´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´|`´\/´\/´\,',´

´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´;´´´´´´´´´´`´\/\,.´
´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´:´´´´´´´´´´´´´´´`´\,/´
´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´|´´´´´´´´´´´´´´´´´´/´
´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´;´´´´´´´´´´´´´´´´´:´
´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´:´´´´´´´´´´´´´´´´´´;´
´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´|´´´´´´,---.´´´´´´/´
´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´:´´´´´,'´´´´´`,-._´\´
´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´;´´´´(´´´o´´´´\´´´`'´
´´´´´´´´´´´´´´´´´´´´_:´´´´´´.´´´´´´,'´´o´;´
´´´´´´´´´´´´´´´´´´´/,.`´´´´´´`.__,'`-.__,´
´´´´´´´´´´´´´´´´´´´\_´´_´´´´´´´´´´´´´´´\´
´´´´´´´´´´´´´´´´´´,'´´/´`,´´´´´´´´´´`.,'´
´´´´´´´´´´´´___,'`-._´\_/´`,._´´´´´´´´;´
´´´´´´´´´__;_,'´´´´´´`-.`-'./´`--.____)´
´´´´´´,-'´´´´´´´´´´´_,--\^-'´HOLA
´´´´,:_____´´´´´´,-'´´´´´\´ME CACHASTE
´´´(,'´´´´´`--.´´\;-._´´´´;´EN TU FLOG
´´´:´´´´Y´´´´´´`-/´´´´`,´´:´UUPS
´´´:´´´´:´´´´´´´:´´´´´/_;'´AQuI DEJO
´´´:´´´´:´´´´´´´|´´´´:´MIS SALUDOS
´´´´\´´´´\´´´´´´:´´´´:´CUIDATE
´´´´´`-._´`-.__,´\´´´´`.´BIEN
´´´´´´´´\´´´\´´`.´\´´´´´`.´QUE Yo
´´´´´´,-;´´´´\---)_\´,','/´IGUAL ME
´´´´´´\_´`---'--'"´,'^-;'´CUIDO
´´´´´´(_`´´´´´---'"´,-')´PASA POR
´´´´´´/´`--.__,.´,-'´´´´\´MI
´´´´´´´)-.__,--´||___,--'´`-METROFLOG ATTE:LUIS
Transitores de efecto de campo.
Se trata de transistores unipolares, es decir , que solo trabajan con un tipo de portadores, al
contrario de los
transistores estudiados hasta ahora, los cuales trabajaban con dos tipos de portadores, electrones
y huecos.
Estos transistores sel llaman de efecto de campo porque el control de la corriente se ejerce
mediante la
influencia de un campo eléctrico exterior.
Estos transistores son de dos tipos:
− FET o JFET (Junction Field Effect Transistor).
− MOST o MOSFET o IGFET (Metal Oxide Semiconductorñ Transistor o Insulated Gate Field
Effect
Transistor).
Vamos a centrar el contenido de esta práctica en el JFET o FET de unión (Junction Field Effect
Transistor)
Composición
El transistor de efecto de campo está compuesto por una barra de semiconductor de tipo N (ó P)
en la que se
difunden dos áreas de semiconductor tipo P (ó N), por lo que el FET tendría cuatro terminales,
el drenador,
que es uno de los extremos de la barra de semiconductor tipo N, el surtidor, que es el otro
extremo del mismo,
y dos puertas, que serías las dos áreas de semiconductor tipo P difundias en la barra del
semiconductor tipo N.
Esto es un FET de doble puerta, aunque normalmente las dos puertas de éste van unidas.
El fet tiene una región N y dos regiones P, por lo que podemos referir las uniones entre estas
como diodo
puerta−surtidor y diodo puerta−drenador.
Los FETS tienen bastante similitud con los transistores bipolares, por lo que haremos una
comparación de los
terminales del JFET con los del transistor unipolar.
Transistor bipolar JFET
Emisor Surtidor
Base Puerta
Colector Drenador
Debido a estas similitudes, muchas de las fórmulas del JFET son parecidas o iguales a las del
transitor bipolar.
Para ello cambiaremos los subíndices entre el transistor bipolar y el JFET.
Transistor bipolar JFET
E S (SURTIDOR)
B G (PUERTA)
C D (DRENADOR)
Polarización del JFET.
1
En un transistor bipolar, polarizamos directamente el diodo base−emisor, pero en un JFET, el
diodo
puerta−surtidor es polarizado inversamente. Debido a esto, la corriente de puerta es muy
pequeña,
aproximadamente 0.
Ig = 0
Debido a que la corriente de entrada es aproximadamente infinita, la resistencia de entrada va a
ser
aproximadamente infinita.
Una de las aplicaciones más importante del JFET es de seguidor de fuente, circuito análogo al
seguidor de
emisor, pero con la diferencia de que la impedancia de entrada va a ser muy grande para
frecuencias bajas.
Funcionamiento
El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las zonas de
deplexión
que rodean a cada zona p al ser polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensión en el diodo puerta−surtidor, las zonas de deplexión se hacen
más grandes, lo
cual hace que la corriente que va de surtidor a drenador tenga más difucultades para atravesar el
canal que se
crea entre las zonas de deplexión, cuanto mayor es la tension inversa en el diodo
puerte−surtidor, menor es la
corriente entre surtidor y drenador.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Casi todos los
electrones que
pasan a través del canal creado entre las zonas de deplexión van al drenador, por lo que la
corriente de
drenador es igual a la corriente de surtidor
Id = Is
Simbolos del JFET
DD
GG
SS
JFET de canal N JFET de canal P
Corriente de drenador máxima.
La corrinete de drenador máxima que sale de un JFET se produce cuando la tensión
puerta−surtidor es cero.

Tristores

Es un semiconductor sólido de silicio constituido por cuatro capas alternativas tipo PNPN.
Dispone de tres
terminales accesibles denominados ánodo, cátodo y puerta, siendo este último el electrodo de
control. Este
semiconductor funciona básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo
circular la corriente
en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta del tiristor no se inicia la
conducción y
en el instante en que se aplique dicha tensión, el tiristor comienza a conducir. Una vez
arrancado, podemos
anular la tensión de puerta y el tiristor continuará conduciendo hasta que la corriente de carga
pase por cero.

Propiedades de la matriz inversa [editar]

La inversa del productos de dos matrices es el producto de las inversas cambiando el
orden:

Si la matriz es invertible, también lo es su transpuesta, y el inverso de su transpuesta es

la transpuesta de su inversa, es decir:

Y, evidentemente: