第六章 載子的傳輸現象(carrier transport phenomena)

這一章我們主要是討論電載子在電場以及濃度梯度的情況下, 其所導致載子
的運動情形.

6-1 載子漂移(carrier drift)

當一物質內有自由電載子的存在. 每個自由電載子都會得到由熱能所給的
的能量, 對於三度空間而言, 由熱動力學的能量等分原理. 每顆載子將會分到
3kT
的能量. 而因為是自由載子, 所以其是動能. 因而每個載子的隨機運動速
2
率使用下式可以求出.
1 2 3
mv  kT
2 2
3kT
v (6 1)
m
在熱平衡的條件下, 這個速度的方向是任意的.
而且其在運動的過程中將會與原子相碰撞, 而導致
整單位時間內通過任一截面的電荷量為零. 圖 7.1
是在無外加電場時,載子由熱能(其平均分佈)所給予
的動能是隨機的,所以整體(巨觀)載子的平均運動為
零, 因而導致其淨電流為零. 此圖的運動路徑會突
然轉折, 是因為與載子會與原子相碰撞所導致的.
而在發生碰撞之間,電載子所運動的平均距離, 稱為 Fig 6.1 無外加電場
平均自由路徑 la (mean free path). 電載子所需的時間, 稱為平均自由時間
c (mean free time). 當我們將一含有自由電載子的物質加一個電場(不致使物
質崩潰的大小), 假設此一電載子為電子. 則電子在與原子發生碰撞之間, 將會
受此電場的作用(其作用力為 q)而沿電場的反方向來做加速運動. 因此整個
電子的運動速度是熱運動(其幾乎
是亂動的)再加上此一由電場所引
起的方向性運動(我們稱此一速度
為漂移速度(drift velocity), 因熱
運動的平均速度為零, 所以整個物
質內的電子淨運動平均速度就等
漂移速度.圖 6.2 就是熱運動速度與
漂移速度的合成結果. 我們現在來 Fig. 6.2 有外加電場的情形
估計漂移速度 vd 的大小, 因為我
們使用的是平均速度來討論載子的運動現象. 所以我們必需使用動量的等式來
估計(一般有作用力, 其運動是加速度運動, 而整個作用力的大小是質量乘上加
速度). 在物理上力與動量的關係是:

1
 dp
F   P 
Fdt 如作用力為常數 P Ft (6 2)
dt
而上面討論的, 皆是使用平均值的觀念, 即然己先是平均了, 當然是各個量是
都把它當作常數了. 而電子在漂移速度下運動所具有的動量:
Pe me vd
而電場的作用力動量為:
P e c
兩式相等可求出漂移速度.
ec
vd  (6 3)
me
我們由此式可以看到,電子的漂移速度與電場強度成一正比. 而此一正比常數
是視平均自由時間以及電子的質量而定, 我們稱此一正比常數為載子移動率 
(mobility).所以我們可以將(7-1)式子改寫成
vd (6 4)
因此我們可以給移動率一個物理上的意義:
v
即 d ,即單位電場強度載子的 運動速度

其單位為cm 2 / V s.
6-1-1 影響載子移動率的因素
由之前的介紹,我們可以知道, 一個電載子在固體中運動, 其會受到在固體
中與原子的碰撞(其會像是個接觸力的情形)而影響到電載子的傳輸情形, 而上
述中只與原子相互碰撞, 指的是對導體而言. 但實際上在半導體中的電載子粒
子不是只有與不帶電的原子發生交互作用, 如有摻雜的外質原子的半導體, 其
原子會形成帶電的粒子—離子, 所以會有電力的交互作用(其會是個超距力的
情形). 另外電載子之間的互相碰撞也是影響載子移動率的因素.
我們現在來看電載子與原子之間的碰撞關係. 首先我們來介紹一個名詞,
那就聲子(Phonon), 各位還記得之前我們強調過, 當一個量子粒子, 受限於空
間中一固定的區域. 則其能量必定是量子化(也就是分立值)的情形. 而原子也
是量子粒子. 所以所能擁有的能量值, 必需是分立的. 而原子表現能量的方式
是什麼物理現象呢? 那就是在其位置上做一相對應能量的振動, 能量越高振動
的頻率就越高, 這與我們將光量子化(我們稱其為光子)的行為是一樣的. 而為
什麼我們將之稱為是聲子呢? 因為計算出來的其振動頻率範圍是在音頻的領
域. 所以我們將原子的振動現象想像成是一顆粒子(稱為聲子). 而所對應的是
聲子的能量越高, 原子的振動頻率就會越高, 另外關係到位能勢的圖, 當聲子
的能量越大, 也代表其振動的範圍會越大. 而什麼物理現象與原子的振動休戚
相關. 那就是溫度. 我們知道溫度其實是巨量粒子整體動能平均值的表現.
同樣的道理一物質是由相當巨量的原子、離子、電載子粒子所組合而成. 因而
整塊物質的溫度就是展現了這些粒子的平均動能. 所以對於含有電載子的物
質其熱容量是要算電載子的熱容量以及聲子(原子振動)的熱容量(這在固態物
2
理中有推導). 因而一物質的溫度越高代表物質內的原子振動度就越大.如此
對於電載子在物質內的運動就越容易與原子互相碰撞到, 也就是代表其平均
自由路徑就越短. 而平均自由路徑越短, 代表的是電載子的平均速度會越小,
而平均速度越小代表是其移動率就會越小. 對於電載子與原子交互作用(物理
上稱粒子的交互作用為散射 scattering 現象)我們會稱其為電載子—聲子散射,
或 簡 稱 為 聲 子 散 射 (Phonon Scattering), 如 電 子 — 聲 子 散 射
(electron-phonon scattering), 電洞—聲子散射(hole—phonon scattering)
等. 而這些現象導致載子在物質內運動與溫度的關係是溫度越高, 載子的移
動率會越低.如下圖所示:

