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INDICE
3-1
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
n p n
(a)
n p
(b)
n
Fig. 3.1 (a) Estructura de tres regiones de un transistor bipolar NPN, (b) sección
transversal.
Se pueden identificar dos uniones PN. En primera instancia podría interpretarse que un
transistor bipolar funciona de forma equivalente a dos diodos enfrentados. Sin embargo, se verá
como no es así.
Se pueden encontrar dos tipos de transistores bipolares en función del tipo de material
utilizado para las tres regiones semiconductoras. En la Fig. 3.3 se muestra su disposición. En el
3-2
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
E N P N C
(emisor) (colector)
EMISOR: Terminal externo que suele estar más fuertemente dopado de impurezas
(n).
BASE: Terminal intermedio que se conecta a la región central, dopada con
impurezas tipo p. Suele ser la región menos dopada de las tres, y la más
estrecha.
COLECTOR: Extremo opuesto al emisor, del mismo tipo de dopado, pero con menor
concentración de impurezas n.
3-3
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
+ B +
vBE iB vBC
- -
E N P N C
iE iC
- +
vCE
C (a)
vBC - +
iC
iB
+
B vCE
+
vBE
iE
- -
(b) E
- B -
vEB iB vCB
+ +
E P N P C
iE iC
+ -
VEC
(a)
C
vCB + -
iC
iB
-
B vEC
-
vEB
iE
+ +
E
(b)
3-4
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
Como criterio general, las intensidades iC, iB e iE son consideradas positivas según el sentido
asociado en la Fig. 3.4. Según este criterio, se cumplirá que iC+iB = iE. vBC es la tensión de la
unión PN base-colector. La conducción asociada a dicho diodo dependerá por tanto, del signo
y valor de dicha tensión. La tensión vBE controla, de modo similar, la tensión del diodo PN base
emisor. Un transistor PNP funciona de forma similar, con la definición de sus terminales,
variables y símbolos, tal como se muestra en la Fig. 3.5.
vBE vBC BE BC
El funcionamiento del transistor bipolar no se ajusta al modelado con dos diodos enfrentados.
A continuación se detalla el comportamiento en las diferentes regiones de operación.
3-5
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
vBC<0 - +
iC
iB
+
vCE
+
vBE>0 iE
- -
Fig. 3.6 Polarización en la región activa directa (ZAD) del transistor NPN (Modelo ideal).
n p n
e- difundidos
-
iE e injectados e- colectados iC
e-
p+ inyectados
E e- recombinados
C
p+
Corriente de saturación
B iB
3-6
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
de una carga negativa (e-) con una positiva (p+) al interactuar entre si. De este modo, los
electrones que llegan a las proximidades de la unión base-colector “ven” un campo eléctrico que
los atrae hacia la región de colector. Este campo eléctrico es, si cabe, más intenso, como
consecuencia de la polaridad negativa de la unión base-colector. Como conclusión, la gran
mayoría de los electrones que han sido emitidos desde el Emisor, son recolectados en el
Colector, y solo algunos se recombinan en la Base. Para compensar esta corriente de
recombinación, la intensidad de base tomará un valor positivo (huecos penetrando hacia la
base). Como conclusión, podríamos resumir el comportamiento en zona activa directa en el
siguiente cuadro.
v BE ⁄ V T
i C = βI S ⋅ e (3.1)
Siendo IS la intensidad de saturación, que es constante a una temperatura dada (10-12 a 10-15 A
son valores típicos, aunque se dobla cada 5oC. VT es el potencial térmico (26mV a 25oC). Esta
expresión refleja la dependencia de la corriente de colector con la tensión base-emisor,
responsable de la polarización directa de la unión BE.
