Transistor de Union Bipolar BJT PDF

5.
Transistor de Unión Bipolar

BJT
Electrónica Analógica
Transistor de Unión Bipolar BJT
Temas:
• Estructura de un BJT
• Operación básica de un BJT
• Características y parámetros de un BJT
• El BJT como amplificador
• El BJT como interruptor
Objetivos
• Describir la estructura básica del BJT (por sus siglas en inglés, bipolar junction transistor)
• Explicar cómo se polariza un BJT y analizar las corrientes del transistor y sus relaciones
• Analizar los parámetros y características de un BJT y utilizarlas para analizar un circuito con
transistores
• Analizar cómo se utiliza un BJT como amplificador de voltaje
• Analizar cómo se utiliza un BJT como interruptor electrónico
Estructura de un BJT
• El BJT (transistor de unión bipolar) se construye con tres regiones semiconductoras
separadas por dos uniones pn, como lo muestra la estructura plana epitaxial de la figura (a).
• Las tres regiones se llaman emisor, base y colector. En las figuras (b) y (c) se muestran
representaciones físicas de los dos tipos de BJT.
• Un tipo se compone de dos regiones n separadas por una región p (npn) y el otro tipo consta
de dos regiones p separadas por una región n (pnp).
• El término bipolar se refiere al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de
corriente en la estructura de transistor.
Construcción Básica de un BJT

Construcción Básica de un BJT

Estructura simplificada de un BJT

• La unión pn que une la región de la base y la región del emisor se llama unión base-emisor.
• La unión pn que une la región de la base y la región del colector se llama unión base-
colector, como la figura (b) lo muestra: un conductor conecta a cada una de estas tres
regiones.
• Estos conductores se designan E, B y C por emisor, base y colector, respectivamente. La

región de la base está ligeramente dopada y es muy delgada en comparación con las
regiones del emisor, excesivamente dopada, y la del colector, moderadamente dopada.
Símbolos de BJT estándar (transistor de unión bipolar)

Modos de Operación de un BJT
Modos de Operación de un BJT
Operación Básica de un BJT. Región Activa (Amplificador)
• Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador, las dos uniones pn deben estar
correctamente polarizadas con voltajes de cd externos. La figura muestra los arreglos para
polarización tanto de BJT npn como pnp para que operen como amplificador.
Polarización en directa-inversa de un BJT

Current flow in an npn transistor biased to operate in the active mode. (Reverse current
components due to drift of thermally generated minority carriers are not shown.)
• La región del emisor de tipo n excesivamente dopada tiene una densidad muy alta de los
electrones de banda de conducción (libres), como muestra la figura.
• Estos electrones libres se difunden con facilidad a través de la unión BE polarizada en directa
hacia la región de la base de tipo p muy delgada y levemente dopada (flecha ancha).
• La base tiene una baja densidad de huecos, los cuales son los portadores mayoritarios,
representados por los puntos blancos.
• Un pequeño porcentaje del número total de electrones libres se va hacia la base, donde se
recombinan con huecos y se desplazan como electrones de valencia a través de la base hacia
el emisor como corriente de huecos, como lo indican las flechas rojas.
• Cuando los electrones que se recombinaron con huecos como electrones de valencia
abandonan las estructura cristalina de la base, se transforman en electrones libres en el
conductor de la base metálica y producen la corriente de base externa.
• La mayoría de los electrones libres que entraron a la base no se recombinan con huecos
porque es muy delgada. A medida que los electrones libres se desplazan hacia la unión BC
polarizada en inversa, son arrastrados a través del colector por la atracción del voltaje de
alimentación positivo del colector.
• Los electrones libres se desplazan a través del colector hacia el circuito externo y luego
regresan al emisor junto con la corriente de base, como se indica. La corriente de emisor es
un poco más grande que la corriente de colector debido a la pequeña corriente de base que
se desprende de la corriente total inyectada a la base proveniente del emisor.
Corrientes del Transistor
• Las direcciones de las corrientes en un transistor npn y su símbolo esquemático se muestran
en la figura (a); las correspondientes a un transistor pnp se muestran en la figura (b).
• Observe que la flecha en el emisor en el interior de los símbolos de transistor apunta en la
dirección de la corriente convencional. Estos diagramas muestran que la corriente de emisor
(IE) es la suma de la corriente de colector (IC) y la corriente de base (IB), expresada de la
siguiente manera:
• Como ya se mencionó, IB es muy pequeña comparada con IE o IC. El subíndice de letra