(a)電子移動率與溫度的關係 (b)電動移動率與溫度的關係
Fig. 6-3
如果整個電載子在半導體中的散射是由聲子散射現象所主導, 對於純矽其
5

移動率與溫度的關係式由理論的推導是 T (一般在溫度大於 200° k 時, 原
2

子的振動對電載子的傳輸開始有明顯的影響). 而由圖 6-3 中我們看到的是兩

個現象:
1. 載子的移動率確實是隨溫的增加而減少.
2. 但是其隨摻雜的濃度的增加也減少了. 且濃度越濃, 其與溫度的關係
5

不像是 T 2 . 這是因為當摻雜雜質的濃度越濃, 與帶電的雜質庫侖力
的交互作用就會越明顯. 也就是說當摻雜很濃時, 整個散射現象會是
庫侖力在作主導. 而在這情形下, 移動率與溫度及雜質濃度的關係 如
下式:
T 3/ 2
 .
N 雜質渨度
我們由此一式子可以看出, 當散射現象是由庫侖力在主導時, 其移動
3
 率是會隨溫度增加而增加. 但會隨雜質濃度而減少. 而為什麼會隨溫
度增加而增加呢? 主要是電力的作用是有時間積分的作用(因為電力是
超距力), 比較顯而易見的說, 當在一電場中, 一運動比較快的電載子
受此一電場的作用時間會比
較短,所以電場對其影響就
比較小. 而運動比較慢的電
載子受電場作用的時間會比
較長, 所以電場對其影響就
比較大. 而我們知道當物質
的 溫度越 高 , 電載 子的隨
機 運動 速率 就比較 高 , 所
以電載子受電場的影響就會
比較小. 因而其移動率就會
隨溫增加而增加. 而為什麼
我 們此時 只看隨機 運動 速
度, 而不去用漂移速度來討
論呢? 這是因為漂移速度
所討代表的是整體巨量的電
載 子在單 位時間的 平 均 位
移.而若我們所討論的漂移
速度不是很大時, 整個代 Fig. 6-4
表一個粒子的運動快慢是可以用隨機運動速率來代表的. 因而在此情
形下, 當然是要看隨機運動速率, 而非漂移速度. 而當聲子-電載子
散射, 雜子-電載子散射共同存在時其圖形就會如圖 6-3 所示.而對於
固定溫度下, 我們將雜質濃度增加,則電載子的移動與雜質濃度的關
係如圖 6-4 所示.
而另一個影響載子移動
率的散射機制為, 載子與載
子的散射, 尤其以電子與電
洞的散射對載子的移動率影
響是很大的. 這個現象會發
生在半導體元件操做在高電
流密度時(高功率半導體經
常 會 有 此 一 種 操 做 條 件 ),
高的電載子濃度會使得其碰
撞機率增加. 電子與電洞的
散 射對移 動率的影 響如 圖
6-5 所示. Fig 6-5
到此, 我們回想一下, 整個電載子在固態物質內受電場作用時的傳輸模型,
我們的建制基礎是如下邏輯: 固態物質包含了原子, 離子以及電載子等粒子, 而

4
因為是固態, 所以原子與離子只會固定在一個範圍. 所以整個電的傳輸就是靠電
載子了. 當物質不是在絕對溫度為零度, 物質內的所有粒子都會具有動能. 而其
表現動能的方式為: 原子與離子在一範圍內週期性的振動來表現其動能, 而電載
子則是以粒子在空間中的運動快慢來表現. 電載子在運動的過程必定會與原子,
離子以及電載子產生交互作用. 電載子與原子的交互作用是以接觸力的型式來表
現, 也就是, 其產生作用是在一瞬間(電載子撞到原子時). 而電載子與離子作用型
式是超距力(電力), 整個有效交互作用(就是能明顯影響電載子的運動)的時間是
一區間, 最後電載子與電載子的交互作用, 則以相反極性電載子的交互作用影
響會較大( 其代表的是電載子會消失掉).
而基本上以上講的三個機制都是粒子的交互作用機制, 電載子-原子, 電載子
-離子, 電載子-電載子. 如果這三個交互作用都互相不影響, 也就是互相獨立.
則載子在固態中的移動率會是:
1 1 1 1
   (6 5)
總移動率 原子散射 離子散射 載子散射
(6-5)式的推演觀念如下: 如果L 代表電載子發生原子散射現象的平均自由時
dt
間, 則在一時間區間 dt 內發生原子散射現象的機率就是 . 同理, 對於發生離子
L
散射與載子散射現象的平均自由時間分別為 I 與 C , 則其在時間區間 dt 內的發
dt dt
生散射現象的機率就分別為 與 , 所以整體載子發生散射的機率為:
I C
dt dt dt dt
   (6 6)
 L I C
所以整體的平均自由時間為:
1 1 1 1
   (6 7 )
 L I C
我們可比較(6-3)與(6-4)兩式得知, 移動率 正比於平均自由時間 . 所以整
體的移動率就會如(6-5)式所示. 在這裡我們必須強調的是(6-5)式是由假設所有的
散射機制是互相獨立而推導出來的. 然而實際上, 上述的三種散射機制並不全然
獨立. 例如, 在高載子濃度的情形下, 載子的會箳避(screen)掉離子的作用, 因而
會降低離子散射現. 所以實際的移動率並不會如(6-5)式, 而一般我們都會採用半
經驗公式:
( max min )
min  (6 8)
[1 ( N / N 0 )a (( pn )1/ 2 / 2 N 0 )a ]
(6-8)式中的 N=NA+ND, 而其它參數 max , min , N 0以及a 皆為溫度的函數, 對
於在 T>200° K,
T 0.065
a 0.7( )  (6 9)
300
在 n-型矽中
5
 T 2.3 2
max 0.142( ) ( m / Vs )(6 10a )
300
T 0.45 2
min 0.007( ) ( m / Vs )(6 10b )
300
T 1.5 3
以及 N 0 1 10 ( ) ( m )(6 10c )
23

