物理專文
太陽能發電簡介
文/鄭名山
1. 前言
太陽能源是取之不盡，用之不竭的能源。太陽照
射到地球上一天的能源，就足夠全人類一年的使用
量。再生能源中的風能與生質能，也是仰賴太陽能
源，因為風的起源來自於地球受太陽加熱後大氣密度
之變化；而生質能更不用多說，所有的作物生長都依
靠太陽能。可以說太陽是人類與地球生生不息的能源
根本，因此大部分的學者都預期，太陽能將是 21 世
紀下半人類仰賴的主要能源。
本文簡介各種利用太陽能來發電的方法，包括熱
能發電與光電二大類。前者收集太陽能量轉換為熱
能，再利用熱能推動輪機或熱機來發電，後者則將光
子能量直接轉換為電能。雖然不論是哪一種方法，目
前的發電成本都遠高於傳統燃燒化石燃料發電的成
本，但是人類社會正面臨氣候變遷與能源危機等等問
題，發展太陽能利用是一條必走的道路，因此世界各
國無不大力支持相關研發。以下先介紹太陽熱能發
電，包括各種集光裝置的使用；之後再介紹太陽光
電，包括半導體光電原理與各類型的太陽光電材料。
2. 太陽熱能發電
太陽熱能發電是利用太陽能來加熱工作流體，再
利用工作流體推動熱機來發電。由熱力學第二定律可
以知道，熱機的發電效率與工作流體溫度有關，簡言
之，溫度差愈高，熱機的發電效率越好。因此要達到
高效率發電，必須將工作流體加熱到高溫，此時就需
要集光(聚光)裝置。集光裝置是利用透鏡或反射鏡等
鄭名山
工業研究院能源與環境研究所正研究員
E-mail: msjeng@itri.org.tw
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物理雙月刊(廿九卷三期) 2007 年六月
光學元件，將大面
積的太陽能集中到
一個小面積上，以
提高光的能量密
度。太陽能為一種
低密度的能源，即
使在中午最強的日照條件下，地表附近的太陽輻射能
量也大約只有 1000watt/m2，利用集光裝置可以將能
量集中，有效地提高溫度。集光比越高，加熱溫度就
越高。依據集光裝置的不同，太陽熱能發電可以分為
(1)中央集熱塔型；
(2)槽線集熱型；
(3)碟盤集熱型；與
(4)熱煙囪型。
2-1 中央集熱塔型
中央集熱塔型是在範圍很大的集熱場設置高
塔，在集熱場內排列數千枚平面鏡。將太陽光反射到
塔頂的熱吸收器。熱吸收器把所收集的光能量變換成
熱能量，讓工作流體吸收，之後再被引導到設置在塔
下部的渦輪機發電裝置來發電。
由於地球自轉及公轉因素，太陽與地表面之角度
會隨時間不斷的改變。為了使反射鏡始終能將太陽光
反射聚焦於吸收面上，因而必須不斷的調整反射面角
度，此即所謂「追日」。追日機構、平面鏡以及支持
框，全體總括稱為自動反射鏡(heliostats)。這種自動
反射鏡在一個設備中，例如 10MW 級的發電系統，
就需要 3000~4000 個，此鏡的大小為一邊是 3~7m 的
正方形。考量成本與反射效率，常用鋁製的鏡片。圖
1 是集中塔發電的外觀實體照片。此種發電方式整體
的發電效率大約為 15~18%。
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圖 1 中央塔集光發電照片[1]
2-2 槽線集熱型
槽線集熱型為目前唯一已商業化運轉的太陽熱
能發電廠型式，位於美國加州南部 LUZ 公司完成若
干座電廠，並加入愛迪生電力公司的發電行列。槽線
集熱器利用拋物鏡的光學原理，也就是所有平行於鏡
軸的入射光經過拋物鏡反射後會聚焦在拋物鏡焦點
上。槽線集熱器將太陽輻射能聚焦為線型，如圖 2 所
示，也就是僅做二維的聚焦，而非三維的聚焦；換言
之，將線槽做南北向排列，追日時僅需要做東西向的
旋轉。使用單軸追日的優點，是反射鏡機械控制容易
及結構穩定性佳，成本也低。但由於聚光成為線形，
聚光效率比較低，所能獲得之熱能溫度低。焦點上的
線槽是熱吸收管，用來加熱合成油，在加州的發電系
統當中，吸收管中的油類可被加熱至 400℃，然後再
利用熱交換器，將熱油的熱量產生高壓高溫的蒸汽，
以推動蒸汽渦輪機發電。這種系統的太陽能發電效率
約在 15%左右，圖 3 是槽線型發電系統的實體照片。
圖 2 槽線集熱器之拋物鏡反射聚光示意圖
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圖 3 槽線型發電廠實體照片[2]
2-3 碟盤集熱型
上述的中央塔型與槽線型發電廠都是較大型的
設備，太陽熱能發電也有較小的系統。例如碟式拋物
線反射鏡搭配史特靈熱機，將陽光聚焦在碟型拋物線
鏡的焦點(聚焦在一點上，槽線型則為聚焦在一條線
上)，加熱史特靈機來發電。這種系統常見的是
25kW-40kW 的規格。史特靈循環是熱力學上的理想
循環，理論效率比起汽渦輪機的阮金(Rankine)循環要
高，而碟型拋物鏡的三維聚焦方式可以達到很高的聚
光比，加熱溫度較高，因此這一種系統的發電效率較
高，實際測試可達 29%以上。但是因為是三維聚焦，
需要雙軸追日系統，機構設計較為複雜。由於效率
高，此種系統的發電成本有機會降低，美國加州目前
已有計畫要安裝數千套這樣的碟型系統，建立試驗電
廠。圖 4 是碟型集熱器搭配史特靈機的實體照片。
圖 4 太陽集光史特靈機的實體照片[3]

