INSTITUTO TECNOLÓGICO DE MORELIA

“JOSÉ MARÍA MORELOS Y PAVÓN”

“Reporte de práctica:
Caracterización del transistor
BJT”

INGENIERÍA ELÉCTRICA

ELECTRÓNICA ANALÓGICA

TITULAR: GABRIEL MARROQUÍN PIMENTEL

ALUMNOS: JOSUÉ DANIEL PEÑA PONCE

JOSÉ DAVID VELASCO JUAREZ
DANIEL DOMINGUEZ LÓPEZ
MARCO ANTONIO HERNÁNDEZ

Julio del 2015

 “REPORTE DE PRÁCTICA: CARACTERIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT”

RESUMEN.
En el presente reporte se describe la primera práctica realizada respecto al tema de los
transistores bipolares BJT; en la cual se comprobó el funcionamiento de un transistor BJT
(NPN) bajo condiciones de corriente directa. Se tomaron las respectivas mediciones para
determinar la zona activa del transistor utilizado y así poder trazar la recta de carga del
mismo.

OBJETIVO
El objetivo de la práctica es comprobar experimentalmente la polarización de un transistor
bajo condiciones de corriente directa y la influencia de distintos parámetros en su
polarización, para la configuración de emisor común.

INTRODUCCION
El análisis o diseño de cualquier amplificador electrónico se compone, por consiguiente, de
una parte de ca y una de cd. Por suerte, el teorema de superposición es aplicable y la
investigación de las condiciones de cd puede separarse por completo de la respuesta de ca.
Sin embargo, hay que tener en cuenta que durante la etapa de diseño o síntesis, la selección
de los parámetros de los niveles de cd requeridos afectarán la respuesta de ca, y viceversa.

Varios factores controlan el nivel de operación de cd de un transistor, entre ellos el intervalo

de los posibles puntos de operación en las características del dispositivo. Una vez que se
han definido los niveles de corriente cd y voltaje deseados, se debe construir una red que
establezca el punto de operación deseado.

Hay que tener presentes las fórmulas que vimos en clase, ya que las estaremos utilizando
constantemente para nuestra práctica así como para el diseño de nuestros circuitos con
transistores:

En la mayoría de los casos, la primera cantidad a determinar para el respectivo análisis de

nuestro circuito es la corriente en la base IB. Una vez conocida la IB, se pueden aplicar las
relaciones de la respectivas ecuaciones para determinar las cantidades de interés restantes.

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DESARROLLO.
Para amplificadores con transistores, la corriente y voltaje de cd resultantes establecen un
punto de operación en las características que definen la región que se empleará para
amplificar la señal aplicada. Como el punto de operación es un punto fijo en las
características, también se llama punto quiescente (abreviado punto Q).

Si nos limitamos a la región activa, podemos seleccionar muchas áreas o puntos de

operación diferentes. A menudo, el punto Q seleccionado depende del uso pretendido del
circuito.

Como es necesario polarizar un dispositivo de modo que sea capaz de responder a todo el
intervalo de una señal de salida, el punto A no sería adecuado. Para el punto B, si se aplica
una señal al circuito, el dispositivo variará la corriente y el voltaje a partir del punto de
operación, lo que permite que el dispositivo reaccione (y que posiblemente amplifique)
tanto las excursiones positivas como las negativas de la señal de entrada. Si selecciona
apropiadamente la señal de entrada, el voltaje y la corriente del dispositivo variarán, pero
no lo suficiente para llevar al dispositivo a corte o saturación. El punto C permitiría alguna
variación positiva y negativa de la señal de entrada, pero el valor pico a pico se vería limitado
por la proximidad de VCE = 0 V e IC = 0 mA. La operación en el punto C también hace que
surjan dudas con respecto a las no linealidades introducidas por el hecho de que la
separación entre las curvas IB cambia con rapidez en esta región. En general, es preferible
operar donde la ganancia del dispositivo es bastante constante (o lineal) para garantizar
que la amplificación a lo largo de toda la excursión de la señal de entrada sea la misma. El
punto B es una región de más separación lineal, y por consiguiente de más operación lineal,
como se muestra en la figura, el punto D sitúa el punto de operación cerca del nivel máximo
de voltaje y potencia. El voltaje de salida excursiona en la dirección positiva, y por lo tanto
se limita si no se excede el voltaje máximo. Por consiguiente, parece que el punto B es el
mejor punto de operación en función de ganancia lineal y máxima excursión posible de
voltaje y de corriente. En realidad, ésta es la condición deseada para amplificadores de señal
pequeña aunque no necesariamente para amplificadores de potencia.

