UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PANAMÁ

Procesador INTEL i7-980X

Extreme Edition
Construcción a escala de 32 nm

Circuitos Electrónicos II

ING. ELECTROMECANICA 2IE-141

BEITIA, FELIX 4-742-404
GUILLÉN, JOSE M. 8-824-1543

FECHA DE ENTREGA: MARTES 15 DE JUNIO DE 2010

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Introducción

Una necesidad que surge debido a las limitaciones en el modo tradicional de

construcción de los dispositivos tecnológicos. Tras la invención del transistor, por
parte de Bardeen, Brattain y Shockley en 1948, comenzó a desarrollarse la
electrónica de estado sólido, en la que las, antaño, costosas válvulas (tubos de
vacío tan aparatosos como poco fiables) fueron reemplazadas, con éxito, por
pequeñas pastillas de silicio que no requerían calentamiento previo y
funcionaban durante más tiempo.

Así, se comenzaron a fabricar circuitos integrados, progresivamente más

pequeños para lograr que funcionaran más rápido, lo que permitía incrementar el
número de transistores que se podían incluir en un "chip" y, de esta manera,
realizar tareas más complejas en un espacio más reducido. Nace así la carrera
por la miniaturización del chip; desde que ésta comenzó, se ha puesto de
manifiesto una ley empírica, la llamada "Ley de Moore":

En la actualidad, los MOSFETs son los transistores más utilizados para la

implementación de circuitos integrados tanto analógicos como digitales,
encontrándose a escala nanométrica; como veremos en el contenido de esta
investigación, donde exponemos lo último en fabricación de MOSFETs para la
creación de procesadores por parte de Intel.

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El nanómetro es la unidad de longitud que equivale a una milmillonésima parte

de un metro. Comúnmente se utiliza para medir la longitud de onda de la
radiación ultravioleta, radiación infrarroja y la luz. Recientemente la unidad ha
cobrado notoriedad en el estudio de la nanotecnología, área que estudia
materiales que poseen dimensiones de unos pocos nanómetros.
La abreviatura del nanómetro es nm.
1 nm = 1x10-9 m

El nanómetro es una unidad de medida usada para cosas muy, pero muy
pequeñas. Para entender cuán pequeño es un nanómetro, tome una regla y
haga un trazo de 1 centímetro. Ahora divida el trazo en 1 millón de partes
iguales y cada parte tendrá un nanómetro de longitud.

El transistor original fabricado por Bell Labs en 1947 era lo suficientemente

grande como para ser montado a mano. En contraste, más de 60 millones de
transistores de 32 nm cabrían en la cabeza de un
alfiler.
A final de cuentas, contando todas las nuevas
tecnologías desarrolladas por Intel, la familia
totalmente nueva de procesadores Intel® Core™
es 4,767 veces más rápida que el primer
procesador de Intel, el Intel 4004.
Eso significa que, si no fuese por los esfuerzos
incansables de los científicos de Intel para
disminuir el tamaño de los transistores, un Smartphone necesitaría ser del
tamaño de una nevera para realizar todas sus funciones.

Un transistor de 32 nm contiene puertas que son tan pequeñas que se podrían

encajar 3,000 de ellas en la anchura de un pelo humano.

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Gordon Moore, uno de los fundadores de Intel, publicó en 1965 un estudio en el

que preveía un ritmo acelerado en la evolución de los transistores. Según él, el
número de transistores en un circuito se doblaría cada dos años. Esta previsión
se hizo famosa con el nombre de “Ley de Moore” y continúa siendo válida hasta
los días de hoy.

Un único transistor de 32 nm puede encenderse y apagarse más de 300 mil

millones de veces por segundo. Usted se tardaría cerca de 4,000 años en
encender y apagar un interruptor el mismo número de veces.

Si el ritmo de la innovación en los viajes espaciales se hubiese incrementado al

ritmo de la Ley de Moore desde 1971, ahora usted sería capaz de viajar a la
velocidad de la luz, a 300 mil kilómetros por segundo, y probablemente estaría
leyendo esto desde algún campamento de vacaciones en una de las lunas de
Saturno.

El precio por transistor en un chip ha bajado espectacularmente desde la

fundación de Intel, en 1968. Algunas personas estiman que el precio de un
transistor es ahora aproximadamente el mismo que el de un carácter en un
periódico impreso.

