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Cuestionario del Diodo Semiconductor.

Mario Iván González Barrios.
UNAM, Facultad de Estudios Superiores Aragón. Ingeniería Eléctrica y Electrónica.
mario.glezybarr@outlook.com

ABSTRACT: Questionnaire of the Diode, its 3.- ¿Cuál es la tensión umbral de un Diodo de Silicio
applications and exercises to finish the first chapter. y Germanio?

KEY WORDS: Diode and Aplicattions.
RESUMEN: Cuestionario del Diodo, sus
aplicaciones y ejercicios para terminar el primer
capítulo.
PALABRAS CLAVE: Diodo y Aplicaciones.
I. PREGUNTAS
1.- ¿De qué elementos suelen estar construidos las
uniones semiconductoras?
De material tipo N y tipo P constituidos por tres
semiconductores frecuentemente utilizados en la
construcción de dispositivos electrónicos como lo son
el Germanio (Ge), Silicio (Si) y Arseniuro de Galio
(GaAs).
Para el Diodo de Silicio su tensión umbral es de 0.7V
y 0.3V para el Germanio
4.- ¿A que llamamos región Zener o de ruptura?
Existe un punto donde la aplicación de un voltaje
demasiado negativo producirá un cambio abrupto de
las características. La corriente se incrementa muy
rápido en una dirección opuesta a la de la región de
voltaje positivo. Si el potencial de polarización en
inversa aumenta, habrá un valor de tensión VZ en el
que dicho Diodo se destruirá. Este valor se le conoce
como potencial Zener y su símbolo es VZ.
5.- ¿Cuál será el valor medio de la tensión de salida
de un rectificador monofásico de media onda? Si la
tensión máxima es de 127V y considere Vf = 0.7V

𝑉𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑓
2.- ¿Cómo se crea un cristal de tipo N y u uno de tipo 𝑉𝑚𝑒𝑑 =
𝜋
P?
127𝑉 − 0.7𝑉
𝑉𝑚𝑒𝑑 =
𝜋
Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman 𝑉𝑚𝑒𝑑 = 40.2025 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
agregando un número predeterminado de átomos de
impureza a una base de silicio. Un material tipo n se
crea introduciendo elementos de impureza que 6.- ¿Cuál será el valor medio de la tensión de salida
contienen cinco electrones de valencia de un puente rectificador monofásico de onda
(pentavelantes), como el antimonio, el arsénico y el completa? Si la tensión máxima es de 311V y
fósforo. considere Vf = 0.7

El material tipo p se forma dopando un cristal de 2(𝑉𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑓)

𝑉𝑚𝑒𝑑 =
germanio o silicio puro con átomos de impureza que 𝜋
tienen tres electrones de valencia (trivalentes). Los 2(311𝑉 − 0.7)
𝑉𝑚𝑒𝑑 =
elementos más utilizados para este propósito son 𝜋
boro, galio e indio. 𝑉𝑚𝑒𝑑 = 197.5431 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
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7.-Si a la salida del puente rectificador se tiene que Si el LED es rojo, VEncendido = 1.7V, por lo tanto:
conectar un Diodo LED, ¿qué valor deberá tener de la
resistencia que se conecte en serie para que funcione 24𝑉 − 1.7𝑉
correctamente sin deteriorarse? Considere que Vf del 𝑅=
15𝑚𝐴
Diodo LED es igual a 3V y la corriente de excitación
𝑅 = 1.4866𝑘Ω
es de 30mA considere que la tensión media Vmed del
rectificador es igual a 0.7V 𝑉𝑅 = 𝑅𝐼
𝑉𝑅 = (1.4866𝑘Ω)(15𝑚𝐴)
Si 𝑉𝑅 = 22.33 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
2(𝑉𝑚𝑎𝑥 − 𝑉𝑓)
𝑉𝑚𝑒𝑑 =
𝜋 Calculando la potencia de la resistencia, tenemos que:
Despejando a 𝑉𝑚𝑎𝑥, tenemos lo siguiente:
𝑃𝑅 = (𝑉𝑅)(𝐼𝑅)
(𝑉𝑚𝑒𝑑)𝜋
𝑉𝑚𝑎𝑥 = + 𝑉𝑓 𝑃𝑅 = (22.3𝑉)(15𝑚𝐴)
2
𝑃𝑅 = 334.5𝑚𝑊
(0.7𝑉)𝜋
𝑉𝑚𝑎𝑥 = +3
2
𝑉𝑚𝑎𝑥 = 4.0995 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠 10.-Construir un circuito limitador con Diodos de
Silicio de forma que a su entrada de Vmax=15V y a la
Por lo tanto, si
salida se obtenga el semiciclo positivo a 1.4V y el
𝑉 = 𝑅𝐼 negativo a 4.2V y que la Imax no supere los 20mA y
Despejando a la Resistencia (R), tenemos lo siguiente: Vf=0.7V.

𝑉
𝑅=
𝐼
4.0995𝑉
𝑅=
30𝑚𝐴
𝑅 = 136.6519Ω

8.- ¿Cuál es la disipación de potencia de un Diodo de

Silicio, con Vf=0.7 V? Si está circulando por el 1Amp

𝑃𝑑𝑖𝑠𝑖𝑝𝑎𝑑𝑎 = (𝑉𝑑)(𝐼𝑑)
𝑃𝑑𝑖𝑠𝑖𝑝𝑎𝑑𝑎 = (0.7𝑉)(1𝐴𝑚𝑝)
𝑃𝑑𝑖𝑠𝑖𝑝𝑎𝑑𝑎 = 0.7𝑊

9.-Si tiene un Diodo LED que hay que conectar a una

tensión de 24V ¿Qué resistencia será necesario
conectar en serie si se sabe que la corriente de
excitación del Diodo es de 15mA y la caída de tensión
directa es de 2V?
Calcule la potencia de la resistencia que se conectó en
serie.
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RECONOCIMIENTOS.
Doy un sincero agradecimiento a la escuela, la
máxima casa de estudios, la UNAM, por brindarme
conocimientos y apoyos en ámbitos tanto académicos,
profesionales y personales que gracias a ellos forman
grandes personas y el futuro del país.

REFERENCIAS.
A. Libros.

[1] ROBERT L. BOYLESTAD, LOUIS NASHELSKY,

Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos
electrónicos, 12ª ed., PEARSON EDUCACIÓN.
S.A., México, 2009

B. Apuntes

[3] Curso de Electrónica de Potencia

Profesor: Dr. Patricio Martínez Zamudio

SEMBLANZA.

Mi nombre es Mario
Iván González Barrios y
nací en la Ciudad de
México el 4 de Mayo de
1997; donde he vivido
toda mi vida.
Desde niño, era muy
hiperactivo, hacia
deporte, ejercicio y
cosas que me
mantuvieran activo, también descubrí que me
intrigaba el cómo y el porqué de las cosas, tenía un
espíritu aventurero y poco a poco me fui
adentrando al mundo de las matemáticas y por eso
decidí estudiar una carrera como la ingeniería.
Ahora no tengo tanto tiempo para hacer todas las
cosas que me gustan, pero se que es un esfuerzo
que valdrá la pena, para todo hay tiempo, solo es
cuestión de enfocarte y ser decidido, no cuestionar,
ser humilde y agradecido.