Hay que considerar otro factor de polarización muy importante. Habiendo seleccionado y
polarizado el BJT en un punto de operación deseado, también debemos tomar en cuenta el
efecto de la temperatura. La temperatura cambia los parámetros del dispositivo al igual que
la ganancia de corriente del transistor (𝛽𝐶𝐴 ) y su corriente de fuga (𝐼𝐶𝐸𝑂 ). Las altas
temperaturas incrementan las corrientes de fuga en el dispositivo, y cambian por lo tanto
las condiciones de operación establecidas por la red de polarización. El resultado es que el
diseño de la red también debe proporcionar un grado de estabilidad de temperatura, de
modo que los cambios ambientales produzcan cambios mínimos en el punto de operación.
Este mantenimiento del punto de operación puede ser especificado por un factor de
estabilidad S, el cual indica el grado de cambio del punto de operación provocado por una
variación de la temperatura. Es deseable un circuito altamente estable, y se comparará la
estabilidad de algunos circuitos de polarización básicos.

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Para que el BJT se polarice en su región de operación lineal o activa lo siguiente debe ser
cierto:

1. La unión base-emisor debe polarizarse en directa (voltaje más positivo en la región p),
con el voltaje de polarización en directa resultante de cerca de 0.6 a 0.7 V.

2. La unión base-colector debe polarizarse en inversa (más positivo en la región n), con el
voltaje de polarización en inversa de cualquier valor dentro de los límites del dispositivo.

Del análisis para polarización en directa del transistor obtenemos las siguientes ecuaciones
que utilizaremos para el cálculo de nuestros parámetros.

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 = = 𝐼𝐵 𝛽
𝑅𝐵

Punto de saturación.

Para un transistor que opera en la región de saturación la corriente es un valor máximo para
el diseño particular. Cambie el diseño y el nivel de saturación correspondiente puede
elevarse o reducirse.

Por supuesto, la corriente de colector máxima define el nivel de saturación máximo tal
como aparece en la hoja de especificaciones. Normalmente se evitan las condiciones de

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saturación porque la unión base-colector ya no está polarizada en inversa y la señal

amplificada de salida se distorsionará.

La corriente de saturación resultante para la configuración de polarización fija es:

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝐶

Una vez que se conoce 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 tenemos una idea de la posible corriente máxima del colector
para el diseño seleccionado y del nivel que debe permanecer bajo si esperamos que la
amplificación sea lineal.

Análisis por medio de la recta de carga

Las características del BJT se sobreponen en una gráfica de la ecuación de la red definida
por los mismos parámetros. El resistor de carga RC para la configuración de polarización fija
definirá la pendiente de la ecuación de la red y la intersección resultante entre las dos
gráficas. Cuanta más pequeña sea la resistencia, más pronunciada será la pendiente de la
recta de carga de la red.

Se puede establecer la ecuación de la recta en base a la ecuación:

𝑦 = 𝑚𝑥 + 𝑏

Donde:

−1
𝑚=
𝑅𝑐

𝑉𝐶𝐶
𝑏=
𝑅𝐶

Si se cambia el nivel de IB variando el valor de RB, el punto Q se mueve hacia arriba o hacia
abajo de la recta de carga como se muestra en la figura 4.13 para incrementar los valores
de IB. Si VCC se mantiene fija y RC se incrementa, la recta de carga variará como se muestra
en la figura 4.14. Si IB se mantiene fija, el punto Q se moverá como se muestra en la misma
figura.
Si RC se mantiene fija y VCC se reduce, la línea de carga se desplaza como se muestra en la
figura 4.15.

