Karakteristik Diode

• Karakteristik diode umumnya dinyatakan dengan grafik hubungan

antara tegangan pada diode versus arus yang melewatinya
sehingga disebut karakteristik tegangan-arus (V-I)
• Secara teoritis, hubungan antara tegangan dan arus diode
dinyatakan oleh persamaan:
I D = I s (eVD /ηVT − 1)
Keterangan:
ID=arus diode, positif jika di dalam diode arahnya
dari anode ke katode
Is=arus mundur jenuh (10-8 s.d. 10-14 A)
T kT
VT=tegangan kesetaraan suhu= volt=
11 . 600 q
pada T=300oK, VT=26mV dan pada T=273oK,VT=25mV
η= koefisien emisi, antara 1 sampai dengan 2 dan
untuk silikon pada arus normal mendekati 2
e= bilangan natural=2,72
 Karakteristik V-I Diode Secara Teoritik
TEGANGAN MUNDUR TEGANGAN MAJU
Dengan
VD(V) ID(nA) VD(V) ID(nA)
menggunakan
0 0 0 0
persamaan
-0,02 -3,19 0,01 2,12
karakteristik
-0,05 -6,18 0,02 4,69
tersebut, dapat
-0,1 -8,54 0,1 58,5
diperoleh tabel
-0,2 -9,79 0,2 459
pengaruh tegangan
-0,3 -9,97 0,3 3205
diode (VD) terhadap
-0,4 -9,99 0,4 22011
arus yang
-0,5 -10 0,5 150841
melewatinya (ID)
-0,6 -10 0,6 1033362
dengan asumsi
-0,7 -10 0,7 7078894
Is=10nA, η=2, dan
-0,8 -10 0,8 48492587
VT=26 mA sebagai -VD VD
berikut:
-ID ID

V R V
 Karakteristik V-I Diode Secara Teoritik
Berdasarkan tabel di atas dapat
digambarkan karakteristik diode seperti
gambar di samping. Terlihat pada VD=0,6V ID I D = I s (eVD / ηVT − 1)
nilai ID kira-kira 100.000 kali Is atau ID≈1mA.
Jika pada diode silikon ini arus sebesar
100 mA dianggap sedang, maka pada
tegangan 0,6V arus sebesar 1mA adalah
1% terhadap arus 100mA tersebut. Pada
tegangan di bawah 0,6V arus ID kurang dari
1% sehingga VD=0,6V disebut tegangan
ambang atau threshold atau cut-in atau
offset atau break point yang diberi
lambang Vγ. Definisi letak Vγ tidak pasti VD
0,6V
karena di sekitar Vγ kurvanya berupa garis
lengkung dan tidak ada titik patah. Biasanya
IS
Vγ untuk diode silikon sekitar 0,6V dan Vγ
untuk diode germanium kira-kira 0,2V.
 Pengaruh Suhu Pada Karakteristik V-I Diode
Menurut persamaan karakteristik di atas,
perbedaan suhu T1 dan T2 dapat T2>T1
memberikan karakteristik yang berbeda ID
T1
seperti gambar di samping.

1. Jika diode pertemuan pn diberi

tegangan maju konstan, maka suhu ID2
yang semakin tinggi menyebabkan
arus diode semakin tinggi berubah dari
ID1 ke ID2. ID konstan

2. Jika diberi arus konstan, kenaikan ID1

suhu menyebabkan tegangan turun
VD2 VD1
berubah dari VD1 ke VD2. Keadaan ini
menjadikan diode pertemuan pn dapat
dimanfaatkan sebagai sensor suhu. VD konstan
 Karakteristik Diode Dalam Praktek

Tegangan yang menyebabkan ID

munculnya arus mundur yang
sangat besar. Untuk diode
1N4001 VBD=-50V, 1N4007
VBD=-1000V, BY127 VBD=-1250V,
1N914 VBD=-100V, dan 1N4148
VBD=-75V.
Vbreakdown

VD
-VD
Vγ
Tegangan yang
menyebabkan
munculnya arus
maju sebesar 1%
dari arus normal, 0,6
-ID
V untuk Si dan 0,2
untuk Ge.
 Karakteristik Diode Dalam Praktek
Pada saat terjadinya tegangan dadal (breakdown), daerah
kosongnya lebar, dan arus yang bertambah cepat terjadi karena
dua peristiwa yakni:

