04/03/2011

INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y
ELÉCTRICA UNIDAD CULHUACAN
INGENIERÍA EN COMPUTACIÓN
ACADEMIA DE COMUNICACIONES Y ELECTRÓNICA

Transistores de unión bipolar.

Electrónica Analógica

Introducción.

1904-1947, periodo en que el tubo de

vacío (bulbo) fue el elemento básico en el
desarrollo electrónico.

23 de diciembre de 1947 nace el transistor
de estado sólido, producto del trabajo de
Walter H. Brattain y John Bardeen en los
laboratorios de Bell Telephone.

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Construcción del transistor..

Consta de tres capas, los cuales pueden ser
npn o pnp.
n p n p n p

Las capas exteriores del transistor son
materiales semiconductores con altos niveles de
dopado y además tienen anchos muchos
mayores. Por lo tanto, tienen un nivel de
conductividad elevado

El material emparedado, tiene menor ancho y
menor nivel de dopado, por lo tanto, la
resistencia eléctrica es mayor.

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Símbolo del transistor BJT.

Independientemente del tipo de transistor,

(npn o pnp), el transistor consta de un
colector (C), una base (B) y un emisor (E).

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Configuración Base común.

La terminología relativa a base común se
desprende del hecho de que la base es común
a los lados de entrada y salida de la
configuración, además la base es usualmente la
terminal más cercana o en un potencial de
tierra.

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Curvas características.

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Curvas características.

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Regiones de operación del transistor.

Región activa: es la región usada para

amplificar señales.
En esta región, la unión colector-base está
inversamente polarizada, mientras la unión
base-emisor se encuentra polarizada en forma
directa.

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Regiones de operación del transistor.

Región de corte: región en la cual no hay

circulación de corriente de colector-
emisor, por lo tanto Ic igual a 0 A.
En la región de corte ambas uniones, colector-
base y base-emisor, de un transistor están
inversamente polarizada.

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Regiones de operación del transistor.

Región de saturación: región en donde

existe la mayor circulación de corriente.
En la región de saturación las uniones colector-
base y base-emisor están polarizadas
directamente.

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Configuración Emisor común.

El emisor es común tanto a las terminales

de entrada como a las de salida.

El voltaje base-emisor es igual a 0.7 V.

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Curva característica.

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Polarización de CD del
transistor BJT.

Introducción.

El diseño de circuitos con transistores, requiere del
conocimiento de operación del transistor en cd y en ca,
lo cuál se puede hacer por separado empleando el
teorema de superposición, sin embargo los parámetros
de diseño para los niveles de cd requeridos afectarán la
respuesta de ca y viceversa.

Existen relaciones básicas para el diseño de circuitos
con transistores:
VBE=0.7 V
IE=(β+1)IB ≈ IC
Ic = β IB

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Punto de operación.

El punto de operación o también punto Q,

determina la región que se empleará para
la amplificación de la señal aplicada.

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Punto de operación.

Para el BJT que se polarizará en su

región de operación lineal o activa debe
cumplirse:
1. La unión base a emisor debe estar polarizada
directamente (voltaje de la región p más
positivo).
2. La unión base a colector debe estar
polarizada inversamente (región n más
positiva), estando el voltaje de polarización
inversa en cualquier valor dentro de los límites
máximos del dispositivo.
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Punto de operación.

Operación en la región de corte:

1. Unión base-emisor con polarización inversa.

Operación en la región de saturación:
1. Unión base-emisor con polarización directa.
2. Unión base-colector con polarización directa.

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Circuito de polarización fija.

Para el análisis en CD, se eliminan

los capacitores, ya que solo tienen
efecto sobre señales de CA.
Analizando la malla base-emisor:

Vcc − VRB − VBE = 0

Vcc − I B RB − VBE = 0
Vcc − VBE
IB =
RB

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Circuito de polarización fija.

Analizando la malla colector-emisor:

I c = βI B
VCE + VRC − VCC = 0
VCE = VCC − I C RC

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Ejercicio:

Calcular
IBQ, ICQ, VCEQ VB, VC y VBC

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Saturación del transistor.