2-4 熱煙囪型
另外一種太陽熱能發電系統稱為太陽煙囪(solar
chimney)，如圖 5 所示。它的工作原理很簡單—對流
原理，即熱空氣向上升，冷空氣往下降。太陽光加熱
直徑約 1.5 公里的玻璃屋，使它形成類似溫室的功
能，此玻璃屋邊緣約 3 公尺高，逐漸延伸到高塔基座
周圍為 25 公尺高，太陽能加熱玻璃屋內的空氣，進
入高塔後變成一股上升氣流，通過塔身內安裝的渦輪
機轉動發電。此系統到了晚上依然可以工作，白天積
聚在玻璃屋地表附近熱能儲存單元中的熱能，此時開
始釋放出來，繼續推動渦輪旋轉。
圖 5 太陽煙囪發電系統照片[4]
一般說來，太陽熱能發電的成本低於太陽光電，
但仍然高於傳統發電成本 2~3 倍以上。此外，最不利
的一點是，除了太陽煙囪之外，以上所有的太陽熱能
系統都需要集光追日裝置，它們只能利用平行入射直
達聚光鏡的太陽光。經過雲層或是其他物體散射後的
太陽光(稱做漫射光)到達反射聚光鏡時，由於並非平
行於鏡軸，因此無法被反射聚焦在焦點上，換言之，
太陽漫射光能量是無法被利用的。台灣的地理位置雖
然日照能量尚稱充足，但是多雲多霧，因此幾乎有一
半的太陽能量是漫射光，這是台灣發展太陽熱能發電
最不利的地方。
3. 太陽光電
太陽光電(photovoltaic, 簡稱 PV)是利用半導體
固態材料，將光子能量直接轉換為電能，這是目前最
為人所熟知的太陽能發電方法。太陽光電池的種類很
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多，依照材料的不同，可分為矽晶、非晶矽、III-V
族、CIGS、CdTe、有機材料等等。要了解太陽光電
的原理，首先必須了解固態物理中的半導體特性與電
子傳遞現象。
3-1 基本概念
圖 6 是一典型的半導體能態示意圖。這張圖中有
幾個重點，首先是電子的能量狀態僅能處在價帶或導
帶，二者之間稱做禁帶，導帶邊緣與價帶邊緣的能量
差異稱做能隙(energy gap)。當入射光子的能量大於能
隙時，電子就可以吸收光子能量，由價帶躍遷至導
帶，電子的能量提升值等於光子的能量，此時在價電
中會留下一個電洞，也就是電子的空缺。導帶中的電
子可以自由傳遞，但在傳遞過程中會遭遇各種散射與
碰撞損失，很快地導帶電子的能量會降低至導帶邊緣
附近，這些傳遞損失大部分轉換為熱量損失。
導帶
傳遞損失
電
子
光子能量 hv 能
能隙 (Eg) 禁帶 量
增
加
價帶
圖 6 半導體的電子能態與光子吸收示意圖
光子的能量等於 hν，其中 h 是普蘭克(Planck’s
constant)，ν 是光的頻率相當於光速除以光波長。光
子的能量以電子伏特(eV)作為能量單位時，光子的能
量與波長的關係可表示為 1240/λ(nm)。例如光波長為
600 nm 時，每個光子則帶有 1240/600 ≒ 2.07eV 的能
量。太陽光譜中可見光的波長約在 400 nm 至 800 nm
之間，也就是光子能量約在 3.1 eV 到 1.55 eV 之間，
大於 3.1 eV 的紫外光僅佔太陽光能量約 5% 左右，其
餘均為可見光與紅外線。結晶矽的能隙約 1.1 eV，因
此，可以吸收波長小於 1127 nm 的光，涵蓋一部分紅
外線與所有的可見光與紫外線。
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即使在未吸收光子的情況下，也會有少部分價帶 正電荷，同理在 P 型中電洞數目較多，電洞從 P 型擴

