Professional Documents
Culture Documents
WYDZIAŁ TECHNIKI
INSTYTUT INFORMATYKI
ELEKTRONIKA
ANALOGOWA
Konspekt wykładu dla studentów kierunków
Wychowanie Techniczne
Informatyka
INSTYTUT INFORMATYKI.........................................................................................................................3
KONSPEKT WYKŁADU DLA STUDENTÓW KIERUNKÓW .....................................................................................3
WYCHOWANIE TECHNICZNE ...........................................................................................................................3
INFORMATYKA ................................................................................................................................................3
ROZDZIAŁ I. ELEKTRONICZNE ELEMENTY BIERNE ........................................................................8
1.1. REZYSTORY .........................................................................................................................................8
1.2. KONDENSATORY..............................................................................................................................10
1.2.1. KONDENSATORY STAŁE........................................................................................................12
1.2.2. KONDENSATORY ZMIENNE..................................................................................................13
ROZDZIAŁ II. MATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE........................................................................15
2.1. MODEL PASMOWY ...........................................................................................................................15
2.2. PÓŁPRZEWODNIK SAMOISTNY.....................................................................................................16
2.3. PÓŁPRZEWODNIK TYPU N I TYPU P ..............................................................................................18
ROZDZIAŁ III. PÓŁPRZEWODNIKOWE ELEMENTY BIERNE ........................................................21
3.1. TERMISTOR ........................................................................................................................................21
3.2. WARYSTORY .....................................................................................................................................22
ROZDZIAŁ IV. ZŁĄCZE P-N ......................................................................................................................24
4.1. WARSTWA ZAPOROWA W ZŁĄCZU P-N. MODEL PASMOWY ZŁĄCZA.................................24
4.2. POLARYZACJA ZŁĄCZA P-N W KIERUNKU PRZEWODZENIA.................................................26
4.3. POLARYZACJA ZŁĄCZA P-N W KIERUNKU ZAPOROWYM. .....................................................28
4.4. ZJAWISKO TUNELOWE....................................................................................................................30
ROZDZIAŁ V. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE....................................................................................32
5.1. DIODY PROSTOWNICZE ..................................................................................................................34
5.2. DIODY STABILIZACYJNE (STABILITRONY) – DIODY ZENERA ..............................................36
5.3. DIODY POJEMNOŚCIOWE ...............................................................................................................37
5.4. DIODY PRZEŁĄCZAJĄCE ................................................................................................................39
5.5. DIODA TUNELOWA ..........................................................................................................................40
ROZDZIAŁ VI.TRANZYSTORY BIPOLARNE ........................................................................................42
6.1. PODZIAŁ TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH. .............................................................................43
6.2. ZASADA DZIAŁANIA TRANZYSTORA. ........................................................................................43
6.3. UKŁADY PRACY TRANZYSTORA. ................................................................................................46
6.4. CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA .................................................................47
6.4.1. CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA PRACUJĄCEGO W
UKŁADZIE OB......................................................................................................................................48
6.4.2. CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA PRACUJĄCEGO W UKŁADZIE
OE. ...........................................................................................................................................................49
6.5. STAN PRACY I PARAMETRY TRANZYSTORA. ...........................................................................50
6.6. SCHEMATY ZASTĘPCZE TRANZYSTORA ...................................................................................52
ROZDZIAŁ VII. TRANZYSTORY POLOWE – JFET..............................................................................54
7.1. TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET. ...........................................................................55
7.2. ZASADA DZIAŁANIA TRANZYSTORA POLOWEGO JFET.........................................................55
7.3. PARAMETRY I CHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORA POLOWEGO JEFT. ............................56
7.4 SCHEMAT ZASTĘPCZY TRANZYSTORA ZŁĄCZOWEGO. .........................................................58
7.5. TRANZYSTORY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ MOSFET..................................................................60
4
7.5.1. ZASADA DZIAŁANIA TRANZYSTORA MIS (MOS). .......................................................... 60
7.6.CHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORÓW MOSFET...................................................................... 62
ROZDZIAŁ VIII. ELEKTRONICZNE ELEMENTY PRZEŁĄCZAJĄCE ............................................ 64
8.1. TRANZYSTOR JEDNOZŁĄCZOWY................................................................................................ 64
8.2. DYNISTOR.......................................................................................................................................... 67
8.3. DIAK.................................................................................................................................................... 68
8.4. TYRYSTOR......................................................................................................................................... 69
8.5. TRIAK.................................................................................................................................................. 70
ROZDZIAŁ IX. ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE........................................................................ 72
9.1. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA........................................................................................ 72
9.1.1. WŁAŚCIWOŚCI OPTYCZNE I ELEKTRYCZNE DIODY LED......................................... 75
9.2. FOTOREZYSTOR ............................................................................................................................... 77
9.3. FOTODIODA....................................................................................................................................... 79
9.4. FOTOTRANZYSTOR ......................................................................................................................... 81
9.5. FOTOTYRYSTOR............................................................................................................................... 84
9.6. TRANSOPTORY ................................................................................................................................. 85
ROZDZIAŁ X. WZMACNIACZE................................................................................................................ 89
10.1. PODSTAWOWE UKŁADY WZMACNIAJĄCE ............................................................................. 91
10.2. UKŁAD O WSPÓLNYM EMITERZE WE ....................................................................................... 92
10.3. UKŁAD O WSPÓLNYM KOLEKTORZE WC ................................................................................ 95
10.4. UKŁAD O WSPÓLNEJ BAZIE WB ................................................................................................. 96
10.5. SPRZĘŻENIE ZWROTNE WE WZMACNIACZACH .................................................................... 97
10.6. WZMACNIACZE OPERACYJNE.................................................................................................. 100
10.7. WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY ............................................................................................... 103
10.8. WZMACNIACZ NIEODWRACAJĄCY ........................................................................................ 105
10.9. WTÓRNIK NAPIĘCIOWY ............................................................................................................. 106
10.10. WZMACNIACZ ODEJMUJĄCY.................................................................................................. 106
10.11. WZMACNIACZ SUMUJĄCY ...................................................................................................... 108
10.12. WZMACNIACZ CAŁKUJĄCY – INTEGRATOR....................................................................... 109
10.13. WZMACNIACZ RÓŻNICZKUJĄCY........................................................................................... 112
10.14. KONWERTER PRĄD – NAPIĘCIE ............................................................................................. 113
10.15. PRZESUWNIK FAZY ................................................................................................................... 114
ROZDZIAŁ XI. GENERATORY. .............................................................................................................. 116
11.1. GENERATORY NAPIĘCIA SINUSOIDALNEGO........................................................................ 116
11.2. WZMACNIACZ JAKO GENERATOR. WARUNKI GENERACJI............................................... 117
11.3. PARAMETRY GENERATORÓW PRZEBIEGU SINUSOIDALNEGO ....................................... 118
11.4. GENERATOR LC ZE SPRZĘŻENIEM ZWROTNYM.................................................................. 119
11.5. GENERATOR MEISSNERA .......................................................................................................... 119
11.6. GENERATOR Z MOSTKIEM WIENA .......................................................................................... 120
11.7. GENERATOR RC Z PRZESUWNIKIEM FAZY ........................................................................... 123
ROZDZIAŁ XII. MODULACJA I DEMODULACJA.............................................................................. 127
12.1. MODULACJA AMPLITUDY ......................................................................................................... 128
12.1.1. MODULACJA STUPROCENTOWA I PRZEMODULOWANIE..................................... 130
12.2. MODULATORY AMPLITUDY ..................................................................................................... 134
12.3. MODULACJA CZĘSTOTLIWOŚCI .............................................................................................. 135
12.4. MODULATORY CZĘSTOTLIWOŚCI (FM) ................................................................................. 139
12.5. DEMODULACJA ............................................................................................................................ 140
ROZDZIAŁ XIII. UKŁADY ZASILAJĄCE ............................................................................................. 143
13.1. PROSTOWNIKI............................................................................................................................... 144
13.2. PROSTOWNIK JEDNOPOŁÓWKOWY........................................................................................ 145
13.3. PROSTOWNIK DWUPOŁÓWKOWY........................................................................................... 146
13.4. DOBÓR DIOD PROSTOWNICZYCH STOSOWANYCH W PROSTOWNIKACH. ................... 148
13.5. PROSTOWNIK TYRYSTOROWY ................................................................................................ 150
13.6. STABILIZATORY........................................................................................................................... 150
5
13.7. STABILIZATOR Z DIODĄ ZENERA ............................................................................................152
13.8. STABILIZATOR ZE SPRZĘŻENIEM ZWROTNYM ....................................................................155
13.9. STABILIZATOR TRANZYSTOROWY .........................................................................................156
13.10. ZABEZPIECZENIA STABILIZATORÓW ...................................................................................159
ROZDZIAŁ XIV. PRZETWORNIKI ANALOGOWO-CYFROWE I CYFROWO- ANALOGOWE. 162
14.1. PRZETWORNIKI C/A......................................................................................................................162
14.2. PRZETWORNIKI A/C......................................................................................................................166
14.3. PODSTAWOWE CZŁONY PRZETWORNIKÓW .........................................................................167
BIBLIOGRAFIA..........................................................................................................................................169
6
7
Rozdział I. ELEKTRONICZNE ELEMENTY BIERNE
1.1. REZYSTORY
8
W rezystorach warstwowych materiał rezystywny jest umieszczony
na podłożu w postaci warstwy. Rezystory te mogą być węglowe i
metalizowane.
