Lección

Amplificadores de pequeña señal

a frecuencias medias con
transistores de unión bipolar.

1
J.J. García
Programa de la asignatura.
Presentación.
1. Repaso de conceptos fundamentales.
2. Diodos semiconductores.
3. Fuentes de alimentación, reguladores de tensión.
4. Circuitos con transistores de unión bipolar.
5. Circuitos con transistores de efecto de campo.
6. Amplificadores de potencia.
7. Subsistemas integrados analógicos.
8. Amplificadores Operacionales.
9. Osciladores.
10.Interfases analógico-digitales.

2
J.J. García
Índice del tema.

4. Circuitos con transistores de unión bipolar.

4.1. Introducción al BJT.

4.2. Circuitos de polarización.
4.3. Aplicaciones digitales.
4.4. Amplificadores de pequeña señal a frecuencias medias.
4.5. Respuesta en frecuencia.

3
J.J. García
4.1 Introducción al BJT.
I C (mA) Activa
Directa

Estructura del transistor bipolar BJT. VCE (V )

Corte

Modelo de gran señal. Activa

Inversa

Modelo de Ebers-Moll.
Saturación

Estados del transistor.

c
Características de las 4 regiones de
funcionamiento. rc
α R ⋅ iDE
Circuitos equivalentes para cada región
i DC
de funcionamiento. r0 C C depC C difC
rb
Efectos de segundo orden. b

Tensión de Early y Resistencia de salida.

i DE
Temperatura. r0 e C depE C difE
Tensión de ruptura. α F ⋅ i DC
re
Capacidades parásitas.
e
Resistencias parásitas.
Parámetros SPICE. 4
J.J. García
4.2 Circuitos de polarización.
Recta de Carga.

Cálculo de puntos de polarización en circuitos típicos.

5
J.J. García
4.3 Aplicaciones digitales.
Puerta lógica con transistor
bipolar. Circuito Inversor.
Análisis del funcionamiento básico
Cálculo del fan out.

Problema de la conmutación.
Análisis de los estados intermedios en la
conmutación.
Efectos de los condensadores, retardos.

6
J.J. García
 4.4 Amplificadores de p.s. a frec.medias.
4.4.1 Modelo de pequeña señal del BJT.
Parámetros del modelo π de pequeña señal: linealización alrededor del punto
de polarización.
Obtención de los parámetros del modelo de pequeña señal a partir de las curvas
características del transistor y del punto de polarización.
Modelo de parámetros híbridos del transistor BJT.
4.4.2 Parámetros importantes de un amplificador: AV,AI, Zi y Zo.
4.4.3 Circuitos amplificadores de pequeña señal con BJT.
Configuración de emisor común.
Configuración de base común
Configuración de colector común.
4.4.4 Amplificadores con varios Transistores.
Amplificadores cascada.
Amplificadores cascode.
Amplificador Darlington.

7
J.J. García
4.4.1 Modelo de pequeña señal del BJT
Parámetros del modelo π de pequeña señal
Función característica de entrada del transistor
ν BE VBE +ν BE VBE
IS IS IB =
IS VT
iB = e VT iB = e VT
e
β β β
Linealización alrededor del punto de trabajo Q
IB 1 IB 2
iB = I B + ν be + ν be + K
VT 2! VT
iB = I B + ib + termi nos de distorsión
Definición de rπ
iB : intensidad de base
IB V
I B : intensidad en el punto Q i ( t ) = ν be (t )
b
VT rπ = T
ib : intensidad de pequeña señal I
1
ib (t ) = ν be (t )
B
rπ 8
J.J. García
4.4.1 Modelo de pequeña señal del BJT
Parámetros del modelo π de pequeña señal

Relación entre corrientes de base y colector

en la región activa directa.

iC = β ⋅ iB
Linealización alrededor del punto de
trabajo Q

iC (t ) = β ⋅ (I B + ib (t ) )
Relación de variables de pequeña señal

ic (t ) = β ⋅ ib (t )
Función característica de salida del transistor

9
J.J. García
4.4.1 Modelo de pequeña señal del BJT
Modelo π de pequeña señal

 1  Vπ
iB (t ) = ν be (t ) iB (t ) = r
 rπ  π
i (t ) = β ⋅ i (t ) i (t ) = g V
c b c m π

β
Relación entre la transconductancia y beta. gm =
rπ
Relación entre los parámetros del modelo se pequeña señal y el punto de polarización Q.

VT IC
rπ = gm =
IB VT 10
J.J. García
4.4.1 Modelo de pequeña señal del BJT
Modelo π de pequeña señal. Efectos de segundo orden.

rb: resistencia de base, es

pequeña, y difícil de medir
debido a la gran dispersión.
Sólo resulta importante a altas
frecuencias.

ro: es un efecto directo de la

modulación del ancho de banda
ro=VA /IC.

rµ : representa la realimentación interna debido a la modulación del ancho de

base. Provoca que la característica de entrada varíe ligeramente con la tensión
de salida. rµ=10βro
11
J.J. García
4.4.1 Modelo de pequeña señal del BJT
Obtención de los parámetros del modelo de pequeña señal a partir
de las curvas características del transistor y del punto de
polarización.

1 ∂iB ∆ iB ∂iC ∆ iC ∂iC ∆iC

= = β AC = = gm = =
rπ ∂ν BE Q
∆ν BE Q ∂iB ∆iB ∂VBE Q
∆VBE Q
Q Q

12
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4.4.1 Modelo de pequeña señal del BJT
Modelo de parámetros híbridos del transistor.

Ii Io
+ + Vi = f ( I i ,Vo )
Vi Cuadripolo Vo 
 I o = g ( I i ,Vo )

 ∂Vi ∂Vi
δVi = ∂I δI i + ∂V δVo


i o vi = hi ⋅ ii + hr ⋅ vo
δI = ∂I o δI + ∂I o δV 
 o ∂I i i ∂Vo o
i o = h f ⋅ ii + ho ⋅ vo
13
J.J. García
4.4.1 Modelo de pequeña señal del BJT
Modelo de parámetros híbridos del transistor.
Ii e Io Ii Io Ii e Io
b b c c
+ + + + + +
Vi Vo Vi Vo Vi Vo

c e b

vi = hic ⋅ ii + hrc ⋅ vo vi = hie ⋅ ii + hre ⋅ v o vi = hib ⋅ ii + hrb ⋅ vo

  
= ⋅ + ⋅
io = hfb ⋅ ii + hob ⋅ vo
io = h fc ⋅ ii + hoc ⋅ vo i o h fe ii hoe vo

hie = hic
hre = 1 − hrc − h fe (1 − hre ) − hie hoe hie
h fb = hib =
(1 + h fe )(1 − h fe ) + hiehoe (1 + h fe )(1 − h fe ) + hie hoe
h fe = −(1 − h fc )
hoe hie hoe − hre (1 + h fe )
hoe = hoe hob = hrb =
(1 + h fe )(1 − h fe ) + hie hoe (1 + h fe )(1 − h fe ) + hie hoe
14
J.J. García
4.4.2 Parámetros : AV,AI, Zi y Zo.
Definiciones.
Impedancia de entrada Zi Ii

Impedancia de entrada Vi +
Vi
del bipuerto dejando la Zi =
salida en circuito Ii
abierto
Impedancia de salida Zo Io

Impedancia vista desde Vo + Vo

el puerto de salida al Zo =
cortocircuitar la entrada Io

15
J.J. García
4.4.2 Parámetros : AV,AI, Zi y Zo.
Definiciones.
Ganancia en tensión AV
Distinguiremos entre I i
la ganancia en + Vo
tensión con y sin Vi + Vo AVNL =
carga (AV y AVNL).
Vi

Con los valores AVNL, Zi y Zo

Zo podemos caracterizar + +
las propiedades internas
Vi Zi Vo
del cuadripolo. AVNL Vi

16
J.J. García
4.4.2 Parámetros : AV,AI, Zi y Zo.
Efectos de la resistencia de salida de la fuente de entrada y de la resistencia de
carga
La ganancia AV se ve afectada por la resistencia de salida de la fuente de entrada