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Desarrollo de la práctica

La práctica consistió en armar el circuito diseñado en el aula que se muestra en la siguiente figura,
en el simulador de circuitos PSpice previamente realizados los cálculos. Una vez armado y simulado
el circuito, se procede a tomar las mediciones respectivas, tomando lectura de veinte valores
distintos en la zona activa de nuestro transistor. Mediante los cálculos realizados trazamos la gráfica
de funcionamiento del transistor, localizando los puntos de saturación y corte.

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Fórmulas:

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 = = 𝐼𝐵 𝛽
𝑅𝐵

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 𝑅𝐶

𝑦 = 𝑚𝑥 + 𝑏

Donde:

−1
𝑚=
𝑅𝑐

𝑉𝐶𝐶
𝑏=
𝑅𝐶

Cálculos:

Lo primero que calculamos es 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 en la malla derecha de nuestro circuito, que resulta
cuando 𝑅𝐵 recibe toda la diferencia de potencial de la fuente de 12 V.
12 𝑉
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 180Ω = 66 mA

Para nuestro circuito propusimos un valor de 𝑅𝐵 = 16 kΩ, en base a esto las mediciones que
nos entrega el simulador son una corriente de base 𝐼𝐵 = 202 µA y una corriente de colector
𝐼𝐶 = 33𝑚𝐴 µA. en base a estos valores, calculamos la ganancia 𝛽 de nuestro circuito.

𝐼𝐶 .033
𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 𝛽, = 𝛽, = 𝛽 = 163
𝐼𝐵 .000202

Trazamos la recta de carga en base a los valores de saturación y corte y calculamos la

ecuación para posteriormente calcular los valores que deseemos en la recta de carga.
Nuestro punto ideal de trabajo será más o menos a la mitad de dicha recta, lo que nos da
mayor rango de protección o tolerancia para nuestro dispositivo.

Cabe mencionar que la corriente de colector 𝐼𝐶 = 33𝑚𝐴 se encuentra exactamente a la

mitad de nuestra recta, ya que la corriente de saturación que calculamos previamente
resultó ser de 66 mA.
−1 𝑉𝐶𝐶
𝑦 = 𝑚𝑥 + 𝑏; 𝑚= ; 𝑏=
𝑅𝑐 𝑅𝐶

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−1 −1 𝑉𝐶𝐶 12
𝑚= = = -0.005555; 𝑏= = 180 = 0.0666;
𝑅𝑐 180 𝑅𝐶

Por lo que:

𝑦 = 𝑚𝑥 + 𝑏 = −0.005555𝑥 + 0.0666

𝑦 = −0.005555𝑥 + 0.0666 = −0.005555(5.98) + 0.0666

= −0.03321 + 0.0666 = .03338 = 33𝑚𝐴

En base a la ecuación de la recta calculamos nuestros veinte valores y posteriormente los

comprobamos ajustando los parámetros en el simulador PcSpice para ubicarnos en el punto
más cercano a la mitad de la recta, que resultó ser para nuestro caso el punto de
polarización: Q (5.98 V, 33 mA)

CONCLUSIONES

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Mediante la práctica realizada se pudieron comprobar en el simulador de circuitos PcSpice

los principios vistos en el aula respecto al tema de transistores bipolares BJT.

Se realizaron los cálculos y posteriormente se realizaron las respectivas mediciones,

comprobando así que los resultados no diferían de los calculados mediante las fórmulas.

Se polarizó un transistor NPN en modo emisor común, para posteriormente realizar su

respectiva gráfica de funcionamiento ubicando sus zonas de saturación, activa y de corte.
Todo esto con la finalidad de establecer un punto óptimo.

BIBLIOGRAFÍA
“Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos”. Robert L. Boylestad, Louis
Nashelsky. Décima edición (2009). Editorial Pearson.

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