W zależności od grubości warstwy są rezystory cienkowarstwowe (> 1µm) i
grubowarstwowe (< 1µm).
Wykonuje się także rezystory objętościowe, w których prąd płynie
całą objętością rezystora. Do ich budowy stosuje się organiczne lub
nieorganiczne materiały oporowe. Stosowane są głównie w sprzęcie
profesjonalnym, gdzie wytrzymują duże obciążenia prądowe i mocy.
Klasyfikacja rezystorów
Rezystory
Drutowe Niedrutowe
Warystory
Warstwowe Objętościowe
Fotorezystory
Nieorganiczne Organiczne
Magneto -
rezystory
Symbole rezystorów
a) b) c)
9
Parametry rezystorów.
1.2. KONDENSATORY
Parametry kondensatorów.
10
• napięcie znamionowe – UN, jest największym napięciem, które
może być przyłożone trwale do kondensatora. Napięcie to jest na
ogół sumą napięcia stałego i wartości szczytowej napięcia
zmiennego;
• tangens kąta stratności – tg γ, stosunek mocy czynnej
wydzielającej się w kondensatorze przy napięciu sinusoidalnie
zmiennym o określonej częstotliwości;
• prąd upływowy – IU, prąd płynący przez kondensator, przy
doprowadzonym stałym napięciu;
• temperaturowy współczynnik pojemności – αC, określa względną
zmianę pojemności, zależną od zmian temperatury.
Podział kondensatorów
11
Rys. 1.4. Przykłady budowy kondensatorów: a) papierowego zwijanego,
b) ceramicznego płaskiego, c) ceramicznego rurkowego.
12
Kondensatory papierowe. Mają małe wymiary przy dużych
wartościach pojemności oraz duży współczynnik stratności dielektrycznej.
Dielektrykiem jest bibuła nasycona olejem syntetycznym, kondensatorowym
lub parafinowym.
Kondensatory elektrolityczne.
Ze względu na użyty materiał dzielimy na:
• aluminiowe;
• tantalowe;
• biegunowe;
• niebiegunowe.
13
Kondensator powietrzny zbudowany jest z dwóch zespołów
równoległych płytek (rotor i stator), które zmieniając swe położenie powodują
zmianę wartości pojemności kondensatora. Charakter zmian pojemności
kondensatora zależy natomiast od płytek rotora i statora.
Ze względu na charakter zmian wartości pojemności, w zależności od kąta
obrotu rotora, rozróżniamy kondensatory o:
C C C
0 α 0 α 0 α
14
Rozdział II. MATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE
Pasmo przewodnictwa
Pasmo zabronione Wg
Pasmo podstawowe
15
W temperaturze zera bezwzględnego (T = 0K) najmniejszą energię mają
elektrony walencyjne. Pasmo odpowiadające temu stanowi energetycznemu
nosi nazwę pasma walencyjnego lub podstawowego i jest najniżej
położonym pasmem energetycznym (rys. 2.1). Powyżej tego pasma leży
pasmo przewodnictwa, w którym znajdują się swobodne elektrony wyrwane
z sieci krystalicznej. Pomiędzy tymi pasmami jest odstęp, który nazwany jest
pasmem zabronionym lub przerwą zabronioną i oznacza się przez Wg.
Wartość Wg określa minimalną wartość energii, która musi być dostarczona
elektronom, aby zostały one wyrwane z wiązań atomowych sieci
krystalicznej. Szerokość tą mierzy się w elektronowoltach (eV).
16
W T >0 K
Generacja
Foton
Wpr
Wc
Rekombinacja Foton
Wv
0 L X
400 °C
300 °C
200 °C
100 °C
25 °C
1000 °C
50 °C
1025
1023
1021
1019
ni
1017
1015
1013
0,5 1 1,5 2 2,5 1/K 3,5
1000/T
17
2.3. PÓŁPRZEWODNIK TYPU n I TYPU p
(półprzewodniki niesamoistne)
Si Si Si
+4 +4 +4
Elektron
nadmiarowy
Si Si
P
+4 +4
+5
Si Si Si
+4 +4 +4
18
poziomie donorowym, który występuje w pobliżu dna pasma przewodnictwa
półprzewodnika (rys. 2.5).
W Pasmo przewodnictwa
(nadmiar elektronów)
Poziom donorowy
Elektrony
Pasmo podstawowe
Si Si Si
+4 +4 +4
Dziura
Si In Si
+4 +3 +4
Si Si Si
+4 +4 +4
19
Atom tej domieszki ma trzy elektrony walencyjne, związane z sąsiednimi
atomami krzemu. Do wypełnienia czwartego wiązania sąsiadującego krzemu,
brakuje w sieci krystalicznej jednego elektronu i zostaje on uzupełniony przez
pobranie elektronu z jednego z sąsiednich wiązań, w którym powstaje dziura.
Atom pierwiastka trójwartościowego, zwanego akceptorem, po uzupełnieniu
elektronu w „nieprawidłowym” wiązaniu (na skutek niedostatku ładunków
dodatnich w jądrze) staje się jonem ujemnym, wywołując lokalną polaryzację
kryształu.
Elektron ten przechodzi z pasma podstawowego półprzewodnika na poziom
akceptorowy, jonizując tym samym ujemnie atom domieszki. Poziom
akceptorowy znajduje się w pobliżu wierzchołka pasma podstawowego
półprzewodnika (rys.2.7).
W
Pasmo przewodnictwa
Dziury
Poziom akceptorowy
Pasmo podstawowe
(nadmiar dziur)
20
Rozdział III. PÓŁPRZEWODNIKOWE ELEMENTY BIERNE
3.1. TERMISTOR
1 ∆R
αT = ;
RT ∆T
3
2
V
2
1
U
1
0 20 40 60 mA 80
I
21
Parametry termistora:
• rezystancja nominalna;
• temperaturowy współczynnik rezystancji:
Wg
αT = − .
2kT 2
3.2. WARYSTORY
U = DI β ,
w którym:
U – napięcie doprowadzone do warystora,
I – prąd płynący przez warystor,
D – rezystancja, której wartość jest równa spadkowi napięcia na
warystorze w wyniku przepływu prądu stałego o wartości 1A,
β – współczynnik nieliniowości.
22
I1 U1
jeśli: = 10 , to β = lg ;
I2 U
100
V
50
- 20 - 10 10 mA 20 I
- 50
- 100
23
Rozdział IV. Złącze p-n
24
Po utworzeniu takiej warstwy przepływ nośników większościowych zostaje
zahamowany, gdyż ładunek przestrzenny dodatni po stronie n będzie
hamował dalszy dopływ nośników (dziur) dodatnich z obszaru p do n oraz
ładunek ujemny po stronie p będzie hamował dalszy dopływ nośników
(elektronów) ujemnych z obszaru n do p. tworzy się pole elektryczne
reprezentowane przez barierę potencjału. Wysokość bariery, a więc różnica
potencjałów, nazywana napięciem dyfuzyjnym.
kT N a N d
UD = ln 2 ; (4.1)
q ni
gdzie: q – ładunek elektronu; k- stała Boltzmanna; T- temperatura bezwzględna;
Na, Nd – koncentracja akceptorów i donorów; ni – koncentracja samoistna
półprzewodnika.
a) b)
p n p n
W WC WC W
WF
UD
Wi Wi
WC
WF WF
WV WV
Wi
WV
ld
25
W modelu pasmowym złącza powstaniu ładunku przestrzennego
odpowiada przesuniecie położenia pasm energetycznych (rys. 4.1). Różnica
poziomów jest proporcjonalna do napięcia dyfuzyjnego. Należy zwrócić
uwagę na występowanie pewnego jednakowego i wspólnego poziomu dla obu
części półprzewodnika. Jest to tzw. poziom Fermiego. Dla półprzewodnika
typu n poziom ten leży w górnej połowie pasma zabronionego, dla
półprzewodnika typu p – w dolnej połowie pasma zabronionego. Poziom
Fermiego przesuwa się w kierunku pasma przewodnictwa (dla typu n) lub
podstawowego (dla typu p) przy wzroście koncentracji domieszek.
W półprzewodniku samoistnym poziom ten umieszczany jest w modelu w
pobliżu środka pasma zabronionego.
Stan równowagi złącza występuje gdy liczba unoszonych nośników
mniejszościowych jest równa liczbie dyfundujących nośników
większościowych.
I pd + I pu = 0 i I nd + I nu = 0 . (4.2)
2ε N a + N d
d= UD ; (4.3)
q Na Nd
gdzie:
ε = εr ε0 – przenikalność elektryczna półprzewodnika.
Najczęściej szerokość warstwy zaporowej wynosi d = 0,1 ÷ 0,5 µm.
U F = UD −U ; (4.4)
26
Rys. 4.2. Złącze p-n spolaryzowane w kierunku przewodzenia.
a) polaryzacja złącza, b) model pasmowy, c) gęstość nośników, d) prądy dyfuzyjne.
27
dyfundują do obszarów o mniejszej koncentracji, a więc w kierunku
doprowadzeń. Jednocześnie od strony doprowadzeń napływają nowe nośniki
większościowe, wprowadzone przy polaryzacji złącza, zapewniające
neutralizację ładunku wprowadzonego do poszczególnych obszarów. Prądy
unoszenia Ipu i Inu praktycznie zostają niezmienne. W wyniku zwiększania
składowej dyfuzyjnej prądu, w obwodzie zewnętrznym płynie prąd
qU U
I = I sat exp − 1 = I sat exp − 1 ; (4.5)
kT U T
kT
UT = ; (4.6)
q
UR = UD +U ; (4.7)
28
Rys. 4.3. Złącze p-n spolaryzowane w kierunku zaporowym.
a) polaryzacja złącza, b) model pasmowy, c) gęstość nośników.
