二、薄膜太阳电池的技术现状

2.1 薄膜太阳电池分类及其发展现状
薄膜太阳电池是指厚度在微米量级的材料制备成的薄膜太阳电池，其特点是
该种材料对太阳光的吸收系数很高，可以在较薄的厚度吸收大部分太阳能量。
就目前研究领域开发出的太阳电池可分成以下几类：
（1） 硅基薄膜电池，包括：非晶硅薄膜电池、微晶硅薄膜电池
（2） 铜铟镓锡系列薄膜电池（CIGS）
（3） 碲化镉系列薄膜电池（CdTe）
（4） III-V 族系列薄膜叠层太阳电池
（5） 纳米染料二氧化钛薄膜太阳电池
（6） 有机薄膜太阳电池
经过几十年的研究，在实验室阶段各种薄膜电池的效率都有很大的提高，其
中较为成熟的，可以进行产业化的是三种太阳电池，为硅基薄膜太阳电池、CIGS、

图 17 各种薄膜电池的的实验室效率提高

CdTe 三种电池。
III-V 族电池主要为砷化镓类的薄膜叠层电池，包括铝镓砷、镓砷、镓铟磷、
锗。这些多种不同带隙宽度的材料组合成的叠层太阳电池可以吸收较宽的太阳光
谱带，从而增加太阳电池的效率，目前最高的此类电池效率已经达到 42%。但是
其致命缺点是材料价格昂贵，很难适用于地面的应用，目前被应用到航天领域。
在地面上正在研究使用聚光和跟踪系统来减少电池的使用量，从而降低成本。
染料敏化二氧化钛太阳电池，实验室最高效率也就达到 11%左右，产业化技
术方案还没有研究出来，由于该种电池要使用液态的电解质，因此产业化生产和
应用的可靠性还需要进一步的验证，在未来的数年内还是进行产业化中试阶段。
有机薄膜电池还处于研发初始阶段，短期内无法达到应用。
对于目前已经出现的三种太阳电池各有其优势和缺点，简单总结于表 4。
表 4 三种可产业化的薄膜电池的特性列表

实验室最 商业化电 主要障碍 材料丰度 基本制备技术

高效率 池效率

硅基薄膜 15.3% 6.5% 衰减特性 硅材料在地球上 PECVD

位居第二

CIGS 19.5% 11% 制造工艺难于控 In、Ga 属于稀缺 磁控溅射后硒化

制 材料 共蒸发工艺

CdTe 16% 7~11% 有毒性材料 Te 的较少 近空间升华

2.2 各种薄膜电池生产线比较
本届分成三个部分分别论述三种太阳电池的产业化技术。
2.2.1 非晶硅薄膜太阳电池的产业化技术
1. 非晶硅太阳电池发展的历史

非晶硅太阳电池技术最早是美国 RCA 公司发展起来的，RCA 公司的

D.E.Carlson 在世界上首先制备出非晶硅太阳电池，而且在 1983 年以前稳定非晶
硅太阳电池的世界纪录一直是 RCA 公司保持，电池效率达到 6%左右。

也就是在 RCA 公司成立之初，在美国出现了三个非晶硅太阳电池企业，这

三个公司的技术路线不尽相同。
 表5 美国 80-90 年代三个非晶硅太阳电池企业的技术路线

技术负责人 技术路线

美国 RCA 公司 D.E.Carlson 多室、单片、玻璃衬底、非晶硅太阳电池

美国 Chronar 公司 G. Kiss 单室、多片、玻璃衬底、非晶硅太阳电池

美国 ECD 公司 S.R.Ovshinsky 多室、不锈钢衬底、非晶硅锗三叠层太阳电池

后来随着中东石油危机的缓解以及非晶硅太阳电池的效率衰减问题使得非
晶硅太阳电池产业陷入低谷，RCA 公司转让技术给美国的 GE、ENRL、Exxon、
Glasteck Solar 等，并且自己也演变成 Solarex 公司。

而 Chronar 公司在出售了最初的 8 条 1 兆瓦（MW）非晶硅太阳电池生产线

后宣布破产，被美国 Advanced Photovoltaic System (APS)公司收购，美国退休工
人协会注资数千万美元成立了 APS 太阳电池公司。在 92 年和 93 年期间 Solarex
公司与 APS 公司打知识产权官司，APS 公司败诉，APS 公司不肯出钱购买 Solarex
公司的专利技术，判决 APS 不得在美国生产非晶硅太阳电池。所以，APS 公司
将原有的 5MW 产能的生产线拍卖，该设备被台湾购买，据说当时的售价为 80
万美元左右。

在 APS 公司破产后，在美国 Chronar 系列的公司就沉寂了，余下的两条线：

（1） 位于新泽西的 Trenton 的 5MW 生产线售往台湾（1990 年建）

（2） 位于加州的 Fairfield 的 10MW 生产线（1994 年建）也停产，设备拆除，

去向不明。

以上分析表明，单室多片技术的生产线自 1994 年之后就没有在美国生产，

直到 2001 年 G. Kiss 在美国重新组建 EPV 公司，恢复单室技术非晶硅太阳电池
生产线的生产，估计是因为 RCA 公司的专利 20 年有效期已过。在 1994 年至 2001
年间 G. Kiss 于 1998 年在其老家匈牙利建了一条 2.5MW 的生产线，该公司取名
为 Dunasolar。该生产线运行并不理想，在 2003 年转移到泰国，成立 Bankok Solar
公司。

对于不同时期的单室技术有明显的分界线：
— Chronar 时代（1982~1991）：单沉积室，每室为 4 片非晶硅太阳电池片，电池
板尺寸为 1 英尺乘 3 英尺，单片功率为 15W，电池效率在 5%，生产线单元为 1MW。

— APS 时代（1991~1994）：单沉积室，每室为 48 片，电池板尺寸为 61 英寸× 31

英寸，单片功率为 60W，电池效率仍为 5%左右，生产线单元为 5~10MW。

— EPV 时代（2001 至今）：单沉积室，每室 48 片，电池板尺寸为 25 英寸 × 49

英寸（63.5cm × 124.5cm），单片功率 40W，电池效率为 5.5%，双结。生产线单
元为 5MW。

在早期的非晶硅太阳电池生产线上带有化学气相沉积（CVD）制备二氧化
锡（SnO2）薄膜，但是后来生产设备上均无制备 SnO2 薄膜的设备，这是因为 SnO2
薄膜已经有专门的厂家生产。