Los procesadores, con toda su importancia para la vida moderna, se fabrican a

partir de una materia prima básica muy abundante: un material semiconductor
llamado silicio. Se trata del octavo elemento químico más común en el universo
y el segundo más común en la superficie terrestre, después del oxígeno.

El proceso de fabricación comprende cristales ultra puros de silicio, que se

graban a través de un proceso fotoquímico. Con el uso de elementos químicos
que reaccionan a la luz y lentes súper sensibles, los científicos de Intel son
capaces de construir transistores cada vez más pequeños y más eficientes.

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El primer procesador que Intel lanzó, en 1971, funcionaba con una frecuencia de
108 Khz y poseía 2,300 transistores. Cada uno de ellos medía 10 micrómetros
(un millonésimo de un metro). En comparación, el nuevo procesador Core i5-661
funciona con una frecuencia de 3.33 GHz y posee 559 millones de transistores
de 32 nanómetros.

Es decir: los procesadores hoy poseen 243

mil veces más transistores, que a su vez son
312 veces más pequeños y funcionan con
una frecuencia 30 mil veces superior.
Los transistores del procesador Intel®
Core™ i5 actúan como interruptores,
controlando el flujo de electrones dentro de
un microchip. En conjunto, se encienden y
se apagan más de un billón de veces por
segundo.

Intel ha fabricado más de 200 millones de CPUs usando transistores high-

k/metal-gate, del tipo usado en los procesadores de 32 nm, desde que la
tecnología entró en producción en noviembre de 2007. Esto se traduce en más
de cincuenta mil billones de transistores, o lo equivalente a más de 7 millones de
transistores por ser humano en el planeta.

Comparado con el primer microprocesador de Intel, el 4004, lanzado en 1971,

cada transistor en una CPU de 32 nm usa 4 mil veces menos energía. El precio
por transistor disminuyó cerca de 100 mil veces.

Como resultado, los procesadores Intel están saliendo de las computadoras y

pasando a integrar todo tipo de dispositivos conectados. En breve, todos sus
equipos con acceso a Internet, como su televisor, su vehículo, su teléfono móvil

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y demás contarán con esta increíble tecnología. Para 2015 serán más de 15 mil
millones de dispositivos conectados en todo el mundo.

Cuando usted fabrica algo a escala nanométrica, como es el caso de los chips
de Intel, una partícula de polvo sobre su chip equivaldría a arrojar una montaña
sobre la construcción de una casa. Debido a eso, las salas donde Intel fabrica
sus chips están entre los ambientes más limpios del planeta.

Aunque los transistores de 32 nm sean increíblemente pequeños y eficientes, la

evolución continúa. Intel ya presentó transistores funcionales con un tamaño de
22 nm.

No hemos podido cortar incluso una décima más de un nanómetro, un átomo de

silicio es de 0,26 nm de diámetro. Más importante aún, con un espesor de cinco
átomos, el aislamiento era ya un problema, perdiendo poder al permitir que la
lluvia de electrones pasara a través de él. Sin una importante innovación, la

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industria de los semiconductores estaba en peligro, el problema largamente

esperado llegaría, que terminaría la era de la Ley de Moore, donde
periódicamente se encontraban mejoras de rendimiento exponenciales en las
memorias, microprocesadores y otros.

La solución a esta nueva crisis no podría ser cambiando el engrosamiento del

aislador con más átomos, sino de un tipo diferente, para darle mejores
propiedades eléctricas. Este nuevo aislante trabajaría lo suficientemente bien
como para detener la lluvia de poder de succión de los electrones de los chips
avanzados durante los últimos cuatro años. Si la Ley de Moore se derrumba en
un futuro previsible, no será por la compuerta de aislamiento. Gordon Moore,
cofundador de INTEL, quién estableció la Ley de Moore, decía que las
alteraciones que hicimos en la introducción de esta última generación de chips
"el mayor cambio en tecnología de transistores" desde finales de 1960.

Fue difícil encontrar el nuevo aislante, pero esto solo fue la mitad de la batalla. El
objetivo del aislante es separar la compuerta del transistor de silicio del resto del

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dispositivo. El problema era que una compuerta de silicio no funcionaba con el

nuevo material aislante. Los transistores iniciales realizados con el nuevo
aislante se desempeñaron peor que los antiguos transistores. La respuesta fue
la de agregar otro nuevo material a la mezcla, cambiando la compuerta de silicio
por una de metal.