29
4.4. ZJAWISKO TUNELOWE.
30
Rys. 4.6. Charakterystyka prądowo – napięciowa złącz p-n ze zjawiskiem tunelowym.
1 – Charakterystyka prądowo – napięciowa złącza p-n. 2 – Prąd tunelowy.
3 – odcinek charakterystyki o ujemnej rezystancji.
31
Rozdział V. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE
32
DIODY
PÓŁPRZEWODNIKOWE
GERMANOWE KRZEMOWE
ZENERA FOTODIODY
33
5.1. DIODY PROSTOWNICZE
34
Diody prostownicze wykonuje się głównie z krzemu. Wartość prądu
płynącego przez diodę spolaryzowaną w kierunku przewodzenia jest 106 – 108
razy większa od wartości prądu w kierunku zaporowym.
a) b)
(+) IF
I0
URWM 0
(-)
UR IR(URWM) UF(I0) UF
IR
c)
I
0 U
35
Diody, przez które płynie prąd o wartości większej niż 10 A mają
radiator, który odprowadza wydzielane ciepło do otoczenia. Gdy
zastosowanie radiatora jest niewystarczające wtedy należy diodę chłodzić
wymuszonym opływem powietrza, a nawet specjalną cieczą. Jeżeli chcemy
uzyskać większy prąd przewodzenia przy tym samym napięciu, to możemy
połączyć diody równolegle. Jeśli chcemy mieć dodatkowo jednakowe prądy
płynące przez poszczególne diody, to do każdej z nich dołączamy szeregowo
rezystor o niewielkiej wartości. Jeśli chcemy zwiększyć napięcie wsteczne
przy tym samym prądzie, to w miejsce jednej diody wstawiamy kilka diod
połączonych szeregowo.
∆U Z
rZ = ;
∆I Z
1 ∆U Z
αUZ = I Z = const ;
U Z ∆T
36
Zależy od napięcia stabilizacji. Ma wartość ujemną dla diod z
przebiciem Zenera (UZ < 5 V), a dodatnią dla diod z przebiciem
lawinowym (UZ > 7 V).
a) b) c)
(+) R
rZ
Uwe DZ Uwy
UZ
(-)
d)
37
małą zależność od zmian temperatury, mogą one w wielu przypadkach
zastąpić kondensatory zmienne lub ceramiczne.
a) b)
Cj
(+)
Cmax
(-)
Cmin
URWM UR 0 U
38
5.4. DIODY PRZEŁĄCZAJĄCE
• pojemność diody – C,
• napięcie przewodzenia – UF,
• prąd wsteczny – IR,
• czas ustalania się prądu wstecznego – trr.
39
5.5. DIODA TUNELOWA
a) b)
I
P
IP
(+)
V
IV
(-) UP UV UFP U
40
Parametry charakteryzujące diodę tunelową:
41
Rozdział VI.TRANZYSTORY BIPOLARNE
a) E B C b) E B C
E p n p C E n p n C
B B
E C E C
B B
Rys. 6.1. Model struktury i symbole graficzne tranzystora bipolarnego.
a) p-n-p, b) n-p-n.
42
6.1. PODZIAŁ TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH.
n-p-n p-n-p
43
Zasada działania tranzystora n-p-n.
44
I E = I B + IC ;
I C = α ⋅ I E + I CBO ; (6.1)
I B = (1 − α )I E − I CEO ;
I C = β ⋅ I B + I CEO . (6.3)
Tabela 6.1
IB IC IE
IB 1 β 1+β
1 1+β
IC 1
β β
1 β
IE 1
1+β 1+β
1) I E = I C + I B ; 2) I C = I E − I B ; 3) I B = I E − I C ;
IC IC
α= ; β= ;
IE IB
IC
1. I E = IC + I B ; β= ; IC = β ⋅ I B ;
IB
IE = β ⋅ IB + IB ;
I E = I B (β + 1) ;
45
IC IC
2. IC = I E − I B ; β= ; IB = ;
IB β
I C (β + 1) = I E β ;
IC
IC = I E − ;
β
I C (β + 1) = I E β ;
β
IC = I E ;
β +1
3. I B = I E − IC ; IB = IE − β ⋅ IB ; I B (1 + β ) = I E ;
IE
IB = ;
1+ β
IC
4. I E = IC + I B ; I E = IC + ;
β
I C (β + 1)
IE = .
β
a) b) c)
WE WB WC
C E C C
B B
E B E
46
Wybór układu pracy tranzystora jest zależny od przeznaczenia i rodzaju
zastosowanego tranzystora.
47
Znając dwie charakterystyki (wejściową i wyjściową) możemy wyznaczyć
dwie pozostałe. Postać charakterystyki wejściowej i wyjściowej jest taka
sama, jak charakterystyki złącza półprzewodnikowego spolaryzowanego w
kierunku przewodzenia i w kierunku zaporowym.
48
Charakterystyki przejściowe, to linie nachylone pod kątem α - współczynnik
wzmocnienia prądowego. Charakterystyki zwrotne powinny być liniami
prostymi, równoległymi do osi napięcia UCB, jednak tak nie jest w wyniku
oddziaływania wstecznego w tranzystorze. Wpływ modulacji szerokości bazy
jest tym silniejszy, im większy jest prąd emitera.
49
6.5. STAN PRACY I PARAMETRY TRANZYSTORA.
1. Aktywny.
2. Nasycenia.
3. Zatkania.
4. Inwersyjny.
Tabela 6.2
Przewodzenie
przewodzenia zaporowy
aktywne
Przewodzenie
zaporowy przewodzenia
inwersyjne
Parametry tranzystorów.
50
ich przekroczenie spowoduje uszkodzenie lub zniszczenie
tranzystora.
- Parametry charakterystyczne. To typowe wartości określające
tranzystor – prądy, napięcia. Współczynnik wzmocnienia
prądowego, rezystancja bazy, pojemności złączowe, pulsacja
graniczna.
- Parametry maksymalne. Największe wartości prądów lub napięć.
W przypadku przekroczenia określonej wartości gwałtownie
pogarszają się pozostałe parametry tranzystora, ale nie następuje
jego uszkodzenie.
- Parametry dynamiczne. Określają właściwości tranzystora w
wybranym punkcie pracy, gdy zostanie on wysterowany
przemiennym napięciem lub prądem – czasy włączenia i wyłączenia
tranzystora.
Zastosowanie tranzystorów.
51
charakteryzują się mniejszymi napięciami na złączach w stanie przewodzenia
i większymi prądami zerowymi niż tranzystory krzemowe
- Typu Π.
- Hybrydowy.
- Ebersa – Molla.
U BE = h11I B + h12U CE ,
I C = h21I B + h22U CE ,
przy czym:
U BE
h11 = - impedancja wejściowa przy zwartym wyjściu,
IB
U CE = 0
U BE
h12 = - współczynnik przenoszenia wstecznego przy rozwartym wejściu,
U CE
IB = 0
52
IC
h21 = - współczynnik przenoszenia prądowego przy zwartym wyjściu,
IB
U CE = 0
IC
h22 = - admitancja wyjściowa przy rozwartym wejściu.
U CE
IB = 0
IB IC
h11
B C
53
Rozdział VII. TRANZYSTORY POLOWE – JFET
1 l
R= ;
qµN hw
54
• Bramka (ang. Gate), oznaczone literą G. Jest elektrodą sterującą
przepływem ładunków. Prąd bramki – IG, napięcie bramka-źródło –
UGS.
a) b)
D D
G S G S
55
Dalszy wzrost napięcia powoduje, że kanał jest zamykany coraz bliżej źródła
(punkt Y – Y’). Przyrost napięcia rozkłada się na warstwie zaporowej, nie
powodując dalszego wzrostu prądu. Rozszerza się warstwa zaporowa, czyli
zwiększa głębokość jej wnikania w kanał. Tranzystor wchodzi w stan
nasycenia, a prąd przez niego płynący jest prądem nasycenia.
56
- charakterystyka przejściowa – przedstawia zależność prądu drenu
ID od napięcia bramka-źródło UGS, przy ustalonej wartości napięcia
dren-źródło UDS (rys.7.3). Charakterystyki przejściowe zależą od
temperatury.
57
Rys.7.4. Charakterystyka wyjściowa tranzystora złączowego.
a – odpowiada stanowi z rys.7.2a, b – odpowiada stanowi z rys.7.2b,
c – odpowiada stanowi z rys.7.2c, d – odpowiada stanowi z rys.7.2d.
Parametry statyczne:
Parametry graniczne:
58
Cgd
Ig ggd Id
G D
S S
Na rysunku tym:
Cgs, Cgd – pojemności warstwy zaporowej,
ggs, ggd – konduktancje bramka-źródło i bramka-dren,
gm – transkonduktancja,
gds – konduktancja wyjściowa.
f max = fT rd g m ,
59
7.5. TRANZYSTORY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ MOSFET.
60
Dalszy wzrost napięcia UDS nie powoduje już wzrostu prądu drenu, ale
wpływa na odcięcie kanału bliżej źródła. Mówimy wówczas, że tranzystor
pracuje w stanie nasycenia (rys. 7.6c).