1. Zener breakdown
Dengan adanya tegangan mundur yang relatif tinggi, medan
listriknya dapat menarik keluar elektron dari ikatan kovalen
sehingga terjadi pembentukan pasangan elektron dan hole
sebagai pengangkut muatan, yang memungkinkan terjadinya
arus mundur.
2. Avalance breakdown
Peristiwa ini disebut juga tabrakan beruntuntun. Elektron dan
hole yang telah dibangkitkan dipercepat oleh medan listrik
tinggi, karena kecepatannya tinggi menabrak ikatan kovalen
sehingga menambah pembangkitan beruntun pasangan
elektron-hole sehingga mempercepat pertambahan arus
mundur.
 Analisis Grafis Rangkaian Diode
Diode adalah komponen non linear, sehingga hukum-hukum arus
dan tegangan untuk komponen linear seperti Hukum Kirchhoff
tidak dapat secara langsung diberlakukan. Untuk itu diperlukan
analisis grafis terhadap rangkaian yang mengandung komponen
non linear seperti diode.
Contoh: Perhatikan rangkaian diode dan karakteristiknya sebagai
berikut! I (mA) D

30
VD Dengan
menggunakan
20 analisis garis beban,
V=1V VO RL = 50Ω
hitung arus, tegangan
diode, dan tegangan
10 output!

VD(V)
0 1
 Analisis Grafis Rangkaian Diode
Jawab:
1. Menyusun persamaan arus pada rangkaian, yakni:
Persamaan tegangan :
V = VD + VO VD
VO = I D .RL
V = VD + I D .RL
Persamaan arus :
− VD + V V=1V VO RL = 50Ω
ID =
RL
1 V
ID = − VD +
RL RL
Identik dengan persamaan garis lurus :
1 V
y = ax + b, dengan a = − , x = VD , b =
RL RL
 Analisis Grafis Rangkaian Diode
2. Mencari titik potong pada sumbu-x atau VD:
Anggap ID=0 sehingga:

1 V
ID = −
RL
VD +
RL
Jadi diperoleh titik potong ID(mA)

1 V (x,y) atau (VD,0) atau (1,0)

0=− VD +
RL RL 30
VD = V = 1V
Titik potong
(0,ID) atau
(0,20)
3. Mencari titik potong pada sumbu-y atau ID: 20

Anggap VD=0 sehingga:

ID = −
1
VD +
V Jadi diperoleh titik 10
RL RL
1 V potong(x,y) atau (0,ID)
ID = − 0+
RL RL atau (0,20)
V 1
ID = = = 0,02A = 20mA
RL 50
VD(V)
0 1
Titik potong
(VD,0) atau
(1,0)
 Analisis Grafis Rangkaian Diode
4. Membuat garis beban:
Garis beban ditarik dari koordinat (1,0) sampai dengan (0,20)
5. Menentukan titik operasi ID(mA)

diode (Q):
30
Titik operasi Q adalah titik
potong antara garis beban Titik potong
(0,ID) atau
dengan kurva statis. (0,20)
20
6. Menentukan tegangan dan Garis beban
arus diode:
Tegangan dan arus diode Titik operasi
10 Q
ditentukan dengan menarik
garis dari titik operasi Q ke arah ID,Q= 8mA
horizontal dan vertikal.
VD(V)
Jadi tegangan diode=VD=0,6V 0 1
Titik potong
VD,Q,=0,6V
arus diode=ID=8mA (VD,0) atau
(1,0)
 Analisis Grafis Rangkaian Diode
Resistansi DC
Berdasarkan analisis grafik
dapat ditemukan tegangan ID(mA)

dan arus diode pada titik

tertentu. Resistansi DC atau 30

resistansi statis pada suatu Titik potong

titik dari diode didefinisikan: (0,ID) atau
(0,20)
VD
RF = 20
Garis beban
A

ID
B
RF pada titik Q adalah:
Titik operasi
V 0,6V 0,6V 10 Q
RF = D = = = 75Ω
I D 8mA 8x10-3 A I = 8mA D,Q
C

Tugas: Tentukan besarnya 0 1

VD(V)

RF pada titik A, B, dan C VD,Q,=0,6V

Titik potong
(VD,0) atau
pada kurva karakteristik (1,0)
diode!
 Analisis Grafis Rangkaian Diode
ID (A)

VD

V=1V VO RL = 10Ω

VD (V)
Dengan analisis grafik tentukan tegangan diode, arus diode, dan
resistansi DC diode tersebut!
 Analisis Rangkaian Diode Dengan Model
Dalam analisis ini diode dimodelkan sebagai komponen linear, sehingga
modelnya sering disebut sebagai piece wise linear model (model linear
sepotong-sepotong).