300
在 p-型矽中
T 2.2 2
max 0.047( ) ( m / Vs )(6 11a )
300
T 0.45 2
min 0.0045( ) ( m / Vs )(6 11b )
300
T 1.5 3
N 0 2.2 ( ) ( m )(6 11c )
300
練習題:
1. (a)使用圖 6-3 求出電子移動率, 在(1) Nd=1017cm-3, T=150℃以及(2)Nd=1016cm-3,
T=0℃. (b)求出電洞的移動率, 在(1) Na=1016cm-3, T=50℃; 以及(2) Na=1017cm-3,
T=150℃.
答案: (a)(1)500cm2/V-s,(2)1500cm2/V-s; (b)(1)380cm2/V-s,(2)200cm2/V-s.
2. 使用圖 6-4 求出, 決定電子與電洞的移動率在(a) 摻雜了 Nd=1015cm-3, Na=0 的
矽 質 半 導 體 .(b) 摻 雜 Nd=1017cm-3, Na=5 × 1016cm-3 的 矽 質 半 導 體 . (c) 摻 雜
Nd=1016cm-3, Na=5×1017cm-3 的矽質半導體. (d) 摻雜 Nd=Na=1×1017cm-3 的砷化鎵半
導體.
(a ) n 1350, p 480, (b) n 700, p 300, (c) n 800, p 310,
答案:
(d ) n 4500, p 220cm 2 / V s

6-1-2 載子運動速度飽和(Velocity saturation)

至目前為止我們所採用的移動率式子為(6-3)與(6-4)所定義的. 我們可以看出此
一定義使得移動率是平均自由時間與載子質量的函數. 而就 6-1-1 節所討論的,
平均自由時間好像只與溫度, 雜質濃度, 與載子濃度有關. 所以覺得好像與外
加電場無關. 但事實上, 載子的運動速度與外加電場成正比的現象只在低電場
強度的時候是成立的. 這是因為在 6-1-1 節中我們所討論的影響載子的移動率
因素裡, 我們一直討論的方向是我們只考慮載子在隨機運動速率的情形下與物
質中的各粒子的交互作用情形, 而忽略掉考慮到載子的平均位移速度的情況.
我們來解釋這種忽略, 在低電場的情形下是合理的. 一物質在 300° K 下, 其平
均熱動能為:
3
kT 1.5(0.0259) 0.03885eV
2
而此一能量化為電子在矽中的隨機運動速率 vth :
6
 1 2
mvth 0.003885eV  vth 107 cm / s
2
而對於在低電場下, 且一個低濃度摻雜的情形下, 當我們外加的電場在
75V/cm 左右, 其電子的移動率大約是 1350cm2/V-s, 而其漂移速度也大約只有
105cm/s, 大約只有百分之一的熱隨機運動速率(代表外加電場給予載子的動能
可以忽略不計, 所以整體的載子傳輸現象.仍是由隨機運動速率所主導), 所以
在此一情形下, 我們忽略了電場的效應. 但是當外加電場相當高時, 使載子的
漂移速度接近了熱隨機運動速率, 外加電場所給了的載子動能與熱動能很接近
時, 此時會有另外一些散射機制出現, 這會使得載子的漂移速度達到飽和. 如
圖 6-7

圖 6-7

6-2 電阻率(resistivity)
當在外加的電場作用下,載子
的運動所導致的的電流, 我們稱為
漂移電流(drift current). 現在假設
一半導體物質,其截面積為 A, 長度
為 L, 以 及 載 子 濃 度 為 n
electron/cm3. 如圖 6-8. Fig 6-8

我們知道這個物質的電流密度 Jn,單位面積的電流量, 即:
I 1 dQ q d dl
Jn  n   ( nlA) qn qnvd qn(6 12)
A A dt A dt dt
上式中我們己假設在單位時間內電子的運動距離是l,所以整個單位時間
通過面積A的電荷量就是nlA, 而dl / dt代表就是電子的運動速度.

上式中我們是假設此一半導體物質的自由載子只有電子, 但是對於任何半導體,
其內部的帶電自由載子有電子以及電洞. 所以在半導體的完整漂移電流表示式
7
 是應該如下:
J J n (電子流) J P (電洞流) qnnqpp(6 13)
n : 電子移動率, P : 電洞移動率, n :自由電子濃度, p : 電洞數
我們可以將(6 7 )式改寫成 :
J q( nn pp )
現在我們另外定義一個物理量, 傳導率  (conductivity). 如下式:
J 
q( nn pp )(6 14)
我們取其倒數, 稱之為電阻率 (resistivity).即
1 1
  (6 15)
 q( nn pp )
當然了, 一般在 n 型半導體
中,電子的濃度將遠大於電洞
濃度, 所以會忽略掉電洞所
貢獻的電流成份, 同樣在 p
型半導體中, 電洞濃度將遠
大於電子濃度, 所以我們將
忽略掉電子所貢獻的電流.
右圖為在 300 K 時矽與砷化
鎵電阻率與摻雜濃度的關係
圖:

例題:
一 矽 質 半 導 體 , 在 T=300 ° K, 其 摻 雜 的 雜 質 濃 度 N d 5 1016 cm 3 ,
N a 2 1016 cm 3 . (a)找出電子與電洞的移動率, (b)決定這塊矽質材料的傳導率與電阻率.
解: (a)由圖 6-3 可得 n 1000cm / V s, p 350cm 2 / V s
2

(b)由於在一塊材枓中同時 摻雜 p 型與 n 型雜質, 其會互相扺消, 所以整體看來, 其摻雜了

n 型為 5 10
2 1016 3 1016 ,所以自由電子的濃度就為 31016 , 由於在 300° K
16

下 本 質 載 子 濃 度 ni 為 1.5 10 (1 / cm ) , 因 而 電 洞 的 濃 度 就 為
10 3

(1.5 1010 ) 2 7.5 103 (1 / cm3 ) , 其遠小於自由電子的濃度，所以接下來我們

3 10
16

只會考慮整個傳導率會是自由電子所貢獻.
q (nn pp ) 1.6 10 19 (3 1016 1000) 4.8(cm) 1
而電阻率為其倒數
1

1
 0.208(cm)
4.8

8
練習題:
我們需要一 p 型矽質半導體,其截面積 A=10-6cm2 以及長度為 1.2×10-3cm, 當我外加 5V 可得
到 2mA, (a)請問此一半導體的電阻值.(b)此一半導體的電阻率,(c)摻雜濃度.
答案: (a)2.5kΩ, (b)2.08Ω-cm, (c) 7×1015cm-3.