mayúscula indica valores de cd.
• Corriente de Colector:
• Corriente de Base:
• Donde b es un parámetro del transistor cuyo rango está entre 50 y 200, aunque en
dispositivos especiales puede llegar a 1000. b es llamada ganancia de corriente de emisor
común.
• Corriente de Emisor:
Modelo Equivalente de Circuito de Gran Señal de un BJT en modo Activo.
Modelo Equivalente de Circuito de Gran Señal de un BJT en modo Activo.
Análisis de Circuitos con BJT
−𝑉𝐵𝐵 + 𝑉𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 = 0
−𝑉𝐵𝐵 + 𝐼𝐵 × 𝑅𝐵 + 𝑉𝐵𝐸 = 0
𝑉𝐵𝐵 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
−𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐶 = 0

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 × 𝑅𝐶
𝐼𝐶 = 𝛽𝐷𝐶 𝐼𝐵
−𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐵𝐸 = 0

𝑉𝐶𝐵 = 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
Características de Voltaje – Corriente (Región Activa)
Voltage polarities and current flow in transistors biased in the active mode.
Característica 𝒊𝑪 − 𝒗𝑩𝑬 del Transistor NPN

Características de Voltaje - Corriente (Región Activa)
Efecto de la temperature en 𝒊𝑪 − 𝒗𝑩𝑬 . A una corriente de emisor constante 𝒗𝑩𝑬 cambia -2mV/°C
Características de Voltaje – Corriente.
Curvas Características de Colector
Características de Voltaje – Corriente.
Curvas Características de Colector
Características de Voltaje – Corriente. Curvas Características de Colector
• Suponga que VBB se ajusta para que produzca un cierto valor de IB y que VCC es cero. En esta
condición, tanto la unión base-emisor como la unión base-colector están polarizadas en
directa porque la base está a aproximadamente 0.7 V, en tanto que el emisor y el colector
están a 0 V.
• La corriente de base circula a través de la unión base-emisor debido a la trayectoria de baja

