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ESCUELA SUPERIOR POLITECNICA DE CHIMBORAZO     

FACULATAD DE INFORMATICA Y ELECTRONICA 
ESCUELA DE ELECTRONICA EN CONTROL Y REDES INDUSTRALES 
ELECTRONICA DE POTENCIA 
 
PRÁCTICA No. 1 
CIRCUITOS DE DISPARO 
  

ELEMENTOS  CON  CARACTERÍSTICAS  DE  RESISTENCIA  NEGATIVA  (ERN)   Y  MODULACIÓN  DE 
ANCHO DE PULSO (PWM) 
  

1. OBJETIVO 
 
• Conocer  las  características  de  los  elementos  de  resistencia  negativa,  elementos 
empleados en la generación de señales de control (osciladores de relajación). 
 
• Conocer  el  funcionamiento  de  la  técnica  “Modulación  de  Ancho  de  Pulso  o  PWM”  y 
hacer uso de ésta para generar señales de control de elementos  semiconductores de 
potencia. 
  

2. MARCO TEÓRICO 
 
2.1 ELEMENTOS CON CARACTERÍSTICAS DE RESISTENCIA NEGATIVA (ERN) 

Los  elementos  de  resistencia  negativa  (ERN)  usados  principalmente  para  la  generación  de 
señales  de  control,  son  elementos   semiconductores  que  dentro  de  sus  característica  se 
observa  una  región  de  bloqueo  y  una  región  de  conducción  semejante  a  la  de  un  diodo,  
además una región  intermedia especial en la que a un incremento de la corriente entre dos de 
sus  terminales   se  produce  una  reducción  en  el  voltaje  entre  estos  terminales,  como  se 
muestra en la Figura 1.1.  
 

Figura 1.1 

    
   


 
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Como se puede observar la curva característica presenta tres regiones bien definidas: 
• La región de BLOQUEO (OA), que se caracteriza por su baja conductividad (uA).  
• La región de  CONDUCCIOÓN (BC),  que se caracteriza por su alta conductividad (mA), 
en esta región dependiendo del tipo y de la estructura del dispositivo puede conducir 
corrientes en el rango de las decenas o centenas de miliamperios.  
• La región de RESISTENCIA NEGATIVA (AB), es la región de transición entre la región de 
conducción  y  la  región  de  bloqueo  por  lo  que  se  caracteriza  por  ser  una  zona 
altamente inestable.  
 El ERN puede compararse con un interruptor donde la región de bloque puede representarse 
como el estado de abierto mientras que la región de conducción puede representarse como el 
estado de cerrado. A partir de la curva característica del ERN se puede observar que este pasa 
del estado de bloqueo al estado de conducción cuando el voltaje entre sus terminales es igual 
al voltaje pico o voltaje de activado (Vp) y permanece en este mientras la corriente que pasa a 
través  de  sus  terminales  sea  mayor  o  igual  a   la  corriente  de  valle  o  corriente  de 
mantenimiento (Iv).      
  
En  el  caso  de  que  la  operación  del  elemento  no  se  realice  en  ninguna  de  las  dos  zonas,  el 
elemento trabaja en la región de resistencia negativa donde opera en forma inestable oscilado 
entre los estados de bloqueo y de conducción.  Es decir, si se trabaja en el interior de la región 
de resistencia negativa el elemento puede actuar dentro de un circuito oscilador de relajación, 
donde  “el  circuito  externo  al   ERN  debe  garantizar  que  el  punto  de  operación  se  sitúe  al 
interior  de  la  región  de  resistencia  negativa.   El  funcionamiento  de  un  circuito  oscilador  de 
relajación, está basado en los períodos de carga y descarga de un capacitor.  En la mayoría de 
aplicaciones, la energía almacenada lentamente durante el período de carga del capacitor es 
violentamente liberada durante la descarga. De esta manera, sobre el capacitor aparecerá una 
onda  diente  de  sierra,  y  sobre  el  elemento  que  recibe  la  descarga,   aparecerá  un  pulso  de 
corriente”  un  oscilador  generalizado  con  elemento  de  resistencia  negativa  se  muestra  en  la 
Figura 1.2. 