v BE ⁄ V T
iB = I S ⋅ e (3.2)
3-7
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
transistores actuales se sitúa entre 50 y 200. De (3.1) y (3.2) puede observarse la definición de
β como,
iC
β = ----
- (3.3)
iB
(1 + β) v ⁄V IS v ⁄ V
i E = i C + i B = ----------------- ⋅ I S ⋅ e BE T = ----- ⋅ e BE T (3.4)
β α
β α
α = ------------ ⇒ β = ------------ (3.5)
1+β 1–α
como la ganancia de corriente a base común. Este parámetro toma valores menores que la
unidad. Para una β=100, es de 0.99. Pequeñas variaciones en α generan grandes variaciones en
β. Su valor no es constante, y es dependiente del nivel de corriente, siendo mayor cuanto más
elevada es la corriente de colector. En general, puede considerarse constante para la mayoría de
las situaciones. También denominado coeficiente de recombinación de la corriente en la base
(respecto de los electrones inyectados desde el emisor), ya que informa del porcentaje de
electrones que, habiendo sido inyectados desde el emisor, consiguen alcanzar el colector sin
recombinarse en la base. De ahí su definición alternativa como,
iC
α = ----
- (3.6)
iE
3-8
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
iB iC
B C
+
IS V ⁄ V
vBE βI B
IB = ----- ⋅ e BE T
β -
iE
(a)
iB E
iC
B + C
vBE=vBE(act) βI B
-
vBE(act)=0.7V iE
(b)
E
Fig. 3.8 (a) Circuito equivalente en la región activa directa. (b) Modelo equivalente.
3-9
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
vBC>0 iC
- +
iB
+
vCE
+
vBE<0
- iE -
Fig. 3.9 Polarización en la región activa inversa (ZAI) del transistor NPN.
C) ZONA DE SATURACIÓN:
vBC>0 - +
iC
iB
+
vCE
+
vBE >0 iE
- -
3-10
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
es también elevada. Las dos uniones PN están conduciendo, de modo que las tensiones a través
de las mismas son prácticamente constantes. Este factor condiciona la tensión colector-emisor,
fijándola a un valor constante dado por,
B + C
vBE=vBE(sat) vCE=vCE(sat)
-
iE
E
Fig. 3.11 Circuito equivalente en la región de saturación.
D) ZONA DE CORTE:
Se caracteriza porque ambas uniones se encuentran polarizadas en inversa. Las uniones son
atravesadas por portadores minoritarios, generando corrientes muy pequeñas derivadas de las
intensidades inversas de saturación en ambas uniones (Ise, Isc).
3-11
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
vBC<0 - +
iC
iB
+
vCE
+
vBE<0 iE
- -
B C
iB = 0 iC = 0
iE = 0
E
Fig. 3.13 Circuito equivalente en la región de corte.
En la Tabla 3.6 se resumen las condiciones del transistor para cada una de las regiones de
operación, los circuitos simplificados en cada uno de ellas y las relaciones entre sus variables
necesarias para el análisis de circuitos con transistores. Asimismo, en la Fig. 3.14 se representan
las diferentes regiones de operación de los transistores bipolares NPN y PNP en función de las
polarizaciones en las uniones. Es necesario puntualizar que se ha tomado un modelado ideal
para las uniones (VON = 0).
3-12
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
iB iC
+ vBE(sat) = 0.8V
B C
vBE(sat) vCE(sat)
- vCE(sat) = 0.2V
SAT vBE(sat) vCE(sat) iC < β.iB
iE
E
B iB iC C
a. Se puede deducir el modelo para ZAI intercambiando los terminales de colector y emisor, y los senti-
dos de las intensidades en ambos. La utilidad de hacer trabajar al transistor en esta región es muy
limitada, por lo que en general se prescinde de su estudio.
vBE vEB
vBC vCB
NPN PNP
(a) (b)
Fig. 3.14 Regiones de operación del BJT NPN (a) y PNP (b) en función de las
polarizaciones en las uniones (considerar el modelo ideal).
3-13
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
Para encontrar una representación del transistor bipolar en términos de sus variables
eléctricas se va a utilizar el concepto general de representación BIPUERTA. Se dice que un
circuito admite una representación bipuerta si es posible identificarlo mediante una puerta de
entrada y otra de salida. Los pares de variables (Vi,Ii) (Vo,Io) están asociados a las variables de
tensión e intensidad en la entrada y la salida respectivamente. En el caso del transistor bipolar,
al tener tres terminales, estos se pueden combinar para obtener tres representaciones del tipo
bipuerta: Tomando la base como terminal de referencia (base común, BC), tomando el colector
como terminal de referencia (colector común, CC) y tomando el emisor como terminal de
referencia (emisor común, EC). Las tres aparecen representadas en la Fig. 3.16.