Pendekatan I SAKLAR ON Pada pendekatan I, dalam keadaan

A K A K forward biased, diode dapat dianggap
sebagai saklar tertutup sedangkan
V RL V RL dalam keadaan reverse biased dapat
dianggap seperti saklar terbuka.

RANGKAIAN MODEL FORWARD

FORWARD BIAS PENDEKATAN I ID
ID
SAKLAR OFF

K A K A

V RL V RL
VD
0 VD 0 KARAKTERISTIK MODEL
RANGKAIAN MODEL REVERSE KARAKTERISTIK PENDEKATAN I
REVERSE BIAS PENDEKATAN I SESUNGGUHNYA
 Analisis Rangkaian Diode Dengan Model
Pendekatan II

Pada pendekatan II, dalam keadaan

A K A K
forward biased, diode dapat dianggap
Vγ
V sebagai sumber tegangan sebesar Vγ
RL V RL (untuk silikon Vγ=0,6V dan untuk
germanium Vγ=0,2V), sedangkan
dalam keadaan reverse biased dapat
RANGKAIAN MODEL FORWARD dianggap seperti saklar terbuka.
FORWARD BIAS PENDEKATAN II
ID
ID
SAKLAR OFF

K A K A

V RL V RL

VD
0 VD 0 KARAKTERISTIK MODEL
RANGKAIAN MODEL REVERSE KARAKTERISTIK PENDEKATAN I
REVERSE BIAS PENDEKATAN II SESUNGGUHNYA
Vγ
 Analisis Rangkaian Diode Dengan Model
Pendekatan III
Pada pendekatan III, dalam keadaan
rF
A K A K forward biased, diode dapat dianggap
Vγ sebagai sumber tegangan sebesar Vγ
V
RL V RL
dengan resistansi dinamis forward
rFyang terpasang secara seri,
sedangkan dalam keadaan reverse
RANGKAIAN MODEL FORWARD
biased dapat dianggap sebagai
FORWARD BIAS PENDEKATAN III resistansi dinamis reverse rR.
ID ID

K A K rR A

V RL V RL
VD
0 VD
0 KARAKTERISTIK MODEL
KARAKTERISTIK PENDEKATAN III
RANGKAIAN MODEL REVERSE SESUNGGUHNYA
REVERSE BIAS PENDEKATAN III
Vγ
 Analisis Rangkaian Diode Dengan Model
Pendekatan III
ID
ID Nilai resistansi
dinamis forward rF
ditentukan dengan
1A
rumus:

∆ID
∆VD
rF =
∆ID

∆VD VD ∆VD VD
∆I D
0 0 0,6V 1,1V

∆VD merupakan kenaikan tegangan yang disebabkan oleh kenaikan arus diode
∆ID. Contoh: Tegangan diode silikon dalam keadaan forward bias sebesar 1,1 V
dan arus yang mengalir sebesar 1A. Hitung besarnya rF!
Jawab: Kita anggap bahwa arus diode ID=0 ketika tegangan diode VD=0,6V.
Dengan menggunakan persamaan di atas dapat diperoleh:
∆VD 1,1V − 0,6V
rF = = = 0,5Ω
∆I D 1A − 0 A
 Analisis Rangkaian Diode Dengan Model
rF = 2,5Ω Perhatikan rangkaian diode di samping ini!
Gambarkan rangkaian pengganti/rangkaian
Si
ekivalen dan hitung besarnya tegangan dan arus
Vin=10V RL = 100Ω diode menggunakan pendekatan I, pendekatan II
dan pendekatan III!
VD = Vγ = 0,6 V Vγ = 0,6V
VD = 0 V rF = 2,5Ω
Jawab:
ID ID
ID
Vin= RL = Vin= RL = Vin= RL =
10V 100Ω 10V 10V
100Ω 100Ω

PENDEKATAN I
PENDEKATAN II PENDEKATAN III

V − Vγ 10 V - 0,6V
V − Vγ ID = in = = 0,092 A
V 10 V ID = in RL + rF 100Ω + 2,5Ω
ID = in = = 0,1A RL
RL 100Ω 10 V - 0,6V VD = Vin − ID.RL
= = 10V - 0,092A.100 Ω
100Ω
= 0,094 A = 0,8V