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MOVILIDAD
MOVILIDAD
Si (CAMPO BAJO)
TEMPERATURA (K)
Movilidad de electrones y huecos para el Si en función de
Prof. JosélaMalaguera
Temperatura.
jgmalaguera@gmail.com
71 TRANSPORTE DE PORTADORES. PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES
RESISTIVIDAD Y EFECTO HALL
(Ω/cuadrado)
CF =Factor de corrección
Factor de corrección CF
Factor de corrección para mediciones de la resistividad
Prof. Joséusando
Malaguera
una muestra de cuatro puntos
jgmalaguera@gmail.com
72 TRANSPORTE DE PORTADORES. PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES
RESISTIVIDAD Y EFECTO HALL
SILICIO
300K
TIPO P (BORO)
RESISTIVIDAD
TIPO n
(FÓSFORO)
T=300K
_____ TIPO n
RESISTIVIDAD - - - - - TIPO P
La Función Gamma
(PROCESO DE AUGER)
EMISIÓN
ENERGÍA TRANSFERIDA
RADIACTIVA
AL ELECTRÓN LIBRE O
DEL FOTÓN
HUECO.
ANTES
Proceso de
recombinación
de un solo
nivel
DESPUÉS
Energía ()eV
NÚMERO DE ONDA REDUCIDO q/qMAX
BANDA DE CONDUCCIÓN
Eg (directo)
Eg (indirecto)
Banda de
Valencia
Coeficientes de absorción
medidos cerca y por encima del
borde de absorción fundamental
para Ge, Si y GaAs puros
DIAMANTE
(TIPO II)
Conductividad térmica en función de la temperatura medida para Ge, Si, GaAs, Cu,
Diamante tipo II y SiO2.
84 PROPIEDADES DE LOS SEMICONDUCTORES
CAMPOS DE ALTA INTENSIDAD