Ganancia en tensión AV
Rs + Zo +
Zi Vi Vo Zi
Vs - AVNL ⋅ Vi - AVS NL = AVNL
Rs + Z i
En la medida en que la resistencia
Zi de salida de la fuente sea muy
Vi = V s pequeña, la ganancia desde la
Z i + Rs Vo = AVNLVi fuente será igual que la ganancia
en tensión sin carga.
Z i + Rs
Vs = Vs
Zi
17
J.J. García
4.4.2 Parámetros : AV,AI, Zi y Zo.
Efectos de la resistencia de salida de la fuente de entrada y de la resistencia de carga

Las ganancias AV y AI dependen de la resistencia de carga

Ganancia en tensión AV
Ii Zo Io RL
AV = AVNL
+ + RL + Z o
Vi Zi RL Vo Ganancia en corriente AI
- AVNL ⋅ Vi -
Zi
AI = − AV
RL
Efecto combinado Rs y RL
Vi Vo
Ii = Io = − Zi RL
Zi RL AVS = AVNL
Rs + Z i R L + Z o
18
J.J. García
4.4.3 Circuitos amplificadores.
Configuración de emisor común
VCC
+
Rc RB Vπ rπ ro Rc
RB g mVπ
-
Vo

Vi

Z i = RB rπ Z o = Rc ro
VCC R B = R1 R2
AVNL = − g m ( RC ro )
R*C
R1 rπ g m RB ro
AI = ≅ rπ g m = β
Vo (ro + RC )( RB + rπ )
Vi
R2 RE ro ≥ 10 RC

RB ≥ 10 rπ
19
J.J. García
4.4.3 Circuitos amplificadores.
Emisor común con resistencia de emisor.
VCC R B = R1 R2

RC
R1
Vo
+
Vi + Vπ rπ g mVπ +
R2 RE
Vi R B - Rc Vo

RE
- -

Rc
RB
Vo
Vi
RE Z 0 = RC
20
J.J. García
4.4.3 Circuitos amplificadores.
Emisor común con resistencia de emisor.

β ⋅ ib
Vi = ib ( rπ + ( β + 1) RE )
ib
+ ii rπ g mVπ + Vi
Vπ
Vi ib =
Vi R B Rc Vo ii = + ib rπ + ( β +1) RE
RB
(β + 1) ⋅ ib RE
- -
Vi Vi
ii = +
RB rπ + ( β + 1) R E

R B ( rπ + ( β + 1) RE )
Zi = = RB (rπ + ( β + 1) RE ) ≅ RB ( rπ + βRE )
RB + rπ + ( β + 1) RE

21
J.J. García
4.4.3 Circuitos amplificadores.
Emisor común con resistencia de emisor.
Vo = − β ⋅ ib RC
β ⋅ ib io Vi = ( β + 1)ib RE + rπ ib
+ ii ib +
rπ g mVπ
Vπ
Vi RB Rc Vo Vo β ⋅ RC
AVNL = =−
(β +1 ) ⋅ ib RE Vi ( β + 1) RE + rπ
- -
Rc
AVNL ≅−
RE
Zi
AI = − AV
RL RL RC RL
RC R L Z i AV = AVNL =−
AI =
RE RL
RL + Z o RE
22
J.J. García
4.4.3 Circuitos amplificadores.
Configuración de seguidor de emisor.
VCC RB = R1 R2
ib β ⋅ ib
R1 rπ
g mVπ
Vi RB
Vi
RE Vo
R2 RE Vo

rπ rπ
Z o = RE ≅ Z i = RB (rπ + ( β + 1) RE )
VCC
β β
β ⋅ RE
AVNL = ≅1
RB
β ⋅ RE + rπ
RL β ⋅ RL
Vi AV = AVNL = 1. ≅1
RL + Z o β ⋅ RL + rπ
RE Vo

Z i R B ( rπ + ( β + 1) R E )
AI = − AV = 23
J.J. García RL RL
 Configuración Zi Zo Av
VCC
RB = R1 R2 Medio (1kΩ) Medio(1kΩ) Alto (-200)

R1

R*C Vo Z i = RB rπ Zo = Rc ro AVNL = − g m ( RC ro )
Vi
R2
RE

VCC
RB = R1 R2 Alto (100kΩ ) Medio (1kΩ ) Bajo (-5)
R1
RC

Vi
Vo
Zi ≅ RB ( rπ + βR E ) Z0 = RC AVNL ≅ −
Rc
R2 RE
RE

V CC
Alto (100kΩ) Bajo (20 Ω) Bajo (1)
RB
rπ
RE Z i = RB ( rπ + ( β + 1) RE ) Z o = RE AVNL =
β ⋅ RE
≅1
β β RE + rπ
⋅
Vi
Vo