6-3 霍爾效應( Hall effect)

我們知道, 在半導體中, 電載子的數量
是隨著我們摻雜雜質的濃度以及溫度而
變化. 而一般最常使用做為量測載子數
量的霍爾效應, 同時它也可以用來測量
半導體是為 n 型或是 P 型半導. 右圖為
霍爾量測的方式, 其在 x 方向加一電場,
而在負 z 方向加一磁場. 我們在 y 方向 z
測量其電壓, 便可以得知此一半導體的 y
載子濃度以及為何型的半導體. x
Fig 6-9
我們以 p 型半導體為例, 首先我們必需介紹當帶電粒子在磁場中運動, 其會
受到一個力的作用, 此一力我們稱之為 Lorentz force, 其公式如下:
FB q( v B),
其為電荷數乘上(帶電粒子的運動速度與 磁通密度作叉積)
我們看到此一作用力的方向將垂直於帶電粒子的運動方向以及磁通密度的
方向. 以我們的這個例子, 帶電載子為電洞, 所以電流方向就是電洞運動的方
向, 由上圖可知電洞是往正 x 方向運動. 而我們安排的磁場方向為負 z 方向, 所
以電洞將受一正 y 方向的力, 即電洞將被堆積在正 y 的方向, 如下圖:

Fig 6-10
如此其會在半導體上建立一個電場, 方向為負 y 的方向(電場方向是從正電荷
指向負電荷). 其會阻止電洞繼續往正 y 方向運動. 當電力與 Lorentz 力到達平
衡時電洞不會再往正 y 方向走了. 如此就在 y 方向建立了一個電位. 我們量測
此電位就可以算出載子濃度. 當電力與 Lorentz 力平衡,即下式:

9
 qy qv x Bz
J I B
 y v x B z  x B z  x z
qp A qp
1 1
上式 稱之為霍爾係數RH , RH 
qp qp
上式中的A為yz方向的面積,這也是可以己知的.
而對於平板電荷所建立 的電場,其電場強度都是均勻的, 所以
V y yW , W代表sample在y方向的長度, 所以

I B I B
Vy  x z W  x z (6 16), Lz為sample在z方向的長度
A qp Lz qp
上式中, Bz是量測系統時就必需設定, 所以為己知值.而I x ,Vy 都是量測值.
所以我們可決定電洞濃度.
I B IB
 p  x z W  x z (6 17 )
A qVy qLzVy
而電壓極性,則是可以用以判斷此一半導體為p型或是n型,
我們由下圖就可看出.

當半導體為 n 型時其正 y 方向會堆積電子.如下圖:

Fig 6-11
所以當我們量測霍爾效應的加構是如之前所述, 當正 y 端的電位是高於負 y
端時.我們就知道此一半導體為 p 型, 若是相反則為 n 型.
例題:
一純矽中每立方公分加入 1016 磷原子, 若此一塊材的截面寛度 W=500μm,
截面積 A=2.5×10-3cm2, I=1mA,, Bz=10-4Webb/cm2, 求霍爾電壓?

10
 y

I
x

z
解:摻雜磷, 此一半導體為 n 型半導體.所以為電子流, 電流為 x 方向, 因而電子
流為-x 的方向.因而導致電子會受到 Lorentz 力作用往-y 方向. 所以 y 方向
為正電壓.
y

I
x

z
我們使用公式(6-16), 就可以求出在 y 方向感應出來的霍爾電壓.

I BW 10 3 10 4 5 10 2
Vx  1.25mV
A qn 2.5 10 3 1.6 10 9 1016
例題:
己知一個矽樣本(如下圖),截面寛度 W=0.05cm, 截面積 A=1.6×10-3cm2. 摻入未
知雜質, 利用霍爾測量法, 外加磁場密度為 B=30nT(tesla, 1T=104Wb/cm2)(磁
場方向為 z 方向), 若測得霍爾電壓值為+10mV, 以及電流值 I=2.5mA 則求半
導體型態, 多數載子濃度.若樣品長度 L=1cm, 而外加的電壓壓為 10V. 則求電
阻率與移動率

A
z
+ 上端
VHall x
W
_

I V
解:從上圖中我們可以得知電流方向為+x 方向, 而由霍爾量測得知, 電洞是聚集
在樣品的上端,電子是聚集在下端. 我們可以斷定此一矽樣品為 p 型矽. 則我們
使用(6-17)式, 得電洞濃度為:
2.5 10 3 30 10 5 0.05
p 1.465 1016 (cm 3 )
3 19 3
1.6 10 1.6 10 10 10
1 
由 J x x , 電阻率   x
 Jx

11
 2.5 10 3 V 10 10
而在此 J x  1.5625 A / cm 2 x   10V / cm 所以  6.4(cm)
1.6 10 3 L 1 1.5625
1 1 1
而又由   移動率p  

66.66cm 2 / V s
qpp qp 1.6 10 19 16
1.465 10 6.4
練習題:
1. 一做霍爾量測的半導體截面積為 A=4×10-3cm2,而外加電壓的電極距離為 5mm.
當外加電壓 V=0.5V,得到電流為 1mA. 且外加磁場密度 B=10-4Wb/cm2, 我們得
到霍爾電壓 VH=-10mV(方向以上一題例題為準),求多數載子濃度以及移動率.