impedancia hacia tierra y, por consiguiente, IC es cero. Cuando ambas uniones están
polarizadas en directa, el transistor se encuentra en la región de saturación de su operación.
Saturación es el estado de un BJT en el cual la corriente en el colector alcanza un máximo
independientemente de la corriente en la base.
• A medida que VCC se incrementa, VCE lo hace a medida que la corriente de colector se
incrementa. Esto es indicado por la parte de la curva característica entre los puntos A y B de
la figura. IC se incrementa a medida que VCC lo hace, porque VCE permanece a menos de 0.7 V
debido a la unión base-colector polarizada en directa.
• Idealmente, cuando VCE excede de 0.7 V, la unión base-colector se polariza en inversa y el
transistor entra a la región lineal o activa de su operación. Una vez que la unión base-
colector se polariza en inversa, IC se nivela y permanece esencialmente constante para un
valor dado de IB a medida que VCE continúa incrementándose.
• En realidad, IC se incrementa muy poco a medida que VCE se incrementa debido al
ensanchamiento de la región de empobrecimiento base-colector. Esto produce pocos huecos
para recombinación en la base lo que efectivamente provoca un incremento leve de bCD.
• Esto es mostrado por la parte de la curva característica entre los puntos B y C en la figura.
Para esta parte de la curva característica, la relación expresada como IC = (bCD)(IB) determina
el valor de IC.
• Cuando VCE alcanza un voltaje suficientemente alto, la unión base-colector polarizada en
inversa entra en la condición de ruptura, y la corriente de colector se incrementa con rapidez
como lo indica la parte de la curva a la derecha del punto C en la figura 4-10. Un transistor
nunca debe ser operado en esta región de ruptura.
• Se produce una familia de curvas características cuando IC contra VCE se traza para varios
valores de IB, como lo ilustra la figura. Cuando IB = 0, el transistor se encuentra en la región
de corte, aunque existe una corriente de fuga muy pequeña en el colector, como se indica.
• Corte es el estado de no conducción de un transistor. La cantidad de corriente de fuga en el
colector con IB = 0 está exagerada en la gráfica en aras de la claridad.
Características de Voltaje – Corriente. Curvas
Características de Colector
Corte
• Como se mencionó, cuando IB = 0, el transistor se
encuentra en la región de corte de su operación.
Esto se muestra en la figura con la terminal de la
base abierta, lo que produce una corriente de
cero en la base.
• En esta condición, existe una cantidad muy
pequeña de corriente de fuga en el colector, ICEO,
debido principalmente a portadores producidos
térmicamente. Como ICEO es extremadamente
pequeña, normalmente se omite en el análisis de
circuitos, de tal forma que VCE = VCC. Corte: La corriente de fuga en el colector (ICEO) es
extremadamente pequeña y normalmente se
• En la región de corte, ni la unión base-emisor ni la desprecia. Uniones base-emisor y base colector se
unión base-colector están polarizadas en directa. polarizan en inversa.
El subíndice CEO representa colector con
respecto a emisor con la base abierto.
Características de Voltaje – Corriente. Curvas
Características de Colector
Saturación
• Cuando la unión base-emisor se polariza en
directa y la corriente en la base se incrementa, la
corriente en el colector también lo hace IC =
(bCD)(IB) y VCE se reduce a consecuencia de más
caída a través del resistor del colector (VCE = VCC -
ICRC).
• Cuando VCE llega a su valor de saturación, VCE(sat),
la unión base-colector se polariza en directa e IC
ya no puede incrementarse más, incluso con un
incremento continuo de IB. En el punto de Saturación: Conforme IB se incrementa a medida que
saturación, la relación IC = (bCD)(IB) ya no es válida. VBB lo hace, IC también se incrementa y VCE se reduce a
causa de la caída de voltaje incrementada a través de
• VCE(sat) para un transistor ocurre en alguna parte RC. Cuando el transistor se va a saturación, IC ya no se
debajo de la inflexión de las curvas de colector y incrementa más pese al incremento adicional de IB.
normalmente es de sólo unos cuantos décimos Las uniones base-emisor y base-colector se polarizan
de un volt. en directa.
Dependencia de ic del voltaje de colector. Efecto Early
• Cuando operan en la región activa los transistores BJT muestran alguna dependencia de la
corriente de colector sobre el voltaje de colector, con el resultado que sus curvas
características iC – vCB no son rectas perfectamente horizontales.
• Para ver esta dependencia más claramente, considere el circuito conceptual de la figura. El
transistor está conectado en la configuración de emisor común, y su VBE se puede fijar en
cualquier valor deseado al ajustar la fuente de DC conectada entre base y emisor.
• A cada valor de vBE, le correspondiente curva característica iC – vCE se puede medir punto por
punto al hacer variar la fuente de DC conectada entre colector y emisor y medir la corriente
de colector correspondiente. El resultado es la familia de curvas características iC – vCE
• A bajos valores de vCE a medida que el voltaje de colector cae por debajo del de la base, la
unión entre colector y base se polariza directamente y el transistor sale del modo activo y
entra en el de saturación.
• Observamos que estas curvas, aun cuando sean rectas, tienen pendiente finita. De hecho, al
extrapolar, las rectas características se encuentran en un punto en el eje negativo vCE, en vCE
= -VA, un número positivo, es un parámetro para el BJT en particular, con valores entre 50 y
100V. Recibe el nombre de voltaje Early.
• A un valor dado de vBE, un creciente vCE incrementa el voltaje de polarización inversa en la
unión entre colector y base y por lo tanto aumenta el ancho de la región de agotamiento de
esta unión. Esto, a su vez, resulta en un decremento en el ancho eficaz de base W. Si
recordamos que IS es inversamente proporcional a W, vemos que IS aumentará e iC aumenta
proporcionalmente. Este es el efecto Early.
• La dependencia lineal de iC en vCE se puede justificar si se supone que IS permanece constante y se
incluye el factor (1+vCE/VA) como sigue:
• La pendiente diferente de cero de las rectas iC – vCE indica que las resistencia de salida que mira hacia
el colector no es infinita sino que, más bien, es finita y está definida por:
• Donde IC es el nivel de corriente correspondiente al valor constante de vBE, cerca de la frontera de la

