UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
FACULTAD DE INGENIERÍA INDUSTRIAL
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA INDUSTRIAL

“PREGUNTAS DEL CAPÍTULO 3 Y 4 DE CIENCIA E INGENIERÍA

DE MATERIALES”

CURSO: INGENIERÍA DE MATERIALES

DOCENTE: ING. ORTIZ PORRAS JORGE

INTEGRANTES:

BAZÁN PANANA ELIETE MARIEL 15170204

ZAVALETA HURTADO RICARDO 13170088

2019
Problema 1
a. El efecto puntual intersticial depende de la temperatura. ( )
b. El efecto de adicionar dopantes es negativo. ( )
c. El defecto Frenkel se presenta en metales. ( )
d. La vacancia de un ion disminuye la entropía del material. ( )
e. La introducción de átomos intersticiales disminuye la ductilidad. ( )

I) VVFVF II) FVFVV III) VVVFV IV) FFVFV V) FVVVV

Problema 2
a. Las dislocaciones son introducidas durante la solidificación del material. ( )
b. La importancia del desplazamiento de las dislocaciones es que provee la ductilidad
( )
del material.
c. La ley de Schmid explica el movimiento de las dislocaciones. ( )
d. La ecuación de Hall-Petch describe la relación del tamaño de grano y limite elástico. ( )
e. El comportamiento de Arrenius describe el número de átomos vacíos en una
( )
estructura cristalina.
I) VVVVF II) FFFFV III) VFFFV IV) VVVVV V) FFFVF

Problema 3
a. La vacancia de un átomo no distorsiona la región alrededor. ( )
b. Los defectos sustitucionales reemplazan el ion por uno semejante. ( )
c. El vector Burges está relacionado con los defectos superficiales. ( )
d. El plomo y el boro son dopantes del silicio. ( )
e. El defecto de dislocación arista se explica al aplicar torsor a una estructura cristalina. ( )
I) VFFVF II) FVFFF III) VFVFV IV) FVVFV V) FFFFF

Problema 4

a. Según el índice de Miller los planos y sus negativos son diferentes. ( )

b. Un material aniso trópico es independiente de la dirección cristalográfica. ( )
c. Los sitios octaédricos dan un número de coordinación de ocho. ( )
d. El sitio cubico da un numero de coordinación de ocho. ( )
e. La estructura de la fluorita tiene sus aniones localizados en ocho posiciones
( )
tetraédricas.
I) VVFVF II) FVFVV III) VFVFV IV) FFFVV V) FVVVV

Problema 5
a. Existe un único método para obtener el número de átomos por celda unitaria. ( )
b. La sílice cristalina tiene una estructura totalmente covalente. ( )
c. La distancia entre 2 planos paralelos de átomos con diferentes índices de Miller se
( )
llama espaciado interplanar.
d. El término polimorfismo se utiliza para materiales compuestos. ( )
e. Los límites entre los cristales en alineamiento se les conoce como límite de grano. ( )
 I) FVFVF II) FVVVV III) VFVFV IV) FFFVF V) FVVVF

Problema 6
a. Los gases monoatómicos no tienen un arreglo ordenado. ( )
b. Los límites de macla interfieren con el proceso de deslizamiento. ( )
c. Los ferroeléctricos desarrollan una polarización espontánea y reversible. ( )
d. Debido a que los planos de desplazamiento son paralelos en metales CH no ocurre el
( )
desplazamiento cruzado.
e. El esfuerzo cortante resuelto crítico es el esfuerzo cortante requerido para que se
( )
produzca el deslizamiento de las dislocaciones.
I) FFFFF II) VVVVV III) VVVFV IV) FVVFV V) FVVVF

Problema 7
a. En las muestras de polímeros se utiliza la técnica del ranurado térmico. ( )
b. La ley de Schmid no se aplica en granos orientados en diferentes direcciones. ( )
c. Al grupo de líneas de deslizamiento se le conoce como bandas de deslizamiento. ( )
d. Algunas propiedades mecánicas de metales se controlan distorsionando el
( )
movimiento de dislocaciones.
e. El esfuerzo cortante se origina cuando la fuerza actúa perpendicular al área de
( )
interés.
I) VVFVF II) FVVVF III) VFVFV IV) FVVFV V) FVVVF