Ii Io
+ +
Vi BIPUERTA Vo
- -
En función del contexto, cada una de estas descripciones tendrá mayor o menor utilidad. La
configuración a Emisor Común es la más utilizada, por lo que de aquí en adelante se adoptará
para la descripción del transistor BJT. En este contexto, quedan justificadas las nomenclaturas:
ganancia a base común (α=iC/iE) y ganancia a emisor común (β=iC/iB), anteriormente
utilizadas.
3-14
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
BASE COMUN
COLECTOR COMUN
EMISOR COMUN
3-15
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
En esta configuración las variables de entrada son: vBE e iB. Ambas definen la curva iB-vBE
denominada característica de entrada. Este tipo de curvas incluyen además la dependencia con
vCE, tensión de salida, dando lugar a una familia de curvas: para cada valor de vCE (tomado
como parámetro) se obtiene una característica iB-vBE, iB=iB(vBE, vCE). En la Fig. 3.17 se aprecia
la dependencia de la corriente de base con la tensión BE. Los valores de iB son del orden de
decenas de µA, mientras que el valor de vBE permanece acotado al tratarse de la caida de tensión
en una unión PN, que se sitúa en torno a los 0.6-0.8V.
iB
SAT
ZAD
OFF
vBE[V]
0.5 0.7
Se puede tomar como modelo en la región activa directa: vBE(act)=0.7V, mientras que en
saturación vBE(sat)=0.8V. Para este modelo, se supone que la entrada en la región activa directa
se produce a partir de vBE(act) > 0.6V, y no a partir de un valor positivo de la tensión base
emisor, como indica la gráfica de la Fig. 3.14(a), correspondiente a una situación ideal.
La característica de salida a emisor común representa iC = iC (vCE, iB), es decir, para cada
valor de iB, se obtiene una característica de salida iC versus vCE.
3-16
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
ZAD
ZAI
vRUP(V)
vCE(V) vCE(V)
En esta curva aparece la intensidad de colector para cada valor de la tensión colector emisor.
Se han fijado una serie de valores de la corriente de base, que sirve como parámetro para definir
la familia de curvas de salida a EC.
3.3.2: Aplicación del modelo a emisor común al análisis de un transistor BJT polarizado.
En este apartado se van aplicar los modelos deducido anteriormente para el transistor bipolar
al análisis de un circuito en gran señal. El circuito se muestra en la Fig. 3.19. Consta de un
transistor bipolar, Q, dos resistencias, RB (resistencia de base) y RC (resistencia de colector) y
una fuente de alimentación VCC. La señal de entrada del circuito es Vi, mientras que la señal de
salida es Vo. Se supone que Vi puede variar en el rango [0,VCC]. El terminal de emisor se
encuentra conectado a la tensión de referencia, por lo que se puede utilizar de un modo natural
la representación a emisor común. El análisis de este circuito se va a plantear incrementado la
tensión de entrada desde 0 hasta VCC. Para cada valor de Vi, es necesario:
3-17
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
VCC
RC
Vi RB Vo
(a) Para valores pequeños de la tensión de entrada, Vi, la tensión vBE de Q será reducida. En
concreto, se puede determinar el rango de valores de Vi que colocan a dicha tensión por
debajo de 0.6V, de modo que la unión EB esté siempre cortada. Esta situación provoca
que la intensidad de base sea muy pequeña (aproximadamente nula) si el transistor
estuviese cortado. Esta hipótesis es consistente, ya que iB=iC=0 implica que vBC < 0. En
estas condiciones:
(b) Se supone que la tensión de entrada sigue incrementándose hasta que alcanza valores
3-18
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
superiores a V1, lo cual provoca que vBE > 0.6V y Q se pueda encontrar en la región
activa directa. Se puede trabajar sobre este supuesto. De este modo, la conducción de la
unión BE provoca que iB > 0 y no nulo. Simultáneamente, iC > 0, e iE > 0. El incremento
de iC hace bajar la tensión de salida por debajo de VCC (Vo=VCC-iC. RC), de modo que la
tensión colector emisor se reduce paulatinamente. Dado que la tensión de base aparece
limitado por la unión base emisor en conducción, se puede suponer que la unión base-
colector es negativa, y que nos encontramos en la región activa directa: vBE > 0, vBC < 0.