2．非晶硅太阳电池的技术路线
非晶硅太阳电池的技术关键是制备非晶硅薄膜，到目前为止人们已经研究了
多种制备薄膜的技术，包括：
• 射频等离子体增强化学气相沉积技术（RF-PECVD）
• 甚高频等离子体增强化学气相沉积技术（VH-PECVD）
• 热丝催化等离子体增强化学气相沉积技术（HW-PECVD）
• 微波等离子体增强化学气相沉积技术 Microwave PECVD
• 脉冲等离子体增强化学气相沉积技术（Pulse PECVD）

在这些技术中目前较为成熟的主要是 RF-PECVD 法，用于沉积非晶硅薄膜

电池。但是在沉积微晶硅薄膜的时候该种方法显得很慢，因此人们发展了甚高频
等离子体增强化学气相沉积技术（VH-PECVD）以加快沉积速度，但是当频率增
高时会出现均匀性变差的问题，而且高频屏蔽显得较为困难。微波法在上世纪
90 年代在日本兴起过一段时间，但是近年未见用于产业化生产。但是据说德国
的 Roth&Rau 公司正在和荷兰的 ECN 研究所合作开发微波等离子体增强化学气
相沉积技术。

硅基薄膜电池的材料特性区分，硅薄膜太阳电池可以分成五代太阳电池：
第一代：非晶硅单层太阳电池。稳定效率在 5%，电池衰减：30%（Oerlikon， 深
圳拓日）
第二代：非晶硅/非晶硅双叠层太阳电池生产线。稳定效率：6%；电池衰减：15%。
（EPV，Bangkok Solar，CGsolar，普乐新能源，津能电池等）
第三代：非晶硅/非晶硅锗三叠层太阳电池。稳定效率：7~8%；电池衰减：<10~15%
（美国 Uni-Solar）。日本的 Fujisolar 和佳能公司将这种太阳电池加以简化，开发
出非晶硅/非晶硅锗双叠层太阳电池。稳定效率：7~8%；电池衰减：<10~15%
第四代：非晶硅/微晶硅电池生产线。稳定效率：7~8%；电池衰减：<10%。（日
本 Kanaka，Sharp，Mitsubushi, Oerlikon 等）
第五代：非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三叠层太阳电池。目标效率 10%（美国 Uni-Solar，
日本 Kanaka, Sharp 等）
。
3．硅薄膜太阳电池设备类型
目前，世界上可以公开提供硅薄膜电池生产线设备的制造商共有 14 家：
z 列支敦士登的 Oerlikon 公司
z 美国的 Applied Material 公司
z 日本的 Ulvac 公司（日本真空公司）
z 日本的 Evatech 公司
z 德国的 Leybold Optics 公司
z 香港豪威公司
z 美国的 EPV 公司
z 匈牙利的 Energosolar 公司
z 匈牙利的 BudaSolar 公司
z 美国的 Nano PV 公司
z 香港华基光电公司
z 北京北仪创新公司
z 上海思博露科技
z 安徽普乐新能源
这些公司本身并不具备技术，而是向电池工艺研究所或电池制造商购买制
造工艺，再结合自己的工艺设备开发，研制出生产线。因此，在所出售的设备中
有大约三分之一的费用是专利费或工艺购买费，这就使得目前太阳电池制备费用
高企不下。
太阳电池制造商分成两类，一类属于自身有原创技术或开展研究工作的公
司；另一类是自己没有核心技术，单纯购买设备的生产公司。
表 6 世界已具有非晶硅太阳电池生产线的企业

拥有原创技术的生产 Kanaka，Unisolar，富士太阳能，佳能，三菱，夏普，三洋，EPV，

公司 普乐新能源

生产型公司 Schott Solar，天津津能，深圳拓日，泉州金太阳，CG Solar

计划建设硅薄膜太阳 Invetux Technologies AG (30MW ， O) ， Ersol Thin Film GmbH

电池生产线的公司 (40MW，O)， 台湾宇通（Auria）(60MW，O)，意大利 Pramac (30MW，

O)，无锡尚德（50MW，AM），新澳（50MW，AM），China Solar

(50MW，U)，常州源畅（5MW，华基光电），南通强生(25MW，AM)，

蚌埠（5MW，EPV，与美国普乐光），天威薄膜太阳能（46MW, O），

浙江正泰(25MW，EPV)，源畅大理（40MW，美国 CMI），赣能光

伏（40MW，华基光电），合肥荣事达（3x40MW，美国）

目前世界上开有更多家的企业正在定购或研制非晶硅太阳技术，准备大力
开展硅薄膜太阳电池的生产。
生产硅薄膜太阳电池的技术主要区别在于沉积硅薄膜的方法，主要有四种
形式：
z 单室多片型：每个沉积腔室中放置多片衬底（如 48 片），在一个腔室中
镀多层膜。设备供应商：EPV，Donarsolar。
z 多室单片型：每个沉积腔室中只有一片或两片，每个腔室镀一层膜。设
备供应商：Ulvac，Applied Material。
z 多室连续卷绕镀膜：衬底不是块状的玻璃，而是不锈钢或聚酯膜等柔性
衬底，在多个腔室中连续镀多层薄膜。设备供应商：UniSolar、MVSystem、
MwoE。
z 单多室结合型：一种将单室技术与多室技术相结合的技术。设备供应商：
Oerlikon。
 表 7 各种技术可以使用的设备类型

a-Si a-Si/a-Si a-Si/ZnO a-Si/a-SiGe/a-SiGe a-Si/mc-Si a-Si/a-Si/Ge/mc –Si

单室、多片
√ √ √ √ √
多室、单片
√ √ √ √ √ √
连续卷绕度
√ √ √ √
玻璃衬底
√ √ √ √ √
金属衬底
√
下面分别介绍四种不同的薄膜沉积系统。
（1）单室多片技术

图 18 EPV 和 Donarsolar 公司的单室多片生产线的沉积室

图 18 为 EPV 公司的单室多片生产线的薄膜沉积室。其沉积室有 48 片玻璃

衬底，进气口为两端，每两片玻璃夹着一片铝板电极，两个相对电极相对于射频
点源的正负极相对，共有 24 对电极，电极之间放电在电极之间通过工艺气体放
电形成等离子体。其技术特点：
z 版型：15W/40W/60W
z 尺寸：1 英尺 X3 英尺； 1.35m x 0.65m 电源频率：13.56MHz；40MHz
z 适用范围：非晶硅单结；非晶硅双结；非晶硅/微晶硅双结；非晶硅/非晶
 硅锗
z 双结等种类的电池
z 工艺温度：<180ºC
z 典型效率：双结非晶硅—6%；双结非晶硅带反射层—7%；双结非晶硅/
微晶硅叠层带反射层：8~10%