Problema 8
a. A temperatura ambiente la concentración de vacancias es pequeña. ( )
b. Las concentraciones de vacancia en los materiales están determinadas por factores
( )
termodinámicos y cinéticos.
c. Se requiere el esfuerzo de Peierls-Nabarro para mover el defecto puntual. ( )
d. La notación Kroger-Vink se utiliza para la escritura de las reacciones químicas de los
( )
defectos.
e. Un efecto de Shottchy se puede utilizar en materiales covalentes. ( )
I) VVFVF II) FVFVV III) VVFVF IV) FVVFV V) FVVVF

Problema 9
a. Un defecto puntual es considerado como defecto extendido. ( )
b. El termino alotropía es utilizado a los elementos puros. ( )
c. Al proceso de preparación de una muestra metálica se le conoce como metalografía. ( )
d. La microscopia óptica es una técnica que sirve para revelar las características micro
( )
estructurales como los límites de grano.
e. El Dominio es una región pequeña del material en el que la dirección de la
( )
magnetización o de la polarización dieléctrica permanece igual
I) VVFVF II) FVVVV III) VFFFV IV) FVVFV V) FVVVF
Problema 10
a. La densidad de las dislocaciones se utiliza para representar la cantidad de
( )
dislocaciones presentes.
b. La deformación plástica se refiere a un cambio reversible del objeto al cual se le
( )
coloco un esfuerzo.
c. Los materiales sin enlaces más son resistentes al deslizamiento. ( )
d. La dislocación se mueve a una dirección paralela al vector de Burgers. ( )
e. El polietileno se obtiene mediante cadenas de CHO ( )
I) VFFFF II) FVFVV III) VFVFV IV) FVVFV V) FVVVF

Problema 11
a. La mayoría de plásticos son amorfos y pueden desarrollar cristalinidad durante su
( )
procesamiento.
b. El Factor de empaquetamiento es la razón del volumen del espacio ocupado por los
( )
átomos en la celda unitaria al volumen de la celda unitaria.
c. A la estructura del corindón se le conoce también como alúmina alfa. ( )
d. El escalón del deslizamiento que se produce es paralelo al vector Burgers. ( )
e. Las fallas de apilamiento interfieren en el proceso de deslizamiento. ( )
I) VVFVF II) VVVVV III) VFVFV IV) FVFFV V) FVVVV

Problema 12
a. Defecto se refiere a la a la falta de perfección en el orden atómico e iónico de los
( )
cristales.
b. La ventaja principal de los vidrios-cerámicos es que se modelan utilizando técnicas
( )
de formación del vidrio.
c. Los metales y sus aleaciones no desarrollan materiales cristalinos. ( )
d. La dispersión de neutrones es usada para investigar el orden de corto alcance en
( )
materiales amorfos.
e. Los defectos puntuales interfieren en el movimiento de las dislocaciones y permiten
( )
mantener la resistencia.
I) VVFVF II) FVFFV III) VVFVV IV) FVVFV V) FVVVF

Problema 13
a. Los polímeros de cristal líquido se comportan como materiales amorfos. ( )
b. Un material policristalino está constituido por varios cristales más pequeños con
( )
diversas orientaciones en el espacio.
c. Los vidrios de silicato no contienen dislocaciones. ( )
d. La estructura cristalina blenda de zinc puede tener la estructura de cloruro de sodio. ( )
e. Los rayos x difractados pueden satisfacer la ley de Bagg. ( )
I) VVFFV II) FVFVV III) VFVFV IV) FVVFV V) FVVVF
Problema 14
a. SI los átomos de cierto metal están en bastante contacto, estos se deforman con
( )
mayor dificultad.
b. La cristalización de un vidrio no puede ser controlada. ( )
c. La ductilidad de cerámicas se obtiene mediante maclado cerámico. ( )
d. Los hidrocarburos poseen tres sistemas de deslizamiento. ( )
e. En los defectos intersticiales, la cantidad de iones permanece constante. ( )
I) VVFVF II) FVFVV III) VFFFV IV) FVVFV V) FFVVV