Figura 1.2 

Antes de energizar el circuito el capacitor C esta descargado y su voltaje es igual a cero al igual 
que el del ERN, inmediatamente después de energizar se inicia la carga del capacitor a través 
de R1, en este caso específico la carga del capacitor será exponencial.  Mientras el voltaje en el 


 
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capacitor  sea  menor  a  VP  la  corriente  en  el  ERN  será  pequeña  por  lo  tanto  la  resistencia  
equivalente  de  este  será  de  un  valor  grande  por  lo  que  el  voltaje  de  salida  Vout  en  R2  será 
pequeño, conforme continua la carga del capacitor el voltaje entre sus terminales alcanzará  Vp 
el mismo voltaje que se aplicará al ERN, en ese instante el elemento pasa brevemente por la 
región de resistencia negativa y entra a la región de conducción y la corriente a través de sus 
terminales  incrementa  de  tal  manera  que  la  resistencia  equivalente  del  ERN  se  reduce 
permitiendo la circulación de corriente a través de sus terminales y por lo tanto la  posterior 
descarga  del  capacitor  a  través  de  R2  produciéndose  un  breve  pulso  de  voltaje  en  la   Vout  , 
recordando  además  lo  anteriormente  señalado  el  elemento  permanecerá  en  conducción 
mientras  la  corriente  a  través  de  sus  terminales  sea  mayor  o  igual  a  la  corriente  de 
mantenimiento,  es  importante  tener  en  cuenta  que  la  descarga  del  capacitor  también  es 
exponencial  y  transcurrido  un  tiempo  la  corriente  tiende  a  cero  siendo  en  algún  punto  de  la 
descarga  menor  a  la  corriente  de  mantenimiento  por  lo  que  nuevamente  el  ERN  entra  en 
estado  de  bloqueo  a  partir  de  entonces  el  capacitor  se  carga  hasta  Vp  momento  en  el  cual  
nuevamente  el  ERN  entra  al  estado  de  conducción  produciéndose  la  descarga  del  capacitor, 
proceso  que  se  repetirá  periódicamente  mientras  el  circuito  este  energizado,  formando  el 
circuito oscilador, Figura 1.3.               
 

Figura 1.3 

Entre los elementos de resistencia negativa  más conocidos podemos anotar: 
• Transistor Unijuntura         UJT 
• Transistor Unijuntura Programable     PUT 
• Conmutador Unidireccional de Silicio     SUS 
• Conmutador Bidireccional de Silicio     SBS 
• Conmutador Controlado de Silicio    SCS 
• Diodo Bilateral de Disparo       DIAC 
  
 Los  mismos  que  se  clasifican  dependiendo  de  su  número  de  capas  como  de  su  sentido  de 
conducción.  De acuerdo al número de capas semiconductoras puede ser de dos, tres, cuatro y 
cinco  capas,  mientras  que  por  su  sentido  de  conducción  pueden  ser  unidireccionales  y 


 
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bidireccionales, dependiendo de estas características los parámetros Ip, Iv, Vp y Vv varían para 
cada  elemento.  En  este  caso  se  estudia  el  UJT  elemento  unidireccional  y  el  DIAC  elemento 
bidireccional. 
  
EL TRANSISTOR UNIJUNTURA (UJT) 
 Dispositivo de dos capas, que puede ser usado en circuitos generadores de pulso de control. 
Consta de una barra de silicio tipo n ligeramente dopado que tiene dos contactos de base en 
ambos extremos de su superficie y una varilla de aleación de aluminio en la superficie opuesta, 
Figura 1.4. 

 
                                                                    Figura 1.4 
  
El UJT tiene tres terminales denominados emisor (E), base 1 (B1) y base 2 (B2).  En la 
Figura  1.5  (a)  se  observa  el  símbolo  para  el  UJT  y  en  la  Figura  1.5  (b)  el  circuito 
equivalente para el mismo. 
  