Tranzystor MOSFET to tranzystor polowy, w którym bramka jest
oddzielona od kanału cienką warstwą izolacyjną, najczęściej utworzoną z
dwutlenku SiO2. Dzięki odizolowaniu bramki, niezależnie od jej polaryzacji,
teoretycznie nie płynie przez nie żaden prąd. Praktycznie w tranzystorach
JEFT prądy bramki są rzędu 1pA ÷ 10nA, a w tranzystorach MOSFET ok.
103 razy mniejsze. Dlatego też w tranzystorach JEFT możemy uzyskać
rezystancję wejściową układu równą 109 ÷ 1012 Ω, a w przypadku
tranzystorów MOSFET rezystancja wejściowa jest równa 1012 ÷ 1016 Ω.
61
Tranzystory z kanałem zubożanym i tranzystory z kanałem wzbogacanym
mogą mieć kanały typu N lub typu P. Istnieją cztery podstawowe rodzaje
tranzystorów z izolowaną bramką (tab.7.1).
Tabela 7.1
U2
I D = β (U GS − U T )U DS − DS ;
2
- w zakresie nasycenia prądu drenu ma postać:
62
β
ID = (U GS − U T )2 ;
2
63
Rozdział VIII. ELEKTRONICZNE ELEMENTY
PRZEŁĄCZAJĄCE
64
a) b)
B
B E
p
n
B
B
c)
IB2
IE
Gdy napięcie emitera UE jest mniejsze niż (ηUBB + UD), złącze p-n
między emiterem a bryłką polaryzowane jest w kierunku zaporowym.
UD oznacza potencjał dyfuzyjny złącza. W przypadku złącza krzemowego jest
on rzędu 0,7 V. Gdy napięcie jest większe niż (ηUBB + UD), złącze
polaryzowane jest w kierunku przewodzenia. Gdy złącze jest spolaryzowane
65
zaporowo, prąd emitera IE jest pomijalnie mały. Natomiast gdy złącze
zostanie spolaryzowane w kierunku przewodzenia, prąd emitera osiąga duże
wartości. Prąd emitera powoduje wprowadzenie do obszaru n bazy nośników
dziurowych. Dziury te zmniejszają rezystancję materiału typu n, co
umożliwia przepływ dużego prądu w obwodzie międzybazowym.
Jednoczesne występowanie dziur i elektronów w obszarze bazy między
emiterem a bazą B1 gwałtownie zmniejsza spadek napięcia na tej części
obszaru bazy. W związku z tym, prąd emitera gwałtownie rośnie, a
charakterystyka UE (IE) wykazuje zakres oporności ujemnej. Przebieg
charakterystyki UE (IE) dla przypadku idealnego przedstawiono na rysunku
8.3a. Punkt, w którym dioda włącza się lub zapala, jest nazywany punktem
szczytowym i określony przez wartości IP oraz UP. Przy większych
wartościach prądu emitera, spadek napięcia między emiterem a bazą B1,
początkowo rośnie ze wzrostem IE, a następnie ustala się osiągając wartość
nasycenia, oznaczoną symbolem UES lub UEB1S. Najniższy punkt
charakterystyki, o współrzędnych IV i UV, nazywamy punktem doliny.
UES
UV
0
IP IV IE
66
8.2. DYNISTOR
1) Zaporowy;
2) Blokowania;
3) Przewodzenia;
a) b)
67
• wzrostu prądu generacyjnego pod wpływem temperatury,
• gwałtownego wzrostu napięcia miedzy anodą i katodą.
8.3. DIAK
n3 p2
n2
p1
n1
a) K b)
c)
Rys.8.5. Diak.
a) struktura, b) charakterystyka prądowo – napięciowa.
c) symbol graficzny diody „DIAC”
68
8.4. TYRYSTOR
a) b) c)
A A
A
p1 p1
n1 n1 n1
G G p2 p2 p2
n2 n2
K
G
K K
d) e)
złącze złącze złącze
1 3 2
IA
A K
p1 n1 p2 n2
G IG
+
+
69
Źródła zasilające są tak dobrane, aby polaryzować złącze n2p2 dwa razy
silniej, w wyniku czego złącze to wstrzykuje więcej nośników, powodując
dodatnie sprzężenie zwrotne między złączem n1p1 i n2p2.
Parametry tyrystorów:
• napięcie przełączenia, przy zerowym prądzie bramki;
• prąd trzymania – najmniejsza wartość prądu płynącego przez
tyrystor, przy której nie następuje jego wyłączenie;
• prąd przełączający bramki – wartość prądu powodującego
przełączenie tyrystora, przy określonym napięciu między anodą a
katodą;
• czas włączenia;
• czas wyłączenia.
8.5. TRIAK
a) b)
A G A2 A2
n3 n4
p3
n2
p1
n1
G G
K
A1 A1
70
c).
71
Rozdział IX. ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE
a) b)
Dziury z obszaru n Dziury z obszaru p
rekombinujące rekombinujące
hν z dziurami z elektronami
hν
p n
R IF
+ -
IF
R
+ -
Nośniki nieruchome
c)
72
Dioda pracuje prawidłowo przy polaryzacji złącza w kierunku
przewodzenia. Zasada działania diod elektroluminescencyjnych jest oparta na
zjawisku elektroluminescencji.
Zjawisko elektroluminescencji w diodach półprzewodnikowych
polega na wytwarzaniu światła pod wpływem pola elektrycznego w wyniku
rekombinacji dziur i elektronów w spolaryzowanym złączu p-n.
Przechodzenie elektronów z wyższego poziomu energetycznego na niższy
powoduje wydzielenie energii w postaci światła (fotonu).
ch
λ= ; (9.1)
Wg
przy czym:
73
pomarańczowej, czerwonej. Produkuje się także diody świecące różnymi
kolorami.
74
Rys. 9.4. Charakterystyka kątowa promieniowania diody LED.
75
- Charakterystyki kątowej promieniowania diody – zależność
mocy emitowanej od wartości kąta mierzonego od osi diody
(rys.7.3).
Parametry elektryczne
76
Diody elektroluminescencyjne, które emitują promieniowanie
podczerwone wykorzystuje się w łączach światłowodowych, a także w
urządzeniach zdalnego sterowania np. w urządzeniach alarmowych i w tzw.
pilotach do odbiorników telewizyjnych.
9.2. FOTOREZYSTOR
I p = G ⋅ EVγ ; (9.3)
Parametry fotorezystora
d
RE = ρ ; (9.4)
l
77
Wartość rezystancji ciemnej zależy od stopnia czystości półprzewodnika.
Rezystancja ciemna jest około tysiąc razy większa niż rezystancja przy
oświetleniu 50 lx i zawiera się w przedziale od 106 Ω do 1012 Ω.
hν
Elektroda Elektroda
CdS
Podłoże
78
Rys. 9.6. Fotorezystor.
a) budowa, b) grzebieniowy kształt elektrod.
9.3. FOTODIODA
79
Pary
Promieniowanie hν elektron - dziura
+
+
+
P N
Jony nie - Obszar
ruchome ładunku
przestrzennego
- + R
80
Istotną zaletą fotodiody jest duża częstotliwość pracy. Mogą one przetwarzać
sygnały świetlne o częstotliwości do kilkudziesięciu MHz.
Natomiast wadą jest dość silna zależność prądu fotodiody od temperatury.
Zastosowanie fotodiody:
9.4. FOTOTRANZYSTOR
81
Zasada działania fototranzystora
I CE (e ) = I CE 0 + βI p ; (9.6)
82
• fototranzystor bez wyprowadzonej końcówki bazy w tym przypadku
pracuje jako normalny fototranzystor (rys.9.10c),
• fototranzystor z wyprowadzoną końcówką bazy – można go
niezależnie sterować optycznie i elektrycznie (rys. 9.10d).
a) b) c) d)
(Baza)
- - - -
(Kolektor) (Kolektor) (Emiter) (Emiter)
Fotoogniwo Fotodioda Fototranzystor Fototranzystor
bez wyprowa - z wyprpwa -
dzonej końcówki dzoną bazą
83
Rys. 9.11. Fototranzystor: a) charakterystyka prądowo – napięciowa, b)charakterystyka
czułości widmowej.
9.5. FOTOTYRYSTOR
a) A b)
A
G
K
K
Rys. 9.12. Symbole graficzne fototyrystora.
Im większe jest napięcie anoda – katoda fototyrystora, tym moc
promieniowania potrzebna do przełączenia jest mniejsza. Istotną cechą
84
fototyrystora jest to, że po przełączeniu w stan przewodzenia, utrzymuje się w
nim nawet po zaniku impulsu świetlnego.
Wykonywane są głównie z krzemu i wykorzystywane jako np.
fotoelektryczne przekaźniki.
9.6. TRANSOPTORY
1 4 3 2
85
a) b)
I0
CTR = .
II
86
Wartość CTR zależy przede wszystkim od fotodetektora. Typowe wartości
podano w tabeli 9.1.
Tabela 9.1
Częstotliwość
Wzmocnienie
Odbiornik graniczna
% kHz
Fotodioda 0,5 10000
Fototranzystor 30 500
Fotodarlington 300 50
Zastosowanie transoptorów.
87
Spełniają one również rolę potencjometrów bezstykowych oraz przekaźników
optoelektronicznych, wykorzystywanych do budowy klawiatury kalkulatorów
i komputerów.