RE RC Bajo (20 Ω ) Medio (1kΩ ) Alto (200)

RE VRC
r
Vi VCC EE Vo Zi = RE π Zo = RC β RC
Vi VCC VEE Vo β AVNL =
rπ
V CC
V CC Medio (1kΩ) Medio (1kΩ ) Alto (-200)
RR
C C rπ
Z o = RC RF
Zi = βR C
RF R AVNL = −
RF 1+ β C rπ
Vi VVo o RE
Vi 24
J.J. García
4.4.3 Circuitos amplificadores con varios transistores

La combinación de varios transistores nos permite

combinar las características de los circuitos de la tabla
anterior. Existen diferentes métodos para combinar aquí
presentaremos tres:

Configuración en Cascada.

Configuración tipo cascode.

Configuración tipo Darlington.

25
J.J. García
4.4.3 Circuitos amplificadores con varios transistores
Configuración en Cascada.
Z o1
Z oN
+ +
Vi Z i1 AVNL1 ⋅Vi1 (L) Z iN
AVNLN ⋅ViN
Vo

AV = AV1 AV 2 K AV N
Z i j +1
AV j = AVNL j
Z o j + Z i j +1
26
J.J. García
4.4.3 Circuitos amplificadores con varios transistores
Configuración en Cascode.
Ii c Io
b
+ +
Vi Vo

e b
Emisor común Base común

Consigue una ganancia en tensión

grande con una impedancia de
entrada media y una impedancia
de salida elevada.
βRC
AVNL =
rπ
Z i = Z i emisor común
Z o = ( β + 1)ro 27
J.J. García
4.4.3 Circuitos amplificadores con varios transistores
Configuración Darlington.
El resultado de la configuración
Darlington es un transistor con una
β igual al producto de las β s de los
transistores

β QD = β Q1 β Q 2

Para demostrarlo
se analiza el
circuito equivalente
de pequeña señal.

28
J.J. García
4.5 Respuesta en frecuencia.

Introducción.
Comportamiento general de los amplificadores de
pequeña señal en frecuencia.

4.5.1 Respuesta en frecuencia. Baja frecuencia.

Métodos para evaluar la frecuencia de corte inferior.
Ejemplos numéricos.

4.5.2 Respuesta en frecuencia. Alta frecuencia.

Métodos para evaluar la frecuencia de corte superior.
Ejemplos numéricos.

29
J.J. García
4.5 Respuesta en frecuencia.

ωL Frecuencia de corte inferior. Determinada por los

condensadores da acopolo y desacoplo.

ωH Frecuencia de corte superior. Determinada por los

condensadores internos del transistor 30
J.J. García
4.5.1 Respuesta en frecuencia. Baja frecuencia.
Respuesta en frecuencia. Baja frecuencia.
Tenemos dos métodos para evaluar su efecto en la frecuencia de corte inferior.

Cálculo de la función de transferencia. Aplicable en el caso de circuitos simples

con ceros y polos que no interaccionen entre sí. Evaluación de la función de
transferencia considerando los condensadores de acoplo y desacoplo y
escogiendo el mayor de los polos como la frecuencia de corte inferior.

Método de las constantes de tiempo en cortocircuito. Consiste en evaluar la

contribución de cada condensador mediante la expresión.
1 N
ω Li = ω L = ∑ ω Li
Ri Ci
i =1
Donde la Ri es la resistencia que ofrece el circuito de pequeña señal vista desde
el punto de conexión del condensador Ci . Se trata de un método aproximado que
puede ser de gran utilidad para obtener estimaciones rápidas de la frecuencia
de corte inferior y modificaciones de diseño en el caso de que exista interacción
entre los polos o las funciones de transferencia resulten muy complicadas.
31
J.J. García
4.5.1 Respuesta en frecuencia. Baja frecuencia.
Respuesta en frecuencia. Baja frecuencia.
Ejemplo del Método de las
constantes de tiempo
en cortocircuito

Amplificador en emisor común con

condensadores de acoplo y desacoplo.