Puede no parecer una gran cosa, el cambiar los materiales utilizados en un

transistor, pero lo fue. La industria pasó por un cambio importante hace varios
años cuando se cambió las interconexiones de aluminio a cobre y al mismo
tiempo a partir del revestimiento de SiO 2 para las interconexiones químicamente
fueron similares a los dieléctricos "low-k". Y esos cambios no tenían nada que
ver con el propio transistor. Un cambio fundamental en la composición del
transistor es casi inaudito. La combinación de la compuerta y del aislante, no ha
cambiado significativamente desde Moore, Andrew S. Grove, y otros, que lo
describen en la una revista en octubre de 1969.

La historia de cómo nosotros y nuestros compañeros de trabajo resolvieron el

problema del aislamiento de la compuerta puede parecer esotérico, y de
manera literal lo es. Pero también es emblemático de cómo la Ley de Moore, el
paradigma de la definición de la industria global de semiconductores, se sostiene
contra todos los pronósticos, a menudo difícil por la rápida aplicación de la
propiedad intelectual y los problemas que, están obligando a los ingenieros,
cada vez más, a la lucha en los campos, donde hasta hace poco sólo estaba
ocupada por los físicos.

El problema, en última instancia, es uno de energía. Con cinco átomos, la astilla

de SiO2 de aislamiento era tan delgada, que había empezado a perder sus
propiedades aislantes. A partir de la generación de los chips fabricados en 2001,
los electrones habían comenzado a fugarse a través de la compuerta. En los
procesadores de hace justo dos años antes, se convirtió en una fuga unas 100
veces más intensa.

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Toda esa corriente fue una fuga de potencia y una fuente de calor no deseado.
Las Laptops se calentaron demasiado y el drenaje de sus baterías también lo
hicieron con demasiada rapidez. Los servidores fueron elevando las facturas de
electricidad y aumentando sus aires acondicionados. Incluso antes de que nos
quedáramos sin los átomos, los diseñadores habían ideado algunos trucos para
de nuevo acelerar la potencia sin perder velocidad. Pero sin una forma de
contener el flujo de electrones deseados a través de la astilla de aislamiento, la
batalla para hacer cada vez procesadores más poderosos, pronto se perdería.

Para entender, se necesita un repaso en aspectos básicos de semiconductores.

El tipo de transistor que se encadena entre sí por los cientos de millones para
compensar los microprocesadores de hoy en día, la memoria y otros chips, se
llama transistor de efecto campo basado en la estructura MOS (metal-oxide-
semiconductor), o MOSFET. Básicamente, se trata de un interruptor. Un voltaje
en un terminal, conocido como la compuerta (V G), enciende o apaga un flujo de
corriente (ID) entre las dos terminales, la fuente (VS) y el de drenaje (VD).

Los MOSFETs vienen en dos variedades: NMOS (para el tipo N) y PMOS (de
tipo P). La diferencia está en la composición química de la
fuente (S), el drenador (D), y la compuerta
(G). Los circuitos integrados contienen
transistores NMOS y PMOS. Los
transistores se forman en las compuertas
con un monocristal de silicio, la fuente y el drenaje son
construidos por el dopaje de silicio con impurezas tales como
arsénico, fósforo o boro. Dopando con boro añade portadores de carga positiva,
llamados los agujeros al cristal de silicio, lo que hace que sea un tipo p, mientras
que el dopaje con arsénico o fósforo agrega electrones, por lo que es de tipo n.

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Tomando como ejemplo un

transistor NMOS, la fuente poco
profunda y regiones de drenaje
son de tipo n dopado de silicio
altamente. Entre ellos se
encuentra uno ligeramente
dopado en la región tipo p,
llamado canal del transistor, que
es donde fluye la corriente. En la
parte superior del canal se
encuentra una capa delgada de
aislamiento de SiO2, por lo
general llamada capa de óxido (Oxide Layer), que es la causante de los dolores
de cabeza tecnológicos más reciente de los chips de la industria.

Cubriendo esa capa de óxido en el electrodo de la compuerta, se hace

parcialmente ordenado, o poli cristalino, silicio. En el caso de un dispositivo
PMOS es también de tipo n.

El transistor NMOS funciona así: una señal positiva en la compuerta crea un

campo eléctrico a través de la capa de óxido. El campo eléctrico repele y atrae a
los agujeros de electrones para formar un canal conductor de electrones entre la
fuente y el drenador.