電子受熱能影響躍遷至導電，這種半導體稱做本質半
導體(intrinsic semiconductor)。本質半導體的電子電洞
數目有限，因此導電能力有限，此時可以摻入一些雜
質元素，增加電子電洞數目，稱做摻雜半導體。如圖
7(a)所示，本質矽為第四族元素，帶有四個價電子。
若在本質矽中加入第五族原子，像磷、砷或銻等，這
些原子帶 5 個價電子，其中的 4 個價電子會與周圍的
矽原子形成共價鍵，剩下的一個電子就易形成自由電
子而容易受外力離開，使摻雜原子成為帶正電。圖 7(a)
稱做 N 型半導體。也可以在本質矽中摻入第三族元
素，製作 P 型半導體，如圖 7(b)所示。在純矽中摻雜
入第三族原子，如硼、鋁等，與矽結合後會少一個電
子結合，因此留下一電洞空穴，當電洞被電子佔據
時，摻雜原子本身就多一個電子成為帶負電。
Si Si
散至 N 型半導體中，而在接合面附近之摻雜原子因缺
電洞而帶負電荷(也可說成是電子移入使電洞消失)，
擴散的電子和電洞會在接面處附近復合，僅留下兩側
分別帶正電與負電的摻雜原子，形成所謂的空乏區
(depletion zone)。
空乏區域中的正負電荷(space charge)形成由 N 指
向 P 的空間電場(space field)，會阻擋電子和電洞的繼
續擴散。P-N 接面就是一個最簡單的太陽光電裝置，
半導體吸收光子後產生電子電洞對，而後在空間電場
的作用下，帶負電的電子向 N 型半導體移動，電洞則
向 P 型移動，在適當的地方接上電極將電子導出，就
形成電池的作用。注意空間電場在此處扮演的重要角
色 ， 電 子 電 洞 必 須 仰 賴 空 間 電 場 來 分 離 (charge
separation)，如果沒有分離的機制，電子電洞很容易
再結合(recombination)，若如此則就沒有電池的效用
了。
Si Si Si Si

共價鍵 共價鍵 太陽電池的效率與材料能隙有絕對的關係，以下

Si P Si Si B Si
以一個簡化的物理圖像來說明。參考圖 6，當入射的
電洞

光子能量大於能隙(Eg)時，可被半導體材料吸收產生
自由電子

電子電洞對，但不論入射光子能量多高，最終所能獲
(a) (b)
圖 7 本質半導體矽的摻雜；(a)摻雜五價的磷原子形成額外
得的電能只有 Eg 左右，其餘的能量都在傳遞過程損
的自由電子，稱做 N 型半導體；(b)摻雜 3 價的硼形成電洞， 失。換言之，如果能隙越高，這些損失的能量就越小。
稱做 P 型半導體。
但是能隙過高，則因無法吸收太陽光譜中低能量的光

p 接面 n
子，整體光電效率也會下降。對單一接面的太陽電
池，因此有一最恰當的 Eg 值，可以使太陽電池的效
- - - - + + + +
率最佳。反過來說，如果給定一個 Eg 值，也可以經
- - - - + + + +
空間電場 由理論計算找出一個最大可能的效率值，此稱為理論
- - - - + + + +
最高效率。