图 19 为单片多室硅薄膜电池生产线的沉积室内部结构示意图。这种沉积设

图 19 单片多室技术的内部结构

备的特点是在一个腔室内同时只有两片衬底，在两片玻璃的内侧是一个板式加热
体，电极位于腔室的两侧和中心。由于采用了中心板式加热，使得加热更均匀，
另外，进气从两侧电极上开很多微孔，使用作为“喷淋”（Shower）技术，使气
氛在衬底表面分布的更均匀，这样设计的结果是电池的大面积均匀性更强。其技
术特点如下：
z 可用样品尺寸：>1000X1000
z 高通过速度：可以双面镀
z 沉积温度：<180ºC
z 可使用：Shower 匀气系统
z 减少交叉污染
 z 沉积速度较慢
z 镀两层膜之间有运动
z 设备较为庞大，造价高
不同公司制造的多室沉积设备又有所不同。其主要分为日本 Ulvac 公司的直
列式多室生产线和美国 Applied Material 公司的团簇式多室生产线。

图 20 Ulvac 公司直列式单室沉积设备示意图

图 21 美国 Applied Material 公司团簇式太阳电池生产线示意图

从镀膜的过程来看，直列式设备更容易操作，对于非晶硅薄膜比较合适。
但是对于微晶硅薄膜电池却不合适，因为微晶硅薄膜镀膜时间较长，因此如果是
链式排列，则会出现节拍不匹配的现象，因此使用团簇式镀膜法更合适。因此，
Ulvac 公司的微晶硅线也使用团簇式镀膜方式。
单室与多室技术都有各自的优缺点，单室技术的镀膜速度快，设备简单，但
是他的一个主要问题是气流不均匀，电池容易出现色差。Oerlikon 公司将两种技
术加以改进，使得他们的设备建有两种技术的一些优点。

Gas
Reactor
flow box
Pressure
controller

Process
or

Process
pump
图 22 Oerlikon 公司研发出的单室多室结合的镀膜技术

这种技术仍使用一个真空腔室放置多个样品，例如一个真空室放置 10 片样
品。但是为了使得气氛均匀，将每一片衬底分开放入一个单片沉积盒，每一个沉
积盒的进气使用匀气板（Shower），这样就增加了气流的均匀性，但是仍没有运
动部件，沉积仍在一个腔室中完成，速度快，设备较为简单。
（3） 连续卷绕镀膜
在使用不锈钢和聚酯膜等柔性衬底时，一般是要连续镀膜。但是争中镀膜有
一点需要考虑，就是各个腔室之间不能使用真空阀门，因此使用一种特殊的气体
门封技术，就是利用在接口处建立低压井或高压门，使得各个腔室之间的气体不
致于流入其他腔室。图 24 时 Unisolar 公司的 30MW 三叠层非晶硅锗太阳电池生
产线。
 图 23 Unisolar 公司 a-SiGe 三叠层电池的连续镀膜装置示意

图 24 Unisolar 公司 a-SiGe 三叠层电池的连续镀膜装置

4. 晶体薄膜太阳电池制备工艺流程
制备硅薄膜电池涉及到制备多层具有不同掺杂特性的薄膜，由于非晶硅或多
晶硅薄膜的少子寿命较短，因此需要漂移场推动载流子的运动。因此每一层要制
备三层，即 P-I-N 三层。而如果是制备叠层电池还需要制备两个叠层，并在两结
交界处要增加中扩散层，形成隧道复合结。图 25 至 28 是几种硅薄膜太阳电池的
结构。
 图 25 单结非晶硅薄膜电池

图 26 非晶硅/微晶硅双叠层太阳电池
图 27 Unisolar 三叠层 a-SiGe 薄膜电池

图 28 Fuji 公司双叠层 a-SiGe 薄膜电池

 玻璃 接缝 清洗 SnO2沉积 激光1

装盒 预热 非晶硅沉积 冷却 缷盒

激光2 镀铝电极 激光3 分离钉头切断机

I-V测试1 老化 喷砂 超声焊接

EVA铺设 层压 I-V测试 边框 接线盒

图 29 硅薄膜电池的工艺流程

在制备成电池组件之前应对一块较大的薄膜电池板进行切割，形成电池的
串联与并联，如图 28 所示。因此，每种硅薄膜电池虽然 PECVD 沉积过程有所
区别，但其他部分是相近的，如图 29 所示。
硅薄膜电池的工艺流程主要包括如下几个过程：
a) 玻璃镀 SnO2 薄膜，膜厚 4000 埃。镀膜过程：
手工上玻璃片→玻璃清洗→CVD 炉（常压、480℃）
使用的玻璃为普通浮法玻璃，边缘为绿色，没有织构化，也没有光化，
透过率据称可达到 90%。镀完 SnO2 膜后透过率达到 80%。
b) 第一次激光切割：在 SnO2 上切出隔离线，激光为绿色。
c) 生长双叠层的 a-Si:H 太阳电池的制备。镀膜过程：
48 片的炉子，炉子里面有铝板（作为电极）
，每两片玻璃板夹住一片金
属板，有一个电极腔，将玻璃片放入电极后，将电极腔关上，但是电极
腔不是真空绝缘的，而是透气的，先将电极腔置入预热室，升温 2.5 小
时，使温度达到沉积温度。然后将电极腔从预热室中取出，在几分钟内
转移到沉积室中，再进行沉积，沉积时间为 5 小时，沉积完后再转移到
 降温室中降温 2.5 小时。因此，样品有两次在高温下暴露大气的过程，
但因为时间较短，因此问题不大。
样品尺寸为 12 英尺，每片的初始效率可达到 80W，稳定效率大于 60W。
效率在 5.5%。在三个真空室（升温、镀膜、降温）之间有导轨运输电极
腔，在两端有上玻璃设备和卸玻璃设备。在卸玻璃设备之后又传送台，
将镀膜玻璃传到下一道激光光刻工位。
d) 第二次激光切割：
此次激光光刻为切断非晶硅膜，膜面向下，激光从下方入射到样品表面，
这样做的好处是可以使得激光刻蚀所留下的残渣向下落在地上。
e) 磁控溅射镀铝：
镀铝使用磁控溅射法，铝靶为圆柱形，玻璃水平放置，真空系统使用扩
散泵，扩散泵使用液氮冷却，
f) 第三次激光切割：切割铝条
g) 封装：EVA+双层玻璃。可是用传统层压设备封装。
5. 硅薄膜电池生产线的设备要求：
（1）全自动玻璃清洗机
（2）TCO 镀膜设备：可以是离线式 APCVD 设备（SnO2 膜层），也可以是磁控
溅射＋化学刻蚀设备（ZnO2 膜层），也可以是 LPCVD 设备（ZnO2 膜层）
（3）激光刻线机（1）：切断 TCO 线
（3）非晶硅电池准备室：将硅片置入准备室加热，待加热达到一定的稳定的温
度后再进入镀膜室
（4）非晶硅薄膜沉积室：一般为射频，对于微晶硅层应采取 60MHz 的甚高频。
（5）非晶硅电池冷却室：非晶硅沉积后应有一段时间的冷却。
（6）激光刻线机（2）：切断非晶硅薄膜线
（7）磁控溅射度铝设备：镀制背电极
（8）激光刻线机（3）：切断铝背电极线
（9）砂轮去边机：去掉玻璃边缘的非晶硅薄膜以达到绝缘的目的
（10）EVA 铺设台
（11）层压机
（12）固化炉
（13）非晶硅太阳电池 I-V 测试台
表 8 EPV 型太阳电池生产线基本设备列表

