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Nano-estructuras magneticas: Fabricacion

Presentation · January 2016

DOI: 10.13140/RG.2.1.3199.5280

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Jose Fermin
University of Zulia
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 LA UNIVERSIDAD DEL ZULIA
Facultad Experimental Ciencias
Laboratorio de Materia Condensada
Departamento de Física

Nanoestructuras magnéticas I:
Estructura y Fabricación

luz.academia.edu/JoseFermin
José R. Fermin
Abril 2016
 Nanoestructuras típicas

Nanopartículas. Magnetos
moleculares

Granulares

Materiales compuestos. Arreglos

2D

Nanohilos

Nanotubos

Películas delgadas y multicapas

Componentes de una nano-estructura estratificada
 Técnicas de Fabricación

Métodos Químicos (QVD)

- Segregación de fases
- Procesamiento coloidal
- Crecimiento en solución-líquido-sólido

Métodos Físicos (PVD)

-Evaporación catódica
- MBE
- e-deposition
-Ion-deposition

Métodos biológicos

- Biomineralización
 Esquema de Fabricación

Iónes
Átomos
Neutros
Energía térmica Moléculas
Láser

Materia
prima:
Reacciones química
gas,
líquido, fragmentos-medio
Plasma Descomposición
sólido de transporte

Iones, moléculas
Transporte

MCS Medio

Gaseoso / líquido

Película
Nucleación
resultante
Crecimiento
Propiedades Deposición en
Disipación
Caracterización de energía el sustrato

Aplicaciones
Deposición Física de Vapor

Directo

Alterno

Reactivo

Asistido
Esquema básico
 De la cocina a la mesa

Condiciones de fabricación:

•Target-substrate distance: 9 cm
•Presión de trabajo: 3.3 x 10-3 Torr (Ar)
•Pureza de los elemento: 99.9%
•Ar 99.999%
•Temperatura del substrato :170ºC-200ºC
•Input power: 20 W
•Tasa de crecimiento: 0.1 Å/s -1 Å/s
•Espesores(d):
30 Å<d(Fe)<300 Å
•Presión de base: 1.2 x 10-7 Torr

Protocolo de crecimiento
(receta)

Nano-estructura
Cámara de deposición
(Gourmet)
(horno)
 El espesor es el parámetro estructural más importante
Pseudomorfismo

d ( t dep ) a t dep b ,
a = hW/ (h2+l2)2 ve2
d(tdep) = 0.355 tdep+80.025
pseudomorfismo

250
b = hWM0 /4 (h2+l2)2 ve2
200

150
d
d(Å)
100

50

0 tC
0 100 200 300 400 500
tdep(seg)

Crecimiento pseudomórfico: fuerzas de compresión no compensadas

 Tipos de crecimiento

d < dC

d > dC

d >> dC
¿Qué ocurre durante el crecimiento?

La energía superficial es la sumatoria de todos los procesos

 Epitaxia

Película

+ + +

Substrato

Acoplado Estresado Dislocaciones

Homoepitaxia Heteroepitaxia (c)
(a) (b)
 (a) (b) (c)

AlAs(100)
AlAs(100) Fe(100)

GaAs(100)
AlAs(100) Si(111)

AlAs(100)
 Relación de Epitaxia

S f
a0 a0 a0
f f f
a0 a0
 Medición de la Epitaxia
Fermin, et. al.

a0 Ga
a0

As
GaAs(001) Fe(001)

[010]
[110]

[100]

a0 (GaAs ) 2a0 ( Fe) 5.653 2 (2.866 )

f 0.0138
2a0 ( Fe) 2 (2.866 )
 Medición de la Epitaxia

O
Mg
a0
a0

Fe(001) MgO(001)

[010]
[110]

[100]

a0 ( MgO) a0 ( Fe) 2.977 2.866

f 0.038
a0 ( Fe) 2.866
 Efectos de superficie e interface

“TODAS las constantes físicas de una nanoestructura

dependen de su tamaño:

KS 1/d “
 Efectos de superficie e interface

E0V E = E0V - 2 KS / d0

N N
V di V
E E 0 Ei E0
i 1 i 1 d0

N 1 N N
di V dN V E0V N
dN V V dN V
E Ei Ei EN E0 E0 di E0 E0 E0 ,
i 1 i 1 i 1 d0 d0 d0 i 1 d0 d0

2 KS
E E0V KS d N E0V
d0
 M
superficie

M||

Perdida de simetria en la superficie:

Anisotropia de superficie (Neel)

ES= –KS cos2

interface M//

Fuerzas elasticas interfaciales:

F= KU
= (aS ao ) / ao
(deformacion)

Anisotropia interfacial
(uniaxial):

EU= KU sin2 ( U)

KU : constante de anisotropia
 Deformación de los planos de la
interface pelicula debido al equilibrio de las
fuerzas elásticas interfaciales:
dislocaciones

d d
d

KU d –1
 Rugosidades

Disminuye la anisotropia uniaxial

4
K rough 2 2
KU KU a02
d

Aumenta la anisotropia de superficie

2
K rough 2
KS KS
d

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