LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y ELÉCTRICA

INFORME PREVIO Nº 5

I. OBJETIVOS

 Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.

 Comprobar las características de Funcionamiento de un transistor

bipolar NPN

II. MARCO TEÓRICO

 Transistor: El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor

utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de
entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o
rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de
transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentra
prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos
celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos
integrados.

 Transistor Bipolar: El transistor de unión bipolar (del inglés

bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo
electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el
voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción
tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos
su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan
generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas
aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BiCMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un
solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De
esta manera quedan formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar

fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se
debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de
carga.

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 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del

colector.

 Colector, de extensión mucho mayor.

III. PROCEDIMIENTO Y RESULTADOS:

1. Considerando los valores nominales de los componentes utilizados,

realizarla simulación del circuito mostrado en la figura 5.1. Considere
todos los casos indicados en el paso 3. Llenar los valores
correspondientes en las tablas 5.2, 5.3, 5.4 y 5.5

a) Verificar el estado operativo del transistor, usando la función

ohmímetro del multímetro.

Resistencia Directa Inversa

Base – Emisor 0.789K Máxima
Base – Colector 811.13 Máxima
Colector - Emisor 13.237M Máxima

b) Medir las tensiones y corrientes, completar la tabla:

Valores Ic Ie Ib Vce Vbe Ve

R1=56k 8.96mA 9mA 42.2mA 0.32V 0.74V 1.98V
R1=68k 7.49mA 7.52mA 33mA 2.13V 0.73V 1.65V

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c) Aumentar las resistencias a 100k, 250k, 500k, 1M. Observar lo que

sucede con las corrientes y llenar la tabla:

Valores Ic(mA) Ie(mA) Ib(mA Vce(v Vbe(v Ve(v)

) ) )
P1= 100K 0.71 2.72 9.8uA 7.99 0.7 0.6
P2=250K 0.54 0.54 1.78u 10.7 0.65 0.12
A
P3=500K 0.43u 0.32u 0.11uA 11.5 0.46 0.07mV
A A
P4=1M 0 0 0 11.8 0.25 0.57mV

d) Ajustar el generador de señales a 50 mVpp, 1KH, onda sinusoidal.

Observar la salida y anotarlo en la tabla:

Valores Vi Vo Av Vo Av(sin Ce)

R1=56k 25mV 430m 17.2 110mV 4.4
V
R1=68k 25mV 440m 17.6 110mV 4.4
V

IV. CUESTIONARIO:

1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación

operativa con el multímetro en función ohmímetro.

En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la

unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de
carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar
a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son
impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del
ánodo compartida. En una operación típica, la unión base-emisor está
polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un
transistor NPN, por ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la
unión base-emisor, el equilibrio entre los portadores generados térmicamente y
el campo eléctrico repelente de la región agotada se desbalancea, permitiendo
a los electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base.
Estos electrones "vagan" a través de la base, desde la región de alta
concentración cercana al emisor hasta la región de baja concentración cercana
al colector. Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios
debido a que la base está dopada con material P, los cuales generan "huecos"
como portadores mayoritarios en la base.

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2. Representar la recta de carga de un transistor bipolar:

3. Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este

experimento (transistor NPN) con respecto al anterior (transistor PNP).

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V. DISCUSIÓN DE RESULTADOS:

 Mediante esta práctica pudimos observar el rol de amplificador del

transistor logrando amplificar una señal AC con una ganancia de 16
veces más de voltaje, por medio de eso queda dicho que se cumplió el
objetivo de la práctica.

 Los errores porcentuales no pasaron del 10% p estos se podrían deber

a los valores de resistencias que varían de su valor nominal.

 Siempre debemos analizar el datasheet del transistor para analizar sus

ganancias y parámetros con los que trabaja.

VI. CONCLUSIONES

 Se ha podido apreciar la amplificación de la onda de voltaje, hemos

obtenido una ganancia de 16 por lo que se observa que el transistor
amplificó la señal de entrada.
 El rol de los transistores es muy importante en el mundo de la música ya
que gracias a estos se puede construir los operacionales que trabajan
con ganancias más elevadas de voltaje.

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 Se debe tomar en cuenta el valor de resistencias y capacitores para la

construcción de amplificadores ya que un ligero valor nos podría llevar
al transistor a otro estado como el de saturación.

VII.
REFERENCIAS

BIBLIOGRÁFICAS

[1] http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/fairchild/2N3904.pdf

[2] W Burke, Charles (March 1930). «The Standard-Signal Method of Measuring Receiver
Characteristics»

[3] Boylestad-Nashelsky. Electrónica. Teoría de circuitos

[4] J. U. Duncombe, “Infrared navigation—Part I: An assessment of feasibility (Periodical

style),” IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-11, pp. 34–39, Jan. 1959.

[5] Smith, Kenneth C.; Sedra, Adel (2004). Microelectronic circuits (5 edición). New York:
Oxford University Press. p. 397.

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