数量 名称

1 非晶硅玻璃上料机

2 非晶硅玻璃精密快速预热炉*

2 非晶硅玻璃精密快速冷却炉*

2 非晶硅辉光放电沉积炉*

1 高压气体储存瓶柜**

1 铝绿光精密激光切割机*

1 金属真空溅射镀膜系统*

3 非晶硅半导体精密老化炉*

1 太阳电池绝缘喷砂系统*

1 太阳电池 EVA 封装系统*

1 玻璃清洗机*

1 A 架精密卸货系统

1 二氧化锡玻璃沉积炉

1 二氧化锡激光精密切割机*

1 非晶硅玻璃精密下料机

1 非晶硅玻璃移载车

1 非晶硅绿光激光切割机*

1 电流电压氧化燃烧系统*

1 铝箔铝薄膜超声焊接系统*

2 太阳电池功率测试分析系统**
对于其他几种技术，主要是 PECVD 的沉积设备不同，而其他如切割、老化
封装等工艺基本一致。
图 30 Applied Material 公司的 SunFab 非晶/微晶硅薄膜电池生产线

图 31 Ulvac 公司非晶/微晶硅薄膜电池生产线布局图
2.2..2 碲化镉薄
薄膜太阳电
电池
碲化镉（CdTe）薄膜
膜太阳电池
池的历史没有非晶硅薄
薄膜电池历
历史久远，在
在世
界上
上也只有美
美国的 Fist Solar
S 公司有
有原创性的技术，近年
年在欧洲也有
有 Antech 公司
公
发展
展出了该种电池的产业
业化技术。
CdTe 薄膜
膜电池的结构如图 32 所示。

Back Conttact
p-CdTe
N-CdS
TCO

Substrate (Glass)

Light Incid
dence

图 32 CddTe 薄膜电池
池的结构

这种 CdT
Te 薄膜是使
使用一种叫做
做近空间升
升华的方式将
将 CdTe 薄
薄膜沉积在玻
玻璃
沉底
底上的。其
其原理如图 33
3 所示。

图 33 CdTe 薄膜制备原理
薄 理图

将玻璃衬
衬底暴露在含
含有 CdTe 粉粒封闭腔
粉 腔室内，CdT
Te 粉粒通过
过热升华蒸镀
镀到
玻璃上，由于空间很近，因此蒸发效率很高，材料浪费也很少。

图 34 CdTe 薄膜电池组件的结构示意图

从图 34 可见，若想形成子电池之间的连接也需要进行三次激光切割。第一
次切断 TCO 膜，第二次切断 CdS/CdTe 膜，第三次切断背接触膜。因此除了在
镀膜工艺和所镀制的材料不同外，其他工艺和所用衬底与非晶硅薄膜类似。
因此，CdTe 薄膜电池线包含以下几个组成部分：
z 玻璃清洗
z 镀 TCO 膜（PVD：物理沉积法）
z 第一道激光切割
z 镀制半导体膜（近空间升华）
z 第二次 CdS/CdTe 膜切割（机械法）
z 镀背电极（PVD 法）
z 第三次背电极切割（机械法）
z 层压前性能测试
 z 焊接主栅线
z 层压
z 安接线盒
z 太阳模拟器测试

缓冲 缓冲
CdS/CdTe 镀膜
玻璃进入

清洗 溅射 TCO 激光切割
传送

化学清洗
机械切割

打包 背电极 机械切割
缓冲

焊主栅 测试

PV 预测 层压 x 6

接线盒

分选和包装

清洗玻璃上盖 连接

图 35 CdTe 薄膜太阳电池生产线

图 35 是德国 Antec 公司的 CdTe 薄膜太阳电池生产线的 布局图。由图可见，与

硅薄膜电池生产线非常相似。该封装线的一些技术特点：
 z 衬底：浮法玻璃
z 衬底尺寸：60X120~150cm
z 产能：130,000 个组件
z 车间建筑面积：5000m2
z 镀膜线长度：165m
图 36 显示封装工艺原理。

1. Loading 2. Evacuation

3. Degassing

Heater

4. Press

5. Unloading

Cooling

图 36 CdTe 薄膜电池封装原理

电池线保证效率 7%，组件功率：45~50W。
CdTe 薄膜太阳电池最大的问题是安全与环保的问题，关于这个问题，
有以下的考虑：
z CdTe 中的 Cd 的带宽 5.8eV，具有很高的键能，在空气中的分解温度高到
1000 度
z 薄膜厚度仅为 0.5μm，被封在两层玻璃之间，万一遇到火灾在 Cd 被释放
之前早已融化在玻璃之中了
z 在损坏之前回收
由于环保和安全性的考虑，目前世界上生产此种电池的企业评不多，只
有美国的 First Solar 和德国的 Antech 公司美国 First Solar 的 CdTe 电池的成
本降到 1.45 美元，这就使得这种电池的成本很具有竞争性。First Solar 的 CdTe
电池的效率达到了 11%。

图 37 Antech 公司的 CdTe 电池生产线

图 38 Antech 公司的 CdTe 电池的封装设备

 L a ye r 1 0 0 % R e c y c le d ,
T h ic k n e s s S o ld a n d R e m a d e
in to G la s s