Un breve análisis del circuito nos lleva a las siguientes ecuaciones:
V i – v BE
i B = -------------------
- (3.8)
RB
V i – v BE
i C = β ⋅ -------------------- (3.9)
RB
V o = V CC – R C ⋅ i C (3.10)
(c) Ante un incremento superior de Vi, la corriente de colector es tan elevada que puede dar
lugar a una tensión vCE muy pequeña, y a la polarización de la unión Base-Colector en
directa. Esta situación se corresponde con el paso de Q a la región de saturación. En esta
región, la dependencia de iC=β . iB no se cumple, y aunque un incremento de iB incide en
un aumento de iC, ya no lo hace con un factor de proporcionalidad tan elevado como en
la zona activa directa.
Nótese que en esta región, el modelo utilizado: vBE(sat)=0.8V y vCE(sat) = 0.2V, da lugar
a una simplificación notable del análisis a realizar. La intensidad de colector queda fijada
a,
V CC – v CE(sat)
I C(sat) = ------------------------------------- (3.11)
RC
V i – v BE(sat)
I B(sat) = -------------------------------
- (3.12)
RB
3-19
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
i C(sat)
β Forzada = ---------------- ⇒ β Forzada < β (3.13)
iB
que será siempre menor que β en la región activa directa, y que nos informa de una forma
rápida de la situación de Q. La tensión de salida mientras dure esta situación es vCE(sat)= 0.2V.
iC ZAD
SAT
Fig. 3.20
0.2 vCE[V]
OFF
ESTUDIO GRÁFICO
PUNTO B: Vi > 0.6V, iB > 0 y dependiente de Vi. Q se encuentra en la ZAD, para la que iC =
β. iB, Vi = iB. RB + vBE.
En esta región, a medida que se incrementa Vi (iB) se recorren los puntos C y D.
PUNTO E: vBE >=0.8V, y el transistor se encuentra en la región de saturación.
Incluye también al punto F.
3-20
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
iB iC
F E
Vi D
Q Vi
C
B
A
0.5 0.7 vBE[V] vCE[V]
(a) (b)
Vo
OFF ZAD SAT
Vcc
A B
C
D
E F vCE(sat)
Vi
3.3.3: Dependencia de β:
El parámetro de ganancia a emisor común en ZAD (β) relaciona la intensidad de base con la
de colector. Dicha relación deja de ser válida en saturación, aunque no deja de cumplirse hasta
la frontera: ZAD -- SAT. Este punto pertenece a ambas regiones, por lo que se puede plantear la
relación
i C(sat)
i Blim = ---------------- (3.14)
β
siendo iBlim, el último valor de iB para el que es válido la relación iC=β . iB, antes de entrar en
3-21
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
saturación. Para valores de iB > iBlim, el BJT está metido en saturación. De este modo se puede
deducir que iB > iC(sat) / β. definiendo el factor de sobreexcitación como:
iB
Factordesobreexitacion = ----------
- (3.15)
i Blim
De esta forma, para cada valor de β, existe un iBlim que define la frontera entre la zona activa
directa y saturación. Se puede ahora plantear la situación en la que existe un rango de valores
de β en el rango [βmin, βmax]. Para los dos extremos de rango encontramos valores límites
distintos de iB:
I Csat I Csat
I Blim1 = -----------
- I Blim2 = -----------
- (3.16)
β min β max
siendo iC(sat) = (VCC-vCE(sat))/RC el mismo para ambos (no función de β). Dado que βmax >
βmin se cumplirá que iBlim2 < iBlim1
Si la situación de Q ha se ser siempre saturación, con independencia de las fluctuaciones de
β, se habrá de toma el valor de βmin, que nos conduce a un valor de iBlim superior para el diseño
del circuito de polarización correspondiente. El peor caso, en saturación, se dará para β=βmin.