電洞 受體離子 -Wp 0 Wn 施體離子 電子

以上的說明其實是一個相當簡化的物理圖像，實
際的狀況要複雜的多，但是這個簡化的物理圖像可以
空乏區域 W
協助我們了解能隙對太陽電池效率的重要性。理論最
圖 8 P-N 接面的空乏區與空間電場。
高效率可以由熱力學定律來推導，以矽晶而言，能隙
約為 1.1 eV，則單接面的矽晶電池理論最高效率因此
將 P 型與 N 型半導體接合在一起時，稱為二極體
僅有 35% 左右。這表示即使有一個完美的材料，由
(diode)，對照圖 8。在 N 型半導體中，電子數目較 P
於上述的傳遞損失，物理上的限制也會使得效率僅能
型半導體多，不均勻濃度的分佈使電子從 N 型向 P
達到 35%。這個限制可以使用「堆疊(tandem Cell)」
型區擴散，靠近接面附近的摻雜原子因此缺電子而帶

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或是「多接面(multi-junction)」的技巧來改善。將二
種不同能隙的材料堆疊起來，太陽光先經過高能隙材
料，高能光子先被吸收，未被吸收的低能光子到達下
一個材料，由於能隙較低可以被吸收。如此，可以提
高太陽光的吸收，同時高能量的光子由較高能隙的材
料吸收，因此降低傳遞損失，提升效率。
3-2 矽晶太陽電池
矽是地球上含量第二多的元素，矽製程已被廣泛
地使用在半導體工業上，矽晶圓的生產供應已是成熟
技術。加上矽的能隙適合吸收太陽光主要的光譜強度
分佈，這些因素讓矽晶太陽電池成為目前使用最廣泛
的太陽電池。一般單晶矽或多晶矽太陽電池的構造包
含下列幾層：(1)外部電極(conducting grid)；(2)抗反射
層(anti-reflective layer)；(3)薄層 N 型矽與基材 P 型
矽；(4)內部電極(back contact electrode)。圖 9 是構造
示意圖(有時最上面為抗反射層，其次才是外部電
極，端看各製程流程設計而定)。
外部電極之Finger型
外部電極之BusBar型
抗反射層
n層
p層
電流的面積，而其細小的枝節又可防止大部份電
池面積被遮住。BusBar 如同樹木的主幹，將各處
Finger 傳導來的電流匯出至外部負載，設計的較
粗，使得電阻較小。
(2) 抗反射層：矽晶的表面呈亮黑灰色，如同一面黑
色的鏡子，可反射 30%以上的入射光，若直接用
於太陽電池，意謂著就損失了 30%以上的陽光能
量進入，抗反射層的目的在減少這些損失，現在
的技術可使反射率降至 2%以下。
(3) N 型與 P 型層：如前所述，這是太陽電池的主要
部份，負責光子的吸收，以及製造空間電場讓電
子電洞分離。
(4) 內部電極：內部電極的形狀要求較外部電極簡單
得多，因為不須透光，直接以大面積的鍍膜或網
印鋁、鈦或銀膠膜再加熱，使通路可順利導電即
可。
商 業化的 矽晶 電池可 分為 單晶矽 與多 晶矽 二
種，實測效率值約在 12%~17%左右，是目前太陽能
電池市場的主力。以現在的售價計算發電成本，每度
電約為新台幣 15~20 元，是傳統電廠的 10 倍以上。
降低發電成本有二大要素：一為增進太陽能轉換效
率，一為降低造價。但是受限於理論效率低，不可能
大幅度地再提升矽晶電池效率。因此降低矽晶圓造價
是目前主要的努力方向，將矽晶圓薄型化(由目前的
250 µm 降低至 180~150 µm)即是一例。但是無論如
何，單憑矽晶技術改進是不可能將發電成本降低至傳
統電廠發電成本，因此，新技術與新材料的開發是太

內部電極 陽電池發展的重要課題。

圖 9 典型的晶矽太陽電池構造
3-3 非晶矽薄膜電池
非晶矽(amorphous silicon)太陽電池是除結晶矽
結晶矽太陽電池各部份構件簡要說明如下：
太陽電池外，量產販售最多的電池。但目前它的效率
(1) 外部電極：外部電極一般使用 Ni, Ag, Al, Cu, Pd
較低，約為 10%~11%左右，此外還有照光衰退問題，
等金屬搭配，為了防止遮住入射的太陽光，在形
因此實際使用效率約只有 8%。非晶矽具有直接能隙
狀排列的設計上就相當重要，該電極必須要夠
(direct band gap)，也就是電子自價帶躍升至導帶的過
厚，以利傳導電流，但是又要面積小，以防止遮
程不需伴隨聲子(phonon)的動量，因此吸收係數極
蔭。形狀分為兩部份：BusBar 及 Finger 形。Finger
大。相對於矽晶的非直接能帶(indirect band gap)，電
如同樹木的分枝散佈到電池表面各處以增加接收

