UNIVERSIDAD DE OVIEDO – ÁREA DE TECNOLOGÍA ELECTRÓNICA

TRANSISTORES (Panorámica)

NPN
Bipolares
(BJT) PNP

Canal N (JFET-N)
Transistores Unión
Canal P (JFET-P)

Efecto de
campo
(FET) Metal-óxido- Canal N (MOSFET-N)
semiconductor
(MOS) Canal P (MOSFET-P)

* BJT : Bipolar Junction Transistor

* FET : Field Effect Transistor

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Ideas previas: ¿PARA QUÉ SIRVE UN TRANSISTOR?

CIRCUITO DE CONTROL CIRCUITO DE POTENCIA
- Potencia baja - Potencia media o alta
- Corrientes pequeñas - Corrientes grandes
- Tensiones pequeñas - Tensiones iguales o mayores
Ej.: salidas de un computador Ej.: lámparas, calefacciones,
todo tipo de actuadores

Entrada Salida

ELEMENTO AMPLIFICADOR DE POTENCIA

- Permite controlar el circuito de potencia desde el circuito de control
- Típico: basado en un transistor

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EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT): DOS UNIONES PN

Transistor bipolar NPN Transistor bipolar PNP

Colector (C) Colector (C)

C C
N P
B Base B Base
(B) P (B) N
N P
E E
Emisor (E) Emisor (E)

C ¡¡OJO¡¡ Para que funcionen como

transistores (efecto transistor) y no C
como la unión de dos diodos:
N-
_ La base debe ser muy estrecha P-
P N+ _ El emisor debe estar muy dopado N P+
_ Normalmente el colector está
B E poco dopado y es mucho mayor. B E

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El efecto transistor (aplicado al NPN)

C C
N Equivalente a dos diodos en antiserie
B B
P La conducción entre C y E no es posible
N
E E

Efecto transistor: Cuando la unión B-E conduce (corriente de base, ib),

es posible la conducción de la unión C-E (corriente de colector, ic).
+
C ic
B C
N- Siempre se cumple que
ie=ib+ic ib
E
P N+
B E ie
+ -

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El efecto transistor (aplicado al PNP)

C C
P Equivalente a dos diodos en antiserie
B B
N La conducción entre C y E no es posible
P
E E

Efecto transistor: Cuando la unión E-B conduce (corriente de base, ib),

es posible la conducción de la unión E-C (corriente de colector, ic).
- ic
C
B C
Siempre se cumple que
P-
ie=ib+ic ib
E
N P+
ie
-
B +E

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CONFIGURACIONES DE LOS BJT

El BJT es un dispositivo con tres terminales => Un terminal (común) se conecta
a la Entrada y a la Salida

Entrada Salida

¡¡ La configuración de
uso más frecuente !!

B E B C C E
NPN
C E B

B E B C C E
PNP
C E B

Colector común Emisor común Base común

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Características del transistor NPN (ideal y en emisor común)

Característica de entrada: ic Ganancia del

Diodo transistor “”
+
ib C
ib
uce ib
+
B
ube ie
ube - E
-
Característica de salida:
ZONA ACTIVA: C
ic = f(uce, ib) ic
Comportamiento como
fuente de corriente uce  0 ib
ZONA DE SATURACIÓN: ic =  ib B
Comportamiento como
interruptor cerrado C ib E
uce = 0 E
ic   ib ZONA DE CORTE:
Comportamiento como C
ib=0 interruptor abierto
uce ic=0 E
Zona de transistor inverso:
NO LA USAREMOS uce  0

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Características del transistor PNP (ideal y en emisor común)

Característica de entrada: ic Ganancia del

Diodo transistor “”
-
ib C
ib
uec ib
-
B
ueb ie
ueb + E
+
Característica de salida:
ZONA ACTIVA: C
ic = f(uec, ib) ic
Comportamiento como
fuente de corriente uce  0 ib
ZONA DE SATURACIÓN: ic =  ib B
Comportamiento como
interruptor cerrado C ib E
uec = 0 E
ic   ib ZONA DE CORTE:
Comportamiento como C
ib=0 interruptor abierto
uec ic=0 E
Zona de transistor inverso:
NO LA USAREMOS uec  0

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Características del transistor NPN (ideal y en emisor común)

IC
+
IC Zona IB
+ activa + ·IB VCE
IB
+ VCE VBE
- -
VBE
- - IC
Zona de +
IB
saturación + IC<·IB VCE=0
IC
IB VBE
- -
IC=0
+
Zona de IB
corte + VCE
VCE
VBE
- -

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Características del transistor PNP (ideal y en emisor común)

IC
-
IC Zona IB
- activa + ·IB VEC
IB
- VEC VEB
- +
VEB
+ + IC
-
Zona de IB
saturación + IC<·IB VEC=0
IC
IB VEB
- +
IC=0
+
Zona de IB
corte + VEC
VEC
VEB
- -

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Características reales de los transistores

Área de operación segura

ic (Safety Operation Area)
Ic máxima

Pmáxima

SOAR
Vce máxima
uce
Uce saturación  0,2 - 0,3V

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Interpretación de los datos de un catálogo

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Interpretación de los datos de un catálogo

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Interpretación de los datos de un catálogo

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Interpretación de los datos de un catálogo

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Interpretación de los datos de un catálogo

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EJEMPLO DE CÁLCULO (NPN)

1º) Análisis del circuito de base

Rc Vc ~0,7V
ic Rb
B Ib = (Vb – ube) / Rb
Rb Vb
E
Vb ib ≠ 0 => Transistor
no en corte
ib

¡¡ OJO ¡¡ Por el diodo de la unión B-E está circulando ie = ib+ic

2º) Análisis del circuito de colector

Hipótesis: Transistor en zona activa => ic=  ib~0,2V
Rc Hay que comprobar que uce > uce saturación
Vc Uce = (Vc – Rc ic) = (Vc – Rc  ib)

Si uce > 0,2V Si uce < 0V (hipótesis falsa)

uce
(hipótesis correcta) Transistor saturado:
Uce = 0,2V ; ic = Vc/Rc <  ib

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EJEMPLO DE CÁLCULO (NPN)

Recta de carga

ic

Rc
Vc

uce

Uce = (Vc – Rc ic)

Si Uce = 0; ic = Vc/Rc

Si ic = 0; Uce = Vc

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EL FOTOTRANSISTOR
C La luz (fotones de una cierta longitud de onda)
al incidir en la zona de base desempeña el
papel de la corriente de base
E

ASOCIACIONES LED-FOTOTRANSISTOR

EL OPTOACOPLADOR
Proporciona aislamiento galvánico y
protección eléctrica.

Aísla el receptor de posibles ruidos

en el emisor.

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CODIFICADORES ÓPTICOS
INCREMENTALES Fotointerruptor
Fotodetector
LED

Medida de posición
Señal fotointerruptor
principal

Señal índice

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Detección del sentido de giro

Fotodetectores Fotodetectores
A A
B
LED B LED

A A

t t
B B

t t

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Codificadores absolutos (Ejemplo: Código Gray)

Fotodetectores
0000
El código GRAY es utilizado
principalmente en sistemas de
0001
posición, ya sea angular o lineal.

0011
Sus aplicaciones principales se
encuentran en la industria y en
robótica.

Fuente de luz
(LED) y óptica

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Ejercicios: Problemas de Circuitos con Transistores

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