Un transistor PMOS es sólo el complemento de NMOS. La fuente y el drenaje

son de tipo P, el canal, de tipo n, y la compuerta, de tipo p. Funciona de la
manera opuesta, así: una señal positiva en la compuerta (medida entre la
compuerta y la fuente) “VGS” corta el flujo de corriente.

En los dispositivos de lógica, los transistores NMOS y PMOS están arreglados

de modo que sus acciones se complementan entre sí, por lo tanto se les conoce

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como CMOS semiconductor de óxido metálico complementario. El arreglo de los

circuitos CMOS es tal que están diseñados para obtener energía sólo cuando los
transistores están encendidos o apagados. Esa es la idea, de todos modos.

Aunque las características básicas y los materiales del transistor MOS se han
mantenido más o menos la misma desde finales de 1960, las dimensiones se
han reducido drásticamente. Las dimensiones mínimas del transistor eran
alrededor de 10 micrómetros hace 40 años, y ahora son de 50 nm más pequeño
en un factor de más de 200. Supongamos que un transistor de 1960 era tan
grande como una casa de tres habitaciones y que se redujo en el mismo factor.
Podrías mantener la casa en la palma de tu mano en la actualidad.

El espesor del aislamiento del SiO 2 en la compuerta del transistor ha reducido de

unos 100 nm hasta 1,2 nm. La velocidad a la que el grosor disminuyó se
mantuvo estable durante años, pero comenzó a disminuir su grosor en la
generación de transistores de 90 nm, que entró en producción en el año 2003.
Fue entonces que la capa de óxido alcanzó su límite de cinco átomos. El
espesor del aislante se redujo no más lejos de los 90 nm a la generación de 65
nm de hoy sigue siendo común.

La razón porque la compuerta no fue más reducida es que comenzó a filtrarse

corriente. Esta fuga se debe a efectos cuánticos. Con un 1,2 nm, la naturaleza
cuántica de las partículas comienza a desempeñar un papel importante.
Estamos acostumbrados a pensar en los electrones en los términos de la física
clásica, y nos gusta imaginar que un electrón es como una pelota y el
aislamiento como una colina alta y estrecha. La altura de la colina representa la
cantidad de energía que tiene que proporcionar el electrón para llegar al otro
lado. Darle un impulso suficiente y efectivo, podría conseguir sobre la colina, que
revienta a través del aislamiento en el proceso.

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Pero cuando la colina (la capa de óxido) es tan estrecha que se puede contar los
átomos individuales de espesor, el electrón se ve menos como una pelota y más
como una ola. En concreto, es una ola que define la probabilidad de encontrar el
electrón en un lugar determinado. El problema es que la onda es en realidad
más amplia que la colina, se extiende todo el camino hasta el otro lado y más
allá. Eso significa que hay una probabilidad distinta que un electrón que debe
estar en el lado de la compuerta del óxido simplemente puede aparecer en el
canal lateral, que obtenga un "túnel" a través de la barrera de energía que
plantea el aislamiento en lugar de ir sobre ella.

A mediados de la década de 1990, en Intel y otros fabricantes de chips

importante era reconocer que se nos acercaba rápidamente el día en que ya no
se sería capaz más de mantener apretando átomos fuera de la compuerta
aislante de SiO2. Así que todos los programas de investigación se pusieron en
marcha para llegar a una solución mejor. El objetivo era encontrar una
compuerta de material dieléctrico como un reemplazo de SiO 2 y también para
demostrar prototipos de transistores que se filtraran menos, mientras que al
mismo tiempo fueran excelentes conductores de corriente a través del canal del
transistor. Necesitábamos una compuerta aislante lo suficientemente gruesa
como para mantener los electrones de un túnel a través de él y sin embargo,
suficientemente permeable como para permitir que el campo eléctrico de la
compuerta en el canal pudiera encender el transistor. En otras palabras, el
material tenía que ser físicamente grueso pero eléctricamente delgado.