• wyłączniki krańcowe,
• czujniki otworów,
• czujniki położenia,
• wskaźniki poziomu cieczy.
88
Rozdział X. WZMACNIACZE
Zg Iwe Iwy
eg ∼ Uwe Uwy Z0
Zasilacz
U wy = K u U we ; (10.1)
I wy = K i I we ; (10.2)
a) wzmocnienie napięciowe
U wy
ku = ; (10.3)
U we
89
b) wzmocnienie prądowe
I wy
ki = ; (10.4)
I we
I wy
ky = ; (10.5)
U we
U wy
kz = ; (10.6)
I we
e) wzmocnienie mocy
Pwy
kp = > 1; (10.7)
Pwe
90
10.1. PODSTAWOWE UKŁADY WZMACNIAJĄCE
d) IS ID D
IE IC We Wy
We Wy S
91
10.2. UKŁAD O WSPÓLNYM EMITERZE WE
∆U BE U we
∆I B = = ; (10.8)
rbe rbe
gdzie: rbe – rezystancja małosygnałowa baza-emiter tranzystora
Zmiana prądu bazy spowoduje zmianę prądu kolektora. Charakterystyki
wyjściowe tranzystora w zakresie aktywnym mają przebieg zbliżony do
92
poziomu, dlatego też możemy przyjąć w przybliżeniu, że IC zależy tylko od
IB, a nie zależy od UCE.
Korzystając z wzoru
∆I C
β0 = ∆U CE → 0 ; (10.9)
∆I B
U CE = EC − I C RC ; (10.11)
Zmiana prądu kolektora o ∆IC spowoduje zmianę tego napięcia o ∆UCE (przy
stałych wartościach EC i RC). Zmiana ta jest sygnałem wyjściowym i wynosi:
RC
U wy = ∆U CE = − ∆I C RC = −U we β 0 ; (10.12)
rbe
U wy RC
ku = = −β0 ; (10.13)
U we rbe
RC rce
ku = − β 0 ; (10.14)
rbe
93
Rezystancja wejściowa rwe wzmacniacza w układzie WE składa się z
równolegle połączonej rezystancji baza-emiter rbe tranzystora (rezystancji
wejściowej tranzystora) i rezystancji obwodu polaryzacji bazy RB
rwy
ki = − β 0 ; (10.17)
rwy + Ro
94
10.3. UKŁAD O WSPÓLNYM KOLEKTORZE WC
∆U RE = U wy ≈ U we ; (10.18)
U wy
ku = ≈ 1; (10.19)
U we
95
- Rezystancja wyjściowa jest mała, a rezystancja wejściowa może być
duża. Rezystancję wejściową zmniejsza znacznie bocznikujące
działanie rezystorów polaryzujących bazę.
- Układ transformuje (przenosi) rezystancję z obwodu emitera do
obwodu bazy jako rezystancję (β0 + 1) razy większą, natomiast
każdą rezystancję z obwodu bazy przenosi do obwodu emitera jako
rezystancję (β0 + 1) razy mniejszą. Dlatego też taki układ nazywamy
także transformatorem rezystancji.
96
Charakterystyka amplitudowa pokazana jest na rysunku 10.6.
Xwe Xr Xwy
Σ K
Xwy
Xs
97
Współczynnik sprzężenia zwrotnego
Xs
β= ; (10.20)
X wy
X wy
K= ; (10.21)
Xr
gdzie:
Xr – sygnał sterujący
Xs – sygnał sprzężenia zwrotnego
Założenie: Xr, Xs są wielkościami rzeczywistymi.
Ponieważ
X r = X we + X s ;
przeto
X wy X wy
K= = ; (10.22)
X we + X s X we + βX wy
X wy
Kf = ; (10.23)
X we
K
Kf = ; (10.23)
1 − Kβ
98
1. Jeżeli |1 - Kβ| > 1, to |Kf| < |K|, czyli następuje zmniejszenie wzmocnienia.
Sprzężenie określa się jako ujemne.
2. Jeżeli 0 < |1- Kβ| < 1, to |Kf| > |K|, czyli następuje zwiększenie
wzmocnienia. Sprzężenie określa się jako dodatnie.
3. Jeżeli |1- Kβ| ≈ 0, to wzmacniacz będzie generował drgania, czyli stanie
się generatorem ze sprzężeniem zwrotnym.
1
Kf = − ; (10.24)
β
99
2. Sprzężenie równoległe. Sygnał sprzężenia jest wprowadzany
równolegle z sygnałem wejściowym.
We1
Wy
We2
Uwe1
Uwy
Uwe2
• ogólnego przeznaczenia,
• szerokopasmowe,
• stosowane w urządzeniach dokładnych, gdzie wymagana jest duża
rezystancja wejściowa, mały współczynnik cieplny i małe szumy,
• do zastosowań specjalnych.
100
Parametry wzmacniacza operacyjnego idealnego
101
Stosowane są głównie w:
a) układach analogowych, gdzie wykonują operacje: dodawania,
odejmowania, mnożenia, dzielenia, całkowania i różniczkowania,
b) wzmacniaczach logarytmicznych,
c) generatorach sygnałów: prostokątnych, trójkątnych i sinusoidalnych,
d) filtrach,
e) detektorach liniowych i detektorach wartości szczytowej,
f) układach próbkujących z pamięcią.
1. Wzmacniacz odwracający,
2. Wzmacniacz nieodwracający,
3. Wzmacniacz sumujący i odejmujący,
4. Wzmacniacz całkujący,
5. Wzmacniacz różniczkujący,
6. Wtórnik napięciowy,
7. Konwerter prąd – napięcie,
8. Przesuwnik fazy,
9. Prostownik idealny.
1. Zakłada się, że
- rezystancja wejściowa wzmacniacza operacyjnego jest
nieskończenie duża (wzmacniacz nie pobiera prądów
wejściowych),
- wartości prądów polaryzujących są równe zeru
I we − = I we + = 0 ; (10.25)
102
7. Na podstawie otrzymanych równań wyznacza się zależność napięcia
wyjściowego w funkcji napięcia wejściowego (ewentualnie napięć
wejściowych).
I1 = I 2 ;
Dla węzła B nie układamy równania, gdyż prądy polaryzujące są równe zeru.
I zgodnie z założeniami zawartymi w procedurze, w punkcie 1 i 5 mamy:
U A = UB = 0 ;
U we − U A
I1 = ;
R1
103
U A − U wy
I2 = ;
R2
Ponieważ
U we − U A U A − U wy
= ;
R1 R2
U we − U wy
= ;
R1 R2
R2
U wy = − U we ; (10.26)
R1
U wy R2
ku = =− ; (10.27)
U we R1
104
10.8. WZMACNIACZ NIEODWRACAJĄCY
U B = U we = U A ;
U we U wy − U we
I1 = ; I2 = ;
R1 R2
U we U wy − U we
= ;
R1 R2
U wy =
(R 1
+ R2 )U we
; (10.28)
R1
R1 + R2
U wy R
ku = =
=1+ 2 ; (10.29)
U we R1 R1
Napięcia na wejściu odwracającym i wejściu nieodwracającym mają taką
samą wartość, zatem rezystancja wejściowa układu jest równa rezystancji
105
wzmacniacza operacyjnego dla sygnału współbieżnego. Rezystancja
wejściowa jest bardzo duża i w praktyce wynosi 1010 ÷ 1013 Ω.
U wy = −U we ; (10.30)
UA =UB ;
I1 = I 3 ; I2 = I4 ;
106
Rys. 10.12. Schemat wzmacniacza różnicowego.
U1 − U A U A − U wy
I1 = ; I3 = ;
R1 R3
U1 − U A U A − U wy
= ;
R1 R3
stąd
U wy R1 + U1R3
UA = ; (10.31)
R1 + R2
U2 − UB UB
I2 = ; I4 = ;
R2 R4
U2 −UB UB
= ;
R2 R4
stąd
U 2 R4
UB = ; (10.32)
R2 + R4
U wy = −
R3 (R + R3 )R4 U ;
U1 + 1 (10.33)
R1 (R2 + R4 )R1 2
jeśli spełniony będzie warunek
107
R3 R4
= ; (10.34)
R1 R2
to
U wy =
R3
(U 2 − U1 ) ; (10.35)
R1
I1 + I 2 + K I n = I
108
U1 U2 Un
I1 = ; I2 = ; ...; In = ;
R1 R2 Rn
R
I= ;
U wy
U U U
U wy = − R 1 + 2 + K + n ; (10.36)
R1 R2 Rn
U wy = − RI ; (10.37)
I1 = I ;
CU = Q ;
CdU = idt ;
U we dU wy
I1 = ; I = −C ;
R1 dt
U we dU wy
= −C ;
R1 dt
dU wy 1
=− U we ;
dt CR1
109
Napięcie wyjściowe można wyznaczyć poprzez scałkowanie obu stron
równania
U wy (t ) = − ∫ U we (t )dt + U 0 ;
1
(10.38)
CR1
a) b)
R2
C
C
R1 I1 I R1
1
Z1 = R ; Z2 = ;
j ωC
Z2 1
ku = − =− ; (10.39)
Z1 jωR1C
110
1
Dopiero powyżej dolnej częstotliwości granicznej f d = , człon ten
2ΠR2 C
działa jako integrator.
111
przybliżeniem realizuje operację całkowania. Jego przebiegi wyjściowe maja
praktycznie taki sam kształt jak przebiegi idealne (rys. 10.15b).