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子躍遷必須伴隨適當的聲子動量，因此吸收係數小。 濃度，幾乎為中性，厚度約 500~1000nm)，作為

對矽晶太陽電池而言，要將入射的陽光完全有效的吸 光產生電子─電洞對之主要區域，上下方的 P 層
收，材料的厚度大約要在 100 微米量級；但對直接能 與 N 層在 I 層中形成強大的空間電場，造成電子
隙的材料來說，材料厚度只需要 1 微米量級。由於厚 電洞分離。
度極薄，因此常稱非晶矽電池為「薄膜型太陽電池 (2) 穿隧接面─相鄰的 P-I-N 層接合處有穿隧接面
(thin-film solar cell)」。 (tunnel junction)，低能階的電子雖無法跨過 N-P
非 晶 矽 的 製 作 ， 多 半 使 用 PECVD (plasma 間之能障，但能障距離很短，電子穿隧效應產生
enhanced CVD)法，利用通入 SiH4 氣體，在基材上長 使得電子在低能階可跳過高能障與另一側之低能
出一層非晶矽。在製程上，已較結晶矽省去了長晶、 階電洞復合，而形成整體電流。
切晶、退火等加工製程，且不用和半導體工業爭奪矽 (3) 金屬層─利用高反射的鋁鍍膜於基材上，可同時
晶原料，因此大幅降低成本及原料供應問題，且可鍍 具有導電之電極功能及作為光反射層，使得穿透
膜於軟性基材或玻璃上，以應用於建築整合或戶外可 吸收層的光再一次反射回吸收層而增加吸收的機
攜式器具上。非晶矽其實是帶有許多 H 鍵結或是空鍵 會，以提高效率，此技術稱為”BSR” (back surface
結的非晶形結構，故在表示非晶矽太陽電池時，常寫 reflection)。
成 a-Si:H。 (4) TCO 層(transparent conducting oxide layer)─作為
非晶矽電池常做成堆疊型，典型的電池結構示意 可高度透光的電極層，技術己相當成熟的 ITO
如圖 10，說明如下： (Indium Tin Oxide)、氧化鋅等導電膜均可利用，
直接將玻璃鍍 TCO 膜，可同時具有保護太陽電池
金屬 與導電的功能。
n層

i層 a-SiGe(H) 3-4 III-V 族太陽電池

p+層 Tunnel
III-V 族半導體的能隙也是直接能隙，因此理論
n層 junction 上 III-V 族太陽電池使用的材料重量比矽晶少，厚度

i層 也較薄。對電子與電洞的傳遞來說，比較薄的材料表
a-Si(H)
示僅需要傳遞較短的距離就可以到達電極，只要材料
p+層 Tunnel
n層 junction 的晶格沒有太多缺陷，自然損失較小，電池效率高。

i層 a-SiC(H) III-V 族太陽電池的另一個特點是可以調配出不同能

隙的材料，而這些材料的晶格尺寸相近，因此可以製
p+層
玻璃(內含TCO)
造堆疊型的太陽電池。
一個典型的堆疊型 III-V 族太陽電池構造如圖 11
所示。最上面是抗反射層，然後是正面電極，頂層元
入射光
件為高能隙 GaInP，之後是穿隧接面，再來是低能隙
圖 10 三重堆疊非晶矽太陽電池結構 底層元件 GaAs，最後是 Ge 基板與背面電極。GaInP
的晶格常數(lattice constant，也就是晶格尺寸)可藉由
(1) 主體部份─有別於傳統 P-N 接合，改使用 P-I-N 調整 In 與 Ga 的比例來變化，當 Ga 與 In 大約是 1:1
接合，在 P 層(極薄，約 8nm)與 N 層(厚度約 20nm) 時，晶格常數非常接近 GaAs 的晶格，因此這二種材
中間加入 I 層(intrinsic layer，含極少的 n 型雜質 料可以配合的非常好，接面處的應力與缺陷都可降到

