Amplificador Emisor Común

I. Objetivos:

Medir los voltajes y corrientes (punto de operación) del circuito de polarización con divisor
de voltaje independiente de beta para el transistor bipolar y comparar estos valores con los
calculados teóricamente.
Analizar, simular y finalmente comprobar el comportamiento de un transistor BJT con una
señal de entrada variante en el tiempo (AC).

II. Introducción

El amplificador emisor común se llama así porque las corrientes de base y de colector se
combinan en el emisor. En la figura 1 se muestra la configuración del amplificador, donde
se seleccionó un transistor npn.

Para que una señal sea amplificada tiene que ser una señal de corriente alterna, no tiene
sentido amplificar una señal de corriente continua, porque ésta no lleva ninguna
información.

En un amplificador de transistores están involucradas los dos tipos de corrientes (alterna

y continua).

La señal alterna es la señal a amplificar y la continua sirve para establecer el punto de

operación del amplificador.

Este punto de operación permitirá que la señal amplificada no sea distorsionada.

Figura 1
Estos dos resistores forman un divisor de voltaje que permite tener en la base
del transistor un voltaje necesario para establecer la corriente de polarización de la base.

III. Marco teórico

Operación en corriente continua:

El punto de operación en corriente continua está sobre una línea de carga dibujada en la
familia de curvas del transistor.

Esta línea está determinada por fórmulas que se muestran.

Hay dos casos extremos:

- Cuando el transistor está en saturación (Ic max.), que significa que Vce es prácticamente 0
voltios.

- Cuando el transistor está en corte (Ic = 0), que significa que Vce es prácticamente igual a
Vcc. Ver la figura.

Si se modifica R2 y/o R3 el punto de operación se modificará para arriba o para abajo en la

curva pudiendo haber distorsión

Si la señal de entrada (Vin) es muy grande, se recortarán los picos positivos y negativos de
la señal en la salida (Vout)

Capacitor de paso

Los capacitores se pueden utilizar para poner en corto el resistor de emisor, incrementando
así la ganancia del amplificador. Para lograr esto, se selecciona un capacitor cuya
impedancia en frecuencias de operación sea mucho menor que la resistencia del resistor
emisor.

Capacitores de acoplamiento
Cada par de etapas de un amplificador de varias etapas se puede acoplar por medio de un
capacitor. La impedancia de entrada de la siguiente etapa es la carga de la etapa anterior. El
capacitor de acoplamiento es necesario para prevenir interacciones de cd entre etapas
adyacentes.

Los capacitores son circuitos abiertos en cd y cortocircuitos para ca. Sin embargo, los
capacitores tienen un papel importante en la determinación de la porción de frecuencias
bajas en la curva de respuestas.

- El voltaje de salida estará dada por la siguiente fórmula:

Vout = Ic x Rc = β x Ib x Rc = hfe x Ib x Rc

- Ganancia de voltaje:

ΔV - Vout / Vin = - Rc / Zin.(el signo menos indica que Vout esta 180° fuera de fase con al
entrada Vin)

- Ganancia de corriente:

ΔI = (Vout x Zin) / (Vin x Rc) = ganancia de voltaje x Zin / Rc

- Ganancia de potencia = ganancia de voltaje x ganancia de corriente = ΔP = ΔV x ΔI

- Zin (impedancia de entrada) = R1 // R2 // hie, que normalmente no es un valor alto

(contrario a lo deseado)

- Zo (impedancia de salida) = Rc- La salida está 180° desfasada con respecto a la entrada
(es invertida)

Notas:
- β = hfe son parámetros propios de cada transistor

- hie = impedancia de entrada del transistor dada por el fabricante.

IV. Cálculos:

En problemas de análisis, están dados los valores de R2, R3, Re, Rc, RL, Vcc, Vbe y β.

De la figura 1:

Paso 1: Utilizamos R2 y R3 para determinar Vbb y Rb de las siguientes ecuaciones.

𝑅1𝑉𝑐𝑐
𝑉𝑏𝑏 = 𝑅1+𝑅2
 𝑅1𝑅2
𝑅𝑏 = 𝑅1+𝑅2

Paso 2: Utilice las ecuaciones de polarización para calcular Icq.

𝑉𝑏𝑏−𝑉𝑏𝑒
𝐼𝑐𝑞 = 𝑅𝑏
+Re
β

Paso 3: Se utiliza la ecuación de la línea de carga para determinar Vceq.

𝑉𝑐𝑒𝑞 = 𝑉𝑐𝑐 − (𝑅𝑒 + 𝑅𝑐)𝐼𝑐𝑞 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑅𝑐𝑑𝐼𝑐𝑞

Paso 4: Se construye la línea de carga de cd en las curvas características. Como se sabe que
la línea de carga de ca interseca la línea de cd en el punto Q, la línea de carga de ca se
construye de la ecuación.

𝑉 ′ 𝑐𝑐 = 𝑉𝑐𝑒𝑞 + 𝐼𝑐𝑞(𝑅𝑐𝑎) donde 𝑅𝑐𝑎 =RL//Rc

V. Materiales
 Osciloscopio
 Multímetro
 Transistor 2N2222
 Resistencias
 Condensadores

VI. Procedimiento

Simular en Proteus y armar el siguiente circuito de la figura, anotar los siguientes datos en
una tabla y comparar para 3 medidas diferentes, a su vez mostrar tanto en el osciloscopio
físico y en el osciloscopio del programa Proteus las funciones de salida generadas:
Tabla de datos tomados con multímetro:

Ib(mA) Vi(V) Ie(mA) Ic(mA) Ii(mA) Io(mA) Vo(V) Zi Zo Av Ai

0.02 4.32 1.07 0.81 0.43 0.41 24.0 1.57k 4.1k 5.56 1.05
0.01 4.26 1.31 0.71 0.42 0.40 26.2 1.50k 3.9k 6.15 1.05
0.01 4.30 1.28 0.79 0.43 0.39 24.07 1.55k 4.2k 5.60 1.1