6-4 擴散電流(diffusion current)

在前面我們推導了帶電自由粒子在外加電場的作用下, 其在物質內單位時間
內電荷有了平均的位移, 因而導致了電流. 這是在外加電場的做用下, 但是對
於沒有外加電場時, 我們說一個物質內可不可能有電流. 答案是有的. 那就是
這一節所要介紹的擴散電流. 我們來考慮一個一維空間的系統, 其在 x 處的粒
子密度為 n(x)比起在 x+Δx 沒的密度 n(x+Δx)還大, 如下圖:

Fig 6-12
我們可以看到 n(x)處的粒子看到左邊的粒子數會比在右邊看到的還多, 由於
熱運動(熱運動中在比較密的區域其碰撞的機會比較大, 所以其平均自由路徑
比較短, 而比較稀疏的區域,其碰撞的機會比較小, 所以其平均自由路徑會比較
長, 所以整個合起來, 其會有往右的平均自由路徑, 因而我們會覺得粒子會從
密度高的往密度低的運動. 例如我們假設其會往左的平均自由路徑是 2 公尺,
而會往右是 5 公尺,所以其平均起來是往右走了 3 公尺)導致了其會從密度高的
往密度低的運動. 我們現在來推導擴散電流的方程式. 首先我們的結構如下圖:

12
 Fig. 6-13
當整個半導體的溫度都相同時, 這半導體內的載子平均熱能都會相同. 所以
只有載子密度 n(x)在隨位置不同而不同. 我們所要討論的是針對 x=0 這一點,每
單位時間單位面積下載子跨過 x=0 這一面的數量. 對於熱運動, 我們描述這一
現象是使用, 平均速度 va , 以及平均自由路徑 la , 平均自由時間 c . 載子在
x= l (即在離 x=0 的左邊一個平均自由路徑的位置), 因為每一載子向左及向右
運動的機率是相等(熱運動嗎), 所以對於在 x= l 位置的的載子跑到 x=0 的濃度
n( l )
是 , 所以每單位時間單位面積從 x= l 跑到 x=0 的載子數是:
2
n(la ) la n(la )
F1   va
2c 2
同樣的對於 x= l 處的載子每單位時間單位面積從 x= l 跑到 x=0 的載子數是:
n(l ) la n(la )
F2  a  va
2c 2
所以載子從左邊流進右邊的淨速率為:
1
F F1 F2  va [n( la ) n(la )]
2
對於電子密度n( la ), n(la )我們使用n(x)在x 0的泰勒一次近似展開式 , 即
1 dn( x ) dn( x ) dn( x ) dn( x )
F  va { n(0) la [n(0) la ]} vala D (6 18)
2 dx dx dx dx
D va la 平均速度與平均自由路 徑的乘積
常數 D(cm2/s), 我們稱其為擴散係數,
當我們將載子改為帶電粒子時, 我們將會得到(6-18)式為帶電粒子在物質內
不均勻的分佈將會導致帶電載子有一方向(與濃度差的方向相反)的運動速度,
所以當然了, 這就是電流了, 而我們稱此一電流為擴散電流, 而擴散電流密度
(單位面積的電載子流速):
n
J D qF qD , 這裡的n指的是電載子 濃度,
x
而非單指自由電子濃度.
13
 而對於三度空間的表示為:

J D qD n    ( 6 19 )

所以對於有外加電場以及自由載子濃度梯度的半導體, 其電流密度的完整式
子應是如下:
J J 漂移 J 擴散 qnqDn(6 20)

6-5 愛因斯坦關係式(Einstein relation)

就我們前面探討所知, 不管是漂移電流或者是擴散電流, 整個電子的運動機
制都脫離不了與原子或是電子之間的相互碰撞. 所以說其移動率( )與擴散係
數(D)間有關係存在著. 而在其間我們引入了兩個平均量, 一個平均自由路徑 la ,
另一個為平均自由時間 c . 我們來推導此一關係, 在一度空間上,從能量等分原
1
理, 每一個電子分到 kT 的熱能. 所以每個載子所具有的平均速度.如下:
2
1 2 1
mva  kT
2 2
kT
va 
m
所以電子的平均自由路 徑距離
kT
la vac  c
m
而之前的移動率,我們可以得到
q  
 c  c  ,
m m q
kT  D
由D vala  c  c 
m m kT
D  kT
  D  (6 21)
kT q q
因而我們看到了,移動率與擴散係數之間的關係.

例題: 一半導物質摻雜施體雜質濃度為 Nd(Nd>>ni)以及有電阻值 R1. 然後將此半導

體接著再摻雜受體雜質濃度為 Na(Na>>Nd),而得到一電阻值為 0.5R1 . 求出以
Nd 為表達式的 Na.如果 Dn / D p 50 .
解 答 : 首 先 Nd>>ni, 告 知 我 們 可 以 忽 略 電 洞 的 效 應 . 而 由 愛 因 斯 坦 關 係
Dn D p  L L 1
式:   n 50  n 50p , 由 R  
n p p A A q (nn pp )

14
 L 1 L 1
R1   (1)
qA N d n qA 50 N d p
L 1 L 1
0.5R1    (2)
qA ( N d n N a p ) qA (50 N d N a ) p
將(1) (2)得
50 N d N a
2  N a 50 N d 答
50 N d
注意!!, 此處雖然 Na>>Nd, 但是由於 n 50 p 所以我們在(2)中不能忽略電子
的效應.

n
練習題: 對一半導體, 電子電洞移動率的比值對雜質濃度而言是個常數 b  , 求
p
出最大電阻率ρm(以純質電阻率ρi 和移動率比值 b 來表示).
i (1 b)
答案:
2 b

6-6 載子注入(carrier injection)