Uwe Uwy
R2
Z1
ku = − ; (10.41)
Z2
gdzie
1
Z 2 = R1 ; Z1 = ;
jω C
k u = − jωR1C ; (10.42)
112
dU we U wy
IC = C ; I =− ;
dt R1
dU we U
C = − wy ;
dt R1
dU we (t )
U wy (t ) = −CR1 ; (10.43)
d (t )
Uwe Uwy
U wy = − IR ; (10.44)
113
10.15. PRZESUWNIK FAZY
1 − jωCR2
U wy = − U we ; (10.45)
1 + jωCR2
U wy = (a + jb )U we ;
U wy =−
(1 − jωCR ) 2
2
U we ;
1 + ω 2 C 2 R22
1 − 2 jωCR2 − ω 2 C 2 R22
U wy =− U we ;
1 + ω 2 C 2 R22
1 − 2 jωCR2 − ω 2 C 2 R22
U wy =− U we ;
1 + ω 2 C 2 R22
1 − ω 2 C 2 R22 − 2 jωCR2
U wy =− U we ;
1 + ω 2 C 2 R22
b
φ = ar ctg ;
a
2ωCR2
φ = ar ctg ; (10.46)
1 − ω 2 C 2 R22
Jeżeli amplituda sygnału wejściowego będzie stała, a zmieni się jedynie jego
częstotliwość, to amplituda sygnału wyjściowego będzie również stała,
zmieni się natomiast przesunięcie fazy sygnału wyjściowego względem
sygnału wejściowego.
Układ ten jest odpowiednikiem wzmacniacza odejmującego, w którym do obu
wejść jest doprowadzone jedno napięcie. W wyniku zamiany rezystora na
114
kondensator, na wejście nieodwracające wzmacniacza jest podawany sygnał
wejściowy przesunięty w fazie.
115
Rozdział XI. GENERATORY.
116
Drgania sinusoidalne można uzyskać dwoma sposobami:
1. Polega na utworzeniu takiego wzmacniacza, który dla jednej ściśle
określonej częstotliwości sygnału miałby wzmocnienie równe
nieskończoności (generator sprzężeniowy).
2. Polega na odtłumieniu rzeczywistego obwodu rezonansowego LC
elementem o ujemnej rezystancji (generator dwójkowy) celem
skompensowania rezystancji strat. Sposób ten wykorzystywany jest
głównie w zakresie wielkich częstotliwości.
ku
Uwe Uwy
βf
U wy ku
k uf = = ;
U we 1− ku β f
1− ku β f
=0 ; ku β f
= 1;
czyli:
117
jϕ β
ku β f
= k u e jϕ K ⋅ β f e = 1;
Z rachunku liczb zespolonych wynika, aby dwie liczby były sobie równe
muszą mieć równe moduły i fazy. Zatem
ku β f = 1 ; (11.1)
ϕ K + ϕ β = 0° + n ⋅ 360° (11.2)
ku ( f 0 ) ⋅ β f ( f 0 ) = 1;
ϕ K ( f 0 ) + ϕ β ( f 0 ) = 0° + n ⋅ 360° .
118
Innym ważnym parametrem jest również współczynnik zawartości
harmonicznych oraz zakres i charakter przestrajania generatora.
Generatory mogą być przestrajane napięciem, prądem lub zmianą punktu
pracy elementów aktywnych albo zmianą parametrów sprzężenia zwrotnego.
X12
X1 X2 U2
U1
Warunek amplitudy
X1 X
Ku = −Ku 1 = 1 ;
X 2 + X 12 X2
Warunek fazy
X 1 + X 2 + X 12 = 0 ;
119
W generatorze Meissnera sprzężenie zwrotne realizowane jest za
pomocą transformatora, zapewniającego przesunięcie fazy równe 180°
(ϕβ = 180°) dzięki odpowiedniemu połączeniu uzwojeń. Uzwojenie wtórne o
indukcyjności L wraz z kondensatorem C tworzy obwód rezonansowy.
Parametry tego obwodu określają częstotliwość drgań.
1
f0 = .
2π LC
120
Rys. 11.3. Schemat strukturalny generatora RC z mostkiem Wiena.
1
ω0 = ;
R1C1 R2 C 2
1
ω0 = ;
RC
R3 R1 C 2
= + ;
R4 R2 C1
a w mostku symetrycznym
R3
= 2;
R4
W stanie idealnej równowagi mostka napięcie na jego wyjściu wynosi
zero. Aby wzbudzić generator czyli wywołać drgania, należy uzyskać
nieskończenie duże wzmocnienie wzmacniacza. Dlatego też w praktyce
mostek nie jest idealnie zrównoważony. Rezystancje R3 i R4 dobiera się tak,
aby ich stosunek był większy niż 2.
Gałęzie R3 i R4 mostka nie mają wpływu na częstotliwość drgań. Rezystory te
można zastąpić elementami nieliniowymi w celu automatycznej stabilizacji
121
amplitudy sygnału wyjściowego. Do stabilizacji amplitudy stosuje się:
żarówki, termistory lub tranzystory unipolarne (polowe).
C
U1
U2
R C
(
R− j1
ωC )
R− j1
U2 = ωC
( ωC )
U1 ;
R −
(R− j1 +
ωC R − ) j1
j1
ωC
− jR R
U2 ω C ωC
U1
=
R − j
1
2
− ωC
jR
=
R
ωC + j R− j 1
ωC
=
( )
ωC ;
R R
ωC ωC
=
(R )
ωC + jR +
2 2 (
R )
ωC − j ω 2 C 2
1
=
3 R (
ωC + j R − ω 2 C 2
2 1 ) ( )
1
R2 − = 0;
ω C2 2
0
czyli
122
1
ω0 = ;
RC
oraz
1
f0 = ;
2πRC
Stosunek napięć U 2 wynosi:
U1
R
U2 ω 0C 1
= = ;
U 1 3R 3
ω 0C
Na rysunku 11.5 pokazano zależność stosunku napięcia wyjściowego do
wejściowego i kąta fazowego jako funkcji częstotliwości, jego maksimum
(U2/U1=1/3) występuje przy częstotliwości quasi-rezonansowej, przy której
kąt fazowy jest równy zeru.
123
Rys. 11.6. Schemat generatora z przesuwnikiem fazy.
a)
b)
124
Rys. 11.7. Schematy generatora RC z przesuwnikiem fazowym układu sprzężenia
zwrotnego o: a) 180°, b) - 180°.
U1 I1 R I2 R I3 R U2
1
R − j I − I R = U1 ;
ωC 1 2
1
− RI 1 + 2 R − j I − RI 3 = 0 ;
ωC 2
1
− R2 I 2 + 2 R − j = 0;
ωC
I3R = U 2 ;
R 2U 1
I3 = 2
;
1 1 2 1 2 1
R − j 2 R − j − R 2R − j − R R − j
ωC ωC ωC ωC
I3R = U 2 ;
125
2
1 1 2 1 2 1
R − j 2 R − j − R 2R − j − R R − j
U1 ωC ωC ωC ωC
= ;
U2 R3
2
U1 1 1 2
= 1 − j 2 − j −3+ j ;
U2 ωRC ωRC ωRC
U1 5 6 1
= − 2 2 2 − 1 − j − 3 3 3 ;
U2 ω R C ωRC ω R C
6 1
− 3 3 3 = 0;
ωRC ω R C
1
ω0 = ;
6 RC
1
f0 = ;
2π 6 RC
U1 5 5
= 2 2 2 − 1 = − − = −29 ;
( )
1
U2 ω R C
2
6 RC R C2 2
126
Rozdział XII. MODULACJA I DEMODULACJA
u0 = U 0 m cos(ω 0t + θ ) ;
lub
u0 = U 0 m cos(2πf 0t + θ ) ;
- modulacja amplitudy;
- modulacja częstotliwości.
127
12.1. MODULACJA AMPLITUDY
u s = U sm cos ω s t ;
lub
u s = U sm cos 2πf s t ;
128
(1 + m cos ω s t )U om ;
u = (1 + m cos ω s t )U om cos ω 0 t ;
cos( x + y ) + cos( x − y ) ;
1 1
cos x cos y =
2 2
Po podstawieniu:
mU 0 m mU 0 m
u = U 0 m cos ω 0 t = cos(ω 0 + ω s )t + cos(ω 0 − ω s )t ; (12.2)
2 2
mU 0 m mU 0 m
u = U 0 m cos 2πf 0 t = cos 2π ( f 0 + f s )t + cos 2π ( f 0 − f s )t ;
2 2
Przykład:
Jeśli częstotliwość nośna wynosi 5000Hz i częstotliwość modulująca
100 Hz, częstotliwości wymienionych trzech składników są: 5000, 5100 i
4900 Hz. W takim układzie składnik o częstotliwości 5100 Hz, czyli (f0 + fs),
jest nazywany górną wstęgą boczną, składnik o częstotliwości 4900 Hz,
czyli (f0 – fs), nosi nazwę dolnej wstęgi bocznej.
W tym przykładzie częstotliwość sygnału modulującego wynosi 100 Hz,
natomiast cała szerokość pasma zajmowanego przez sygnał modulowany
wynosi 5100 – 4900, czyli 200 Hz. Tu należy stwierdzić następujący
wniosek:
129
Szerokość pasma potrzebna do sygnału o modulowanej amplitudzie jest
równa podwójnej częstotliwości sygnału modulującego.
a) b)
130
Rys.12.3. Fala modulowana.