El término técnico para este material es un dieléctrico "high-k", donde k, es la

constante dieléctrica, es un término que se refiere a los materiales como
capacidad de concentrar un campo eléctrico. Disponer de un medio con una
constante dieléctrica más alta del aislante podría proporcionar mayor capacidad
entre dos placas conductoras (almacenar más carga), para el mismo espesor de
aislante. O si lo prefiere, podría proporcionar la misma capacitancia con un
aislante. El SiO2 típico tiene una k de alrededor de 4, mientras que el aire y el

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vacío tienen
valores de
alrededor de 1.
El valor k se
relaciona con la
cantidad de
material que
puede ser
polarizado.
Cuando se
coloca en un
campo eléctrico, las cargas en un dieléctrico de átomos o moléculas, se
reorientaran en dirección al campo. Estas cargas internas son más sensibles en
dieléctricos de high-k que en las de low-k.
Por cierto, en el año 2000, las principales empresas de semiconductores
comenzaron a cambiar el material utilizado para aislar los alambres de metal que
se conectan entre sí en los transistores de SiO 2 y los dieléctricos Low-k. En el
caso de las interconexiones, no se deseaba que el campo eléctrico de un cable
afectara el de los otros cables cercanos, ya que por ejemplo si se crea un
condensador entre los cables, este podría interferir con la señal o bajar la
velocidad de las señales de ellos. Un dieléctrico low-k evita este problema.

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Viaje Accidentado
La densidad de los electrones en particular, en una compuerta de poli silicio
tradicionales permitió vibraciones inherentes al dieléctrico High-k para moverse
en el canal del transistor e interrumpió el flujo de corriente. Los electrones de
mayor densidad en un metal eliminaron las vibraciones, lo que permite que la
actual corriente fluyera sin problemas.

Nos puso a estudiar una verdadera sopa de letras delos posibles candidatos
dieléctricos High-k, incluyendo el óxido de aluminio (Al 2O3), dióxido de titanio
(TiO2), pentóxido de tantalio (Ta 2O5), dióxido de hafnio (HFO 2), hafnio de silicato
(HfSiO4), óxido de circonio (ZrO2), silicato de circonio (ZrSiO4) y óxido de lantano
(La2O3). Estábamos tratando de identificar cosas en cada material de constante
dieléctrica, si era eléctricamente estable, y la compatibilidad con el silicio.

Necesitábamos algo más suave, tan suave como una sola capa de átomos, en
realidad. Así que se dirigió a una tecnología denominada deposición de capa
atómica, tan nuevo que su debut en la producción de chips CMOS sólo se
comenzó el año pasado
con nuevos chips de
High-k. La deposición de
capas atómicas le
permitía crear un
material de una capa de
átomos a la vez. En este
proceso, usted introduce
un gas que reacciona
con la superficie de la
onda de silicio, dejando todo el sustrato recubierto en una sola capa de átomos.
Entonces, porque no hay más superficie para reaccionar con las paradas de
deposición. El gas es evacuado de la cámara y se reemplaza con un segundo
gas, que reacciona químicamente con la capa de átomos que están recién

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depositados. Se establece también una capa de átomos y luego se detiene.

Puedes repetir el proceso tantas veces como desee, para producir materiales en
capas cuyo espesor total es controlable hasta el ancho de un solo átomo.

Depositando de este modo, basados en dieléctricos High-k, tanto el hafnio y el

circonio se estudiaron y se mostró que eran eléctricamente estables y se
observaron características mucho más alentadoras en comparación con los
formados por vapores químicos o pulverización. La atrapada de carga fue el
problema que parecía haberse suavizado.

Con dos materiales existentes a las que empezamos a hacer los transistores
NMOS y PMOS de ellos. Luego vino el siguiente inconveniente. Estos
transistores, casi idénticos a nuestros transistores existentes a excepción de los
distintos dieléctricos, tenían algunos problemas. Por un lado, se necesitó más
tensión, para excitarlos porque para que existiera conducción eléctrica, los
electrones tenían que aumentar su nivel de energía por arriba del Nivel de Fermi
(Ef). Por otra parte, una vez que los transistores se encontraban conduciendo,
las cargas se movieron lentamente a través de ellos, se frenó la velocidad de
conmutación del dispositivo. Este problema se conoce como la escasa movilidad
de los portadores de carga.

Con la cuenta regresiva en marcha para la próxima generación previsto por la

Ley de Moore, encontrar una solución se convirtió en una tarea urgente,
entender por qué los transistores dieléctricos High-k tenían un rendimiento tan
malo, era el principal problema. Usando una combinación de trabajo
experimental y los modelos basados en la física, comenzamos a averiguar qué
había salido mal. El origen del problema, en última instancia, se presentó en la
interacción entre el electrodo de la compuerta (Gate Electrode) de polisilicio y los
dieléctricos High-k nuevos.