我們在第六章中己介紹, 在熱平衡下,對於任何型式的半導體, 其電子濃度與
電洞濃度的乘積=本質載子濃度的平方,即 np ni2 . 其實這裡所謂的熱平衡, 指
的不只是半導體中溫度保持一定在一段長的時間. 而是一種產生載子的速率
(其一般與半導體的所受到的能量對待有關, 一般有熱能與照射光能)與載子結
合速率達到一種平衡, 使得各種載子的數量在任何時刻都是一定值. 但是如果
有一個半導體在某一區域的本質載子濃度高於(例如在此處的溫度高於其他處,
E g / 2 kT
因為 ni T 3 / 2e , 或是我們在此處照射光能,而光能為 hf ,我們可將之等
kT 2hf
效成熱能 hf   T  ,所以一樣會使本質載子濃度增加. 會使此處本質
2 k
載子濃度比其他區域來的高)其他區域. 這時由我們前面所介紹的擴散現象就
會發生:載子濃度高的會往濃度低的擴散. 而當此一情形發生時, 在濃度低的區
域的電子電洞對的乘積就不會再是等於本質載子濃度的平方. 因為此時會有一
些載子從高濃度的地方擴散過來. 所以此時 np ni2 (注意這是在低濃度處), 而
我們一稱這些擴散過來的載子為超量載子(excess carrier), 我們稱這一現象為載
子注入(carrier injection)(這是針對低濃度區域而言). 而我們必須注意到我們所
討論的這一現象是針對同一種半導體, 只是此一半導體在某一處受到能量的激
發,而多出一些載子(此時形同是超量載子), 而這些多出載子也必定是電子—電
洞對的情形出現. 所以超量的電子數一定等於電洞數., 而在受能量激發時的本
質載子濃度為 ni 2 ,假設此一半導體在 未受激發時的電子濃度為 n,電洞濃度為 p

15
例如我們在熱平衡時的本質載子濃度為ni1
而在受外在能量的激發時本質載子濃度為ni 2
未受激發時的電子濃度為n,而電洞濃度為 p
而超量電子數為n 超量電洞數 p
所以
ni22 ( n n )( p p ) np pn np np
 ni21 n( p n ) ( n )2 ni21 p( p n ) ( p )2
ni21 ni21
n n( n ) ( n )2
2
i1
n p( p  ) ( p )2
2
i1
n p
ni21 ni21
n nn( 2 1) ( n )2
2
i1
n pp(1  2 ) ( p )2
2
i1
n p
對於n型半導體 n 2 ni21 對於p型半導體 p 2 ni21
 ni22 ni21 nn ( n )2  ni22 ni21 pp ( p )2
當n Δn時 當p Δp時
ni22 ni21 nn  (6 - 22.1) ni22 ni21 pp (6 22.2)
上面這兩種情形:對於 n 型半導體超量電子濃度遠小摻雜所產生的電子濃度,
對於 p 型半導體超量的電洞濃度遠小於摻雜所產生的電洞濃度時.我們稱此種情
形為低階注入(low level injection). 所以當超量載子注入為低階注入時,(6-22.1)
與(6-22.2)式是成立的.
例如我們知道在 300 K 時矽的本質載子濃度為 1010 carriers/cm3, 而其能隙為
1.12eV,則其在 400 K 時的本質載子濃度為:

16
 5
ni2300 300 3 e 1.12 / 3008.6210 1.12 / 4008.6210 5 1.12 / 3008.6210 5
( ) 5 0 .421875 e
ni2400 400 e 1.12 / 4008.6210
0.421875 e 32.4826 43.3101
0.421875 e -10.8275
0.421875 1.9846 10 5
8.373 10 6
10 20 6 10 20
 8 .373 10  n 2
 6
1.194 10 25
8.373 10
2 i 400
ni 400
此時若N D 1016 , 則n 1016 , p 104
1.194 10 25 1 10 20 n( p n) (n) 2
 1.194 10 25 n 1016 (n) 2
1016  10 32 4(1.194 10 25 )
 n  3.455 1012
2
N D n為少量注入 .
此處雖是少量注入的情形, 但其僅代表在此一半導體中超量電子濃度比起本
來電子濃度低很多, 其並沒有宣告超量的電洞濃度比起原本的電洞濃度低很
多, 反而我們從上例中可以看到超量的電洞濃度比起原本的電洞濃度大很多,
即 p (3.455 1012 ) p (10 4 ) , 所以此時半導體的電洞濃度可以是完全由超
量電洞濃度來決定了.

6-7 載子的產生與再結合(carrier generation and recombination)

前一章中我們己稍為的討論過了, 一半導體的載子變化速率是由載子的產
生速率減掉載子的結合速率, 即:
dp dn
 g Rnp
dt dt
而在己固定摻雜量的半導體在什麼樣的情形下其載子才會對時間而言有變
化? 就上節我們所討論過的, 當半導體受到熱能,或者是受光能的激發,其在
激發之初, 載子的數量是會變化, 但是當此一激發源是固定(對時間與空間),
則在各處的載子數量也是達到平衡而固定.

Fig. 6-14
上圖中分別表現出, 由熱能(a)以及光能(b)的激發. 外部能量的增加會增加電
17
子—電洞對, 但是電子與電洞數量增加會增加再結合的速率, 所以當外加能
量是固定的, 則一定會達到平衡,即增加的速率等於結合的速率. 所以載子的
數量不再有變化. 我們現在來推導當載子數增加時, 其結合率會是增加多少.
首先我們假設未受激發時的自由電子數為 n0
未受激發時的電洞數為 p0
而受激發時所增加的自由電子數 n
而受激發時所增加的電洞數為 p n
未受激發的載子產生率是 g
受激發時的載子產生率是 G
另一假設是未受激發與受激發的載子覆合係數都是 R,這在我們
所介紹的覆合機制而言是一個合理的假設.
所以當一激發源是穩定的, 此一半導體的載子數也會趨於穩定.即
G R( n0 n )( p0 p )
Rn0 p0 Rn( n0 P0 n)
g Rn( n0 P0 n )
 G g Rn( n0 P0 n )  U 
 受激發時所增加的
受激發時所增 載子結合率
加的載子產生率