Hallando la impedancia de entrada y la de salida:

Transformamos el circuito:

𝑍𝑖 = 𝑅𝑏𝑏//ℎ𝑖𝑒
𝑅1.𝑅2 26𝑚
Donde: 𝑅𝑏𝑏 = 𝑅1+𝑅2 = 7.15𝐾 y ℎ𝑖𝑒 = 𝐵 = 2𝐾
𝐼𝑐𝑞

𝑍𝑖 = 1.56𝐾

𝑍𝑜 = 𝑅𝑐//𝑅𝑙

𝑍𝑜 = 4.04𝑘
Simulación en proteus:

Osciloscopio:

Simulación en multisin
En el osciloscopio

VII. Cuestionario

Responder las siguientes preguntas:

 ¿Qué es la región activa, de corte y de saturación?

La región activa

Corresponde a una polarización directa de la unión emisor-base. Esta es la región de

operación normal del transistor para amplificación.

Centrando la atención en la recombinación de los electrones en la base procedentes del

emisor podemos observar que allí donde había un hueco pasa a haber, tras la
recombinación, un ión negativo inmóvil. Si desaparecen los huecos de la base y se llena de
iones negativos, se carga negativamente, y se repelen los electrones procedentes del emisor.
En este caso se impediría la circulación de la corriente, es decir, es necesario que la
corriente de base reponga huecos para que haya corriente de colector.

Por tanto, por cada electrón recombiando hay que introducir un hueco nuevo que neutralice
la carga negativa. Si la reposición de huecos es lenta (corriente IB pequeña) la capacidad de
inyectar electrones será baja, debido a la repulsión eléctrica. Este fenómeno tiene la
propiedad de ser aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:

, en donde es un coeficiente adimensional, denominada ganancia directa de

corriente, o bien ganancia estática de corriente.

Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atraídos por el potencial
positivo aplicado al colector, pueden atravesar la unión BC, y dar origen a la corriente de
colector IC

Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta drásticamente el número de

portadores minoritarios del diodo base-colector, con lo que su corriente inversa aumenta
también

Región de corte

Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. La operación en ésta región

corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo aplicaciones de conmutación en el
modo apagado, pues el transistor actúa como un interruptor abierto (IC= 0).

En este caso las dos uniones están polarizadas en inversa, por lo que existen zonas de
deplección en torno a las uniones BE y BC. En estas zonas no hay portadores de carga
móviles, por lo tanto, no puede establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los
portadores minoritarios sí pueden atravesar las uniones plarizadas en inversa, pero dan
lugar a corrientes muy débiles. Por lo tanto, un transistor en corte equivale a efectos
prácticos, a un circuito abierto.

Región de saturación
Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. La operación den esta región
corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo encendido, pues el transistor actúa
como un interruptor cerrado (VCE= 0).

 Una vez armado el circuito y simularlo observe los resultados ¿son iguales? Si no
lo son explique el porqué de esta diferencia si se trata del mismo circuito.

Cuando armamos el circuito y ver la salida en el osciloscopio nos dimos cuenta q las
gráficas eran parecidas, mas no iguales a las de la simulación, ya que en el ambiente en el
que estamos más la manipulación de los materiales, todo ello influye en la experiencia; y
hace q los datos tomados no sean precisos.

 Mencione 5 usos de los transistores bipolares.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

1. Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)

2. Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencia)
3. Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación
conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
4. Detección de radiación luminosa (fototransistores)
5. Se usan generalmente en electrónica analógica y en la electrónica digital como la
tecnología TTL o BICMOS.
6. Son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves
de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en
la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.

¿Cuáles son las ventajas y desventajas de los BJT?

Desventajas:

 Segunda avalancha
 Perdida de disipación de potencia
 Controlado por corriente

Ventajas:

 Area de operación segura en polarización directa e indirecta.

¿Qué es la segunda avalancha de los BJT?

Es un fenómeno destructivo, se debe al flujo de corriente por una pequeña porción de la

base, que produce puntos calientes localizados. Si la energía de esos puntos calientes es
suficiente, el calentamiento localizado excesivo puede dañar al transistor. Así, la segunda
 avalancha se deba a la avalancha térmica localizada debido a altas concentraciones de
corrientes.

¿Qué es el factor de sobreexcitación de los BJT?

También llamado factor de sobresaturación (ODF), es la relación entre Ib e Ibs (corriente

base en la región de saturación)

¿Cuál es la diferencia entre B (beta), y la beta forzada (Bf) de los BJT?

El Bf, es la relación de Ics (corriente de colector en la saturación) y la Is, lo cual esta

relación es cuando se analiza en el punto de saturación.

VIII. Conclusiones

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de
circuitos electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control. Con el
desarrollo de este trabajo además de consolidar el trabajo en equipo, y consolidar nuestras
capacidades investigativas nos aportó importantes conocimientos en algunos casos en
forma de cultura general, y otras ocasiones conocimientos específicos acerca de los diodos
y cada uno de los tipos más conocidos. Podemos decir que el surgimiento de los Diodos ha
proporcionado un gran avance a la ciencia no solo a la electrónica sino a la ciencia de
forma general porque casi todos equipos que tenemos en la actualidad funcionan con
componentes eléctricos y con presencia de transistores.

IX. Bibliografía
 http://www.electronica2000.com
 http: //areaelectronica.com/ Transistores/Transistores, transistor, teoría..htm
 Diseño Electrónico- 2da edición Autor: Savant
 Dispositivos Electrónicos- 8va edición Autor: Floyd