Si β > βmin, la intensidad β.iB > iC(sat) y por lo tanto entrará en la región de saturación para
valores más pequeños de iB, esto es, para cualquier β.
Por el contrario, para asegurar que el transistor se encuentra siempre en la zona activa, se
debe tener en cuanta βmax. Si en la situación de máxima ganancia de corriente de base, βmax. iB,
intensidad de colector no es suficiente para colocar a Q en saturación, no entrará para ningún
otro β < βmax.
3.3.4: Ejemplos
RC=4.7KΩ
VBB=4V
Vo
3-22
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
Hipótesis 1: Q está es la región de corte. Quiere decir que iC=iE=iB=0. La tensiones en los
nudos del transistor son:
VC=VCC
VB=VBB
VE=0
de modo que vBE= 4 - 0 = 4V, lo cual es incongruente con la hipótesis de partida
(vBE < vBE (act) ).
Hipótesis 2: Q está es la región activa directa. Se deduce que vBE(act)=0.7V e iC=βiB.
Se puede calcular la tensión de base y la corriente de emisor:
VBB= vBE(act) + iE . RE luego iE = 1mA.
Además, la corriente de base se relaciona con la de emisor:
iB= 1/(1+β) . iE = 9.9µA, e iC = β . iB = 0.99mA.
Así pues
VC=VCC - iC.RC = 10 - .99 . 4.7 = 5.34V
VB=VBB
VE= iE . RE = 3.3V
Obteniéndose, vBC = -1.35V, que es consistente con la hipótesis 2 (vBC <
vBC(sat)=0.6V). El transistor está en ZAD.
3-23
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
VCC=10V
RC=2KΩ
RB=100KΩ
VBB=4V
Fig. 3.24
Hipótesis 1: Q está es la región de corte (vBE < vBE(act)), de modo que vBE= VBB es imposible.
Hipótesis 2: Q está es la región activa directa.
Se puede calcular la intensidad de base: iB = (VBB - vBE(act) )/ RB = 33µA.
iC = β . iB = 3.3mA
VC= VCC - iC. RC = 3.4V
vBC = VB - VC = 0.7 - 3.4 = -2.7V < vBC(sat) = 0.6V.
vCE = -VC = 0.7V O. K. , VC =3.4V >vCE(sat)=0.2V.
V CC Vo
OFF ZAD SAT
VCC
RC
RB
Vi Vo
vCE(sat)
(b) Vi
(a)
3-24
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
saturación, y el “uno lógico” con un valor elevado de tensión, p. e. vCE en corte, podríamos
asociar la función lógica al inversor: Vo = Vi (lógica positiva). La evolución en el tiempo de
salida frente a una señal cuadrada será:
Vi
Vi Vo
t
Vo
(a) (b)
Fig. 3.26 (a) Formas de onda de entrada/salida. (b) Símbolo de un inversor lógico.
1.- Las señales de entrada ha de tener un amplio rango de valores que lleven al BJT a
un estado “bien definido”. Además, tales señales de entrada han de ser estables.
V i – v BE(sat)
i B = -------------------------------
- (3.17)
RB
3-25
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
La definición de iB, fija la curva de salida del transistor. Para valores pequeños de RB (IB alto),
la curva de salida se corresponde con valores de iC más elevados, y que por tanto aproximan el
comportamiento de Q más a saturación. De otro modo, los valores de RB mayores alejan al
transistor de zona de saturación, y representan el peor caso desde el punto de la polarización en
la región de saturación.
iC
RB-
V I = i B ⋅ R B + v BE
iB
vCE[V]
Fig. 3.27 Dependencia con RB.