在平衡時G-g U ,為了與U區別我們定義G-g GL

即GL的意義為受激發時所增加的載子增加率
當為低階注入時n0 n, 且為在n型半導體n0 p0
n p p
 U Rn0 n    (6 23)
1 1 
Rn0 Rn0
1
上式中的 ,而我們來看 U 的意義為何,其為載子結合率的增加量, 即然
Rn0
其為載子結合率,也就是單位時間內結合掉的載子(分母是時間), 而其為增加
量, 為什結合率會增加? 自由載子數增加所導致的嗎, 因而分子是 p (載子的
增加數目). 所以很明顯我們可以看到為何會定義 ,其代表的物理量是時間.
而代表的物理意義是什麼呢?所謂載子覆合率,代表每單位時間有多少電子—
電洞對會結合, 那另外一層意義是這一所需花的時間代表著這些電子—電洞
對會存在多久 , 所以此一時間 的物理意義是電子 —電洞對的生命週期
(lifetime). 而此一電子—電洞對代表的超量電子—電洞對.

18
我們可以使用一個方法來
測量這些超量載子的生命
週期. 如右圖, 我們使用一
穩定的光源照射半導體, 同
時在其兩端接上電源與電
阻,然後量測電阻上的電壓
波形. 其原理為, 當穩定的光源照射半導體時, 因受激發產生較多的載子,所
以電阻值較小, 因而電阻上量測到電壓會比較大. 而當我們將光源關掉時, 其
增加載子的產生機制消失掉了, 但電子—電洞數仍是那麼多, 所以此時的結
合率會大於產生率, 所以電子,電洞數目會減少而減少的速率就是由生命週期
n 來決定, 然後結合率也會隨著減少, 都後達到沒有光源時平衡值.而整個在
示波器上所看到的波形應是如下圖:
照射光源 V(t)

停止照射
Fig. 6-15

我們現在來推導其表示式:
當有光源照射時, 在穩定的情形下 GL(激發時增加的產生率)=U(激發時增加的
結合率), 而由(7-11)可得
p p p0
GL U   , p 代表任意時間下電洞的濃度
 
而載子的變化速率為
光源關掉

dp p p0
G Rnp GL U  U 
dt 
dp(t ) p(t ) p0
 
dt 
 p(t ) p0 Ae t / 
使用邊界值條件, 在t 0時p(0) p0 G L
解出A
A GL
 p(t ) p0 GLn e t / 

-GL e t / 
dp(t ) dp(0)
GL
dt dt
也就是在 t=0 時濃度的斜率為-GL(或-U)
19
6-8 連續方程式(continuity equation)
在前面各節中, 對於載子的運動狀況, 我們是只考慮各種單獨的情形:載子
受場的作用, 載子受濃度梯度的影響, 載子受產生與結合機制的影響.前兩個
是有關於載子的運動方式, 而最後一個則是有關於載子的數量. 現在我們全
部一次考慮進來, 寫出一個方程式. 此一方程式,我們稱為連續方程式.
連續性方程式的觀念是在探討在空間中某一點載子的數量對時間的變化情
形. 我們以一度空間來討論, 如下圖:

Fig. 6-16
我們先只考慮半導體中電子數:
上圖中在 dx 範圍內電子數量的變化是與下列有關係的:
Jn(x)/-q:代表單位時間內流進 dx 範圍內單位面積的電子數
Jn(x+dx)/-q: 代表單位時間內流出 dx 範圍內單位面積的電子數
而 Gn :則代表在此 dx 範圍內一點,單位時間內產生的電子數
Rn: 則代表在此 dx 範圍內一點,單位時間內結合掉的電子數
因而在 dx 範圍內,單位時間內單位面積所增加的電子數是
dn(t )
dx ( J n ( x) J n ( x dx)) / q (Gn Rn )dx
dt
將 Jn(x+dx)取泰勒級數展開式:
dJ ( x)
J n ( x dx) J n ( x)  n dx 
dx
做一次式的近似, 得
dn(t ) 1 dJ n ( x )
 Gn Rn (6 24)
dt q dx
上式就是一維連續方程式,其乃是對電子而言.如對電洞則如下 :
dp(t ) 1 dJ p ( x )
 G p R p (6 25)
dt q dx
現在我們考慮將電流密度以電場以及濃度梯度的表示式代入. 我們以 n 型
半導體為例:
以 nn:代表在 n 型半導體中的電子濃度.
以 Pn:代表在 n 型半導體中的電洞濃度

20
 n :為電子移動率 Dn : 電子擴散係數
p :為電洞移動率 D p : 電洞擴散係數
: 外加電場強度.
所以由(6-24), 以及(6-20)兩式可得
dnn (t ) 1 d dn
 [qnn nqDn n ] Gn Rn
dt q dx dx
d d d2
nn n 
n nn Dn 2 nn Gn Rn
dx dx dx

dpn (t ) 1 d dp
 [qpn pqD p n ] G p R p
dt q dx dx
d d d2
pn p 
p pn D p 2 pn G p R p
dx dx dx
我們再把超量載子的結合率代入:
dnn (t ) 1 d dn
 [qnn nqDn n ] Gn Rn
dt q dx dx
d d d2 n n
nn n  n nn Dn 2 nn Gn  n n 0 (6 26)
dx dx dx n
dpn (t ) 1 d dp
 [qpn pqDp n ] G p R p
dt q dx dx
d d d2 p pn 0
pn p 
p pn D p 2 pn G p  n (6 27)
dx dx dx p