Problema 15
a. El endurecimiento por tamaño de grano en materiales metálicos ocurre al disminuir
( )
el número de granos.
b. Los materiales con enlace iónico son resistentes al deslizamiento. ( )
c. La aleación de un metal es el claro ejemplo material monocristalino. ( )
d. Los defectos sustitucionales pueden ocurrir por la introducción de dopantes. ( )
e. La ley de Schmid se utiliza para predecir el comportamiento de materiales
( )
policristalinos.
I) VVFVF II) FVFVV III) VFVFF IV) FVVFV V) FVVVF
 SOLUCIONARIO
Problema 1
a. El efecto puntual intersticial depende de la temperatura. (F) 117
b. El efecto de adicionar dopantes es negativo. (F) 115
c. El defecto Frenkel se presenta en metales. (V) 120
d. La vacancia de un ion disminuye la entropía del material. (F) 115
e. La introducción de átomos intersticiales disminuye la ductilidad. (V) 117

I) VVFVF II) FVFVV III) VVVFV IV) FFVFV V) FVVVV

Sustentación
a. Los defectos por vacancia dependen de la temperatura, mientras que defectos
intersticiales y sustitucionales.
b. Los dopantes son elementos o compuestos que se adicionan de manera deliberada
con un efecto benéfico.
d. La vacancia es la ausencia de un ion y esto provoca un aumento en la aleatoridad o
entropía.

Problema 2
a. Las dislocaciones son introducidas durante la solidificación del material. (V) 122
b. La importancia del desplazamiento de las dislocaciones es que provee la ductilidad
(V) 131
del material.
c. La ley de Schmid explica el movimiento de las dislocaciones. (V) 131
d. La ecuación de Hall-Petch describe la relación del tamaño de grano y limite
(V) 136
elástico.
e. El comportamiento de Arrenius describe el número de átomos vacíos en una
(V) 115
estructura cristalina.
I) VVVVF II) FFFFV III) VFFFV IV) VVVVV V) FFFVF

Problema 3
a. La vacancia de un átomo no distorsiona la región alrededor. (F) 114
b. Los defectos sustitucionales reemplazan el ion por uno semejante. (F) 119
c. El vector Burgers está relacionado con los defectos superficiales. (F) 122
d. El plomo y el boro son dopantes del silicio. (F) 115
e. El defecto de dislocación arista se explica al aplicar torsor a una estructura
(F) 122
cristalina.

I) VFFVF II) FVFFF III) VFVFV IV) FVVFV V) FFFFF

Sustentación
a. Un defecto puntual es una perturbación en la estructura cristalina que afecta la región
alrededor.
b. El defecto sustitucional es el reemplazo de un ion distinto de los que se encuentan en
la red de iones.
c. E vector de Burgers es requerido para completar la vuelta de una disociación.
d. El fósforo (P) y el boro (B) son dopantes que se adicionan a cristales de silicio para
mejorar sus propiedades eléctricas.
e. La dislocacion de arista puede explicarse cortando parcialmente y separando el cristal,
mientras que la dislocacion helicoidal se explica torciendo el cristal.

Problema 4
a. Según el índice de Miller los planos y sus negativos son diferentes. (F) 78
b. Un material aniso trópico es independiente de la dirección cristalográfica. (F) 83
c. Los sitios octaédricos dan un número de coordinación de ocho. (F) 84
d. El sitio cubico da un numero de coordinación de ocho. (V) 84
e. La estructura de la fluorita tiene sus aniones localizados en ocho posiciones
(V) 89
tetraédricas.

I) VVFVF II) FVFVV III) VFVFV IV) FFFVV V) FVVVV

Sustentación
a. El índice de Miller explica que los planos y sus negativos son idénticos.
b. Un material cristalográficamente es anisotrópico si sus propiedades dependen de la
dirección cristalográfica.
c. Los sitios octaédricos dan un número de coordinación de seis.

Problema 5
a. Existe un único método para obtener el número de átomos por celda unitaria. (F) 91
b. La sílice cristalina tiene una estructura totalmente covalente. (F) 94
c. La distancia entre 2 planos paralelos de átomos con diferentes índices de Miller se
(F) 84
llama espaciado interplanar.
d. El término polimorfismo se utiliza para materiales compuestos. (V) 72
e. Los límites entre los cristales en alineamiento se les conoce como límite de grano. (F) 57

I) FVFVF II) FVVVV III) VFVFV IV) FFFVF V) FVVVF

Sustentación
a. Existen dos métodos para la obtención del número de átomos por celda: utilizando el
concepto se red y base; utilizando el concepto de celda unitaria.
b. La sílice cristalina tiene una estructura compuesta parcialmente covalente y iónica.
c. La distancia entre dos planos paralelos adyacentes de átomos con los mismos índices
de Miller.
e. Los límites donde los cristales están en desalineamiento se les conoce como límites de
grano.