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Por qué esto tiene una

explicación complicada.
La capa de dieléctrico
está formada por
dipolos, objetos con un
polo positivo y uno
negativo. Este es el
aspecto que le da el
dieléctrico High-k con
una alta constante
dieléctrica. Estos dipolos vibran como una banda elástica tensa y dan lugar a
fuertes vibraciones en una red cristalina de los semiconductores, llamado fonón.
Estos fonones dan vueltas pasando electrones, lo cual hacen más lentos y
reducen la velocidad de conmutación en los transistores. Pero los estudios
teóricos y simulaciones por computadora realizados por nosotros y otros,
mostraron una salida. Las simulaciones demostraron que la influencia de las
vibraciones dipolo sobre los electrones del canal puede ser eliminada mediante
un aumento significativo de la densidad de electrones en el electrodo de la
compuerta. Una forma de hacerlo sería pasar de una compuerta de polisilicio a
las de metal. Como conductor, el metal puede empacar en cientos de veces más
electrones que el silicio. Los experimentos y simulaciones del equipo de INTEL
confirmaron que las compuertas de metal son el truco, descartan a los fonones y
dejan que el flujo de corriente pase sin problemas a través del canal del
transistor.

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Es más, el vínculo entre el dieléctrico High-k y la compuerta de metal sería

mucho mejor que la que existe entre el dieléctrico y la compuerta de silicio que
eras nuestro otro problema, y el nivel de Fermi, sería resuelto por una compuerta
de metal también.

Ahora, nuestros ingenieros tuvieron una tarea nueva e importante: encontrar un

metal que podrían utilizar para el electrodo de compuerta que se combinara bien
con el nuevo dieléctrico High-k. Debido a que las características eléctricas de las
compuertas de los transistores NMOS y PMOS son diferentes, en realidad no se
necesita un metal, sino dos, una para el NMOS y otro para el PMOS.

Como los transistores MOS estándar usan compuertas de polisilicio de tipo n

para los NMOS y las de tipo P para transistores PMOS, los transistores de High-
k necesitarían materiales en el electrodo de la compuerta de metal con una
característica similar a la del polisilicio. Esta propiedad se conoce como la
función de trabajo. En este contexto, la función de trabajo se refiere a la energía
de un electrón en el electrodo de compuerta respecto a la de un electrón en el
canal de silicio menos contaminado. La diferencia de energía crea un campo
eléctrico que puede modular la cantidad de tensión necesaria para encender el
transistor, la tensión de umbral. A menos que la compuerta de la función de
trabajo no sea bien escogida, la tensión umbral será demasiado alta, y el
transistor no se encenderá fácilmente.

Finalmente, el grupo de investigación identificó los metales para el NMOS y

PMOS No podemos revelar la composición exacta de las capas de nuestro
metal, porque después de todo, la industria de los Circuitos Integrados (IC) es
muy competitiva.

Los transistores, con un óxido basado en hafnio y los electrodos de compuerta

metálica, tenía todo lo que necesitábamos: se encendía en el voltaje correcto, se

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filtró poca corriente a través del óxido de la compuerta, y pasó una gran cantidad
de corriente a través del canal para una tensión dada.

Por supuesto, no estábamos solos. Y aún había un montón de incógnitas. Para

el 2003, los investigadores en laboratorios universitarios y otras empresas de
semiconductores de todo el mundo se encontraban en cero sobre materiales a
base de hafnio como compuerta dieléctrica. Una variedad de ellos estuvo bajo
un serio estudio: los óxidos de hafnio, silicatos de hafnio, y los óxidos de hafnio
que contenían nitrógeno. El método de formación de la película de High-k,
también, fue inestable, con diferentes grupos tratando, la deposición química de
vapor de pulverización, y la deposición de capa atómica, que finalmente se
estableció. Pero el mayor desconocimiento en esa época eran los materiales de
las compuertas de metal a utilizar y la manera de encajar en el proceso de
fabricación de los transistores.

El método de fabricación normal se conoce como "primera compuerta". Como su

nombre lo indica, la compuerta dieléctrica y el electrodo de la compuerta se
construyen primero. A continuación, los dopantes para la fuente y el drenaje se
implantan en el silicio a ambos lados de la compuerta. Por último, el silicio es
recocido para reparar los daños causados por el proceso de implantación. Este
procedimiento requiere que el material del electrodo de la compuerta fuera
capaz de soportar las altas temperaturas usadas en el paso de recocido, no es
un problema para el silicio policristalino pero potencialmente es grande para
algunos metales.