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最低，有利於電子傳遞。此外，Tandem Cell 的理論 地面使用 III-V 太陽電池可能還有一個問題是各種元

效率與上下層元件的能隙搭配有絕對關係，GaInP 與 素的存量是否足夠大規模的能源使用，例如 In 與 Ge
GaAs 的能隙搭配也相當適合，理論效率極高。 這些稀有元素，此點也是迄今無法解答的。
目前商業化的 III-V 族太陽電池幾乎都使用有機
金屬化學氣相沉積(MOCVD)製程，也有設備商提供 3-5 Cu(InGa)Se2 與 CdTe 薄膜太陽電池
大型的製程機台適合太陽電池製程使用。製程通常是 Cu(InGa)Se2 太陽電池在 70 年代由貝爾實驗室發
使用氫氣作為承載氣體(carrier gas)，反應物包括 TMG 展，剛開始是使用 CuInSe2，後來發現以一部分 Ga
(Trimethylgallium) TM (trimethylindum) 、 arsine 、 取代 In 可以提高能隙，進而提升電池性能。因此目
phosphine；半導體參雜 N 型常用 Se、Si，使用的反 前通用的化合物為 Cu(InGa)Se2，簡稱 CIS 或 CIGS
應物分別為 H2Se、Si2H6；P 型常用 Zn、C 等，使用 太陽電池。Cu(InGa)Se2 的能隙可以由 Ga 與 In 的相
的反應物分別為 DEZ (diethylzinc)、CCl4。MOCVD 對比例來調整，CuInSe2 為 1.02 eV，加入 Ga 後可提
的製程繁複，控制困難，使用危險氣體的成本昂貴， 高至 1.1-1.2 eV。
且需要嚴密的安全控制，這是造成 III-V 族太陽電池 CIGS 太陽電池從很早就被視為具有潛力的低成
價格昂貴的主因。 本太陽電池，它有以下幾個特點：(1)在各類薄膜電池
技術中，相對效率較高，目前小面積元件效率已可達
正面電極
抗反射層
19%，大面積的模組效率已達 13%；(2)它的製程可以
使用低成本大面積的化學沉積方法；(3)其在室外長期
使用的穩定性已被證實；(4)同時它對高強度輻射的抵
n /p G aIn P 頂 層 元 件
E g = 1 .8 5 eV 抗力優於矽晶電池；(5)重量又輕(因為只需要微米等

p /n T u n n el Ju n ctio n 級的厚度)，因此也適合太空使用；(6)它又可以使用
撓性基板製作，用途廣泛。
n /p G aA s 底 層 元 件 正面電極
E g= 1 .4 2 eV

G aA s或 G e基 板
H R -ZnO /n+-ZnO (0.5μ m )
A u背 面 電 極

C dS (0.05μ m)
圖 11 典型的多接面 III-V 族太陽電池構造圖，基板可用
GaAs 或 Ge，若使用 Ge 為基板，可以在基板再作第三個接
面，將電壓值與效率繼續提昇。本圖並未按比例繪製。 C u(InG a)Se2 (2μ m)

前面已提過，太陽電池效率與材料能隙有絕對關
M o (0.5μ m)
係，以 GaInP/GaAs 的能隙來計算最佳理論效率約為 玻璃基板

45%。目前在實驗室已經達到這個理論值的 80%以
圖 12 CIGS 電池的基本構造
上，同時還在持續進步中。III-V 族太陽電池至今仍是
太空用太陽電池的主力，但是在地面的能源使用是否
典型的 CIGS 電池結構如圖 12 所示。玻璃基板上
具有經濟上的可行性，仍不明朗。由近幾年的發展趨
濺鍍一層約 0.5 µm 厚度的鉬金屬(Mo)作為背面電
勢來看，主要的地面太陽電池都是矽晶系列。但是
極，然後沉積 P 型的 Cu(InGa)Se2，之上再沉積一層
III-V 族高成本的製程與材料可以用高倍數聚光降低
極薄(50 nm)的 N 型 CdS，以形成 p-n 接面，最後再加
太陽電池面積來彌補，未來的發展其實仍有變數。在
上 ZnO 作為透明導電層。在 ZnO 與 CdS 之間有時也

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會加上一層高阻抗(HR)的 ZnO(HR-ZnO)作為緩衝 同。CdTe 電池已有商業化量產品，但作為大規模的