Problema 6
a. Los gases monoatómicos no tienen un arreglo ordenado. (V) 56
b. Los límites de macla interfieren con el proceso de deslizamiento. (V) 140
c. Los ferroeléctricos desarrollan una polarización espontánea y reversible. (V) 141
d. Debido a que los planos de desplazamiento son paralelos en metales CH no ocurre
(V) 135
el desplazamiento cruzado.
e. El esfuerzo cortante resuelto crítico es el esfuerzo cortante requerido para que se
(V) 133
produzca el deslizamiento de las dislocaciones.

I) FFFFF II) VVVVV III) VVVFV IV) FVVFV V) FVVVF

Problema 7
a. En las muestras de polímeros se utiliza la técnica del ranurado térmico. (F) 138
b. La ley de Schmid no se aplica en granos orientados en diferentes direcciones. (V) 134
c. Al grupo de líneas de deslizamiento se le conoce como bandas de deslizamiento. (V) 129
d. Algunas propiedades mecánicas de metales se controlan distorsionando el
(V) 131
movimiento de dislocaciones.
e. El esfuerzo cortante se origina cuando la fuerza actúa perpendicular al área. (F) 124
I) VVFVF II) FVVVF III) VFVFV IV) FVVFV V) FVVVF

Sustentación
a. La técnica de Ranurado térmico se utiliza para observar los límites de granos en las
mustras cerámicas.
e. El esfuerzo cortante se origina cuando la fuerza actúa en una dirección paralela al área
de interés.

Problema 8
a. A temperatura ambiente la concentración de vacancias es pequeña. (V) 115
b. Las concentraciones de vacancia en los materiales están determinadas por factores
(V) 116
termodinámicos y cinéticos.
c. Se requiere el esfuerzo de Peierls-Nabarro para mover el defecto puntual. (F) 126
d. La notación Kroger-Vink se utiliza para la escritura de las reacciones químicas de los
(V) 121
defectos.
e. Un efecto de Shottchy se puede utilizar en materiales covalentes. (F) 120

I) VVFVF II) FVFVV III) VVFVF IV) FVVFV V) FVVVF

Sustentación
c. Para mover una defecto de dislocacion se requiere el esfuerzo de Peierls-Nabarro.
e. Un efecto de Schottky se único para materiales iónicos.
Problema 9
a. Un defecto puntual es considerado como defecto extendido. (F) 115
b. El termino alotropía es utilizado a los elementos puros. (V) 72
c. Al proceso de preparación de una muestra metálica se le conoce como
(V) 134
metalografía.
d. La microscopia óptica es una técnica que sirve para revelar las características micro
(V) 134
estructurales como los límites de grano.
e. El Dominio es una región pequeña del material en el que la dirección de la
(V) 140
magnetización o de la polarización dieléctrica permanece igual

I) VVFVF II) FVVVV III) VFFFV IV) FVVFV V) FVVVF

Sustentación
a. El defecto puntual involucra un átomo y por tanto es distinto de los defectos
extendidos.

Problema 10
a. La densidad de las dislocaciones se utiliza para representar la cantidad de
(V) 131
dislocaciones presentes.
b. La deformación plástica se refiere a un cambio reversible del objeto al cual se le
(F) 130
coloco un esfuerzo.
c. Los materiales sin enlaces más son resistentes al deslizamiento. (F) 126
d. La dislocación se mueve a una dirección paralela al vector de Burgers. (F) 125
e. El polietileno se obtiene mediante cadenas de CHO (F) 95

I) VFFFF II) FVFVV III) VFVFV IV) FVVFV V) FVVVF

Sustentación
b. La deformación plástica se refiere a un cambio irreversible del objeto que es sometido
a una fuerza, mientras que la deformación elástica es referida a un cambio reversible.
c. Los materiales con enlace iónico son más resistentes al deslizamiento.
d. La dislocacion se mueve tanto en una dirección paralela o perpendicular al vector de
Burgers.
e. El poletileno no se obtiene mediante cadenas de aldehído (CHO) sino, está conformado
por cadenas de hidrocarburos.