V i – v BE(sat)
R B = -------------------------------
- (3.18)
i B(sat)
V CC = i C ⋅ R C + v CE
iB
VCE[V]
Fig. 3.28 Dependencia de la polarización con RC.
3-26
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
VCC
RC
Vi Vo
vi RB
VI
3-27
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
1) PUNTO DE TRABAJO, Q:
Para su determinación, se consideran las condiciones de polarización en DC, es decir, se
anulan las fuentes de alterna (vi = 0), y se resuelve el circuito. La solución define el punto de
trabajo. Gráficamente es posible visualizar la localización de Q si se consideran las
características de entrada y salida a emisor común del transistor. Las coordenadas del punto Q
iB iC
Q(VBE , IB)
Q(VCE , IC)
vBE[V]
0.5 0.7
VCE[V]
V I = i B ⋅ R B + v BE V CC = i C ⋅ R C + v CE
(a) (b)
dependen de los parámetros de la red de polarización: RB, RC, β y VI. La resistencia RB se suele
tomar para localizar Q en una región intermedia entre corte y saturación que optimice el rango
de operación. No debe ser excesivamente baja para evitar que entre en saturación. La resistencia
de colector define la pendiente de la recta de carga en las curvas de salida. A mayor pendiente,
mayor excursión de tensión para los mismos niveles de intensidad de colector, lo cual equivale
a mayor ganancia en tensión. No obstante, para un valor de RC demasiado elevado, el transistor
se puede colocar en saturación.
2) ANALISIS EN PEQUEÑA SEÑAL
Parte de que el BJT se encuentra polarizado en el punto Q situado en la zona activa directa.
Se consideran nulas las polarizaciones de continua (DC) y se analiza el comportamiento del
circuito excitado exclusivamente por las señales de alterna de entrada (vi). De este modo, se
calculan las oscilaciones de las variables sobre el punto de operación. Se sigue la notación
convencional:
( i E = I E + i e ), v BE = V BE + v be
( i C = I C + i c ), v BC = V BC + v bc (3.19)
( i B = I B + i b ), v CE = V CE + v ce
3-28
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
iB
ib
Q
t
Entrada
vi t
vBE[V]
t
iC
vbe
ic
t Q
iB
t
vCE[V]
vo Salida
v BE ⁄ V T
iB = I S ⋅ e (3.20)
v BE ⁄ V T
i C = βI S ⋅ e (3.21)
∂i C I CQ
------------
- - = gm
= -------- (3.22)
∂V BE VT
Q
3-29
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
∂i B I BQ 1
------------
- = --------
- = ------- (3.23)
∂V BE VT r be
Q
b + c
vbe rbe gm.vbe
-
ie
e
fuente de intensidad controlada por tensión, gm. A partir de este modelo se puede obtener la
ganancia en tensión de vo respecto de vi. Para ello, es necesario calcular la relación vo/vi sobre
el circuito de la Fig. 3.34. En él se han eliminado las fuentes de continua, que han de colocarse
a tierra, preservando sólo la de alterna a la entrada como excitación.
ib ic
+ + c +
RB b
vbe rbe gm.vbe
-
vi RC vo
ie
- e -
v R C ⋅ r be
A v = ----o- = – g m ⋅ -------------------- (3.24)
vi r be + R B
3-30
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
3-31
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
Entrada
Salida
t
Fig. 3.34 Ilustración de los tiempos de conmutación de un inversor BJT.
ib ic
b + c
rbe Cbc
vbe gm.vbe
- Cbe
ie
e
Fig. 3.35 Modelo dinámico en pequeña señal de un BJT.
De modo que para evitar que el transistor entre en la región de saturación es suficiente con
evitar que vBC alcance los 0.6V. Para conseguir este efecto, se puede colocar un diodo Schottky
entre la base y el terminal de colector. El diodo comienza a conducir a para una tensión ánodo-
3-32
TEMA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR
cátodo de 0.4V, limitando los valores superiores. De esta forma se consiguen las siguientes
condiciones:
(a) (b)
3.8 BIBLIOGRAFIA.
3-33