 
                                                                                          Figura 1.5 
 
 Entre  los  terminales  B1  y  B2  se  tiene  una  característica  resistiva  determinada  por  RB1  y  RB2, 
esta resistencia es denominada resistencia interbase RBB cuyo valor oscila entre 4.7 KW y 9.1 
KW. 
  
A  partir  del  circuito  equivalente  se  puede  deducir  que  el  UJT  no  entrará  en  conducción  sino 
hasta que el voltaje aplicado al emisor E sea superior al voltaje pico Vp el que esta dado por     
                                         


 
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 De  ello  se  deduce  que  Vp  depende  del  voltaje  interbase  y  es  una  fracción  del  mismo,  para 
determinar el valor de VRB1 a partir de un divisor de voltaje. 

si              

Donde η (eta) =  relación intrínseca de bloqueo (0.51 y 0.82 dependiendo del elemento), 

Entonces:          

OSCILADOR DE RELAJACIÓN CON UJT ‐ RAMPA EXPONENCIAL 
 
En  la  Figura  1.6  se  muestra  un  circuito  oscilador  de   relajación  con  carga  exponencial  cuyo 
voltaje de descarga (pulso de descarga) en R2 es usado en el encendido de otros dispositivos de 
mayor potencia como SCR’s, TRIAC’s, etc. 

Figura 1.6 
  
R1  y  C  determinan  el  tiempo  que  tarda  en  aplicarse  VP  al  emisor  del  UJT  para  que  entre  en 
conducción y se proceda a la descarga a través de R2 , el tiempo de carga (tiempo en bloqueo) 
y descarga (tiempo en conducción) dependen de R1 y R2  además de C  por lo que una variación 


 
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de  esta  resistencias  permite  variar  el  tiempo  antes  de  la  aparición  del  pulso  en  R2  como  el 
ancho de este.  
Se  recomienda  escoger  R1  de  tal  manera  que  el  dispositivo  opere  en  la  región  de  resistencia 
negativa,  condición  que  permite  al  elemento  oscilar  entre  bloqueo  y  conducción.  Es  por  ello 
importante  determinar  un  rango  entre  el  cual  puede  variar  R1  asegurando  el  encendido  y  el 
apagado del elemento. 
  
Para asegurar el encendido: 
El proceso de encendido se inicia cuando el voltaje en el emisor es igual al voltaje pico VE = VP 
 y  por  lo  tanto  IR1  =  IP,  igualdad  que  es  valida  debido  a  que  la  corriente  de  carga  del 
condensador  en  ese  instante  es  igual  a  cero,  esto  es,  el  condensador  está  en  este  instante 
cambiando de un estado de carga a de descarga. 
  
Entonces: 

 
pero en el punto de pico IR1 = IP  y  VE = VP 

 
 
y para asegurar el disparo: 

 
En el punto de valle IE = IV  y  VE = VV, por lo que 

 
y para asegurar el apagado: 

 
Por lo tanto R1 está limitado por: 

 
La resistencia R2 debe ser lo suficientemente pequeña para asegurar que el SCR no se encienda 
por el voltaje en R2. 
Cuando IE = 0 

 
 El capacitor determina el tiempo entre pulso y pulso, además del ancho de cada pulso. 
  
En algunas ocasiones se coloca R3 entre Vcc y la base 2 B2, la misma que es opcional, se sugiere 
R3 = 10 R2 .  
  
Para  analizar  formas  de  onda  de  voltaje  en  el  capacitor  y  en  R2,  se  obtendrá  circuitos 
equivalentes para cada caso: 


 
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a) Cuando el VE < VP  e IE = 0, Figura 1.7. 