Modelo de pequeña
rπ g mVπ señal considerando
los condensadores de
+ Vπ - acoplo y desacoplo

32
J.J. García
4.5.1 Respuesta en frecuencia. Baja frecuencia.
Respuesta en frecuencia. Baja frecuencia.
Vπ g mVπ
+ - Ejemplo del Método de las
rπ
constantes de tiempo
en cortocircuito

R P = R1 R2

R1 = Ri + ( R p rπ )
+ g mVπ
rπ Vπ
1
- ω L1 =
R1C1

33
J.J. García
4.5.1 Respuesta en frecuencia. Baja frecuencia.
Respuesta en frecuencia. Baja frecuencia.
Ejemplo del Método de las
+ Vπ - g V π
constantes de tiempo
m

rπ
en cortocircuito

R2 = RL + RC
+ 1
gmVπ
rπ Vπ ωL2 =
R2C 2
-

34
J.J. García
4.5.1 Respuesta en frecuencia. Baja frecuencia.
Respuesta en frecuencia. Baja frecuencia.
Vπ g V Ejemplo del Método de las
+ - m π

constantes de tiempo
rπ
en cortocircuito

+ Vπ - g mVπ  ( Ri RP ) + rπ 
R3 = RE  
rπ  β +1 
R3 1
ω L· 3 =
R3C E
35
J.J. García
4.5.1 Respuesta en frecuencia. Baja frecuencia.
Respuesta en frecuencia. Baja frecuencia.
Ejemplo del Método de las
rπ = 21 .8 kΩ constantes de tiempo
β = 138
en cortocircuito
g m = 6.31mS 50

40

30

(dB)
20

10

20 log A(s)
0

-10

-20

-30
0 1 2 3 4
10 10 10 10 10

1 1 1 1 1 Frecuencia (Hz)
1
ωL = + +
R1 = 12 kΩ ωL = + + R1C1 R2 C 2 R3C3
R1C1 R2C2 R3C3
R2 = 89 kΩ ω L = 41 .6 + 5.6 + ω L3 = 2π 50 ( rad / s )
R3 = 156 .8 Ω ω L = 41. 6 + 5. 6 + 3188 rad / s ω = 35 .8 rad / s ⇒ C = 28µF
L3 3
ω Lsimulación = 3041rad / s 14444444244444443
ω Lsimulada = 39 Hz 36
J.J. García
4.5.2 Respuesta en frecuencia. Alta frecuencia.
Respuesta en frecuencia. Modelo de alta frecuencia.

rb:resistencia de difusión de la base. Valores pequeños (1-100Ω) y muy

difícil de medir.

ro: resistencia debida a la modulación de ancho de base. Sólo se incluirá en

algunos casos en los que su efecto es importante
37
J.J. García
4.5.2 Respuesta en frecuencia. Alta frecuencia.
Respuesta en frecuencia. Modelo de alta frecuencia.

Cµ: capacidad de pequeña señal o incre mental de la unión de base-colector

inversamente polarizada definida como:
dQdep C jo Cjo: capacidad a tensión 0
Cµ = = M
dv BC  v  M: coeficiente de gradiente
1 − BC 
 V jo  Vjo : potencial de barrera
 
Cπ: incluye las capacidades de deplexión y difusión asociadas con la unión
directamente polarizada base-emisor.
38
J.J. García
4.5.2 Respuesta en frecuencia. Alta frecuencia.
Respuesta en frecuencia. Frecuencia de ganancia unidad.

1 
ib = Vπ  + j ωCπ + jωC µ 
 rπ 
i c = (g m − j ω C µ )Vπ

g m − j ωC µ gm
β (ω ) = ≅−
+ jω (Cπ + C µ )
1 1
+ jωCπ + jωC µ
rπ rπ

β Para evaluar las limitaciones intrínsecas del

β (ω ) = transistor calculamos la ganancia en
ω corriente del transistor teniendo en cuenta
1+ j las capacidades internas.
ωβ 39
J.J. García
4.5.2 Respuesta en frecuencia. Alta frecuencia.
Respuesta en frecuencia. Frecuencia de ganancia unidad.
β
β (ω ) =
ω
1+ j
ωβ
ωβ β
β (ωτ ) = 1 ≅
ωτ
1
f τ = ωτ
2π
El BJT funciona satisfactoriamente en un amplio margen de frecuencias.
Sin e mbargo, a partir de la frecuencia de corte de ß, la ganancia en
corriente del transistor comienza a deteriorarse. A una frecuencia con
ganancia unidad (fτ) se limita seriame nte la utilidad del transistor como
amplificador.
40
J.J. García
4.5.2 Respuesta en frecuencia. Alta frecuencia.
Respuesta en frecuencia. Frecuencia de corte superior.
Cálculo de la función de transferencia. Aplicable en el caso de circuitos
simples con ceros y polos que no interaccionen entre sí.