Para no hacer el cuento largo, la búsqueda de materiales con electrodo de

compuerta tanto la correcta función de trabajo y la tolerancia al procesamiento
de alta temperatura era muy difícil y llena de callejones sin salida. Especialmente
para el transistor PMOS

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Otra secuencia del proceso del transistor, llamada "última compuerta," elude la
obligación de tratamiento térmico mediante el depósito de los materiales del
electrodo de la compuerta después que se forman la de la fuente y el drenaje.
Sin embargo, muchos de nuestros compañeros vieron el proceso de última
compuerta, que finalmente se adoptó, como demasiado difícil y también un reto.

Mientras tanto, un tercer enfoque notable en su simplicidad surgió. Llamado

compuertas totalmente con siliciuro, que permitía seguir el proceso normal de
“primera compuerta”, y luego permitía cambiar la compuerta de polisilicio por una
compuerta de siliciuro de metal, esencialmente reemplazar cada átomo de silicio
con otros de metal (generalmente de níquel). Entonces, por el dopaje del siliciuro
de níquel, puede alterar su función de trabajo para su uso en un dispositivo o
bien NMOS o una PMOS. A fines de 2006, sin embargo, casi todo el mundo,
incluidos nosotros, había dado por perdido el enfoque plenamente de las
compuertas con siliciuro. Nadie podía mover la función de trabajo del siliciuro lo
suficientemente cerca de donde necesitaba estar.

Habiendo construido el buen funcionamiento de los transistores de tecnología

antigua, en el segundo semestre de 2003 ya era hora de pasar de la
investigación a el desarrollo de los transistores con compuerta de metal con
material dieléctrica High-k, como los llamábamos (High “K” + Metal Gate
Transistors). Los ingenieros comenzaron a trabajar para determinar si estos
transistores podrían hacerse a escala de 45 nm y aún cumplir con el desempeño
riguroso, fiabilidad, y los requisitos de fabricación de una tecnología de
microprocesador avanzada.

Durante los meses siguientes, el equipo roto un problema tras otro, hacer
cambios a los materiales, recetas químicas y procesos de fabricación. No fue
sino hasta finales de 2004 que el equipo consideró que había suficientes datos
convincentes que afirmaban que los nuevos transistores podrían llegar a
funcionar en nuestra tecnología de 45 nm. En ese momento, no había vuelta

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atrás. Intel se había comprometido ahora a hacer estructuras de transistores con

compuerta de metal con material dieléctrica High-k utilizando el flujo de “última
compuerta”. Nuestro equipo sabía que los microprocesadores de la próxima
generación de Intel tendrían el mayor cambio en tecnología de los transistores
en 40 años.

El siguiente gran paso fue demostrar que los chips de prueba trabajaban con las
dimensiones con las escalas finales combinada con las características del
transistor nuevo. El chip tradicional para probar una nueva tecnología es en
memoria estática de acceso aleatorio o SRAM, que es el tipo de memoria
colocados en el mismo chip con el microprocesador. Normalmente, los
fabricantes de
microprocesadores diseñan
SRAM que son un año o
más adelante que los
diseños del procesador.
SRAM es un conjunto muy
regular de células de
memoria, cada uno de los
cuales consta de seis
transistores densos,
comprimidos e
interconectados. Debido a su densidad y regularidad, chips de SRAM
proporcionan buenos datos sobre cómo los defectos producidos en el proceso
de fabricación.

Nuestros primeros chips de prueba totalmente funcionales de SRAM con los

nuevos transistores salieron a la línea en enero de 2006. Eran de un diseño de
153 megabit compuesto por más de mil millones de transistores. Cada célula de
memoria de seis transistores en el chip, ocupa poco más de un tercio de un
micrómetro cuadrado (⅓ µm2). Este chip de prueba tenía todas las

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características necesarias para construir un microprocesador de 45 nm,

incluyendo transistores con compuerta de metal con material dieléctrica High-k y
nueve capas de interconexiones de cobre. Teniendo en cuenta lo nuevo y radical
que era el transistor nuevo y todo su proceso de fabricación, fue una sorpresa,
incluso para algunos de los ingenieros en el grupo de desarrollo, que todo
funcionaba tan bien. Aun así, el equipo de desarrollo todavía tenía mucho por
delante para que el rendimiento, la fiabilidad y el proceso de producción llegaran
al nivel necesario para la fabricación de microprocesadores.