 
  
Figura 1.7 
  
Mientras  el  UJT  se  encuentra  en  corte  los  dos  ramales  son  totalmente  independientes,  el 
ramal en el que se encuentra el capacitor se puede analizar como una red RC a la que se aplica 
una señal paso y el voltaje en R2  se puede hallar a través de un divisor de voltaje.    
  
b) Cuando el UJT se enciende VE = VP, Figura 1.8. 

 
Figura 1.8 
  
En el instante que el UJT se enciende el diodo entra en polarización directa y la corriente en el 
capacitor (Ic) es cero.    
  
c) Cuando el UJT esta encendido, Figura 1.9. 


 
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Figura 1.9 
El  capacitor  se  descarga  a  través  de  R2  y  RB1  pero  en  conducción  la  segunda  se  reduce 
considerablemente. 
  
Si el elemento oscila entre corte y saturación las formas de onda en el capacitor y R2 serán las 
mostradas en la Figura 1.10: 

 
Figura 1.10 
  
Donde: 

 
  

En el caso de no colocar R3             
  
Por lo que el voltaje en R2 es mayor, de allí que es conveniente colocar R3, pues así disminuye 
el voltaje en R2, asegurando que el SCR no se dispare por voltaje durante el periodo de carga 
del capacitor. 
  
Deducción de las ecuaciones de carga y descarga del capacitor   
  
Carga del capacitor 
Para determinar la ecuación de carga se tomará como referencia la Figura 1.11. 
  


 
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Tomando  en  cuenta  que  el  capacitor  tiene  un  valor  inicial  de  Vv  y  que  la  respuesta  es 
exponencial en el caso de una red R‐C aplicado un voltaje paso de amplitud Vcc – Vv se tiene 
que el voltaje en el capacitor Vc esta dado por 

 
de allí que el voltaje en el capacitor es  

 
esta ecuación es valida durante la carga del capacitor hasta cuando el voltaje del capacitor sea 
Vc = VE = VP ; momento en el cual el UJT entra en conducción y se inicia el proceso de descarga 
del capacitor. 
  
Descarga del capacitor 
Para determinar la ecuación de descarga se tomará como referencia la Figura 1.12. 

 
Figura 1.12 


 
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La descarga del capacitor se realiza a través de la resistencia por lo que el voltaje durante este 
intervalo de tiempo se describe de la siguiente manera: 

 
Donde     
 
y el voltaje de R2 o resistencia de descarga  

 
 
Para determinar el tiempo de carga, descarga y periodo de oscilación. 
  
Tiempo de carga 
 
Voltaje del capacitor durante la carga 

 
si cuando t = tC  (tcarga)       Vc = Vv 

 
 
 

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Tiempo de descarga 
 
Voltaje del capacitor durante la descarga 

 
si cuando t = td (tdescarga)  VC = Vv 

 
 
Periodo de oscilación Tosc 
Un periodo de oscilación es igual a la suma del tiempo de carga más el tiempo de descarga del 
capacitor: 

 
entonces, 

 
pero para muchos sistemas tc es mucho mayor que td  => Tosc  = tc    y Vcc >> Vv     
   
si  VP = VD +  ηVBB y considerando que R2 y R3 << RBB     
VBB = VCC    y    VD << VP 

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En  varios  casos  las  señales  de  control  son  usadas  en  conversores  cuya  entrada  es  la  red 
eléctrica  y  la  salida  debe  mantenerse  a  la  misma  frecuencia  de  esta,  entonces,  es  necesario 
conocer el cruce por cero de la onda de entrada y usarla como referencia para las señales de 
control,  este  procedimiento  se  conoce  como  sincronización  con  la  red.  La  sincronización 
consiste en detectar cuando la onda de voltaje cruza por cero y en ese instante iniciar la carga 
del condensador del oscilador. Un esquema de oscilador sincronizado con la red se muestra en 
la Figura 1.13.  