Problema 11
a. La mayoría de plásticos son amorfos y pueden desarrollar cristalinidad durante su
(V) 95
procesamiento.
b. El Factor de empaquetamiento es la razón del volumen del espacio ocupado por los
(V) 94
átomos en la celda unitaria al volumen de la celda unitaria.
c. A la estructura del corindón se le conoce también como alúmina alfa. (V) 89
d. El escalón del deslizamiento que se produce es paralelo al vector Burgers. (V) 125
e. Las fallas de apilamiento interfieren en el proceso de deslizamiento. (V) 140
 I) VVFVF II) VVVVV III) VFVFV IV) FVFFV V) FVVVV

Problema 12
a. Defecto se refiere a la a la falta de perfección en el orden atómico e iónico de los
(V) 56
cristales.
b. La ventaja principal de los vidrios-cerámicos es que se modelan utilizando técnicas
(V) 59
de formación del vidrio.
c. Los metales y sus aleaciones no desarrollan materiales cristalinos. (F) 59
d. La dispersión de neutrones es usada para investigar el orden de corto alcance en
(V) 59
materiales amorfos.
e. Los defectos puntuales interfieren en el movimiento de las dislocaciones y
(V) 143
permiten mantener la resistencia.

I) VVFVF II) FVFFV III) VVFVV IV) FVVFV V) FVVVF

Sustentación
c. Los metales y sus aleaciones fabrican materiales cristalinos.

Problema 13
a. Los polímeros de cristal líquido se comportan como materiales amorfos. (V) 58
b. Un material policristalino está constituido por varios cristales más pequeños con
(V) 57
diversas orientaciones en el espacio.
c. Los vidrios de silicato no contienen dislocaciones. (F) 131
d. La estructura cristalina blenda de zinc puede tener la estructura de NaCl. (F) 88
e. Los rayos x difractados pueden satisfacer la ley de Bagg. (V) 96

I) VVFFV II) FVFVV III) VFVFV IV) FVVFV V) FVVVF

Sustentación
c. Los vidrios de silicato si contienen dislocaciones.

d. La estructura cristalina blanda de zinc no tiene la estructura de NaCl, porque poseen

distinto número de valencia y la razón de sus radios explica un número de coordinación
diferentes.

Problema 14
a. SI los átomos de cierto metal están en bastante contacto, estos se deforman con
(F) 75
mayor dificultad.
b. La cristalización de un vidrio no puede ser controlada. (F) 59
c. La ductilidad de cerámicas se obtiene mediante maclado cerámico. (V) 127
d. Los hidrocarburos poseen tres sistemas de deslizamiento. (V) 134
e. En los defectos intersticiales, la cantidad de iones permanece constante. (V) 117

I) VVFVF II) FVFVV III) VFFFV IV) FVVFV V) FFVVV

Sustentación
a. Las direcciones cristalográficas se utilizan para indicar una orientación particular de
un monocristal, los metales se deforman con mayor facilidad en las direcciones a lo largo
de las cuales los átomos están en mayor contacto.

b. La cristalización de los vidrios puede controlarse. Los científicos e ingenieros de

materiales, como Donald Stookey, han desarrollado métodos de nucleación deliberada
de cristales ultrafinos en vidrios amorfos.

Problema 15
a. El endurecimiento por tamaño de grano en materiales metálicos ocurre al disminuir
(F) 142
el número de granos.
b. Los materiales con enlace iónico son resistentes al deslizamiento. (V) 126
c. La aleación de un metal es el claro ejemplo material monocristalino. (F) 59
d. Los defectos sustitucionales pueden ocurrir por la introducción de dopantes. (V) 119
e. La ley de Schmid se utiliza para predecir el comportamiento de materiales
(V) 134
policristalinos.
I) VVFVF II) FVFVV III) VFVFF IV) FVVFV V) FVVVF

Sustentación
a. El endurecimiento por tamaño de grano en materiales metálicos ocurre al dismuir el
tamaño de los grano o aumentar el número de granos.
c. La aleación de un metal pertenece al grupo de los materiales policristalino.