層，目的是消除一些不均勻的電性區域所造成的負面 能源供應仍然有一些問題要克服。首先是長時間戶外
影響，如沉積過程中不完美，造成大面積的電池上有 使用的穩定性仍然有待驗證，其次是鎘金屬的污染問
一些區域的電性較差，或是有針孔，這些影響可藉由 題。未來的研發方向將是進一步降低成本，如果成本
緩衝層的作用減輕。 夠低，則 CdTe 電池在一些小規模民生用途上仍然有
但是大規模的使用 CIGS 電池仍有一些問題要克 前景。
服，首先是 Cd 的污染問題，因此不需使用 CdS 的電
池將是未來開發重點之一。另一個問題是內含 Ga、 3-6 染料敏化太陽電池
In、Se 等稀有元素，大大限制了大規模使用 CIGS 電 染料敏化太陽電池(dye-sensitized solar cell，簡稱
池的可能。有一些研究嘗試以不同的元素取代這些稀 DSSC)的構造可參考圖 14。由左至右來說明，分別是
有元素，例如 Cu(InAl)Se2，已經達到不錯的效率。 透明導電玻璃上沉積奈米氧化物化半導體微粒(通常
CdTe 則屬於 II-VI 族半導體，直接能隙約為 為 TiO2)，在半導體表面吸附一層染料高分子作為敏
1.5eV，以單一接面電池來說，這個能隙值的理論效 化劑(sensitizer)，之後是電解質與對面電極。電池作
5
率很高。它具有極高的吸收係數(大於 5x10 /cm)，以 動的原理可以描述如下，首先入射光子激發染料分子
吸收係數換算，膜厚 2 微米的 CdTe 即可吸收 99%波 中 的 電 子 由 HOMO(Highest Occupied Molecular
長在 825nm 以下的太陽光子，因此也可被歸類為薄膜 Orbital)躍升至 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular
電池。CdTe 太陽電池自 1960 年代就開始發展，目前 Orbital)，這種情況有點類似半導體中電子由價帶躍升
最佳的元件效率可達 17%，製程也已商業化。 至導帶；染料分子呈現激發態，同時電子注入
(injection)TiO2 的導帶。這個注入的過程相當快速，是
正面電極
染料敏化電池成功的關鍵之一。注入 TiO2 導帶的電
Secondary Contact 子擴散傳遞到 TCO 電極，導至外部迴路。另一方面，
Primary Contact
電解液中存在氧化還原對(通常是 I-/I3-)，其中的 I-將
電子傳遞給激發態的染料分子，讓染料分子還原成為
p型CdTe
基態，I-則氧化成為 I3-，然後擴散到對面的白金電極，
藉由外部迴路傳入電子再還原成 I-。還原後的 I-則再
次擴散到染料附近，如此持續作動。
n型CdS
高阻抗層(High resistance Oxide)
TCO
玻璃基板

入射光

圖 13 典型的 CdTe 電池構造。

典型的 CdTe 電池結構如圖 13 所示。雖然 CdTe

本身可以摻雜成 N 型或 P 型半導體，目前的應用都是
P 型 CdTe 搭配 N 型 CdS 形成 p-n 接面。製程上的順
圖 14 染料敏化太陽電池的作動原理
序是先沉積 CdS，再沉積 CdTe，此點與 CIGS 電池不