 
Figura 1.13 
En este caso el voltaje de alimentación para el oscilador de relajación es el voltaje del zener es 
decir VCC = VZ , además recordando que:  
 
si  VP = VD +  ηVBB y considerando que R2 y R3 << RBB     
VBB = VCC    y    VD << VP 
  
Entonces: 
 
Además si tiempo de carga esta dado por: 

 
y si Vcc >> Vv    entonces 

 
El tiempo de carga tC será el tiempo que se tarda en aparecer el primer pulso de voltaje en la 
resistencia de descarga R2 , y que se lo define como α, entonces: 

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Al colocar un potenciómetro la resistencia durante la carga del capacitor es variable y por lo 
tanto α también lo es, siendo menor cuando el potenciómetro P es igual a cero y siendo mayor 
cuando P esta en su máximo valor. 
  
  
 EL DIODO BILATERAL DE DISPARO (DIAC) 
 
 El  DIAC  es  un  elemento  de  dos  terminales  Ánodo  1  (A1)  y  Ánodo  2  (A2),   se  lo  puede 
considerar un diodo bidireccional  diseñado específicamente para realizar circuitos de disparo 
de TRIAC’s o SCR’s. El DIAC no conduce más que una mínima cantidad de corriente antes de 
que  el  voltaje  de  conmutación  (breakover  voltage)  sea  alcanzado.  En  este  momento  el 
elemento  muestra  una  característica  de  resistencia  negativa  observándose  una  disminución 
del voltaje entre sus terminales a un valor aproximado de 5 V, originándose una corriente de 
conmutación  (breakover  current)  lo  suficiente  como  para  encender  un  TRIAC´s  o  SCR´s.   La 
curva característica del DIAC se muestra en la Figura 1.14: 

 
Figura 1.14 
  
En  la  curva  característica  solo  se  especifica  voltaje  y  corriente  de  conmutación,  ya  que  en  el 
caso  del  DIAC  la  zona  de  resistencia  negativa  no  es  única,  en  este  caso  nos  referimos  a  un 
punto de conmutación ( ±Vs e ±Is ) y un voltaje interanódico  que es el voltaje entre A1 y A2, 
dependiendo de cual ánodo tenga mayor potencial con respecto al otro se define el sentido de 
la corriente. 
El  símbolo  con  el  que  se  representa  es  el  mostrado  en  la  Figura  1.15  (a),  si  bien  en  algunos 
casos también se lo representa con el símbolo indicado en la Figura 1.15 (b): 

 
Figura 1.15 

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El oscilador de relajación con DIAC es el mostrado en la figura 1.16.  

 
Figura 1.16 
 
Para el análisis de este circuito se considera que mientras el voltaje en el capacitor sea menor 
que el voltaje internases el DIAC esta abierto por lo que se puede determinar el voltaje en el 
capacitor a través del siguiente circuito: 

 
Trabajando en el dominio de la frecuencia el voltaje en el capacitor esta dado por: 

 
 

Si    es el módulo de la carga   

y      es el ángulo de la carga   
  
Simplificando el voltaje en el capacitor se obtiene lo siguiente: 

 
  
En el dominio del tiempo 

 
 y como función coseno 

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ELECTRONICA DE POTENCIA 
 

 
A partir del diagrama fasorial 

  
  
2.2.     MODULACIÓN DE ANCHO DE PULSO (PULSE WIDTH MODULATION PWM) 
  
Una señal PWM (Modulador de Ancho de Pulso) es una onda cuadrada de periodo constante 
(T) y ancho de pulso variable (a). En una señal PWM se trabaja con relaciones de trabajo d que 
representan el ancho de pulso con respecto al periodo. Lo que hace básicamente un PWM es 
variar  dinámicamente  el  “ancho  de  pulso”  de  manera  que  el  tiempo  en  alto  disminuya  o 
aumente  y  en  proporción  inversa,  el  tiempo  de  baja  aumente  o  disminuya,  pero  eso  sí 
manteniendo el T constante 

                                                                                      Figura 1.18 

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 En  la  figura  1.18  se  muestra  una  señal  PWM  de  período  T=  cte  y  con  un  anchos  de  pulso 
variable. 