Aproximación Miller. La utilización del Teorema de Miller permite simplificar

el circuito y hallar una aproximación de la función de transferencia.

Método de las constantes de tiempo en circuito abierto. Resulta el más

indicado en los casos de funciones de transferencia complicadas y cuando existe
interacción entre polos y ceros. Consiste en evaluar las constantes de tiempo
asociadas a cada condensador j.
M
1 1 1
= RjC j =∑
ω Hj ω H j =1 ω Hj
donde Rj es la resistencia que ve Cj cuando los demás condensadores se
reemplazan por circuitos abiertos. En este caso, una estimación de la frecuencia de
corte superior viene dada por la expresión anterior. 41
J.J. García
4.5.2 Respuesta en frecuencia. Alta frecuencia.
Respuesta en frecuencia. Cálculo de la función de transferencia.
Algunas configuraciones son suficientemente
simples como para hacer abordable el cálculo
de la función de transferencia exacta.

1 1
f H1 = fH 2 =

2π ⋅ Cπ  Ri rπ RE
1 
 2π ⋅ C µ (RC RL ) 42
J.J. García gm 

4.5.2 Respuesta en frecuencia. Alta frecuencia.
Estimación de la frecuencia superior de corte por la aprox. Miller.

rπ = 21.8 kΩ
β = 138
g m = 6 .31mS

AM = − g m RC RL
Aproximación Miller
⇒ I Cµ << g mVπ

Función de transferencia resultante con dos polos

1 RC' = RC RL
f H1 = = 2.28 ⋅ 10 6 Hz
2π C1 Req Req = Ri R1 R2 rπ
fH2 =
1
2π C 2 RC'
= 891 kHz (
C1 = Cπ + Cµ 1 + g m RC' )
 1 
C2 = Cµ 1 + 
' 
43
J.J. García  g m RC 
4.5.2 Respuesta en frecuencia. Alta frecuencia.
Constantes de tiempo en circuito abierto.

C BC = Cµ = 8.1⋅10 −12 F
C BE = Cπ = 3.7 ⋅10 −11 F
rb = RX = 10 Ω
rπ = 21.8 kΩ
β = 138
g m = 6.31mS

44
J.J. García
4.5.2 Respuesta en frecuencia. Alta frecuencia.
Constantes de tiempo en circuito abierto.
Rπ = [(Ri R1 R2 ) + rb ] rπ
1
= Rπ Cπ
ωHπ

Rµ = Rπ + RC RL (1 + g m Rπ )

1
= RµCµ
ωHµ

1 1 1
= +
ωH ω Hπ ω Hµ
ωH
f H const.tiempo = = 646kHz
2π 45
J.J. García
 4.5.2 Respuesta en frecuencia. Alta frecuencia.
Comparación de resultados de los tres métodos.

640 kHz
50
Sustituyendo valores, obtenemos
40

30

f H Aprox . Miller = 891 kHz

(dB)

20

f H const .tiempo = 646 kHz

20 log A(s)

10

-10 f H simulada = 640 kHz

-20

10-1 10 0 101 10 2 10 3 104 10 5 106 107 10 8 109 101 0

Frecuencia (Hz)

46
J.J. García
4.5.2 Respuesta en frecuencia. Alta frecuencia.
La simulación del circuito de pequeño señal
para alta frecuencia indica que a la
frecuencia de corte, la condición para la
aproximación de Miller
I Cµ << g m Vπ
680 kHz
no es correcta. 1M 10M 100M
50
40
30
AV (dB)

20
10
0
-10
6.0m Ig m
Intensidad (A)

4.0m

IC
µ
2.0m

0.0
1M 10M 100M
47
J.J. García Frecuencia (H z)