3200 μm Soda Lime Glass Front Glass P ro p e rly D is p o s e d

C d re c o v e re d a n d s o ld to
~ 0 .5 μ m SnO2:F TCO Front Contact C d u s e rs . S d is p o s e d o f
p ro p e rly .
~ 0 .4 μ m CdS (by Vapor Transport) Window Layer
C d a n d T e re c o v e re d
~3 μm CdTe (by Vapor Transport) Absorber Layer a n d s o ld to C d a n d T e
u s e rs .
~ 0 .4 μ m Back Contact
T in re c o v e re d a n d s o ld .
450 μm EVA (Ethyl Vinyl Acetate) Encapsulant

P ro p e rly D is p o s e d

3200 μm Soda Lime Glass Back Glass

1 0 0 % R e c y c le d , S o ld
a n d R e m a d e in to G la s s

First Solar 的膜层结构

First Solar Platform

The key to achieving low cost solar modules is First Solar’s semiconductor
material, Cadmium Telluride (CdTe), which has physical properties optimal for
converting sunlight into electricity. As a result, high energy efficiency potential is
possible with only microscopic amounts of semiconductor material.

Raw Material Input

Vapor Generation

Vapor Distribution

Deposition

Vapor Transport Deposition (VTD) Semiconductor Deposition System Finished PV Module

CdTe is an ideal material for low cost, high volume solar module production

3
First Solar Confidential

First Solar 的关键工艺

2.2.3 铜铟镓锡薄膜电池
铜铟镓锡薄膜电池的基本结构如图 39 所示。它具有优异的太阳能吸收特性，
其实验室效率达到 19.2%。

图 39 CIGS 薄膜电池结构

在上世纪九十年代 BP 公司和壳牌公司就致力于开发这种太阳电池，但是虽
然其组件效率效率可以达到很高，到 11%，但是由于其要制备具有四元元素的薄
膜：CuInCaSe2，在工艺实现方面很难控制，尤其是在大规模生产的重复性方面
难于精确控制，因此一直没能实现大规模的生产。
正因为这种电池是目前效率最高的薄膜太阳电池，但是又无法实现大规模产
业化，因此有大量的公司投入力量进行研发。其中包括如下公司：
z Shell Solar, Camarillo, Germany (CuInGaSSe2)
z Würth Solar, Marbach, Germany (CuInGaSe2)
z Global Solar, Tucson, USA (CuInGaSSe2) Showa Shell Solar, Tokyo, Japan
(CuInGaSSe2)
z Sulfurcell, Berlin Germany (CuInS2)

z Odersun,（与中国安泰科技有技术转让协议） Frankfurt a.d.Oder, Germany

(CISCuT)
z Solarion, Leipzig, Germany (CuInGaSe2)
z Solibro AB, Uppsala, Sweden (CuInGaSe2)
 z 本田（CIGS）
z Daystar（CIGS）
z GSE （CIGS）
z Nanosolar （CIGS）
z Heliodomi （CIGS）（技术来自 EPV）
z 威海蓝星泰瑞光电（技术来自 Terrasolar）

图 40 到目前为止的几种 CIGS 薄膜电池的世界记录

这种薄膜电池制备中最难的是 Cu(In,Ga)(S,Se)2 膜的制备。目前主要的方法

是使用电化学技术，如图 41 所示。将镀有 Mo 的玻璃板最为阴极置于电镀液中，
电镀液中含有 H2SeO3，H2SO4，In3+，Na+，Cu2+，电镀反应的结果，H2SeO3 与
In3+和 Cu2+反应生成 CuInSe2，之后还要经过硫化处理以及退火处理。最终形成
薄膜电池。因此，其工艺过程由图 42 表示。对于薄膜电池组件还需要切割，因
此整个工艺过程如图 43 所示
虽然，目前世界上有众多的公司在开始进行这方面的产业化工作，但是其产
量还没有上来。从图 5 可以看出，在 2005 年和 2006 年期产量在世界太阳电池产
量中均质占据 0.2%。其原因之一是仍有许多规模化生产时的问题；其二是其产
品的价格与晶体硅的竞争性仍有待考察。

- +
potentiostat Se° + In2Se3
+ CuInSe2
e- e- 2 Se° + CuInSe2

Se/Cu Flux ratio

CuxSe +
1.5 CuInSe2
In3+, Cu2+, Na+
H2SeO3, SO42- 1
CuInSe2
+ Cu
0.5
H2O, H+, Cl- Cu2Se

Cu2Se + Cu
0
Oxydation at the Anode
2H2O --> O2 + 4H+ + 4e- -4.5- -4
e Free energy (eV vs vacuum)
Electrodeposition at the Cathode

2 H2SeO3 + Cu2+ + In3+ + 13 e- + 8 H+ ⇔ CuInSe2 + 6 H2O

图 41 Cu(In,Ga)(S,Se)2 膜的电化学制备方法

电化学镀
玻璃上溅射 硫 快速热退火
Mo CuInSe2 化

Absorber CuIn(Se,S)2

连接与封装 缓冲层
溅射ZnO 表面处理
(CBD)CdS

窗口层

图 42 CIGS 薄膜太阳电池的基本镀膜工艺流程

由于目前工艺仍不成熟，可以提供成套设备的厂商比较有限。目前有德
国的 Centrotherm 公司跟美国的 Veeco 公司提供此类成套的生产线。其中
Centrotherm 公司提供用于玻璃上的生产线，采用的是溅射后硒化的工艺路线，
居称采用了非毒性气体。其生产线的价格非常之高。而美国的 Veeco 公司在收购
Mill Lane（本身是提供卷对卷镀膜设备）之后提供柔性的 CIGS 生产线。
CIGS 电池的一个障碍是 In 的储量较小，
目前世界的产量是每年 300 吨，
目前可利用的储量可以形成 5-10GW/年的产量。如果工艺控制在 0.2μm 的厚度，
15%的效率，那么在可以预见的时间长度内，世界上的 In 可以供 CIGS 薄膜太阳
的产量维持在 50-1005-10GW/年的产量。

图 43 CIGS 薄膜太阳电池的生产工艺流程

对于 CIGS 电池的毒性的分析：H2Se 的毒性非常高；Cd 的毒性很高；目前

正在研发无 Cd 的 CIGS 电池，其效率最高达到 18.4%。
成本目标：每瓦 1 欧元。
 表 9 世界 CIGS 薄膜电池研究结果的世界纪录

Affiliate Absorber Eg Voc Jsc FF Effi Reference

(eV) mA/cm2 (%) (%)
(mV)

IEC Cu(InGa)(SeS)2 1.50 826 20.4 64.5 10.9* Thin Solid Film, In press,
(CIGSS) 2004