  
Ancho de Pulso ( a ): El ancho de pulso está definido como el porcentaje o tiempo en alto de 
una señal cuadrada durante un determinado período. 
  
Período (T): El período se define como el intervalo de tiempo donde la señal PWM ocurre. 
  
Frecuencia ( f ): Se define como el inverso del período. 
 
Un  PWM  permite  que  ciertos  sistemas  continuos  en  el  tiempo,  tales  como  un  motor,  sean 
controlados por una señal discreta.  
Entre las aplicaciones de un PWM están: 
Se utiliza en las fuentes de alimentación comunes. Para las computadoras y otros dispositivos 
electrónicos. También se utiliza para controlar la velocidad de un motor de DC o para controlar 
la intensidad de un Foco.  
Por  otro  lado  un  PWM  se  utiliza  en  amplificadores  audio  para  generar  las  señales  de  salida 
para  los  altavoces  del  teléfono  o  los  sistemas  estéreos  de  alta  potencia.,  los  amplificadores 
hechos con PWM producen menos pérdidas por ejemplo por calentamiento con relación a  los 
amplificadores análogos tradicionales. 
 
  
AMPLIFICADORES OPERACIONALES 

 CARACTERÍSTICAS BÁSICAS: 

• Ganancia en lazo abierto extremadamente alta  en el orden de 103 a  106. 
• Voltaje de salida positivo y negativo con una amplia gama dinámica. 
• Desajuste de salida con el tiempo y temperatura muy reducida. 
• Alta  impedancia  de  entrada,  del  orden  de  106  W,  pudiendo  en  la  mayoría  de  casos 
prácticos despreciar la corriente entre los terminales inversor y no inversor. 

  

 AMPLIFICADOR INVERSOR 
 Amplifica e invierte la señal de entrada. 

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AMPLIFICADOR NO INVERSOR 
Amplifica la señal de entrada sin invertirla. 

 
 
SEGUIDOR DE VOLTAJE 
La  señal  de  salida  es  exactamente  igual  a  la  señal  de  entrada  y  se  utiliza  debido  a  sus 
características de alta impedancia de entrada y baja impedancia de salida. 

 
 
 
SUMADOR INVERSOR 
Amplifica y suma las señales de entrada e invierte dicho resultado. 

 
 
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL 
Efectúa  la  diferencia  de  señales  entre  la  señal  positiva  Vin2  y  la  Vin1,  multiplicadas  por  sus 
respectivas ganancias. 

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INTEGRADOR ANALÓGICO 
Suministra un voltaje de salida proporcional a la integral del voltaje de entrada. 

DIFERENCIADOR ANALÓGICO 
 El voltaje de salida es proporcional a la derivada respecto al tiempo del voltaje de entrada. 

DETECTOR DE CRUCE POR CERO 
 Consta  de  un  comparador  con  voltaje  de  referencia  cero,  cuyo  resultado  es  aplicado  a  un 
circuito  R‐C  con  una  constante  de  tiempo  pequeña  de  tal  forma  que  a  la  salida  se  obtengan 
impulsos positivos y negativos. El diodo se coloca con el afán de permitir el paso tan solo de los 
pulsos positivos. 

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COMPARADOR CON HISTÉRESIS (Disparador de Schmitt). 
Es  un  comparador  cuya  salida  es  dependiente  de  si  el  voltaje   de  entrada  esta  subiendo  o 
bajando: cuando sube el voltaje de entrada y supera el voltaje VH entonces el voltaje  de salida 
es –Vo y cuando el voltaje de entrada disminuye por debajo del voltaje VL el voltaje de salida 
será Vo, siendo Vo el voltaje de saturación del amplificador operacional.    