región activa.
• Raras veces es necesario incluir la dependencia de iC en vCE en el diseño y análisis de polarización DC,
pero la resistencia finita de salida ro puede tener un efecto significativo en la ganancia de
amplificadores transistorizados.
Large-signal equivalent-circuit models of an npn BJT operating in the active mode in the
common-emitter configuration with the output resistance ro included.
Recta de Carga de DC
• Las condiciones de corte y saturación pueden ser ilustradas en relación con las curvas
características de colector con el uso de una recta de carga.
• La figura muestra una recta de carga de cd trazada sobre una familia de curvas que conecta
el punto de corte y el punto de saturación. La parte inferior de la recta de carga se encuentra
en el punto de corte ideal donde IC = 0 y VCE = VCC.
• La parte superior de la recta de carga se encuentra en el punto de saturación donde IC = IC(sat)

y VCE = VCE(sat). Entre el punto de saturación y el punto de corte a lo largo de la recta de carga
se encuentra la región activa de la operación del transistor.
Recta de carga de cd sobre una familia de curvas características de colector que ilustra las condiciones
de corte y saturación
Más sobre bDC
• La bCD o hFE es un parámetro de BJT importante que debe ser examinado más a fondo. El bCD
no es verdaderamente constante: varía tanto con la corriente de colector como con la
temperatura.
• Si se mantiene constante la temperatura de la unión y se incrementa IC, bCD se incrementa a
un máximo. Un incremento más de IC más allá de este punto máximo hace que bCD se
reduzca.
• Si IC se mantiene constante y la temperatura varía, bCD cambia directamente con la
temperatura. Si se eleva la temperatura, bCD se eleva y viceversa. La figura muestra la
variación de bCD con IC y la temperatura de la unión (TJ) de un BJT típico.
• Normalmente, una hoja de datos de un transistor especifica bCD (hFE) a valores específicos
de IC. Incluso a valores fijos de IC y temperatura, bCD varía de un dispositivo a otro para un
tipo dado de transistor debido a las inconsistencias en el proceso de fabricación que son
inevitables.
• El bCD especificado a un cierto valor de IC casi siempre es el valor mínimo, bCD(mín), aun
cuando en ocasiones los valores máximo y típico también se especifican.
Más sobre bDC
Valores nominales máximos de un transistor
• Un BJT, como cualquier otro dispositivo electrónico, tiene limitaciones en su operación. Estas
limitaciones se establecen en la forma de valores nominales máximos y normalmente vienen
especificadas en la hoja de datos del fabricante.
• Típicamente se dan valores nominales máximos de voltaje en el colector con respecto a la
base y voltaje en el colector con respecto al emisor, voltaje en el emisor con respecto a la
base, corriente en el colector y disipación de potencia.
• El producto de VCE e IC no debe exceder la disipación de potencia máxima. Tanto VCE como IC
no pueden ser máximos al mismo tiempo. Si VCE es máximo, IC se calcula como.
• Si IC es máxima, VCE se calcula reordenando la ecuación previa como sigue:

Valores nominales máximos de un transistor
Reducción del valor nominal de PD(máx)
• PD(máx) normalmente se especifica a 25°C; a temperaturas más altas, PD(máx) es menor.
• Las hojas de datos a menudo dan factores de reducción de su valor nominal para determinar
PD(máx) a cualquier temperatura de más de 25°C.
• Por ejemplo, un factor de reducción de valor nominal de 2 mW/°C indica que la disipación de
potencia máxima se reduce 2 mW por cada grado Celsius de incremento de temperatura.
Hoja de datos del transistor
• En la figura se muestra una hoja de datos parcial del transistor npn 2N3904.
• Observe que el voltaje máximo en el colector con respecto al emisor (VCEO) es de 40 V. El

subíndice CEO indica que se mide del colector (C) al emisor (E) con la base abierta (O).
• En la clase se utiliza VCE(máx) para este parámetro. Asimismo, observe que la corriente máxima
en el colector es de 200 mA.
• La bCD(hFe) se especifica para varios valores de IC. Como se puede ver, hFE varía con IC como
previamente se discutió.
• El voltaje de saturación del colector al emisor, VCE(máx) es de 0.2 V máximo con IC(sat) = 10 mA y
se incrementa con la corriente.
El BJT como Amplificador
• Amplificación es el proceso de incrementar linealmente la amplitud de una señal eléctrica y
es una de las propiedades importantes de un transistor.
• Un BJT presenta una ganancia de corriente (llamada b).
• Cuando se polariza un BJT en la región activa (o lineal), como previamente se describió, la