Saturación se refiere a los sistemas que

han alcanzado su máximo límite,
entonces, para los transistores que operan
en la región de saturación, la corriente es
un valor máximo para el diseño particular.

En a saturación, la unión base-colector ya
no está inversamente polarizada teniendo
como consecuencia la distorsión de la
señal.

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Saturación del transistor.

En la región de saturación, se considera

que VCE es igual a cero volts, lo que
quiere decir que la resistencia RCE es igual
a 0 ohms.

Esto trae como consecuencia que la
corriente de saturación (Isat) sea:
Vcc
Icsat =
Rc
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Análisis por recta de carga.

El análisis por recta de carga, nos permite

establecer el punto de operación del
transistor, para ello se calcula la corriente
de colector cuando el voltaje colector
emisor es igual a cero, y el voltaje de
colector a emisor cuando la corriente de
colector es igual a cero, por lo tanto:

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Polarización estabilizada por emisor.

En este arreglo, se le agrega
una resistencia de emisor, con
el propósito de aumentar la
estabilidad sobre el de la
configuración de la
polarización fija, debido a que
los voltajes y corrientes de
polarización de cd, se
mantienen más cerca de los
puntos donde fueron fijados.

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Polarización estabilizada por emisor.

Malla base-emisor

VCC − I B RB − VBE − I E RE = 0
Recordando :
I E = (β + 1)I B
VCC − I B RB − VBE − (β + 1)I B RE = 0
I B (RB + (β + 1)RE ) = VCC − VBE
Entonces :
VCC − VBE
IB =
(RB + (β + 1)RE )
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Polarización estabilizada por emisor.

Malla colector-emisor

I E RE + VCE + I C RC − VCC = 0
Pero I E ≅ I C
I C (RE + RC ) + VCE = VCC
VCE = VCC − I C (RE + RC )

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Polarización estabilizada por emisor.

(Nivel de saturación)

El nivel de saturación del colector o la

corriente del colector máxima para un
diseño, puede determinarse aplicando
un corto circuito entre colector y
emisor, y calcular la corriente del
colector resultante:

I C (RE + RC ) + VCE = VCC

VCC
I Csat =
RE + RC

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Polarización estabilizada por emisor.

Para el siguiente
circuito, calcular: IB,
IC, VCE, VC, VE, VB y
VBC, cuando VCC=20V
y β=50.

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Polarización con divisor de voltaje.

En los casos anteriores, el voltaje colector

emisor y la corriente de colector en el
punto de operación, eran dependientes
del valor de la β, lo cual es una desventaja
desde el punto de vista en que el valor de
β es dependiente de la temperatura.

El circuito de polarización fija, es una red
en donde el punto de operación no es
dependiente de la β del transistor.

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Polarización con divisor de voltaje.

Para poder calcular la corriente de la base,

es necesario obtener el equivalente
Thevenin.

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Polarización con retroalimentación de

voltaje.
•Al introducir una resistencia de
retroalimentación entre colector y
base, se aumenta la estabilidad.
•Aunque el punto de operación
no es totalmente independiente,
la sensibilidad a los cambios de β
o variaciones de la temperatura,
es menor que el que se
encuentra para las
configuraciones de polarización
fija o polarización de emisor.

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Polarización con retroalimentación de

voltaje.

VCC − I C′ RC − I B RB − VBE − I E RE = 0
Considerando
I C′ ≅ I C = β I B e I C ≅ I E = I B (β + 1)
Sustituyendo :
VCC − βI B RC − I B RB − VBE − I B (β + 1)RE = 0
Por lo tanto :
VCC − VBE
IB =
RB + (β + 1)RE

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Polarización con retroalimentación de

voltaje.

Malla colector-emisor

I E RE + VCE + I C′ RC − VCC = 0
I C (RC + RE ) + VCE − VCC = 0
VCE = VCC − I C (RC + RE )

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