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GENERADOR DE ONDA CUADRADA 
 Es un comparador en el que la señal de comparación depende de si la salida es Vo o –Vo , si la 
salida  es  Vo  el  capacitor  empieza  a  cargarse  y  este   voltaje  es  comparado  con  la  caída  de 
tensión en  R3  de tal forma que cuando el voltaje en el capacitor es mayor que el voltaje en R3 
el  voltaje  de  salida  será  –Vo,  con  lo  cual  se  produce  la  descarga  del  capacitor  hasta  que  el 
voltaje en este sea mas negativo que el de R3  con lo cual la salida seria Vo, produciendo este 
proceso cíclicamente para dar resultado a la onda cuadrada.   

 
 
1
2· · · ln  
1
 
GENERADOR DE ONDA TRIANGULAR 
Esta   formado  por  dos  etapas  la  primera  es  un  Schmitt  sin  inversión  que  es  la  encargada  de 
generar una onda cuadrada y la segunda es un integrador que hace que la onda cuadrada sea 
transformada en una onda triangular. 

La frecuencia de salid es:   

La amplitud es:     

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CIRCUITOS GENERADORES DE PWM  
 

La tecnología en el desarrollo de circuitos integrados ha tenido un enorme progreso logrando 
características  de  versatilidad,  confiabilidad,  tamaño  reducido,  sencillez  en  su  uso,  etc., 
facilitando el diseño y la implementación de circuitos para el control de sistemas electrónicos 
de  potencia,  un  ejemplo  es  la  técnica  conocida  como  PWM.   Entre  los  circuitos  integrados 
empleados  para  generar  las  señales  de  disparo  cabe  destacar  a  los  amplificadores 
operacionales,  el  temporizador  555,  el  LM3524,  el  TCA785  y  las  compuertas  lógicas  de  la 
familia CMOS 74CXX. 

PWM sincronizado con la red usando el circuito integrado 74HC14 (δ entre 0.5 y 1.0)  

Figura 1.19. 

    
  

  

  

  

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 PWM con rampa lineal sincronizada con la red Figura 1.20. 

Figura 1.20 
  

PWM con rampa cosenoidal sincronizada con la red Figura 1.21. 

Figura 1.21 

3. PROCEDIMIENTO 

La práctica es tutorial, es decir, para realizarse el estudiante deberá guiarse en la teoría previa.  

  

4. PREPARATORIO 

       4.1  Diseñar los siguientes circuitos de control: 

CIRCUITO 1.‐ Diseñar un generador de PWM de 1.0 KHz, que se obtenga de la comparación de 
una señal triangular que varíe entre 5 V y 10 V y una señal de continua entre 5 V y 10 V. La 
señal  triangular  se  puede  obtener  mediante  un  oscilador  en  base  a  amplificadores 

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operacionales  como  se  muestra  en  una  figura  anterior  bajo  el  tema  "Generador  de  onda 
triangular".  Como  se  trabaja  con  una  sola  fuente  la  referencia  del  circuito,  que  en  ese 
diagrama aparece con el símbolo de tierra debe conectarse a VCC / 2, que puede obtenerse de 
un  divisor  de  tensión  con  un  condensador  de  filtro.  La  alimentación  del  circuito  es  una  sola 
fuente de 15 V. 

CIRCUITO  2.‐  Consultar  y  diseñar  un  circuito  generador  de  PWM  de  1.0  KHz  y  relación  de 
trabajo  variable  entre  0,1  a  0,9  usando  el  circuito  integrado  LM555.  La  alimentación  del 
circuito es una sola fuente de 15 V. 

       4.2  Analizar el funcionamiento de los circuitos propuestos en la hoja guía 

  

5.‐ INFORME 

• Utilizando  un  simulador  (Proteus  o  Pspice),  probar  el  funcionamiento  de  los 
dos circuitos propuestos 
• Escoja cualquiera de los 2 circuitos diseñados e implementarlo. 
• Entregar formas de ondas resultantes y análisis de los resultados. 
• CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES 

6.‐ REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS 

  

[1]            BOYLESTAD,  Robert  L,  Electrónica:  Teoría  de  Circuitos,  Prentice  Hall,  Sexta 
edición, 1997.        

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