En enero de 2007, Intel hizo el primer trabajo de microprocesadores de 45 nm

usando estos revolucionarios transistores con compuerta de metal con material
dieléctrica High-k.

Lo más reciente de Intel, la tecnología en lógica de 32 nm es una brecha técnica

revolucionaria, ahora en la producción de volumen. La incorporación de la
segunda generación de transistores con compuerta de metal con material
dieléctrica High-k, que cuenta con NMOS de registro y el rendimiento del
transistor PMOS, medido por la unidad actual. También tiene la densidad más
alta reportada de 32 nm o de cualquier 28nm de tecnología disponible hoy en
día, medido por la densidad de matriz de SRAM y el tono puerta.

La Ley de Moore y el futuro

El proceso de 32 nm de Intel continúa ofreciendo la promesa de la Ley de Moore
sin dejar de transformar la manera en que vivimos, trabajamos y nos
comunicamos. Y con la revolucionaria tecnología de 32 nm de la lógica, se
puede esperar mayores velocidades de procesamiento, una mayor capacidad de
computación, mejora de la funcionalidad y aplicaciones más sofisticadas.

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Mientras que otros no están programados para cumplir con esta tecnología
hasta mucho más tarde, nuestros microprocesadores de 32 nm en plena
producción ya están disponible desde principios de 2010.

La invención del transistor con compuerta de metal con material dieléctrica High-
k fue un avance importante. A pesar de que podría haber seguido disminuyendo
los transistores para adecuarse a las dimensiones necesarias para la generación
de 32 nm sin este avance, los transistores no habrían funcionado mucho mejor
que sus predecesores, y sin duda habría gastado más vatios.

Principales características del Nuevo Procesador i7 980X Extreme Edition

 Los transistores con compuertas de metal con
material high-k de segunda generación tienen muchas
mejoras con respecto a la primera generación.
 El espesor del óxido equivalente fue reducido de 1.0
nm en los 45 nm a 0.9 nm en los de 32 nm. La longitud de la compuerta
fue reducida a 30 nm.
 Los transistores NMOS tienen 19 por ciento mejor rendimiento que sus 45
nm homólogos.
 Los transistores PMOS tienen un rendimiento de 28 por ciento de mejora
sobre sus 45nm homólogos.
 El disminuyo del espesor del óxido y la longitud de la compuerta
aumentaron un 22% el rendimiento en la ganancia del transistor.
 Se cambió el tamaño de la célula, en los 45 nm era de 0.346 µm 2
mientras ahora en los 32 nm es 0.171 µm 2. Casi se redujo su tamaño un
50%

Estos chips, que se sitúan claramente por encima de los Core i7 en rendimiento,
también cuentan con Hyper-Threading, con lo que manejarán hasta 12 hilos
simultáneamente. Por su parte, la caché L3 sube hasta los 12 MB y el socket se
mantiene en el LGA 1366 así como el chipset X58.

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Hablamos de un procesador con una frecuencia de 3.33 GHz. que, gracias

Turbo boost, puede llegar a los 3.6 de forma automática y sin necesidad de un
sistema de refrigeración avanzado.

Tabla. Características del i7 980X

Nombre Clave Gulftown
Proceso de Fabricación 32nm
Núcleos (tareas) 6 (12)
Velocidad de CPU(GHz) 3.2-3.7
Precio 990 – 1300 Dls
Cache 12MB
Controlador de memoria 6x DDR3 1066-1333 MHz/s
TDP 130W
Socket LGA1366

La imagen siguiente esquematiza cómo varían los nombres, dejando los Core 2
Duo y Quad, así como los Arrandale (portátil) con el nombre Core i3; los
Lynnfield y Clarkdale se llamarán Core i5, y a Core i7 se suman los Lynnfield con
HyperThreading y los Clarksfield (portátil).

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Conclusiones

 Con la miniaturización de los dispositivos obtenemos grandes ventajas.

 Nunca sabremos hasta donde podemos llegar pero todavía existen

muchas otras clases de materiales con los que se pueden trabajar para
así llegar a escalas sorprendentes.

 Gracias a la construcción con transistores a escala de 32nm podemos

tener 6 núcleos en un procesador, tan solo en una pastilla 248 mm 2.

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