unión BE tiene baja resistencia debido a la polarización en directa y la unión BC tiene una
alta resistencia debido a la polarización en inversa.
El BJT como Amplificador. Amplificación de voltaje mediante un transistor
• Un transistor amplifica corriente porque la corriente al colector es igual a la corriente en la
base multiplicada por la ganancia de corriente, b.
• La corriente en la base en un transistor es muy pequeña comparada con las corrientes en el
colector y emisor. Por eso, la corriente en el colector es aproximadamente igual a la
corriente en el emisor.
• Con esto presente, examine el circuito de la figura. Se superpone un voltaje de ca, Vs, sobre
el voltaje de polarización de cd VBB mediante acoplamiento capacitivo, como se muestra. El
voltaje de polarización de cd VCC se conecta al colector mediante el resistor RC.
• El voltaje de entrada de ca produce una corriente alterna en la base, lo cual produce una
corriente alterna en el colector mucho más grande. La corriente alterna en el colector
produce un voltaje de ca a través de RC, produciéndose así una reproducción amplificada,
pero invertida, del voltaje de entrada de ca en la región activa de operación, como ilustra la
figura.
• La unión base-emisor polarizada en directa presenta una muy baja resistencia a la señal de
ca. Esta resistencia interna de ca en el emisor se expresa como r’e en la figura y aparece en
serie con RB.
El BJT como un Interruptor
• La segunda área importante de aplicación se encuentra en aplicaciones de conmutación o
interrupción. Cuando se utiliza como interruptor electrónico, un BJT normalmente opera
alternadamente en corte y saturación. Muchos circuitos digitales utilizan el BJT como
interruptores.
• La figura ilustra la operación básica de un BJT como dispositivo de conmutación. En la parte
a), el transistor está en la región de corte porque la unión base-emisor no está polarizada en
directa. En esta condición, existe, idealmente, una abertura entre el colector y el emisor,
como lo indica el equivalente de interruptor.
• En la parte b), el transistor está en la región de saturación porque la unión base-emisor y la
unión base-colector están polarizadas en directa y la corriente en la base llega a ser
suficientemente grande para provocar que la corriente en el colector alcance su valor de
saturación. En esta condición, existe, idealmente, un corto entre el colector y el emisor,
como lo indica el equivalente de interruptor.
• En realidad, normalmente ocurre una pequeña caída de voltaje a través del transistor de
unos cuantos décimos de volt, la cual es el voltaje de saturación, VCE(sat).
Condiciones en corte.
• Como se mencionó, un transistor está en la región de corte cuando la unión base-emisor no
está polarizada en directa. Si se ignora la corriente de fuga, todas las corrientes son cero y
VCE es igual a VCC.
Condiciones en Saturación: Cuando la unión base-emisor está polarizada en directa y existe
suficiente corriente en la base para producir una corriente máxima en el colector, el transistor
está en saturación. La fórmula para la corriente de saturación de colector es:
• Puesto que VCE(sat) es muy pequeño comparado con VCC, casi siempre puede ser
despreciado. El valor máximo de la corriente en base requerida para producir saturación es
• Normalmente, IB debe ser significativamente más grande que IB(mín) para garantizar que el
transistor esté en saturación.
Aplicación Sencilla

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Transistor de Unión Bipolar

Construcción Básica de un BJT

Construcción Básica de un BJT

Estructura simplificada de un BJT

• Estos conductores se designan E, B y C por emisor, base y colector, respectivamente. La

Símbolos de BJT estándar (transistor de unión bipolar)

Polarización en directa-inversa de un BJT

• Como ya se mencionó, IB es muy pequeña comparada con IE o IC. El subíndice de letra

−𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐶 = 0

−𝑉𝐶𝐵 + 𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐵𝐸 = 0

Característica 𝒊𝑪 − 𝒗𝑩𝑬 del Transistor NPN

• La corriente de base circula a través de la unión base-emisor debido a la trayectoria de baja

• Donde IC es el nivel de corriente correspondiente al valor constante de vBE, cerca de la frontera de la

• La parte superior de la recta de carga se encuentra en el punto de saturación donde IC = IC(sat)

• Si IC es máxima, VCE se calcula reordenando la ecuación previa como sigue:

• Observe que el voltaje máximo en el colector con respecto al emisor (VCEO) es de 40 V. El

• Un BJT presenta una ganancia de corriente (llamada b).

• Cuando se polariza un BJT en la región activa (o lineal), como previamente se describió, la

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