6-9 從半導體的一端穩定的注入載子
我們現在利用連續性方程式來解一個問題,此一問題為從一半導體中某一端
注入穩定的載子數, 如果是少量注入的話, 我們比較有興趣的會是少數載子
的注入(在 n 型半導體電子為多數載子,而電洞為少數載子. 在 p 型半導體中
電洞為多數載子,電子為少數載子)其形式會是如何? 因為對於少量注入的情
形,多數載子感覺上不會有多大的變動,這是因為原本的多數載子數比起注入
的多數載子大很多. 但對於少數載子,其影響就非常的大,因為即使是少量注
入, 其所注入的少數載子數目也會比原本有的少數載子數大很多. 所以一般
注入的探討大多集中在少數載子.一 n 型半導體在其一端照固定光源的光,如
下圖:

21
 7-17
上圖中分成兩種情形,(a)圖敘述的是當半導體塊材的長度相當的長,而(b)圖
則是塊材的長度只有 W 而且在 W 處的少數載子數目必須等於熱平衡時的數目,
陰 pn0 .首先我們使用連續方程式來解(a)的情形.其條件是如此的,一個光源
穩定的照射在半導體的一端,所以其少數載子在各處的分佈情形是不隨時間
p
而變的,因此在連續方程式中 n 0 (代表著少數載子是不隨時間而變的),
t
所以(6-17 式)可以寫成:
d d d2 p pn0
0 pn p 
p pn D p pn G p  n
dx dx dx 2 p
而此時我們注意其在半導體兩端未加電場,所以 0 ,因而上式又可簡化成:
d2 p pn0
Dp pn G p  n 0
dx 2 p
接著我們必須申明,此處所探討的是藉由光照射在半導體的一端,而在此端產
生大量的電子-電洞對(一般對於能量為 3.5eV 的光源,半導體的吸收係數為
106cm-1,也就是光在 100Å 深時其強度衰減為入射光的 1/e),所以在深入半導體
中(大約 500Å)光源就不存在了,而此處我們並不是要討論光源是如何產生電
子-電洞對,而是要討論當在半導體中有一端是有源源不絕,且固定量的載子
數注入一半導體中,此一半導體的載子分佈情形是如何? 在此一情形
下, GP 0 (對應到半導體中無任何的外在激發電子-電洞對的來源)因而上
一式子可以改寫
成: d2 pn pn 0
Dp pn  0 (6 28)
dx 2 p
22
而此一方程式的通解形式為:
x x

DPp DPp
Pn ( x ) Pn0 Ae Be
令 L p  D pp ,其單位為長度,所以我們稱其為擴散長度,所以上式可改寫為
x x

LP LP
Pn ( x ) Pn0 Ae Be
上式中 B 必須為零,因為我們在 x ; Pn () pn0 ,所以整個微分方程式的通
解為:
x

LP
Pn ( x ) Pn0 Ae
將 x 0, Pn ( x ) Pn (0) 代入上式可解得常數 A,所以:
Pn (0) Pn0 A
因而整個少數載子的分佈 Pn (x ) 為:
x

LP
Pn ( x ) Pn0 ( Pn (0) Pn0 )e (6-29)
如此我們便可以看出擴散長度 LP 的物理意義了,它告訴了我們當電洞注入一 n
型半導體,假設此一注入電洞數為 Pn (0) ,則在距此一注入端距離為 LP 處,所剩
的注入電洞數為 Pn (0) 的 1/e. 所以與理論相同, 距注入端 5LP 的距離, 意謂著
我們可以看成注入的電洞都消失不見了. 而這消失不見, 意指的是與電子結
合掉了.
上面所討論的是當半導體的塊材長度很長時(>>5Lp,n)的情形, 此時所對應到
的邊界值條件為是寫為 x ; Pn () pn0 ,但如果我們有一半導體塊材的長
度小於 5 倍的少數載子擴散長度;即假設塊材的長度為 LW,而 Lw<5Lp,n.而當我
們有一邊界條件為 x Lw ; Pn ( Lw ) pn0 (此一情形將在分析 BJT 電晶體的時候
出現,所以此時討論是很有用的), 所以此時的整個微分方程式的解法如下:
x x

LP LP
Pn ( x ) Pn0 Ae Be :這是通解
代入邊界條件: x Lw ; Pn ( Lw ) pn0 , x 0 : Pn ( x ) Pn (0) 解常數 A 與 B
Pn (0) Pn0 A B (1)
 L
 w Lw
Ae LP Be LP 0  ( 2)

由(2)式可得
2 Lw
Lp
A Be  ( 3)
將之代入(1)式得

23
 L
w
LP
P (0) Pn0 ( Pn (0) Pn0 )e
B n 
2 Lw L Lw
w
LP LP LP
1 e (e e )
將之代入(3)式得
Lw
LP
( P (0) Pn0 )e
A  n
L Lw
w
LP LP
(e e )
所以
Lw L
x w x
LP  LP
( P (0) Pn0 )e LP ( P (0) Pn0 )e LP
Pn ( x ) Pn0  n e  n e
L Lw L Lw
w w
LP LP LP LP
(e e ) (e e )
Lw x L x
w
( P (0) Pn0 )
 n [e LP e LP
]
L Lw
w
LP LP
(e e )
e x e x
由 sinh x  ,可將上式改寫為
2
( P (0) Pn0 ) L x
Pn ( x ) Pn0  n [2 sinh( w )]
Lw LP
2 sinh( )
LP
L x
sinh( w )
LP
 Pn ( x ) Pn0 ( Pn (0) Pn0 )
L
sinh( w )
LP

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練習題解答:
n
練習題: 對一半導體, 電子電洞移動率的比值對雜質濃度而言是個常數 b  , 求
p
出最大電阻率ρm(以純質電阻率ρi 和移動率比值 b 來表示).
1 1 1 1 1
解答: 由   
q(nn pp ) q (bn p ) p q bni2
( p ) p
p
對 p 做微分, 以求ρ的極值,
bn 2
(1  i )
d 1 p2 1 1
 0  p  b ni  m 
dp qp bni2 2 2qp b ni
( p )
p
而本質半導體時
1 1
i   qni p 
q (1 b)ni p i (1 b)
1 (1 b)
m   i 答案
2 b (qni p ) 2 b

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