio Dirigido Nro 01

TÍTULO

Caracterización de circuitos basados en BJT y MOSFET en LTSpice.

Diseño de máscaras en Microwind.

OBJETIVO

El objetivo principal de esta experiencia de laboratorio es interactuar con el software

simulador de circuitos LTspice a través del diseño, la caracterización de compuertas
lógicas y la verificación de su comportamiento cuando se somete a cambios.

HERRAMIENTAS

Estación de trabajo.
Software de simulación LTSpice.
Librería cmosedu_models.txt

PROCEDIMIENTO
PARTE 1. Crear una carpeta llamada MyLTspice.
1. Diseñar un inversor en LTSPICE (MyInversor_Apellido)
2. Diseñar un NAND en LTSPICE

INVERSOR
Model: nmos4 - pmos4
Fuente DC: Voltage
Fuente de entrada: Vin
.dc Vin 0 1
.include cmosedu_models.txt

LABORATORIO DE MICROELECTRÓNICA MsC. LUZ ADANAQUÉ

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NAND (MyNAND_Apellido)
Model: nmos4 - pmos4
Fuente DC:Voltage
Fuentes de entrada: VA y VB (pulse 1 0 0.5 0.01 0.01 1 2)
.tran 6
.include cmosedu_models.txt

PARTE 2. ESTUDIO DE LA LIBRERÍA

¿Qué incluye la librería?

a) .MODEL ______________________________________________
b) .MODEL ______________________________________________
c) .model _______________________________________________
d) .model _______________________________________________

Completar la siguiente tabla:

Modelo A) B) C) D)
Channel
Level
VDD
Cjs

PARTE 3. Colocar los modelos a) y b) en el inversor y en el NAND

3.1 Agregar en la pestaña .op la siguiente línea : .include cmosedu_models.txt

3.2 Guardar el cmosedu_models.txt en la carpeta MyLTspice_Apellido.
3.3 Guardar el MOS con el mismo nombre del modelo.

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3.4 Configurar el VDD correspondiente (5V o 1V)

3.5 Simular

3.6 Seleccionar Vout y Id(M2) como señales a visualizar. Guardar la gráfica como Apellido_lc

3.7 Graficar y completar la siguiente tabla

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Señal Vout Id(M2)

Vinversión
Vmáx
Vcruce

Comente sus resultados.

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_____________________________________________________________________
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3.8 Cambiar el valor de VDD a 2V y repetir los pasos 3.6 y 3.7

En el NAND cambiar los valores de VA y VB también.

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Señal Vout Id(M2)

Vinversión
Vmáx
Vcruce

Comente sus resultados.

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_____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________

3.9 Cambiar el valor de VDD a 0.75V y repetir los pasos 3.6 y 3.7
En el NAND cambiar los valores de VA y VB también.

Señal Vout Id(M2)

Vinversión
Vmáx
Vcruce

Comente sus resultados.

_____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________
_____________________________________________________________________

PARTE 4: Colocar los modelos c) y d) en el inversor y en el NAND

(waveforms como Apellido_sc)

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PARTE 5: Modificar los valores de W y L

Colocar tres circuitos

El primero W/L = 30/1 (pmos) W/L = 10/1 (nmos) Bn/Bp = 1

El segundo W/L = 10/1 (pmos) W/L = 10/1 (nmos) Bn/Bp = 3
El tercero W/L = 90/1 (pmos) W/L = 10/1 (nmos) Bn/Bp = 0.3333

Graficar los resultados

PARTE 6: RESULTADOS

¿Qué modelo ofrece mejores prestaciones?

¿Cuál de las dos soluciones es más rápida?

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