A B
+
U 0m = 2 2 = A+ B ;
2 4
A B
−
mU 0 m = 2 2 = A− B ;
2 4
mU 0 m ( A − B ) / 4
= ;
U 0m (A + B)/ 4
A− B
m= ; (12.3)
A+ B
mU 0m mU 0m
U 0m ; ; ;
2 2
131
m m
1: : ;
2 2
2
Moc można wyrazić wzorem U R , zatem powyższe wyrażenie przeliczone
na stosunek mocy ma postać:
m2 m2
1: :
4 4
m2 m2 m2
1+ + = 1+ ;
4 4 2
PT m2
= 1+ ;
P0 2
przy czym
P0 – jest mocą fali nośnej,
PT – całkowita moc przebiegu modulowanego przy głębokości modulacji m.
PT IT2 R m2
= 2 = 1+ ;
P0 I 0 R 2
czyli
m2
IT = I 0 1 + .
2
mU 0 m mU 0 m
u = U 0 m cos ω 0 t = cos(ω 0 + ω s )t + cos(ω 0 − ω s )t .
2 2
132
bocznych (rys. 12.4a). Oś pozioma jest osią czasu. Gdy osią poziomą jest oś
częstotliwości (rys. 12.4b), to energia ukazuje się tylko w trzech punktach
wykresu odpowiadających częstotliwościom dolnej wstęgi bocznej, fali
nośnej i górnej wstęgi bocznej. Wysokości reprezentujących ją prążków N, M
i P są proporcjonalne do wartości napięć, bądź też do mocy tych trzech
składowych. Odstęp między N i P jest szerokością pasma. Gdy zmienia się
głębokość modulacji, wysokość prążka M pozostaje stała, zmienia się tylko
wysokość prążków N i P. Gdy zmienia się częstotliwość modulująca, prążki
N i P zbliżają się bądź oddalają od prążka M, zależnie od tego, czy
częstotliwość modulująca maleje, czy rośnie.
a) b) c)
133
12.2. MODULATORY AMPLITUDY
u 0 = U 0 m cos ω 0 t ;
u
u = U 0 m 1 + s cos ω 0 t dla u s < U 0 m ;
U 0m
Wzmacniacz
Generator Wzmacniacz w.cz. i stopień modulator
kwarcowy seperujący wzbudzający
Wejście
sygnału Wzmacniacz Stopień Wzmacniacz
modulującego wstępny wzbudzający mocy
zasilacze
134
12.3. MODULACJA CZĘSTOTLIWOŚCI
Przykład:
135
Sygnał w V 0 +1 0 -1 0
fd
mf = ;
fs
W omawianym przykładzie:
10kHz
mf = = 10 .
1kHz
136
które pozwolą przedstawić przebieg o modulowanej częstotliwości jako sumę
przebiegu nośnego i wstęg bocznych.
Ogólne równanie przebiegu sinusoidalnie zmiennego ma postać:
u = U 0 m cos 0 t ;
Przy modulacji częstotliwości, częstotliwość chwilowa jest funkcją f0, fd, fs,
Usm. Ponieważ wskaźnik modulacji mf wiąże ze sobą fd, fs i Usm, dlatego też
można zmniejszyć liczbę zmiennych do f0, fs i mf.
Równanie częstotliwości chwilowej f przebiegu o modulowanej
częstotliwości można zapisać w następujący sposób:
f = f 0 + f d cos 2πf s t ;
ω = ω 0 + ω d cos ω s t ;
[ ] [ ] ω
u (t ) = U 0 m cos ∫ ω (t )dt = U 0 m cos ∫ (ω 0 + ω d cos ω s t )dt = U 0 m cos ω 0t + d sin ω s t =
ωs
;
= U 0 m cos(ω 0t + m f sin ω s t )
u = U 0 m cos(ω 0 t + m f sin ω s t ) ;
lub
= (ω 0 t + m f sin ω s t ) .
u
U 0m
137
Wyrażenia cos (sin x) i sin (sin x), są skomplikowane i wymagają specjalnych
metod analizy matematycznej. Gdy je zastosujemy, to otrzymujemy taką
postać równania:
= I 0 (m f )cos ω 0 t +
u
U 0m
+ I 1 (m f )cos(ω 0 + ω s )t − I 1 (m f )cos(ω 0 − ω s )t + (12.4)
+ I 2 (m f )cos(ω 0 + 2ω s )t − I 2 (m f )cos(ω 0 − 2ω s )t +
+ I 3 (m f )cos(ω 0 + 3ω s )t − I 3 (m f )cos(ω 0 − 3ω s )t + K
138
prędkości kątowej ωi jest zależna od pulsacji ωs sygnału modulującego. W
każdej chwili istnieje pewien kąt fazowy θ między wektorami R i OY. Jeżeli
metoda modulacji przewiduje, że θ jest proporcjonalne do amplitudy sygnału
modulującego Usm i że szybkość zmian θ jest proporcjonalna do
częstotliwości fs sygnału modulującego, to taki rodzaj modulacji nazywamy
modulacją fazy. Modulacja fazy i częstotliwości występują z konieczności
jednocześnie. Aby wiedzieć jaka jest modulacja należy zwrócić uwagę na to
czy zmiana częstotliwości, czy też fazy jest proporcjonalna do sygnału
modulującego.
139
jej zmianę pojemności, czyli zmianę częstotliwości rezonansowej
równoległego obwodu rezonansowego, a więc także odpowiadającą jej
zmianę częstotliwości generowanej przez układ – modulację częstotliwości
nośnej. Aby zapewnić liniowość zmian tej częstotliwości w funkcji napięcia
wejściowego, należy użyć diody o odpowiedniej charakterystyce
pojemnościowo – napięciowej.
12.5. DEMODULACJA
u s = A cos ω 0 t ;
140
a)
Demodulator
AM
Uwe Uwy
b)
Uwy
0 A(t)
c)
d)
Rys. 12.9. Demodulator AM.
a) symbol, b) charakterystyka, c) przykładowy sygnał wejściowy,
d) odpowiadający mu sygnał wyjściowy.
141
przy czy F jest wartością chwilową częstotliwości.
a)
Demodulator
FM
Uwe Uwy
b)
Uwy
0 F(t)
c)
d)
142
Rozdział XIII. UKŁADY ZASILAJĄCE
Transfor Prosto
Sieć U1 - mator U2 - wnik Filtr U0 R0
Stabili
- zator
143
obciążenia stanowi filtr, zwykle dostatecznie tłumiący tętnienia napięcia
wyjściowego. Zmniejszenie tętnień napięcia uzyskuje się w stabilizatorze.
13.1. PROSTOWNIKI
- z obciążeniem rezystancyjnym;
- z obciążeniem pojemnościowym;
- z obciążeniem indukcyjnym.
144
13.2. PROSTOWNIK JEDNOPOŁÓWKOWY
U wy = U we − U F ;
Gdy napięcie EG < UF, wtedy dioda nie przewodzi a napięcie wyjściowe jest
równe zero.
D
i
UF
Uwe Uwy R0
a) b)
1 1 4 1
ηu = ⋅ ; ηP = ⋅ ;
π r π 2
1+
r
1+
R0 R0
1 1
K1 = ≈ 0,32 ; K2 = .
π 2
145
4
ηP = ;
π2
π2
kt = − 1 ≈ 1,21 .
4
D
iD
Uwe C Uwy R0
a) b)
146
przez cały czas w jednym kierunku. Rozwiązanie prostowników
dwupołówkowych realizuje się w dwóch wersjach:
- z wyprowadzonym środkiem uzwojenia wtórnego transformatora
(rys.13.4a);
- z diodami w układzie Graetza (rys.13.4b).
a) b)
2 1 8 1
ηu = ⋅ ; ηP = ⋅ ;
π 1 + 2r π 2
1+
2r
R0 R0
2 1 π2
K1 = ≈ 0,64 ; K2 = = 0,71 ; kt = − 1 ≈ 0,48 .
π 2 8
147
mniejsze, co umożliwia zastosowanie diod o mniejszym dopuszczalnym
napięciu wstecznym. Układ zapewnia też lepsze wykorzystanie mocy
transformatora. Wadą jest konieczność używania czterech diod.
a) b)
R0
kt = ;
3ωL 2
gdzie:
ω - pulsacja napięcia wejściowego.
148
• standardowe pracujące przy częstotliwości f ≤ 400 Hz;
• szybkie pracujące przy częstotliwości f ≈ 200 kHz;
• Schottky’ego pracujące w układach w.cz.
Diody prostownicze niekiedy łączy się szeregowo lub równolegle (rys. 13.6).
a) b)
D R D R
D R
D R
D R
D R
149
13.5. PROSTOWNIK TYRYSTOROWY
a) b)
13.6. STABILIZATORY
150
przyrządy będące wzorcowymi źródłami. Są często wykorzystywane jako
integralne części bardziej rozbudowanych układów elektronicznych.
U wy = f (U we , I wy , T ) ;
I wy = f (U we ,U wy , T ) ;
Iwe Iwy
Parametry stabilizatorów:
151
• zakres stabilizacji – zakres poprawnej pracy układu, czyli zakres
zmian napięcia wejściowego i odpowiadający mu zakres zmian
napięcia wyjściowego.
U wy = U Z = 9,1V .
Ponieważ
152
U we = IR + U Z , stąd U wy = U we − IR .