NREL CuGaSe (CGS) 1.64 823 18.6 66.8 10.2* 31st IEEE PVSC, 2005

AGU Ag(In0.2Ga0.8) Se2 1.70 949 17.0 57.7 9.3 2005 Spring MRS
(AIGS)
IEC Cu(InAl)Se2 (CIAS) 1.66 763 16.7 61.5 7.8 29th IEEE PVEC, p519, 2002

HMI Cu(InGa)S2 (CIGS) 1.65 831 17.1 71.2 10.1 Thin Solid Film, p266, 2002

HMI Cu(InGa)S2 (CIGS) 1.53 774 21.6 73.7 12.3 Thin Solid Film, p266, 2002

HMI CuInS2 (CIS) 1.50 729 21.8 72 11.4 Sol. Energ. Mat. Sol. C 67,
P159, 2001

IEC Cd0.95Zn0.05Te (CZT) 1.53 780 23.0 64 11.5 31st IEEE PVSC, 2005

GIT & CdMnTe (CMT) 1.53 680 20.6 44.2 6.0 20th IEEE PVSC, p1477,
k
USF CdSe 1.70 250 14.0 53 1.9 19th E PVSEC, p1651, 2004

NREL CdTe 1.48 845 25.9 75.5 16.5* 17th E PVSEC, p995, 2001
2.3 各种薄膜太阳电池投资分析
由于目前没有厂家提供 CIGS 电池的成套设备，因此很难对于 CIGS 薄膜电
池进行初投资的分析，而 CdTe 电池的成本核算也不是很清楚，另外，这两种薄
膜电池在目前仍旧未能形成规模精细效益，因此无法得到比较数据。因此本结仅
就晶体硅太阳电池与非晶硅薄膜电池进行经济分析。
在进行成本分析是要考虑三种成本：
z 工艺成本
z 原材料成本
z 劳动力成本
而如果要进行投资分析时还要考虑两项内容：
z 现实成本
z 成本的潜在变化趋势
下面我们就逐项对晶体硅太阳电池与非晶硅太阳电池进行分析。
2.3.1 工艺成本的比较
人们在考虑晶体硅太阳电池与非晶硅薄膜电池的工艺成本是往往只考虑晶
体硅太阳电池生产线的工艺成本，其实应该将硅提纯、拉棒（或铸锭）、切片、
制备电池、封装等全部成本都考虑进去。这样相比之下薄膜电池的优势就明显起
来。
图 44 是晶体硅太阳电池的全成本计算下的工艺流程。

单晶硅棒 切方
切片 电池制备 电池封装
硅材料提纯
多晶硅锭 切块

N2、O2、POCl3、 玻璃、EVA、
H2、O2、 石英坩埚 SiC粉 SiH4、氨气、Ar2、 TPT、焊带、
HCl、Si NaOH、盐酸、硝 接线盒
酸、氢氟酸、
石墨支架 钢丝 TCA、异丙醇、
银浆、铝浆、银
铝浆

图 44 晶体硅太阳电池整个工艺流程
 TCO玻璃

SiH4制备 非晶硅电池 封装

H2、O2、 N2、氨气、Ar2、 玻璃、EVA、

HCl、Si 电子清洗液、 TPT、焊带、
SnO2、ZnO2、Al 接线盒

图 45 非晶硅薄膜电池的工艺流程

从图 44 中可看出晶体硅太阳电池的制备要经过 5 个工艺流程，他们分别是：
„ 硅提纯
„ 制锭
„ 切片
„ 电池制备
„ 封装
从图 45 可见，硅薄膜太阳电池只有三个工艺流程：
z 硅烷制备
z 非晶硅板
z 封装
晶体硅电池制备工艺过程复杂，要在多个工厂中转移。而非晶硅薄膜电
池只在一个厂房中就可完成。
对于晶体硅太阳电池的制备工艺过程中的每一个环节头有很复杂的工艺。
（1）硅材料提纯工艺
硅提纯分成两步：
 z 冶金级硅的提纯：一般使用炭还原法
z 太阳能级硅材料的提纯：一般使用改良西门子法。该法如图 46 所示：

TCS(85%)
MG-Si 超纯TCS 多
在流化床反应器中将Si 氢 TET(15%) 蒸馏分离 纯TCS 二次蒸馏 在西门子棒
晶
干HCl 氯化合成TCS（300℃） 纯化TCS 纯化TCS 上高温分解
硅

低沸点
残渣 H2
杂质

H2
TET 副
混气
产品
TCS+TET
气体回收分
离和纯化

图 46 改良西门子法工艺流程

在这个工艺中先要将冶金级硅氢氯化形成三氯氢硅，在利用分流馏技术将其
提纯，再在热反应其中反应，在 1100°C 沉积在仔晶上。而尾气中含有大量的四
氯化硅，还要加氢循环利用。这种大化工产业十分耗能。
后来人们又发明的硅烷法，就是利用硅烷的人分解温度较低的特点，在改良
西门子法制成的三氯氢硅的基础上进行催化反应，制成硅烷，在送入反应炉反应。
这种工艺反应温度较低，节能。应一方面反应产物中不含四氯化硅，对尾气处理
的难度降低。但是新的问题是硅烷的安全性，另外，虽然硅烷分解温度在 800°C，
较 1100°C 低，但是他的反应速度慢，沉积时间长，还是不太节能。
（2）硅片制备工艺
硅片制备包括硅锭制备与切片两个环节，硅锭的制备又分 CZ 法拉单晶硅和
浇铸制备多晶硅。在硅锭制备出来以后又要切锭、滚圆、切方、切片、清洗。在
这一系列工艺步骤中要用很多工艺设备，均列在图 48 中。
（4）太阳电池制备工艺
太阳电池制备工艺的流程列于图 49，封装工艺流程列于图 50。可见太阳电
池的工艺是较为复杂的。使用到较多的工艺设备。
 TCS

电能
在催化柱上
再分布 1
M G -Si
在 TE T 流 化 蒸馏法分离
H2 多
床反应器中 TCS 蒸馏法分解 D C S /TE T/ 在加热硅棒
晶
将 Si 氢 氯 化 TET TC S 和 TE T TC S 上高温分解
TET 硅
合 成 TC S
DCS

