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Introdução
Inicialmente inventados para serem usados em circuitos com válvulas foram depois
implementados em circuitos com transístores bipolares (BJTs). Foi no entanto com o
aparecimento dos circuitos integrados que estes circuitos se tornaram muito
populares nas tecnologias bipolares e MOS.
Existem duas razões para que estes circuitos sejam tão indicados para o fabrico em
IC:
- Como o desempenho desta configuração depende fortemente do grau de
similaridade entre os dois lados do circuito, a implementação em IC é indicada, visto
que permite a fabricação de componentes praticamente iguais.
- Esta configuração utiliza mais componentes (aprox. o dobro dos circuitos
single-end) podendo muito mais facilmente ser compactada em IC.
Na Fig. 1 temos representado um par diferencial MOS formado por dois transístores
iguais (matched pair) Q1 e Q2, com as suas sources ligadas e polarizados com uma
fonte de corrente I.
Vamos admitir que a fonte de corrente é ideal e tem resistência de saída infinita.
Neste caso os drenos estão ligados a uma tensão de alimentação positiva através de
RD, sendo no entanto comum o uso de cargas activas (fontes de corrente).
Fig. 1
Fig. 2
(1)
Pelo exposto verifica-se que o par diferencial responde a uma entrada diferencial
colocando uma saída diferencial correspondente entre os dois drenos.
Neste ponto é interessante verificar qual o valor de vid que faz com que toda a
corrente de polarização circule num dos transístores. Na parte positiva isto verifica-se
quando vGS1 atinge um valor tal que corresponde a id1=I e vGS2 é reduzida a um valor
igual a Vt (pois Id2=0), dando origem a Vs=-Vt. O valor de vGS1 é então dado por
Departamento de Engenharia Electrotécnica e de Computadores 6
AMPLIFICADORES DIFERENCIAIS
O par diferencial MOS
(7)
Sendo VOV a tensão de overdrive correspondente a uma corrente de dreno de I/2 (Eq. 3).
O valor de vid para o qual a corrente I circula na totalidade em Q1 é então dado por
(8)
Caso vid aumente acima de 2VOV iD1 mantém-se constante e igual a I (corrente
máxima), vGS1 mantém-se igual a Vt 2VOV e vs aumenta pois (vid=vGS1+vs), logo Q2
fica off.
O mesmo raciocínio pode ser efectuado do sentido contrário (até vid atingir 2VOV ),
estando nessa situação Q1 off e Q2 a conduzir toda a corrente I.
A corrente pode então ser comutada de um transístor para outro através da variação
de vid dentro da gama de funcionamento do modo diferencial
(9)
Para usar o par diferencial como amplificador diferencial a tensão vid é mantida baixa.
Como resultado a corrente num dos transístores aumenta I proporcionalmente a vid
para (I/2+I). Simultaneamente no outro transístor a corrente diminui o mesmo valor
(I/2-I). Um sinal de tensão -IRD aparece num dos drenos e um outro sinal IRD no
outro dreno. A tensão de saída entre os dois drenos é 2IRD, que é proporcional à
entrada diferencial vid.
Vamos agora obter expressões para as correntes nos drenos iD1 e iD2 em termos de
sinal diferencial de entrada vid=vG1-vG2, usando para isso a Fig. 4. Vamos admitir que Q1 e
Q2 estão sempre fora da zona de tríodo e como simplificação que os transístores são
perfeitamente iguais, desprezando ainda a modulação do canal e o efeito do corpo.
(10)
(11)
(13) Fig. 4
As eq. (15) e (16) contêm as duas incógnitas iD1 e iD2. Elevando ao quadrado a eq. (15)
e usando a eq. (16) vamos obter
(17)
(18)
Como um incremento em iD1 acima do ponto de polarização (I/2) deve ter a mesma
polaridade do que vid apenas a raiz com sinal + faz sentido físico
(19)
(20)
A eq. (21) permite substituir nas eq. (19) e (20) por e obter iD1 e iD2 de
forma alternativa
(22)
(23)
Para valores de vid negativos o que foi dito para iD1 é agora aplicado a iD2, sendo que a
corrente passa toda em Q2 para .