U we − U Z
I= = 39,5mA ;
R
Na rysunku 13.9c pokazane jest jak zmienia się punkt pracy diody Zenera
wraz ze zmianami prądu obciążenia ∆Iwy w zakresie wartości ± 10 mA. W tej
analizie przyjmujemy, że prąd płynący przez rezystor nie zmienia się.
Jeżeli prąd obciążenia zwiększy się o 10 mA, to o tę wartość zmniejszy się
prąd płynący przez diodę. Jeżeli prąd płynący przez obciążenie będzie
zmniejszony o 10 mA, to o tę wartość zwiększy się prąd płynący przez diodę.
Zmiana prądu obciążenia przeniesie się na diodę, a napięcie wyjściowe
zmieni się w przybliżeniu o ∆I * rZ (rZ – rezystancja dynamiczna diody
Zenera).
Przy pomocy charakterystyki prądowo – napięciowej diody Zenera możemy
wyprowadzić wzory opisujące parametry stabilizatora.
153
U wy − U Z
IZ = ;
rZ
U wy
I wy = ; U wy − I wy R − I Z R ;
R0
R R R
U we = U wy 1 + + − U Z ;
R0 rZ rZ
∆U we R R
S= = 1+ + ; (13.1)
∆U wy R0 rZ
rwy = R rZ .
U we min − U Z
I Z min = − I wy max ; (13.2)
R
maksymalny prąd diody jest ograniczony maksymalną mocą PDmax, jaka może
wydzielić się w diodzie, nie powodując jej uszkodzenia. Płynie on przy
minimalnym prądzie obciążenia, ale przy maksymalnym napięciu
wejściowym.
PD max = I Z max (U Z + I Z max ⋅ rZ ) ; (13.3)
U we max − (U Z + rZ I Z max )
I Z max = − I wy min ; (13.4)
R
154
13.8. STABILIZATOR ZE SPRZĘŻENIEM ZWROTNYM
a)
I Iwy
Układ
regulujący
Źródło Układ
Uwe napięcia porównująco - Układ Uwy Ro
wzmacniający pomiarowy
odniesienia
Uo Up
b)
RS Iwy
I
IR
Układ
pomiarowy
Źródło Układ
Uwe Układ Uwy Ro
napięcia porównująco -
regulujący
odniesienia wzmacniający
155
napięcie wyjściowe wzrośnie o wartość ∆U, to sygnał błędu wzrośnie o
wartość ∆U1 ≤ ∆U, i po wzmocnieniu tak wysteruje element regulacyjny, że
wartość napięcia wyjściowego zmniejszy się o ∆U. Im większe będzie
wzmocnienie tego rzeczywistego układu, z tym większą dokładnością
napięcie wyjściowe będzie równe założonej (tym lepsza będzie stabilizacja
napięcia wyjściowego).
W stabilizatorach szeregowych napięcie wyjściowe jest stabilizowane
zarówno przy zmianach napięcia wejściowego, jak i prądu obciążenia. Wadą
tych stabilizatorów jest brak zabezpieczenia układu regulacyjnego przed
przeciążeniem lub zwarciem na wyjściu. Zmusza to do stosowania
dodatkowych elementów zabezpieczających.
W stabilizatorze równoległym przy stałym napięciu Uwe wartość prądu I
jest stała, a układ regulacyjny zmienia wartość prądu IR tak, aby prąd
wyjściowy (Iwy ≈ I – IR) przepływający przez obciążenie Ro powodował
spadek napięcia o wartości Uwy. Rezystor szeregowy RS separuje napięcie
niestabilizowane Uwe od napięcia stabilizowanego Uwy. Wzrost napięcia Uwe
powoduje zwiększenie prądu I oraz spadku napięcia na rezystorze RS, tak aby
Uwy = const. Układ ten jest rzadziej stosowany ze względu na większą wartość
mocy wydzieloną w stabilizatorze. Jedyną ich zaletą jest naturalne
zabezpieczenie elementu regulacyjnego przed przeciążeniem. Do wad
zaliczamy małą stabilność oraz niewielką sprawność, gdyż niezależnie od
wartości prądu obciążenia pobierają one z układu zasilającego prąd
znamionowy.
• schemat szeregowy,
• schemat r ównoległy.
156
układzie diodowym z rys. 13.9, uzyskuje się w tym układzie mniejsze zmiany
napięcia wyjściowego Uwy, ponieważ:
∆I Z ≈ ∆I B << ∆I wy .
a) b)
c)
∆I wy
∆I Z = .
β
157
Wobec tego można się spodziewać około β-krotnie mniejszej zmiany napięcia
wyjściowego w porównaniu ze zmianą w układzie diodowym. Rozważania
powyższe mają przybliżony charakter, ponieważ nie uwzględniono zmian
napięcia kolektor-emiter tranzystora wraz ze zmianą prądu emitera. Dobrze
jednak odzwierciedlają różnice w pracy stabilizatorów diodowych i
stabilizatorów tranzystorowych.
Wartość rezystancji wyjściowej tranzystorowego układu szeregowego (rys.
13. 11a) oblicza się korzystając ze spostrzeżenia, że odpowiada ona
rezystancji wyjściowej wtórnika emiterowego:
rZ + rbb 1
rwy = +
'
.
β g eb
'
RB
S≈ .
rZ
U we − U Z
RB ≈ .
IZ
158
rZ
∆U wy ≈ ∆U we ;
rZ + RB
159
Rys. 13.12. Schemat funkcjonalny stabilizatora szeregowego z zabezpieczeniami
nadnapięciowymi.
160
zwarcia. W konsekwencji uzyskuje się przyśpieszone przepalenie
bezpiecznika i odłączenie stabilizatora od źródła napięcia wejściowego.
Podobnie działa układ ograniczający prąd obciążenia stabilizatora
(rys.13.13b). Jeżeli prąd wyjściowy wzrośnie do wartości Iwymax, spowoduje to
spadek napięcia na rezystorze RS do wartości UBEP. Nastąpi wówczas
załączenie tranzystora T, który zmniejszy wartość prądu sterującego układ
regulujący, zapewniając stałą wartość prądu obciążenia. Jeśli przy założonej
wartości napięcia wyjściowego Uwy i wartości rezystancji obciążenia Ro,
płynąłby prąd Iwy > Iwymax, to układ pracowałby jako stabilizator prądu
wyjściowego Iwymax (patrz charakterystyka prądowo – napięciowa –
rys.13.13b).
U BEP
RS = ;
I wy max
U B = (U wy + I wy RZ )
R2
U E = U wy ; ;
R1 + R2
Przewodzenie tranzystora T powoduje mniejsze wysterowanie układu
regulacyjnego, czyli zmniejszenie napięcia wyjściowego.
Następuje zmniejszenie napięcia na bazie tranzystora, a co za tym idzie
większe wysterowanie tranzystora T, pogłębiając ten proces. Proces ten
kończy się ustaleniem prądu wyjściowego Izw (zwarcia), przy Uwy = 0.
Układy z podcięciem charakterystyki realizuje się w celu zabezpieczenia
układu regulującego przed uszkodzeniem termicznym. W wyniku
ograniczenia prądu wyjściowego, czyli po zadziałaniu zabezpieczenia,
uzyskuje się zmniejszenie mocy wydzielanej w układzie. Unika się w ten
sposób przegrzania, a także wydłuża się czas użytkowania stabilizatora.
161
Rozdział XIV. Przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-
analogowe.
a a a
U wy = ±U odn 11 + 22 + K + nn ;
2 2 2
Bit a1, jest nazywany najbardziej znaczącym bitem – MSB (ang. Most
Significant Bit), bit an – najmniej znaczącym bitem – LSB (ang. Least
Significant Bit). Znak napięcia wyjściowego zależy od tego, czy przetwornik
C/A odwraca czy nie odwraca fazy.
U odn
∆U = ;
2n
162
Rys. 14.1. Charakterystyka przejściowa przetwornika C/A.
1 – idealna, 2 – rzeczywista.
RU odn a1 a 2 a a
U wy = − + + 3 + K + n −1n ;
2 R 2R 4R 2 R
163
Rys. 14.2. Przetwornik C/A o przetwarzaniu:
a)prądowym, b) napięciowym.
164
odpowiednio: połowie, jednej czwartej i jednej ósmej wartości napięcia
odniesienia.
U wy = 0 .
2. Gdy b0, b1, b2 = 010, na wejście układu sumującego jest podawane napięcie
U
o wartości odn poprzez przełącznik P2 oraz napięcie o wartości zero
4
poprzez przełączniki P1 i P3.
U
U wy = odn .
4
3. Gdy b0, b1, b2 = 111, na wejścia układu sumującego jest podawane napięcie
U U
o wartości odn , poprzez przełącznik P1, napięcie o wartości odn ,
2 4
U odn
poprzez przełącznik P2 oraz napięcie o wartości , poprzez
8
przełącznik P3.
7
U wy = U odn .
8
165
14.2. PRZETWORNIKI A/C
a a a
U we = U odn 11 + 22 + K + nn .
2 2 2
U odn
∆U = ;
2n
n – liczba bitów słowa wyjściowego;
• błąd kwantyzacji ( ± ∆U lub LSB ) – odchyłka rzeczywistej
2 2
charakterystyki schodkowej od charakterystyki idealnej.
166
14.3. PODSTAWOWE CZŁONY PRZETWORNIKÓW
167
zakresie napięć wejściowych determinuje zakres wzmocnienia komparatora
(∆U).
168
BIBLIOGRAFIA
169