在催化柱上
再分布 2 H2

残 低沸点 蒸馏法分离
渣 杂质 D C S /TE T/
S iH 4

SiH 4
TET

蒸馏法纯化
S iH 4

TET

图 47 硅烷法规提纯工艺流程

浇筑多晶硅

拉单晶 单晶棒切断 单晶棒滚圆 单晶棒切方 单晶棒切片

石英坩埚制备 硅棒切断机 滚圆机 切方带锯 内圆切割机

石英坩埚清洗机 切方线锯 线切割机

单晶炉

石墨加热体制备

浇筑炉

图 48 硅锭制备与切片工艺
 装片 去损伤层 扩散 去边 装片

去氧化层 制SiN膜 印背电极 烘干 银铝背场

干燥 测试
烘干 印前电极 包装
烧结 分类

图 49 太阳电池工艺流程

电池片引
线上锡 串 焊 层 压 固 化

测 试 装边框

图 50 太阳电池封装工艺流程

而对于非晶硅薄膜电池的工艺流程列于图 29，其工艺简单的多。

表 10 三种类型的硅基太阳电池工艺步骤的比较

单晶硅 多晶硅 非晶硅

氢氯化工艺 氢氯化工艺 氢氯化工艺

分馏工艺 分馏工艺 分馏工艺

热解(1100ºC) 热解(1100ºC)

尾气回收 尾气回收 尾气回收

拉单晶 (1400ºC) 浇铸（1400ºC ）
断头，切方 破锭
 切片 切片
3次清洗（RCA） 3次清洗（RCA） 1（玻璃清洗）
CVD沉积TCO膜
扩散（(850ºC) 扩散(850ºC)
PECVD （350ºC） PECVD （450ºC） PECVD （350ºC）
磁控溅射
丝网印刷 丝网印刷 激光切割（3次）
PECVD去边 PECVD去边 喷沙去边
烘干（X3：200ºC） 烘干（X3：200ºC）
烧结（200~800ºC） 烧结（200~800ºC） 老化（180ºC）
分选 分选
焊接 焊接 汇流焊接
层压（150ºC） 层压（150ºC） 层压（150ºC）
测试 测试 测试

表 11 三种硅基太阳电池的工艺难度的比较
晶体硅电池 非晶硅电池
4 次温度超过 800ºC 的高温过程 4 次温度低于 400ºC 的低温过程
5 次温度低于 400ºC 的低温过程
5 次进入真空系统 3 次进入真空系统
3 次硅片 RCA 清洗工艺 1 次玻璃清洗工艺
处理样品尺寸：125x125、156x156、 处理样品尺寸：0.78m2、1.2m2
200x200mm2

表 10 列出了三种硅基太阳电池的工艺过程的比较，表 11 列出了硅基太阳电
池的各种工艺难度的比较。可见，在晶体硅太阳电池的制备产业链中，他们要经
过 4 次 800°C 以 上 的 高 温 过 程 ， 而 非 晶 硅 太 阳 电 池 只 要 经 过 4 次
400ºC的低温过程。晶体硅太阳电池要经过3次清洗过程，其清洗全部使用RCA
工艺清洗硅片，要经过NaOH、HCl、HF的清洗，在清洗工艺中晶体硅要消耗大
量的水，排放较严重。而在硅薄膜太阳电池中只要清洗玻璃衬底即可，只用简
单的去油污清洗剂即可，可以节约水资源，减小污染排放。在晶体硅太阳电池
产业链中要5次进入真空系统，而在薄膜硅工艺中只要一次进入真空系统，因此
节能效果明显。
另外，在晶体硅太阳电池的封装阶段，要进行每一片的串焊，如果使用手
工焊接，需要大量的人力，如果使用自动设备，则设备价格也较昂贵，25WM
的焊接线需要2~3代自动串焊机，需要1~2千万元人民币。而对于薄膜硅太阳电
池，只需要焊接汇流条，焊接较少，可使用超声焊，或使用焊接剂连接，使用
人力较少。
总而言之，非晶硅薄膜电池的工艺难度较晶体硅要小得多。
2.3.2 原材料成本分析
表 12 为晶体硅电池与薄膜硅电池所使用的原材料的比较，可见晶体硅电池
的所使用的原材料较薄膜硅电池的种类多许多。而且量也大的多。

表 12 晶体硅电池与薄膜硅电池的使用原材料比较
晶体硅电池 非晶硅电池
氢气、氯化氢气、冶金级硅 氢气、氯化氢气、冶金级硅
氢氧化钠、盐酸、氢氟酸、异丙醇、硝酸 电子清洗液
三氯氧磷、 TCA、氩气、氮气、氨气、石英 硅烷、磷烷、硼烷气、氩气、氮气、ZnO2、
坩埚、SiC 超细粉、钢丝、高纯石墨 纯铝、SnO2
玻璃、焊锡、EVA、TPT、接线盒 玻璃、焊锡（汇流条）、EVA、TPT、接
线盒
高纯水（18MW） 中纯水（10MW）
图 51 显示了硅太阳电池的各种成本分析，可见硅片的成本是很高的。其中

组件制造,
25%
切割, 29%
多晶硅, 36%

电池制造,
10% 硅片制造,
65%
晶体生长,
35%

36%的成本来自多晶硅的提纯工艺，再次工艺中的成本列于表 13。所谓传统西门
子法和改良西门子法的区别就在于尾气的循环再利用。在传统西门子法中没有尾
气回收加氢再循环的工艺，这样会造成大量的浪费和污染排放。而在改良西门子
法中使用了尾气回收、加氢再利用的工艺，减小了污染排放、更加节能。
国内自己研发的工艺以及引进俄罗斯的工艺在尾气排放回收利用方面作的
 不好，因此能耗较高。而在国外目前主流技术均为改良西门子法，能耗较低。美
国的 MEMC 使用了粒状新硅烷法，能耗很低。
表 13 硅提纯工艺的原材料消耗比较

