UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA

FACULTAD DE INGENIERIA EN SISTEMAS

LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGA

PRACTICA No 10

AMPLIFICADORES CON MOSFET

1. OBJETIVOS.-

• Comprobar los fundamentos teóricos de la asignatura mediante la

experimentación empleando los medios de enseñanza necesarios,
garantizando el trabajo individual en la ejecución de la práctica.

2. MATERIAL NECESARIO.-

 1 MOSFET 2N700 ó 2N7000

 1 condensador de 100uF o 10uF
 Protoboard
 Resistencias de 2.2MΩ, 270 kΩ, 330Ω, 2.7 Ω, 1.2kΩ
 Fuente de Poder
 Multimetro
 Osciloscopio
 Alambre de conexiones
 Cable, 600 mm, color rojo
 Cable, 600 mm, color negro

3. MARCO TEORICO.-
AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES MOSFET

Estructura básica y el Principio de

Funcionamiento
El n-tipo metal-óxido-semiconductor de efecto de campo-transistor
(MOSFET) consiste en una fuente y un dren, dos regiones altamente la
realización de los semiconductores de tipo n, que están aislados del tipo
de sustrato p sesgada por diodos pn-invertida. Un metal (o policristalino)
puerta cubre la región entre la fuente y drenaje, pero está separada de
la de semiconductores por el óxido de la puerta. Como se muestra en la
figura.

Como se puede observar en la figura de la fuente y el drenaje de las

regiones son idénticas Se trata de los voltajes aplicados que determinar
qué región de tipo n proporciona los electrones y se convierte en la
fuente, mientras que la otra región de tipo n recoge los electrones y se
convierte en el desagüe. Los voltajes aplicados a la fuga y el electrodo de
puerta, así como al sustrato por medio de un contacto de nuevo se
refirió al potencial de origen, como también se indica en la figura.

Una vista desde arriba del MOSFET mismo se muestra en la siguiente

figura, donde la longitud de la puerta, L y anchura de la puerta, W, se
identifican. Tenga en cuenta que la longitud de la puerta no es igual a la
dimensión física de la puerta, sino más bien la distancia entre las regiones
de origen y de drenaje debajo de la puerta. La coincidencia entre la
puerta y la fuente y la región de drenaje es necesario para asegurar que
la capa de inversión constituye una trayectoria continua realizando entre
la fuente y la región de drenaje. Normalmente esta superposición se hace
tan pequeño como sea posible para minimizar su capacitancia parásita.
El flujo de
electrones de la
fuente de la fuga
está controlada
por el voltaje aplicado a la puerta. Un voltaje positivo aplicado a la puerta,
atrae a los electrones a la interfaz entre el dieléctrico de la puerta y el
semiconductor. Estos electrones forman un canal conductor entre la
fuente y el dren, llamada la capa de inversión. No hay corriente de
compuerta se requiere para mantener la capa de inversión en la interfaz
desde los bloques de óxido de la puerta el flujo de gas portador. El
resultado neto es que la corriente entre drenaje y fuente es controlada
por la tensión que se aplica a la puerta.

El típico corriente contra voltaje (IV) las características de un MOSFET se

muestran en la siguiente figura.
Funcionamiento de un amplificar señales
eléctricas MOSFET
Mientras que un requisito mínimo para la amplificación de señales
eléctricas es obtener el poder, se encuentra que un dispositivo con dos
y la corriente ganancia de tensión es un circuito elemento muy
conveniente . El MOSFET proporciona una ganancia de corriente y tensión
produciendo una corriente de salida en una carga externa que supera la
entrada de corriente y un voltaje de salida a través de esa carga externa
que supera el voltaje de entrada.

La capacidad de ganancia de intensidad de un efecto de campo-

transistor (FET) se explica fácilmente por el hecho de que no hay
corriente de compuerta se requiere para mantener la capa de inversión y
la corriente resultante entre el drenaje y la fuente. El dispositivo tiene por
lo tanto una ganancia infinita corriente en DC. La ganancia de intensidad
es inversamente proporcional a la frecuencia de la señal, llegando a
obtener la unidad actual en la frecuencia de tránsito.

La ganancia de voltaje del MOSFET es causada por el hecho de que los

ácidos grasos saturados actual en mayor fuente de tensiones de drenaje,
por lo que una variación pequeña fuga de corriente puede causar una
variación de tensión de drenaje de gran tamaño.

4. PROCEDIMIENTO.-

Armar el circuito y tomar las de medidas de polarización indicadas

Circuito armado
SEÑAL DE AMPLIFICACION EN EL OSCILOSCOPIO

5.CONCLUSIONES:

 Gracias a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el

semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula
entre drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.
 Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se
debe aplicar en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente
(source) y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por
el canal P entre ellos.
  El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutación presenta una gran
versatilidad de trabajo; este puede reemplazar dispositivos como el Jfet.

6.BIBLIOGRAFIA

• http://es.wikipedia.org/wiki/MOSFET
• http://translate.google.com.ec/translate?hl=es&langpair=en|
es&u=http://ecee.colorado.edu/~bart/book/mosintro.htm