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物理雙月刊(廿九卷三期) 2007 年六月


由以上簡要的說明，可以了解染料敏化電池的工
作原理，與之前所介紹的無機半導體電池是相當不同
的。首先是光子吸收與傳遞的介質不同，染料分子負
責吸收光子，半導體(TiO2)本身並不吸收光子，因為
氧化物半導體的能隙過大，吸收的光子非常有限。此
處將染料稱為敏化劑(sensitizer)，意思就是原本高能
隙而不吸收光子的半導體，通過這些染料分子的作
用，達到吸收光子的目的。無機半導體光電池中，吸
收光子的就是半導體，而電子的傳遞也依靠半導體。
其次 DSSC 中的接面是所謂的分散式接面概念
(distributed junction)，與無機半導體的 P-N 接面不
同。在無機半導體中，光子激發產生電子電洞對後，
電荷的分離是藉由 P-N 接面的空間電荷(space charge)
所製造的電場；但在 DSSC 中，TiO2 的顆粒極小
(10-30nm)，吸附的分子為單分子層，電荷的分離主要
是依靠電子由染料向半導體的快速轉移(fast electron
transfer)，這個轉移的過程大約只需要 50×10-15 秒。形
成快速轉移的機制是因為分子軌域的電子波函數與
TiO2 導帶的電子波函數造成耦合現象，詳細的傳遞過
程可以由量子力學的方法計算。
此外，一部份的研究也指出，電解液中的陽離子
+ + - -
(如 Li 與 H )吸附在 TiO2 表面，與陰離子(I /I3 或染料
的分子團)形成雙極子(dipole)，造成的電場也有助於
電荷分離。電子進入 TiO2 導帶後，藉由擴散傳遞。
此處與無機半導體電池的不同是，因為沒有電洞存
在，除了一些缺陷與表面態之外，基本上沒有電子電
洞再結合的問題，電子的生命時間(life time)很長。雖
然 TiO2 中電子的擴散係數極低，同時不像 P-N 接面
電池一樣有空間電場的作用，對電子的傳遞不利，但
是由於生命時間長，因此擴散長度也可以達到 30 微
米左右。
DSSC 中 TiO2 層是由奈米顆粒聚集而成，形成多
孔性的結構，比表面積可達到 1000 倍，也就是 1 平
方公分的電池面積含有 1000 平方公分的 TiO2 表面
積，染料分子再吸附在 TiO2 表面形成單分子層。一
般 TiO2 僅需要 10 微米左右厚度，吸附的染料就足夠
吸收絕大部分能量恰當的入射光子。
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物理雙月刊(廿九卷三期) 2007 年六月
物理專文
染料敏化電池自 90 年代初期開始有長足的進
步，由瑞士的 Gratzel 教授領導的團隊，首先發表了
高效率的 DSSC。他們合成以 Ru 金屬為核心的一系
列染料分子，與 TiO2 電極有極好的搭配，目前的紀
錄小面積元件效率已經達到 11%。染料敏化電池的製
程簡便，材料便宜，有機會大幅降低太陽電池成本，
這是它近年來相當受到矚目的主因。
4. 結語
人類對太陽能的使用還處在相當初期的階段，現
在的人們實在無法預測未來的太陽能應用會以何種
形式呈現。由於太陽能的間歇性，大規模的太陽能利
用還牽涉到能量的儲存問題，因此發展大容量的電池
或是利用氫能源來儲存能量都將是未來趨勢。也有科
學家提出在太空中建造太陽能站，發電後再以微波方
式傳送回地表的接收站；如此可以解決太陽能不穩定
與間歇性的問題。
以現在的科技來比較，位於有充足直達日照的地
區，大型太陽熱能發電的成本其實遠低於太陽光電。
但這並不表示太陽熱能發電的利用會多於太陽光
電，至今實際情況正好相反。原因是太陽光電的便利
性(不需維護)，以及與建築物整合的可能，鼓勵了人
們使用。雖然如此，現有的太陽光電實在是太過昂
貴，缺乏經濟誘因。
近幾年太陽光電市場風起雲湧，主因是德國、日
本與美國加州政府的大力補助。一但補助不存在，市
場是否仍能維持是一大隱憂。然而不論如何，人類使
用太陽能發電的腳步必須持續下去，我們需要持續研
發，尋求科技上重大的突破，以期能大幅降低發電成
本。近年來奈米科技的進步，提供了新的契機，染料
敏化太陽電池就是一例。由近年奈米科技應用在太陽
光電的進展來看，可預期未來奈米科技將扮演重要的
角色。
參考文獻
[1]http://www.sandia.gov/Renewable_Energy/solarther
mal /images/tower-e.jpg
 物理專文

[2]http://www.nrel.gov/data/pix/Jpegs/00033.jpg Energy Engineering 127 (1): 117-124.

[3]http://www.stirlingenergy.com/news.asp?Type=stirling
[4]Schlaich J, Bergermann R, Schiel W, Weinrebe G
(2005). "Design of Commercial Solar Updraft Tower
Systems—Utilization of Solar Induced Convective
Flows for Power Generation". Journal of Solar
[5] 本文與太陽光電相關之說明可參考 “Handbook of
Photovoltaic Science and Engineering”, Ed. by
Antonio Luque and Steven Hegedus, John Wiley &
Sons, 2003.

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