序号 项目 单位 生产方法
传统西门子法 改良西门子法 新硅烷法 新硅烷法
（棒状） （粒状）
1 工业硅粉 Kg 4.65 1.4 1.15

2 液氯 Kg 17.5 <1.5 0.2

3 氯化氢 Kg 1.38

4 氢气 M3 9.1 0.07 0.2

5 总电耗 KWh 344 160~230 110~120

6 还原电耗 KWh 180 50~120 100 11~12

7 25MW 总 KWh 8600 万 4000~5750 万 2750~3000 275~300

电耗 万 万

在单晶硅拉制或多晶硅浇铸阶段其成本分割如表 14 所示。
表 14 单晶硅拉制和多晶硅浇铸的成本比较

电能消耗 石英坩埚 人工 高纯气体 材料利用率 生长时间 投料范围

成本
单晶 33kWh/kg 8.6 美元 55kgx3 9.1RMB/kg 55kg 棒料 55kg/40 小 多晶硅块料、头尾料、
/kg 炉 出片率低 时 边角料
多晶 8kWh/kg 1.7 美元 300kgx10 1.1RMB/kg 300kg 锭料 300kg/45 除拉单晶可用料以外，
/kg 炉 出片率高 小时 还可用多晶硅粉料、粒
状料、 物理提纯太阳
能级多晶硅
25MW 单 825 万度 215 万美 227.5 万 4546 炉 7 吨/台 36 台
元 RMB 0.7MW/台 36x70 万 RMB=2520 万
晶 RMB
多 240 万度 51 万美元 33 万 RMB 1000 炉 3MW/台 8台
8x600 万 RMB=4800 万
晶 RMB
注：单晶硅电池按 10 吨/MW 硅材料计算
多晶硅电池按 12 吨/MW 硅材料计算
表 15 给出了太阳电池制备的成本构成，需要注意的是此成本分解是在硅材
料价格正常的情况下给出的，由于自 2006 年开始的硅材料短缺使得硅材料已经
脱离了正常的价格，许多电池制造厂购买硅材料是从自由市场高价购买的，这使
硅材料的价格已经完全脱离了正常的成本区间，不能作为计算的依据。从表中可
以看出多晶硅电池的价格并不比单晶硅电池低，其原因主要是多晶硅的设备折旧
较高。而且多晶硅电池的效率较低，因此单位瓦数所使用的硅材料的数量就多，
所使用的各种辅料也较多。

表 15 晶体硅太阳电池成本分析

序号 项目名称 单位成本 备注

1 单晶硅太阳电池片 15.22 按 97%的合格率

1.1 单晶硅片 13.64

1.2 导体浆料(Ag、Al 浆) 1.28

1.3 化工试剂及辅料 0.30

2 多晶硅太阳电池片 15.43 按 97%的合格率

2.1 多晶硅片 13.75

2.2 导体浆料(Ag、Al 浆) 1.36

2.3 化工试剂及辅料 0.32

3 单晶硅太阳电池组件 19.83 按电池片破损率

3.1 单晶硅太阳电池片 15.52

3.2 钢化玻璃 1.39

3.3 封装胶（EVA、TPT） 1.37

3.4 铝型材 0.48

3.5 互连条 0.26

3.6 接线盒 0.29

3.7 化工试剂及辅料及包装 0.61

4 多晶硅电池组件 20.17 按电池片破损率

4.1 多晶硅太阳电池片 15.52

4.2 钢化玻璃 1.39

4.3 封装胶（EVA、TPT） 1.47

 4.4 铝型材 0.51

4.5 互连条 0.28

4.6 接线盒 0.31

4.7 化工试剂及辅料及包装 0.47

晶体硅电池的制造过程中电能的损耗是相当大的，可以所电力成本在电池总
成本中所占的比例相当大。表 16 给出了晶体硅电池产业链的各个环节所消耗的
电力数值。
表 16 晶体硅太阳电池产业链各个环节的电耗情况
产量 年耗电 25MW的年电耗

冶金级硅冶炼 1000MT(83.3MW) 0.1亿度 300万度

硅材料提纯 1000MT 1.6~3.5亿度 4800~10504万度

(83.3MW)
拉单晶 25MW ~820 万度 ~820 万度
多晶硅浇注 25MW ~240万度 ~240万度
太阳电池片 25MW 500~1000万度 500~1000万度
电池板封装 25MW 100万度 100万度
合计 5940~12724 万度

计算：单晶硅：10g/Wp=10 吨/MW；多晶硅： 12g/Wp=12 吨/MW

由上述列表可以计算出 25MW 产量单晶硅太阳电池的电耗上限 1.2724 亿度，

下限 0.654 亿度。而 25MW 产量多晶硅太阳电池的电耗上限 1.134 亿度，下限 0.560
亿度。单晶硅太阳电池片耗电的上限：5.09kWh/Wp；下限： 2.62kWh/Wp
多晶硅太阳电池片耗电：上限：4.54kWh/Wp；下限： 2.24kWh/Wp。这种计算
是否准确，可以比对以下欧洲发表的有关太阳电池能量回收的数据进行验证。图
52 位欧洲发布的有关三种太阳电池在欧洲的不同地区的电量回收期的计算结果。
在单晶硅电池在中欧地区的耗电回收期为 4.5 年，而在南欧地区可以在 2.5 年将
能量回收。中欧地区平均日照：1000kWh/m2/yr，单晶硅在中欧的回收期：4 年，
因此单晶硅电池的年有效工作小时数为：1000hr，1W 的单晶硅电池 4 年发电量
为：4kWh。
 图 52 欧洲太阳电池电力回收期结果

对于非晶硅薄膜电池的制造成本较低，其原材料成本很低，列于表 17 中。

材料 单位损耗 $/Wp
SnO2 镀膜玻璃 $0.8~$1.1/平方英尺 0.11~0.15

硅烷 $0.11~$0.15/平方英尺 0.02~0.03

封装材料 $0.40~$0.45/平方英尺 0.05~0.06

盖板玻璃 0.35~0.40/平方英尺 0.04~0.05
其他材料 0.01~0.02

合计 0.56~0.64
其他成本包括水、电、气、设备折旧。
表 18 非晶硅薄膜电池线的其他消耗

年度消耗（80%的开工率） 每瓦消耗

电 3800 度/天 111 万度 0.044 度电/W

水 500 吨/天 14.6 万吨 0.02kg/W

纯水 250 吨/天 7.3 万吨 0.01 kg/W

折旧 ￥2.5/W(5 年) 6000 万元 ￥2.5/W

 由于各产地的水电价格略有不同，因此只能对于某一个地区具体确定其具体
价格。但是，可以晶体硅相比，存在数量级的差别。对于这种薄膜电池起电能回
收时间可以缩短到半年，而且主要是封装材料等造成的能源消耗。
文件名: 薄膜太阳电池小结 20080526.docx
目录: D:\HWQ\Illies
模板: C:\Documents and Settings\HWQ\Application
Data\Microsoft\Templates\Normal.dotm
标题: 太阳电池产业 2006 年在国外的发展状况
主题:
作者: aa
关键词:
备注:
创建日期: 2008-5-26 10:11:00
修订号: 109
上次保存日期: 2008-5-26 11:16:00
上次保存者: HWQ
编辑时间总计: 68 分钟
上次打印时间: 2008-5-26 11:18:00
打印最终结果
页数: 39
字数: 2,329 (约)
字符数: 13,278 (约)