As funções de transferência dadas pelas eq. (22) e (23) e representadas na Fig. 5 são
não lineares devido à existência do termo v2id. Para obtenção de amplificação linear
temos que manter vid o mais baixo possível. Para um dado valor de VOV a única coisa
que podemos fazer é manter (vid/2) muito menor que VOV, que é a condição para
aproximação para pequenos sinais, dando origem a
(24)
(25)
Estas expressões indicam que, como esperado, iD1 aumenta com um incremento id e
iD2 diminui a mesma quantidade, sendo id proporcional à tensão diferencial vid
(26)
Suponha que o par diferencial NMOS da Fig. 2 tem aplicada uma tensão de
modo comum vCM. Admita: VDD=VSS=2,5V, k´nW/L=3mA/V2, Vtn=0,7V, I=0,2mA,
RD=5k e despreze a modulação do canal.
a) Determine VOV e VGS para cada um dos transístores;
b) Para vCM=0, determine vS, iD1, iD2, vD1 e vD2;
c) Repita b) para vCM=+1V;
d) Repita b) para vCM=-1V;
e) Qual o maior valor de vCM que mantém Q1 e Q2 na saturação?
f) Se a fonte de corrente I necessitar de tensão de 0,3V para funcionar
correctamente, qual o valor mais baixo permitido para vCM e para vs?
Exercício 2
Na Fig. 8(a) está representado um amplificador diferencial MOS cujas entradas são
(27)
(28)
A tensão diferencial vid é aplicada de forma complementar; vG1 aumenta vid/2 e vG2
diminui vid/2. Esta é a situação, por exemplo, quando a entrada do amplificador
diferencial provém da saída de outro amplificador diferencial.
O sinal de saída do amplificador pode ser recolhido entre um dos drenos e a massa
ou entre os dois drenos. No primeiro caso temos uma medida referenciada à massa
(single-ended output), tendo v01 e v02 uma componente continua (VDD-IRD/2). No
segundo caso temos uma saída diferencial v0 sem componente contínua.
Devido à simetria do circuito e pela forma como vid é aplicada, o sinal na junção das
sources tem de ser nulo (massa virtual). Logo Q1 tem uma tensão gate-source
vgs1=vid/2 e Q2 tem vgs2=-vid/2.
Assumindo vid/2<<VOV (condição de aproximação para pequenos sinais), as
alterações nas correntes dos drenos de Q1 e Q2 serão proporcionais a vgs1 e vgs2,
respectivamente. Assim Q1 terá um acréscimo na corrente de dreno de gm(vid/2) e Q2
um decréscimo na corrente de dreno de gm(vid/2), sendo gm a transcondutância dos
dois dispositivos
(29)
(30)
(31)
(32)
(33)
Podemos então verificar que outra das vantagens da saída diferencial é a duplicação
do ganho.
Fig. 8
Obviamente que apenas precisamos de um circuito para fazer a nossa análise. Cada
um dos dois circuitos é designado como meio circuito diferencial (differential half-
circuit).
(25)
(26)
(27)
Fig. 9
A análise do par diferencial MOS quando aplicada uma entrada de modo comum vicm
pode ser efectuada usando a Fig. 10(a).
Fig. 10
(30)
(31)
(33)
(34)
(36)
(36)
(38)
(37)
Ou seja uma diferença nas resistências RD dá origem a que um sinal de modo comum
nas entradas vicm seja convertido num sinal diferencial na saída; claramente esta
situação indesejável!
A eq. (38) indica que o ganho em modo comum é dado por (39)
Neste caso como Q1 e Q2 são diferentes não podemos aplicar a técnica do CM half-
circuit. Em vez disso usamos o circuito da Fig. 11. onde temos
(43)
(44)
(45)
(46) Fig. 11
(49)
Combinando (45) com (48)
(50)
Se gm1 e gm2 têm uma pequena discrepância gm (gm1-gm2= gm), podemos considerar
que gm1+gm22gm com gm valor nominal de gm1 e gm2, e temos
(51)
(52)
Exercício 4
Um amplificador diferencial NMOS é polarizado com uma fonte de corrente I=0,2mA que tem
RSS=100k. A resistências de dreno são de 10k, sendo usados transístores com:
k´nW/L=3mA/V2 e com r0 elevado.
a) Se a saída é referenciada à massa, determine |Ad|, |Acm| e CMRR.
b) Se a saída é diferencial e existe uma diferença entre as resistências de dreno de
1%, determine |Ad|, |Acm| e CMRR.
Exercício 5
Para o amplificador diferencial da Fig. 7 admita que Q1 e Q2 têm k´pW/L=3,5mA/V2 e que a
fonte de corrente de polarização tem uma resistência de saída de 30k. Determine VOV, gm,
|Ad|, |Ac| e CMRR em dBs obtidos com a saída medida diferencialmente. As resistências do
dreno tem uma diferença entre si de 2%.